一种光致抗蚀剂的剥离液组合物的制作方法

1.本发明涉及抗蚀剂技术领域，具体为一种光致抗蚀剂的剥离液组合物。


背景技术：

2.堆叠封装技术可显著提高半导体电子元器件集成密度，满足电子封装的小型化、薄型化及高传输性的需求，其中铜柱结构封装基板是一项新技术路线，其优点主要有：
3.1、采取铜柱互联能实现高性能的封装，主要表现在铜柱具有比焊球更低的电阻率，更有利于信号传输，铜柱互联具有比焊球互联更高的平均失效时间(铜柱结构的平均失效时间是焊球互联的2.3倍)；
4.2、铜具有极高的热导率，从而实现芯片向基板上迅速散热；
5.3、对于给定的基板表面焊盘节距，采用铜柱互联具有比焊球互联更大的间隙，从而获得更好的可制造性和可靠性；
6.4、可以实现基板上更高密度的布线,从而减小基板的层数和尺寸。
7.但随之而来的是厚干膜选择和剥离问题，在高阶ic载板和晶圆制作过程中，厚干膜的使用起着至关重要的作用，在“成像”完成后，干膜能否顺利完全去除，直接影响着蚀刻等后工序，ic载板铜柱制程中还采用厚度为100um 以上的厚膜，总厚度达200-300um厚度，对于厚干膜的剥离，大于100μm的厚干膜，用现有的剥离方法，难以完全退除干净，即便通过延长接触时间，提高工作温度，或者增加溶液的攻击性可以使剥离效果得到改善，但是仍然不能满足要求，也带来新问题，线路腐蚀、介电层腐蚀加重，为此我们提出了一种光致抗蚀剂的剥离液组合物。


技术实现要素：

8.针对现有技术存在的上述不足，本发明提供了一种光致抗蚀剂的剥离液组合物，尤其适用于ic载板或是晶圆制作时厚度为100μm以上的光致抗蚀剂膜的剥离，以克服现有技术剥离方法无法完全将光致抗蚀剂膜退除干净、且容易使基材腐蚀加重等技术问题。
9.本发明提供如下技术方案：一种光致抗蚀剂的剥离液组合物，包括以下含量的原料组成：
10.有机碱
ꢀꢀ
1％-25％
11.加速剂
ꢀꢀ
0.1-30％
12.表面活性剂
ꢀꢀ
0.1-15％
13.渗透剂
ꢀꢀ
0.1-10％
14.护铜剂
ꢀꢀ
0.1-8％
15.干膜收缩剂
ꢀꢀ
0.1-5％
16.优选的，有机碱是乙二胺类、烷基胺类、烷基醇胺类，比如有乙二胺、二乙烯三胺、三乙烯四胺、多乙烯多胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺，异丙醇胺，甲醇二乙醇胺、丙醇乙醇胺、丙醇二乙醇胺的一种或两种以上混合。
17.优选的，加速剂主要为醚类，可以是甲醚、乙醚，大防白、小防白等的一种或其中两
种以上混合。
18.优选的，护铜剂优选芳香族羟基化合物和唑类化合物中的至少一种，且芳香族羟基化合物优选没食子酸、单宁酸、植酸、邻苯二酚、对苯二酚中的至少一种，唑类化合物选择三氮唑、甲基三氮唑、苯并三氮唑、苯并四氮唑、氨基四氮唑中的至少一种。
19.优选的，渗透剂主要为低分子量耐酸碱表面活性剂。
20.优选的，干膜收缩剂主要为低分子量合成物质。
21.与现有技术对比，本发明具备以下有益效果：
22.该光致抗蚀剂的剥离液组合物，具有以下作用：
23.1、低温，50-60℃；
24.2、低咬铜；
25.3.、不攻击介电层；
26.4、处理时间段短，5-10min；
27.如此可以在最短时间内促使干膜碎裂并变性，已最大限度减少对介电层攻击，甚至不攻击，适用于ic载板或是晶圆制作时厚度为100μm以上的光致抗蚀剂膜的剥离，以克服现有技术剥离方法无法完全将光致抗蚀剂膜退除干净、且容易使基材腐蚀加重等技术问题。
具体实施方式
28.为了使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，因此对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述，为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了已知功能和已知部件的详细说明，以避免不必要地混淆本发明的概念。
29.一种光致抗蚀剂的剥离液组合物，包括以下含量的原料组成：
30.有机碱
ꢀꢀ
1％-25％
31.加速剂
ꢀꢀ
0.1-30％
32.表面活性剂
ꢀꢀ
0.1-15％
33.渗透剂
ꢀꢀ
0.1-10％
34.护铜剂
ꢀꢀ
0.1-8％
35.干膜收缩剂
ꢀꢀ
0.1-5％
36.有机碱是乙二胺类、烷基胺类、烷基醇胺类，比如有乙二胺、二乙烯三胺、三乙烯四胺、多乙烯多胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺，异丙醇胺，甲醇二乙醇胺、丙醇乙醇胺、丙醇二乙醇胺的一种或两种以上混合。
37.加速剂主要为醚类，可以是甲醚、乙醚，大防白、小防白等的一种或其中两种以上混合。
38.护铜剂优选芳香族羟基化合物和唑类化合物中的至少一种，且芳香族羟基化合物优选没食子酸、单宁酸、植酸、邻苯二酚、对苯二酚中的至少一种，唑类化合物选择三氮唑、甲基三氮唑、苯并三氮唑、苯并四氮唑、氨基四氮唑中的至少一种。
39.渗透剂主要为低分子量耐酸碱表面活性剂，可以和铜单质形成稳定的结合键，可以快速打断干膜某些成分形成共价键，达到干膜和铜面快速分离的效果。
40.干膜收缩剂主要为低分子量合成物质，退膜收缩为含有氧取代环状有机物，或是含有卤素取代基的环状含氧有机物，在一定温度、压力、压强条件下加成反应所得，卤素反应前体可以为hcl溶液，氯化钠溶液，溴化钠溶液， hbr溶液中的一种或几种，含氧环状有机
物可以为呋喃衍生物，吡喃衍生物，吗啉衍生物，糠醛衍生物，该加速剂一方面可以和铜形成稳定的共价键，同时可以和充分打断树脂结合键，同时反映所得特性基团可以促使干膜碎在一定程度上收缩，三者同时作用，促使干膜迅速剥离。
41.试验表格：
[0042][0043]
[0044][0045]
将试验编号1-12中的组合物配置出，并对厚膜进行剥离，其实验数据如下：
[0046]
试验编号退膜品质铜面防护膜渣1ok铜面光亮粉状2ok铜面光亮粉状3ok铜面光亮粉状4ok铜面光亮粉状5ok铜面光亮粉状6ok铜面光亮粉状7ok铜面光亮粉状8ok铜面光亮粉状9ok铜面光亮粉状10ok铜面光亮粉状11ok铜面光亮粉状12ok铜面光亮粉状
[0047]
由此可看出该光致抗蚀剂的剥离液组合物，适用于ic载板或是晶圆制作时的光致抗蚀剂膜的剥离，以克服现有技术剥离方法无法完全将光致抗蚀剂膜退除干净、且容易使基材腐蚀加重等技术问题。
[0048]
以上实施例仅为本发明的示例性实施例，不用于限制本发明，本发明的保护范围由权利要求书限定。本领域技术人员可以在本发明的实质和保护范围内，对本发明做出各种修改或等同替换，这种修改或等同替换也应视为落在本发明的保护范围内。


