MIM电容器的制作方法及MIM电容器与流程

技术特征：
1.一种mim电容器的制作方法，其特征在于，所述方法包括：在基板上形成下极板；在下极板上沉积导热电阻材料形成第一薄膜电阻层，所述导热电阻材料的温度系数低于10-4 ppm/℃；在第一薄膜电阻层上形成介质层；在介质层上沉积导热电阻材料形成第二薄膜电阻层，使第一薄膜电阻层和第二薄膜电阻层全包覆所述介质层，所述导热电阻材料的温度系数低于10-4 ppm/℃；在第二薄膜电阻层上形成上极板。2.根据权利要求1所述的mim电容器的制作方法，其特征在于，所述在第二薄膜电阻层上形成上极板，包括：在第二薄膜电阻层上沉积导电金属材料形成上极板材料层；对上极板材料层进行刻蚀，形成上极板。3.根据权利要求2所述的mim电容器的制作方法，其特征在于，所述对上极板材料层进行刻蚀，形成上极板，包括：在上极板材料层上涂覆光刻胶，对涂覆光刻胶的上极板材料层进行第一次刻蚀，去除两侧边缘的上极板材料；以第一次刻蚀后的上极板材料层为硬掩膜，对第二薄膜电阻层和介质层进行刻蚀，去掉上极板材料层所覆盖区域以外的第二薄膜电阻层和介质层；对第一次刻蚀后的上极板材料层进行第二次刻蚀，去掉介质层边缘上方的上极板材料；去除第二次刻蚀后剩余的光刻胶，以使第二次刻蚀后的上极板材料层形成为上极板。4.根据权利要求2所述的mim电容器的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：在上极板材料层的侧方形成氧化层侧墙。5.根据权利要求4所述的mim电容器的制作方法，其特征在于，所述在上极板材料层的侧方形成氧化层侧墙，包括：在上极板材料层的上方和侧方沉积氧化物；利用上极板材料层及上极板材料层侧方的氧化物作为硬掩膜，对介质层进行刻蚀，去掉上极板材料层及上极板材料层侧方的氧化物所覆盖区域以外的介质层；去掉上极板材料层上方的氧化物，将上极板材料层侧方的氧化物作为氧化层侧墙。6.根据权利要求1所述的mim电容器的制作方法，其特征在于，所述导热电阻材料为sicr、nicr、tinicr、tan中任意一种。7.根据权利要求1所述的mim电容器的制作方法，其特征在于，所述第一薄膜电阻层的厚度小于1μm，所述第二薄膜电阻层的厚度小于1μm。8.一种mim电容器，包括下极板、介质层、上极板，其特征在于，还包括：第一薄膜电阻层和第二薄膜电阻层；所述第一薄膜电阻层位于所述下极板与所述介质层之间，所述第二薄膜电阻层位于所述介质层与所述上极板之间，所述第一薄膜电阻层和第二薄膜电阻层全包覆所述介质层；所述第一薄膜电阻层和第二薄膜电阻层的材料为温度系数低于10-4 ppm/℃的导热电阻材料。
9.根据权利要求8所述的mim电容器，其特征在于，所述介质层的覆盖面积大于所述上极板的覆盖面积。10.根据权利要求9所述的mim电容器，其特征在于，还包括：氧化层；所述氧化层形成于所述上极板的未被所述介质层覆盖的侧墙区域。11.根据权利要求8所述的mim电容器，其特征在于，所述第一薄膜电阻层的厚度小于1μm，所述第二薄膜电阻层的厚度小于1μm。12.根据权利要求8所述的mim电容器，其特征在于，所述第一薄膜电阻层和第二薄膜电阻层的材料为sicr、nicr、tinicr、tan中任意一种。

技术总结
本发明涉及半导体领域，提供一种MIM电容器的制作方法及MIM电容器。所述MIM电容器的制作方法包括：在基板上形成下极板；在下极板上沉积温度系数低的导热电阻材料，形成第一薄膜电阻层；在第一薄膜电阻层上形成介质层；在介质层上沉积温度系数低的导热电阻材料，形成第二薄膜电阻层，使第一薄膜电阻层和第二薄膜电阻层全包覆介质层；在第二薄膜电阻层上形成上极板。本发明通过两层温度系数低的薄膜电阻层将MIM电容器的介质层全包覆住，可以降低MIM电容器整体的温度系数，提高MIM电容器的温度线性度性能。性度性能。性度性能。


技术研发人员：赵东艳 王于波 王凯 陈燕宁 付振 刘芳 余山 邓永峰 吴波 郁文 刘倩倩
受保护的技术使用者：北京智芯微电子科技有限公司 国家电网有限公司 国网重庆市电力公司电力科学研究院
技术研发日：2022.05.05
技术公布日：2022/6/3