用于无掩模光刻系统的通用计量文档、协议及处理的制作方法

1.本公开内容的实施方式大致上涉及光刻系统。更具体地，本公开内容的实施方式涉及一种光刻工艺的系统、软件应用程序及方法，以利用光刻环境的每个部件均可读取的文档来更新掩模图案、无掩模光刻装置参数、及光刻工艺参数之中的一者或多者。


背景技术：

2.无掩模光刻用于半导体元件的制造中，例如用于半导体元件的后端处理，以及显示器装置，例如液晶显示器(lcd)。，为了将掩模图案的特征图案写入设置于基板上方的光刻胶中，在传统的光刻环境中编译特征图案的测量值，根据编译测量值更新掩模图案，以及在独立的基板的光刻胶上写入更新的掩模图案的特征图案，这需要光刻环境的每个部件之间的单独的文档格式与协议。此外，为了更新无掩模光刻装置的参数与光刻工艺，需要光刻环境的每个部件之间的单独的文档格式与协议。在光刻环境的每个部件之间使用单独的文档格式与协议，会在格式与协议之间进行转换时引入错误，进而可能导致所显影图案的不准确性、处理延迟、以及降低产量。
3.因此，在本领域中需要一种光刻工艺的光刻环境、软件应用程序及方法，以利用光刻环境的每个部件均可读取的文档来更新掩模图案、无掩模光刻装置参数、及光刻程序参数之中的一者或多者。


技术实现要素：

4.在一个实施方式中，提供了一种方法。该方法包括利用光刻环境的虚拟掩模装置创建设计文档及通用计量文档(universal metrology file,umf)文档。光刻环境包括可操作以连接到虚拟掩模装置、计量装置、及无掩模光刻装置的控制器。该控制器、该虚拟掩模装置、该计量装置、及该无掩模光刻装置中的每一者均可读取umf文档。该设计文档被传送到无掩模光刻装置，而该umf文档被传送到计量装置。执行光刻工艺，该光刻工艺包括：根据该设计文档，利用无掩模光刻装置图案化第一基板，并将由无掩模光刻装置图案化的第一基板传送至计量装置。计量装置根据该umf文档的指令执行一个或多个计量处理，并利用计量测量值填充(populate)umf文档。一个或多个应用程序的第一部分根据umf文档的指令由计量装置执行，且编译在umf文档中的校正模型与校准偏移数据中的至少一者。该umf文档被发送到虚拟掩模装置与无掩模光刻装置中的至少一者。使用虚拟掩模装置与无掩模光刻装置中的至少一者来更新设计文档。
5.在另一个实施方式中，提供了一种非暂时性计算机可读介质。非暂时性计算机可读介质储存有指令，在当该指令由处理器执行时，会使计算机系统执行以下步骤：利用光刻环境的虚拟掩模装置创建设计文档与通用计量文档(umf)文档。光刻环境包括可操作以连接到虚拟掩模装置、计量装置、及无掩模光刻装置的控制器。该umf文档可由控制器，虚拟掩模装置，计量装置与无掩模光刻装置中的每一个读取。该设计文档被传送到无掩模光刻装置，而该umf文档被传送到计量装置。执行光刻工艺，该光刻工艺包括：利用无掩模光刻装置
对第一基板进行图案化，并将由无掩模光刻装置图案化的第一基板传送至计量装置。计量装置根据umf文档的指令执行一个或多个计量处理，并利用计量测量值填充umf文档。一个或多个应用程序的第一部分根据umf文档的指令由计量装置执行，且编译在umf文档中的校正模型与校准偏移数据中的至少一者。该umf文档被发送到虚拟掩模装置与无掩模光刻装置中的至少一者。利用该虚拟掩模装置与该无掩模光刻装置中的至少一者，根据该校正模型与该校准偏移数据中的至少一者，来更新设计文档、光刻工艺参数、及无掩模光刻装置参数中的至少一者。
