一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法与流程

技术特征：
1.一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：s1、直拉单晶圆棒去除边皮后得到无圆角的单晶方棒；s2、垂直晶硅生长方向将所述单晶方棒切割成大籽晶块；s3、将所述单晶方棒或边皮切割成小籽晶块；s4、将所述大、小籽晶块铺设在坩埚底部，其中大籽晶块铺设在坩埚中间区域，小籽晶块铺设在坩埚四周边缘，形成完整的籽晶层；s5、在所述籽晶层上放置原生多晶硅料、单晶边皮及头尾边等循环料；s6、将所述装满多晶硅料的坩埚放入铸锭炉中，采用半融工艺得到铸造单晶硅锭或多晶硅锭；s7、将所述硅锭进行开方，开方后得到小方锭；s8、将所述小方锭进行切片后得到铸造单晶硅片或多晶硅片。2.根据权利要求1所述的一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，其特征在于：s2中所述大籽晶的长度为铸造单晶硅片宽度的2-10倍，所述大籽晶的宽度比铸造单晶硅片宽2-20mm。3.根据权利要求1所述的一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，其特征在于：s2中所述大籽晶块上表面为(010)或(001)晶向。4.根据权利要求1所述的一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，其特征在于：s4中所诉小籽晶块为长方形、正方形、三角形或其他形状。5.根据权利要求1所述的一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，其特征在于：s4中所诉坩埚四周边缘可以铺设一层或多层小籽晶块。6.根据权利要求1所述的一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，其特征在于：s4中所述小籽晶块与大籽晶块的上表面晶向角度偏差大于15
°
。7.根据权利要求1所述的一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，其特征在于：s7中所述将硅锭进行开方，开方时可以错开籽晶接缝开方或直接连续开方。8.根据权利要求1所述的一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，其特征在于：s7中所述开方后的小方锭与切片后的硅片尺寸一致。9.根据权利要求1所述的一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，其特征在于：s6中所述坩埚为g3、g4、g5、g6、g7或g8中的任意一种。

技术总结
本发明公开了一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，方法如下：直拉单晶圆棒去除边皮后得到无圆角的单晶方棒；垂直晶硅生长方向将单晶方棒切割成大籽晶块；所述单晶方棒或边皮切割成小籽晶块；将所述大、小籽晶块铺设在坩埚底部，形成完整的籽晶层；在籽晶层上放置原生多晶硅料、单晶边皮及头尾边等循环料；将装满多晶硅料的坩埚放入铸锭炉中，采用半融工艺得到铸造单晶硅锭或多晶硅锭；将硅锭进行开方，开方后得到小方锭；将小方锭进行切片后得到铸造单晶硅片或多晶硅片。本发明小籽晶块与大籽晶块接缝处形成的功能晶界阻止坩埚四周的多晶晶粒往内部生长，降低多晶占比，将大籽晶块设计成长条形，减少籽晶接缝，减少了硅片的位错缺陷。少了硅片的位错缺陷。少了硅片的位错缺陷。


技术研发人员：许志
受保护的技术使用者：福建新峰二维材料科技有限公司
技术研发日：2020.11.27
技术公布日：2022/5/31