技术特征：
1.一种光致抗蚀剂的剥离液组合物，其特征在于，包括以下含量的原料组成：2.根据权利要求1所述的一种光致抗蚀剂的剥离液组合物，其特征在于：所述有机碱是乙二胺类、烷基胺类、烷基醇胺类，比如有乙二胺、二乙烯三胺、三乙烯四胺、多乙烯多胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺，异丙醇胺，甲醇二乙醇胺、丙醇乙醇胺、丙醇二乙醇胺的一种或两种以上混合。3.根据权利要求1所述的一种光致抗蚀剂的剥离液组合物，其特征在于：所述加速剂主要为醚类，可以是甲醚、乙醚，大防白、小防白等的一种或其中两种以上混合。4.根据权利要求1所述的一种光致抗蚀剂的剥离液组合物，其特征在于：所述护铜剂优选芳香族羟基化合物和唑类化合物中的至少一种，且芳香族羟基化合物优选没食子酸、单宁酸、植酸、邻苯二酚、对苯二酚中的至少一种，唑类化合物选择三氮唑、甲基三氮唑、苯并三氮唑、苯并四氮唑、氨基四氮唑中的至少一种。5.根据权利要求1所述的一种光致抗蚀剂的剥离液组合物，其特征在于：所述渗透剂主要为低分子量耐酸碱表面活性剂。6.根据权利要求1所述的一种光致抗蚀剂的剥离液组合物，其特征在于：所述干膜收缩剂主要为低分子量合成物质。

技术总结
本发明涉及抗蚀剂技术领域，且公开了一种光致抗蚀剂的剥离液组合物，包括以下含量的原料组成：有机碱1％-25％，加速剂0.1-30％，表面活性剂0.1-15％，渗透剂0.1-10％，护铜剂0.1-8％，干膜收缩剂0.1-5％。该光致抗蚀剂的剥离液组合物，可以在最短时间内促使干膜碎裂并变性，已最大限度减少对介电层攻击，甚至不攻击，适用于IC载板或是晶圆制作时厚度为100μm以上的光致抗蚀剂膜的剥离，以克服现有技术剥离方法无法完全将光致抗蚀剂膜退除干净、且容易使基材腐蚀加重等技术问题。使基材腐蚀加重等技术问题。


技术研发人员：陈建平 陈亮周 刘元 尹红桥
受保护的技术使用者：珠海市丹尼尔电子科技有限公司
技术研发日：2020.09.18
技术公布日：2022/3/18