6.在另一个实施方式中，提供了一种非暂时性计算机可读介质。非暂时性计算机可读介质包括：具有基于文本的标记语言的格式，其为可读取的并且可操作的以在虚拟掩模装置、计量装置、无掩模光刻装置、及光刻环境的控制器之间传送。非暂时性计算机可读介质的多个部分具有元素，该元素是可操作以通过虚拟掩模装置、计量装置、无掩模光刻装置、及控制器中的每一者保留并储存在非暂时性计算机可读介质中。多个部分包括识别部分、计量指令部分、应用程序指令部分、对准标记部分、图像储存部分、及计量测量部分。
附图说明
7.因此，可以详细地理解本公开内容的上述特征的方式，可以通过参考实施方式来获得如以上简要概述的本公开内容的更详细的描述，在附图中示出其中一些实施方式。然而，应注意的是，附图仅示出示例性实施方式，因此不应视为其范围的限制，并且可以允许其他等效实施方式。
8.图1是根据本文描述的实施方式的光刻环境的示意图。
9.图2是根据本文描述的实施方式的示例性无掩模光刻装置的立体图。
10.图3是根据本文描述的实施方式的掩模图案的示意图。
11.图4是根据本文描述的实施方式的接口的示意图。
12.图5是根据本文描述的实施方式的无掩模光刻方法的流程图。
13.为了便于理解，在可能的地方使用了相同的附图标记来表示图中共有的相同元件。可以预期的是，一个实施方式的元件与特征可以有利地并入其他实施方式中，而无需进一步说明。
具体实施方式
14.本公开内容的实施方式大致上涉及光刻系统。更具体地，本公开内容的实施方式涉及一种光刻工艺的系统、软件应用程序及方法，以利用光刻环境的每个部件均可读取的文档来更新掩模图案、无掩模光刻装置参数、及光刻工艺参数之中的一者或多者。光刻环境的每个部件可读取的文档储存并共享文本数据，并促进光刻环境的各个部件之间的通信，从而更新对应于要写入的图案的掩模图案，校准光刻环境的无掩模光刻装置，以及校正光刻工艺的工艺参数，以在连续的基板上精确地写入掩模图案。
15.图1是光刻环境100的示意图。如图所示，光刻环境100包括但不限于虚拟掩模装置102、计量装置104、评估装置106、无掩模光刻装置108、控制器110、多个通信链路101、及传送系统103。如本文进一步所述，评估装置106是可操作的以执行一个或多个计算、模拟、或建模处理，以编译如本文进一步所述的校正模型或校准偏移数据中的至少一者。可在光刻
环境100中包括额外的光刻环境装置(即，虚拟掩模装置102、计量装置104、评估装置106、及无掩模光刻装置108)。每个光刻环境装置是可操作的以经由通信链路101彼此连接。每个光刻环境装置是可操作以经由通信链路101连接到控制器110。可替代地或附加地，每个光刻环境装置可通过首先与控制器110通信，然后控制器与相关光刻环境装置通信，而间接通信。光刻环境100可以位于相同的区域或生产装置中，或者每个光刻环境装置可以位于不同的区域中。
16.多个光刻环境装置中的每一者，额外地被本文所述的方法500操作索引。虚拟掩模装置102、计量装置104、评估装置106、无掩模光刻装置108、及控制器110中的每一者均包括板载处理器与存储器，其中该存储器经配置以储存与下述的方法500的任何部分相对应的指令。通信链路101可包括以下至少之一：有线连接、无线连接、卫星连接等。根据本文进一步描述的实施方式，通信链路101包括发送与接收通用计量文档(umf)或用于储存数据的任何其他文档。通信链路101可以包括在将文档或数据传送或复制到光刻系统工具之前，将文档或数据临时或永久地储存在云端。
17.无掩模光刻装置108与计量装置104经由传送系统103连接。传送系统是可操作的以在无掩模光刻装置108与计量装置104之间传送基板。在可以与本文描述的其他实施方式结合的一个实施方式中，传送系统103可以包括机器人或可连接至控制器110的其他装置，其可操作以传送经图案化的晶片。在可与本文描述的其他实施方式结合的一个实施方式中，传送系统103可由使用者物理操作。
