清洁和处置微电子装置的方法以及相关工装和组件与流程

技术特征：
1.一种处理微电子装置部件的方法，其包括：在半导体裸片表面的一部分上供应流体；从所述半导体裸片表面的另一部分抽吸所述流体；在供应和抽吸所述流体之后从支撑元件提升所述半导体裸片；在所述半导体裸片的相对表面的一部分上供应所述流体；从所述半导体裸片的所述相对表面的另一部分抽吸所述流体；以及将所述半导体裸片定位在另一微电子装置部件上。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在供应所述流体时脉冲输送所述流体。3.根据权利要求1所述的方法，其中从所述半导体裸片表面的另一部分抽吸所述流体包括从所述半导体裸片表面的所述另一部分移除与供应到所述半导体裸片表面的所述部分基本相同的量的流体。4.根据权利要求1所述的方法，其中从所述相对表面的另一部分抽吸所述流体包括从所述半导体裸片的所述相对表面的所述另一部分移除与供应到所述半导体裸片的所述相对表面的所述部分基本相同的量的流体。5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括使所述流体流动到接近所述半导体裸片的外周的道中。6.根据权利要求1到5中任一项所述的方法，其进一步包括使所述半导体裸片的所述相对表面与所述支撑元件之间的粘合剂与流动到道中的所述流体接触，且利用所述流体溶解所述支撑元件与所述半导体裸片之间的粘合剂的至少一部分。7.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括在提升所述半导体裸片之前溶解所述粘合剂的所述至少一部分。8.根据权利要求1到5中任一项所述的方法，其中所述流体包括去离子水或溶剂。9.一种方法，其包括：移除半导体裸片与支撑元件之间的粘合剂的至少一部分；利用拾取工具通过对所述半导体裸片的一侧和所述支撑元件施加真空而从所述支撑元件拾取所述半导体裸片，且利用所述拾取工具提升所述半导体裸片；以及利用所述拾取工具将所述半导体裸片传送到另一位置。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述粘合剂包括水溶性粘合剂。11.根据权利要求9或10中任一项所述的方法，其中移除所述粘合剂的所述至少一部分包括使流体流动到接近所述半导体裸片与所述支撑元件之间的所述粘合剂的区域中以至少使所述粘合剂降解。12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括使所述流体流动到所述区域中持续约1秒(s)与约30 s之间的时间段。13.根据权利要求9所述的方法，其中所述粘合剂包括热可释放粘合剂，且移除所述粘合剂的所述至少一部分包括加热所述粘合剂。14.根据权利要求13所述的方法，其中加热所述粘合剂包括利用激光加热所述半导体裸片。15.根据权利要求13所述的方法，其中加热所述粘合剂包括利用激光加热所述支撑元件。
16.一种用于处置微电子装置的设备，其包括：至少一个喷嘴，其包括：流体出口通口，其经配置且可定位以在微电子装置的表面上供应流体；和抽吸通口，其经配置以从所述微电子装置的所述表面接收所供应的所述流体；以及具有拾取表面的拾取臂，所述拾取表面经配置且可定位以通过对所述表面施加真空而将所述微电子装置接收于所述拾取表面上。17.根据权利要求16所述的设备，其中所述至少一个喷嘴包括第二喷嘴，所述第二喷嘴包括：第二流体出口通口，其经配置且可定位以在所述微电子装置接收于所述拾取臂上时在所述微电子装置的与所述表面相对的另一表面上供应流体；以及第二抽吸通口，其经配置以从所述微电子装置的所述另一表面接收所供应的所述流体。18.根据权利要求16所述的设备，其中所述流体出口通口定位在所述喷嘴的中心区域中，且所述抽吸通口定位在所述喷嘴的周边区域中。19.根据权利要求16到18中任一项所述的设备，其中所述抽吸通口定位在所述喷嘴的中心区域中，且所述流体出口通口定位在所述喷嘴的周边区域中。20.一种用于处置微电子装置的设备，其包括：清洁设备，其包括：多个喷嘴，其经配置且可定位以将清洁流体供应到多个半导体裸片的表面且同时从所述表面抽吸所述清洁流体；清洁流体储集器，其与所述多个喷嘴选择性连通；以及真空源，其经配置以通过所述多个喷嘴抽吸所述清洁流体；拾取设备，其包括：拾取头，在已供应以及从半导体裸片抽吸所述清洁流体之后，所述拾取头可定位成接近所述半导体裸片；以及真空源，其与所述拾取头选择性连通以将经清洁半导体裸片吸引到所述拾取头。

技术总结
本申请涉及清洁和处置微电子装置的方法以及相关工装和组件。一种用于处置半导体裸片的设备可包含一或多个喷嘴，所述一或多个喷嘴经配置以在至少一个半导体裸片上供应和抽吸流体。所述设备可包含拾取设备，所述拾取设备包括用于拾取所述至少一个半导体裸片的拾取头。所述一或多个喷嘴可经配置以清洁所述至少一个半导体裸片的表面、至少部分地移除所述至少一个半导体裸片与支撑元件之间的粘合剂，或这两者。这两者。这两者。


技术研发人员：B
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2021.05.07
技术公布日：2022/6/4