物理气相沉积装置及装置的降压方法与流程

技术特征：
1.一种物理气相沉积装置，其特征在于，所述物理气相沉积装置包括：工作腔，所述工作腔用于进行物理气相沉积工艺，所述工作腔包括抽气端；缓冲腔，所述缓冲腔包括进气端和出气端，所述工作腔的抽气端和所述缓冲腔的进气端之间设有闸阀；当所述闸阀打开时，所述工作腔的抽气端和所述缓冲腔的进气端连通；低温泵，所述低温泵连通所述缓冲腔的出气端，用于通过所述缓冲腔对所述工作腔进行抽气降压；所述工作腔和所述缓冲腔之间连有预降压支路，所述预降压支路上设有预降压气动阀，当所述预降压气动阀打开时，所述预降压支路将所述工作腔和所述缓冲腔连通；所述工作腔还连有进气支路，所述进气支路上设有用于控制所述进气支路通断的进气气动阀，当所述进气气动阀打开时，向所述工作腔进气。2.如权利要求1所述的物理气相沉积装置，其特征在于，所述预降压支路的口径范围为20mm至40mm。3.如权利要求1所述的物理气相沉积装置，其特征在于，所述工作腔的抽气端的口径为150mm至250mm。4.一种物理气相沉积装置的降压方法，其特征在于，所述物理气相沉积装置的降压方法包括以下步骤：控制所述进气气动阀打开，使得所述进气支路为通路；通过所述进气支路向所述工作腔进气，使得所述工作腔的压强达到第一压强；控制所述预降压气动阀打开，使得所述工作腔和所述缓冲腔通过所述预降压支路连通；使得所述低温泵通过所述缓冲腔和所述预降压支路对所述工作腔进行预抽气降压操作；控制所述闸阀打开，使得所述工作腔的抽气端和所述缓冲腔的进气端连通；使得所述低温泵通过所述缓冲腔的进气端对所述工作腔进行抽气降压操作。5.如权利要求4所述的物理气相沉积装置的降压方法，其特征在于，所述物理气相沉积装置的降压方法还包括，在所述通过所述进气支路向所述工作腔进气，使得所述工作腔的压强达到第一压强步骤完成后，在所述控制所述预降压气动阀打开，使得所述工作腔和所述缓冲腔通过所述预降压支路连通的步骤进行前的以下步骤：使得所述工作腔的压强保持第一压强10s至20s的时间。6.如权利要求4所述的物理气相沉积装置的降压方法，其特征在于，在所述使得所述低温泵通过所述缓冲腔和所述预降压支路对所述工作腔进行预抽气降压操作步骤完成后，使得所述工作腔中的压强降至5e-2torr至1e-3torr。7.如权利要求1或6所述的物理气相沉积装置的降压方法，其特征在于，所述通过所述进气支路向所述工作腔进气，使得所述工作腔的压强达到第一压强的步骤，包括：通过所述进气支路向所述工作腔进气，使得所述工作腔的压强达到范围为0.5torr至1torr的第一压强。8.如权利要求4所述的物理气相沉积装置的降压方法，其特征在于，所述使得所述低温泵通过所述缓冲腔的进气端对所述工作腔进行抽气降压操作的步骤使得所述工作腔的压强降至5e-8torr至1e-7torr。

技术总结
本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种物理气相沉积装置及其装置的冷却方法。其装置包括在工作腔和低温泵之间增加了缓冲腔，缓冲腔与工作腔之间通过预降压支路连接。其降压方法包括以下步骤：控制进气气动阀打开，使得所述进气支路为通路；通过所述进气支路向所述工作腔进气，使得所述工作腔的压强达到第一压强；控制所述预降压气动阀打开，使得所述工作腔和所述缓冲腔通过所述预降压支路连通；使得所述低温泵通过所述缓冲腔，以及相连通的进气支路和第二气路对所述工作腔进行预抽气降压操作；控制闸阀打开，使得所述工作腔的抽气端和所述缓冲腔的进气端连通；使得低温泵通过所述缓冲腔的进气端对所述工作腔进行抽气降压操作。腔进行抽气降压操作。腔进行抽气降压操作。


技术研发人员：祁志超 谭秀文 吕剑
受保护的技术使用者：华虹半导体（无锡）有限公司
技术研发日：2022.02.18
技术公布日：2022/6/1