18.控制器110包括中央处理单元(cpu)112、支持电路114、及存储器116。cpu 112可以是可在工业环境中用于控制光刻环境装置的任何形式的计算机处理器中的一种。存储器116耦接至cpu 112。存储器116可以是一或多种容易获得的存储器，例如随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、软盘、硬盘、或本地或远程的任何其他形式的数字储存器。支持电路114耦接至cpu 112，用于以传统方式支持处理器。这些电路包括高速缓存、电源供应、时钟电路、输入/输出电路、子系统等。控制器110可以包括cpu 112，其耦接至在辅助电路114与存储器116中所具有的输入/输出(i/o)装置。
19.存储器116可以包括一个或多个软件应用程序，例如控制软件程序。存储器116还可包括由cpu 112用来执行本文所述的方法500的储存的媒体数据。cpu 112可以是能够执行软件应用程序与处理数据的硬件单元或硬件单元的组合。在一些配置中，cpu 112包括中央处理单元(cpu)、数字信号处理器(dsp)、专用集成电路(asic)、及/或这些单元的组合。cpu 112通常经配置以执行一个或多个软件应用程序，并处理所储存的媒体数据，该媒体数据可各自被包括在存储器116内。控制器110控制与各种光刻环境装置之间的数据与文档的传送。存储器116经配置以储存对应于根据本文描述的实施方式的方法500的任何操作的指令。
20.图2是可得益于本文描述的实施方式的示例性无掩模光刻装置108(例如，数位光刻系统)的立体图。无掩模光刻装置108包括平台214及处理单元204。平台214由一对轨道216支撑。基板220由平台214支撑。平台214是可操作的以沿着一对轨道216移动。编码器218耦接至平台214，以便将平台214的位置信息提供给控制器222。
21.控制器222通常被设计为促进本文描述的处理技术的控制与自动化。控制器222可以耦接至处理单元204、平台214、及编码器218或与其通信。处理单元204与编码器218可以
将关于基板处理与基板对准的信息提供给控制器222。例如，处理单元204可以向控制器222提供信息，以提醒控制器222基板处理已经完成。控制器222基于由接口230提供的设计文档以促进无掩模光刻工艺的控制与自动化。可以被称为成像设计文档的设计文档(或计算机指令)可由控制器222读取，以确定要在基板上执行的任务。设计文档(例如，图4的设计文档420)包括掩模图案数据。掩模图案数据包括掩模图案302(图3所示)，及用于监视与控制处理时间与基板位置的代码。掩模图案302对应于将使用电磁辐射写入光刻胶的图案。
22.基板220包括用作平板显示器的一部分的任何合适的材料，例如玻璃。在可以与本文描述的其他实施方式结合的其他实施方式中，基板220由能够用作平板显示器的一部分的其他材料制成。基板220具有在其上形成的例如通过图案蚀刻而被图案化的膜层，以及形成在要被图案化的膜层上的光刻胶层，该光刻胶层对电磁辐射(例如uv或深uv“光”)敏感。正性光刻胶包括光刻胶的如下一部分：当该部分暴露于辐射时，分别可溶于在使用电磁辐射将图案写入光刻胶之后涂覆至光刻胶的光刻胶显影剂。负性光刻胶包括光刻胶的如下一部分：当该部分暴露于辐射时，将分别不溶于在使用电磁辐射将图案写入光刻胶之后涂覆至光刻胶的光刻胶显影剂。光刻胶的化学成分决定了光刻胶是正性光刻胶还是负性光刻胶。光刻胶的实例包括但不限于重氮萘醌、酚醛树脂、聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚(戊二酸甲基)、及su-8中的至少一者。在光刻胶暴露于电磁辐射之后，使光刻胶显影，以在下层膜层上留下图案化的光刻胶。然后，使用经图案化的光刻胶，通过光刻胶中的开口对下面的薄膜进行图案蚀刻，以形成显示面板的电子电路的一部分。
23.处理单元204由支撑件208支撑，使得处理单元204跨过一对轨道216。支撑件208提供一开口212，以使该对轨道216与平台214在处理单元204下方通过。处理单元204是图案产生器，其经配置以从接口230接收掩模图案数据，并使用可操作以将电磁辐射的写入光束投影到基板220的一个或多个图像投影系统206在无掩模光刻工艺中曝光光刻胶。由处理单元204生成的图案由图像投影系统206投影，以将基板220的光刻胶暴露于写入光刻胶中的掩模图案302。在可以与本文描述的其他实施方式组合的一个实施方式中，每个图像投影系统206包括空间光调制器，以调制入射光以产生所需的图像。每个空间光调制器包括可以单独控制的多个电可寻址元件。基于掩模图案数据与由通过本文描述的方法500创建的位置校正模型提供的校正，每个电可寻址元件可以处于“on”位置或“off”位置。当光到达空间光调制器时，处于“on”位置的电可寻址元件将多个写入光束投射到投影透镜(未显示)。然后，投影透镜将写入光束投影到基板220。电可寻址元件包括但不限于数字微镜、液晶显示器(lcd)、硅上液晶(lcos)器件、硅上铁电液晶(flcos)器件、微快门、microled、vcsel、液晶显示器(lcd)、或任何电磁辐射的固态发射器。
24.图3是将使用处理单元204写入光刻胶中的掩模图案302的示意图。掩模图案数据包括掩模图案302。掩模图案302包括对应于要暴露于处理单元204所投射的电磁辐射的光刻胶的部分的一个或多个多边形304。应当理解，一个或多个多边形304可以使用任何形状的多边形，使得暴露的部分在光刻胶中形成一个或多个不同的特征。经曝光的光刻胶的一个或多个特征中的每一个均包括一个或多个目标值，例如临界尺寸。设计文档420的掩模图案数据还包括要曝光的一个或多个计量对准标记306。每个计量对准标记306包括x坐标与y坐标，以使得计量装置104可以被对准，以在经定义的位置处(如一个或多个计量位点308)执行基于配方的测量。设计文档420的掩模图案数据包括一个或多个计量位点308，该一个
或多个计量位点308在经由无掩模光刻装置108处理基板220之后将由计量装置104测量。每个计量位点308包括x坐标与y坐标。在经由无掩模光刻装置108处理基板220之后，可以对图案化的基板220进行进一步的处理，例如光刻胶的显影。
25.图4是接口230的示意图。接口230包括运算装置410与输入/输出(i/o)装置430。接口230可以用来对设计文档(例如，设计文档420)进行最佳化、验证、及更新的至少一者。接口230可以用于根据从虚拟掩模装置102、计量装置104、评估装置106、及控制器110中的至少一者所提供的通用计量文档(umf)的指令与可读数据，来对设计文档420进行最佳化、验证、及更新的至少一者。在方法500的操作中进一步描述了根据umf文档的设计文档420的最佳化、验证、及更新。
26.运算装置410可以包括控制器412、网路接口414、及存储器416。控制器412取回并执行储存在存储器416中的编程数据，并协调其他系统部件的操作。类似地，控制器412储存与取回驻存在存储器416中的应用程序数据。控制器412可以是一个或多个中央处理单元(cpu)。
27.存储器416可以储存将由控制器412执行的指令与逻辑。此外，存储器416可以是随机存取存储器(ram)与非易失性存储器(nvm)之中的一者或多者。nvm可以是硬盘、网路附加储存器(nas)、及可移动储存装置等。此外，存储器416可以包括设计应用程序418及设计文档420。
28.设计应用程序418对设计文档420的设计数据进行最佳化、验证、及更新的至少一者。设计应用程序418可以由控制器412控制，以最佳化和/或更新设计文档420的设计数据。
29.设计文档420可以储存在存储器416内，并且可以由控制器412与设计应用程序418访问。设计文档420包括掩模图案数据，该掩模图案数据由控制器222解读以图案化布置在基板220上的光刻胶。设计文档420可以以不同的格式提供。例如，设计文档420的格式可以是gds格式与oasis格式中的一种。设计文档420的掩模图案数据包括掩模图案302、计量对准标记306、及计量位点308。设计文档中包含的其他数据包括曝光剂量数据、曝光聚焦数据、及图像投影系统(ips)间的校准数据。曝光剂量数据对应于要投射到光刻胶的写入光束的剂量。曝光聚焦数据对应于每个图像投影系统206的聚焦。ips间的校准数据对应于图像投影系统206的拼接，使得投影出整个掩模图案302。设计文档420可以是位图(bitmap)或类似文档的格式。
30.i/o装置430可以包括键盘、显示装置、鼠标、音频装置、及触控屏幕之中的一者或多者。i/o装置430可以用于输入信息至接口230和/或从接口230输出数据。例如，使用者可以使用键盘与指向装置来产生和/或调整设计文档420的元素。在可以与本文描述的其他实施方式结合的另一实施方式中，i/o装置430经由与通信链路101通信的网路接口414耦接至控制器110。耦接至控制器的接口230提供利用计算机来控制本文描述的方法500整体的操作的计算机整合制造(computer-integrated manufacturing,cim)程序。
31.图5是无掩模光刻的方法500的流程图。在操作501，设计文档420由虚拟掩模装置102创建。设计文档420至少包括掩模图案数据、掩模图案302、一个或多个计量对准标记306、一个或多个计量位点308、曝光剂量数据、曝光聚焦数据、及图像投影系统(ips)间的校准数据。umf文档包括一个或多个元素部分。每个元素至少可被虚拟掩模装置102、计量装置104、评估装置106、无掩模光刻装置108、及控制器110读取和填充。umf文档的格式包括使用
者与机器可读取的基于文本的标记语言，并且可用于保留与储存元素部分。
32.umf文档的各部分包括但不限于识别部分、计量指令部分、应用程序指令部分、对准标记部分、图像储存部分、及计量测量部分。每个部分的元素可由光刻环境装置与控制器110识别。识别部分的元素包括但不限于与要处理的基板220相对应的基板标识符，与cim程序相对应的cim标识符，以及与要显影的光刻胶层相对应的层标识符。
33.计量指令部分定义了计量装置104将使用哪个计量程序来确定指定的计量(例如，经曝光的光刻胶的一个或多个特征的一个或多个目标值，例如临界尺寸)。计量部分的元素包括但不限于箱中箱(box in box)计量程序、临界尺寸(cd)计量程序、抗剂侧壁角度计量程序、边缘到边缘计量程序、扇形计量程序、过孔(via)计量程序、及图像计量程序。
34.箱中箱计量程序确定经曝光的光刻胶的特征的位置误差。cd计量程序确定经曝光的光刻胶的特征线或间距的大小。抗蚀剂侧壁角度计量程序确定显影后的光刻胶的侧壁角度。边缘到边缘的计量程序确定了经曝光的光刻胶的相邻图案的两个边缘之间的距离。扇形计量程序确定图案边缘变化。过孔计量程序确定了过孔图案的尺寸，该过孔图案由特征的水平或垂直临界尺寸所限定，或由特征的半径与椭圆度所限定。图像计量程序确定了多个图像计量，例如图像灰阶、图像对比等。每个元素具有与要由计量装置104执行的计量程序相对应的计量配方。
35.应用程序指令部分定义了计量装置104与评估装置106之一者将使用哪个应用程序。应用程序指令部分的元素包括但不限于一总间距应用程序、覆盖应用程序、无掩模光刻装置匹配应用程序、ips旋转应用程序、像素间距应用程序、多样性应用程序、剂量计算应用程序、聚焦计算应用程序、顶部与底部cd应用程序、cd均匀性应用程序、公差应用程序、及斑点(mura)分析应用程序。
36.总间距应用程序可调节基板220的整体缩放比例与正交误差。覆盖应用程序通过评估装置106所执行的一个或多个计算、模拟、或建模程序，来调整两层光刻胶之间的印刷差异。无掩模光刻装置匹配应用程序补偿多个无掩模光刻装置108之间的印刷签章差异。ips旋转应用程序确定ips相对于扫描方向的旋转。像素间距应用程序确定在基板220上观察到的电可寻址元素之间的间距(即像素间距)。多样性应用程序根据所印刷的图像属性确定最佳的像素混合多样性。剂量计算应用程序根据在多个剂量条件下光刻胶的曝光量确定最佳标称剂量。聚焦计算应用程序根据在几个聚焦条件下光刻胶的曝光来确定最佳标称聚焦。顶部与底部cd应用程序根据经曝光的光刻胶特征的顶部cd与底部cd的测量值，对光刻工艺参数与掩模图案数据进行最佳化。cd均匀性应用程序可最佳化光刻工艺参数与掩模图案数据，以提高经曝光的光刻胶特征的cd均匀性。公差应用程序根据在数个剂量与聚焦条件下的光刻胶的曝光，确定标称剂量与聚焦值以最佳化基于任何计量度量(例如cd)的公差。斑点分析应用程序利用一个或多个计量标准来确定斑点，并最佳化光刻工艺参数或掩模图案数据以最小化斑点。斑点(即混浊)被用于描述基板220的不均匀曝光。
37.每个应用程序基于储存在umf文档中的计量数据，将校正模型与校准偏移数据中的至少一者编译到应用程序指令部分的元素中。在可以与本文描述的其他实施方式组合的一个实施方式中，嵌入到umf文档中的校正模型或校准偏移数据被储存到校正模型文档中。除umf文档外，接口230可读取校正模型文档以对设计文档420进行最佳化、验证、及更新的至少一者，以及更新光刻工艺参数，以用于基板220的光刻胶的后续层或后续的基板。
38.对准标记部分包括两个或更多个计量对准标记306，每个都具有x坐标与y坐标，从而使得计量装置104可以被对准以在经定义位置处(如一个或多个计量位点308)执行基于配方的测量。图像储存部分指令部分包括要由计量装置104执行的图像储存指令。图像储存部分指令部分包括但不限于图像格式元素、图像尺寸元素、及像素尺寸元素。计量测量部分包括一个或多个具有x坐标与y坐标的计量位点308，以使计量装置104可以按照计量指令部分与应用程序指令部分在计量位点308进行至少一个计量处理。计量测量部分包括可根据计量指令部分与应用程序指令部分而被填充的元素。该些可填充的元素至少可被虚拟掩模装置102、计量装置104、评估装置106、无掩模光刻装置108、及控制器110读取。
39.在操作502，设计文档420从虚拟掩模装置102传送到无掩模光刻装置108，并且umf文档被传送到计量装置104。在操作503，执行光刻工艺，以使基板220暴露于设计文档420中所包括的掩模图案数据的掩模图案。可选地，在操作503的光刻工艺之后，可以例如提供光刻胶的显影和/或蚀刻来进一步处理基板220，以在基板220上形成图案。在操作504，经图案化的基板220被传送到计量装置104。在操作505，计量装置104读取umf文档并根据计量指令部分与图像储存部分执行一个或多个程序。根据与umf文档的识别部分相对应的计量指令部分与图像储存部分来执行一个或多个程序。在操作506，根据计量测量值，图像储存部分与计量测量部分被填充并储存至该umf文档。
40.在操作507，执行一个或多个应用程序以编译umf文档中的校正模型与校准偏移数据中的至少一者。根据umf文档的应用程序指令部分执行一个或多个应用程序。在可以与本文描述的其他实施方式结合的一个实施方式中，一个或多个应用程序中的每一个都由计量装置104执行。在可以与本文描述的其他实施方式结合的另一实施方式中，umf文档被发送到评估装置106，并且一个或多个应用程序中的每一者都由计量装置104来执行。在又一个实施方式中，根据umf文档的应用程序指令部分，一个或多个应用程序的第一部分由计量装置104执行，该umf文档被发送到评估装置106，并且一个或多个应用程序中的第二部分被评估装置106执行，以编译该umf文档中的校正模型与校准偏移数据中的至少一者。评估装置106可操作地将更新的光刻工艺值(例如，更新的曝光剂量数据、更新的曝光聚焦数据、及更新的ips间校准数据)储存到umf文档，使得接口230可被操作以调整光刻工艺参数，以用于基板220的后续的光刻胶层或后续基板。
41.在操作508，将umf文档从计量装置104与评估装置106中的至少一者传送到虚拟掩模装置102与无掩模光刻装置108中的至少一者。在操作509，根据储存到umf文档或校正模型文档中的校正模型与校准偏移数据中的一者，设计文档420被虚拟掩模装置102与无掩模光刻装置108中的至少一者来更新。
42.校准偏移数据包括要被更新的无掩模光刻装置108的参数。这些参数包括但不限于用于每个ips的剂量、聚焦、多样性、数值孔径(na)、照明相干性、及照明形状。校正模型可以包含与在基板220上的每个(x，y)位置处的位置校正相对应的参数，以及作为基板220上的(x，y)位置的函数的聚焦与剂量校正。校正模型的参数可以包括全局或局部校正。
43.全局校正包括但不限于作为(x，y)位置的函数的全局缩放、移位、及旋转校正。全局校正还可能包括针对每个ips的聚焦与剂量调整。局部校正可以包括局部偏移，该局部偏移可以被储存为每个(x，y)网格点的校正矢量或被储存为多项式函数。可以基于掩模图案数据与校正模型提供的参数将局部校正施加至每个空间光调制器，其中电可寻址元件可以
处于“on”位置或“off”位置。电可寻址元件的“on”与“off”条件也可以在曝光期间进行调整，以进行局部剂量调整。可以通过动态调整落在基板220上特定位置的能量来实现局部剂量变化。在可以与本文描述的其他实施方式组合的一个实施方式中，在将掩模图案数据传送到每个空间光调制器之前，将全局校正施加至掩模图案302。在可以与本文描述的其他实施方式结合的另一实施方式中，在将掩模图案数据传递到每个空间光调制器之前，将一个或多个全局或局部cd校正施加至掩模图案302。经由储存在umf文档中的计量测量值以及储存在umf文档中的校正模型与校准偏移数据，校正值由接口230来识别。该些校正模型与校准偏移数据根据应用程序指令部分的每个应用程序元素，利用储存在umf文档中的计量测量值来创建。
44.综上，提供了光刻工艺的系统、软件应用程序及方法，用于利用光刻环境的每个部件可读的文档来更新掩模图案、无掩模光刻装置参数、及光刻工艺参数之中的一者或多者。本文已描述了利用umf文档的系统、软件应用程序、及方法。umf文档有具有基于文本的标记语言的格式，其是可读取的且可操作的以在本文所述的虚拟掩模装置、计量装置、无掩模光刻装置、评估装置、以及光刻环境的控制器之间传送。umf文档的多个部分具有元素，该元素是可操作的以通过虚拟掩模装置、计量装置、无掩模光刻装置、评估装置、及控制器中的每一者保留并储存在非暂时性计算机可读介质中的元素。可由光刻环境的每个部件读取的文档储存并共享文本数据，并促进光刻环境的各个部件之间的通信，从而更新对应于要写入的图案的掩模图案，校准光刻环境的无掩模光刻装置，以及校正光刻工艺的工艺参数，以在连续的基板上精确地写入掩模图案。