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用于制备低聚物的设备的制作方法

2022-06-01 07:01:25 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种用于制备低聚物的设备,包括:反应器,该反应器包括在下部设置有第一气体反应物入口的气体区域,和在所述气体区域上方包括与气体反应物接触的反应介质的反应区域;第二气体反应物入口和第三气体反应物入口,所述第二气体反应物入口设置在所述气体区域中的反应器内壁上,所述第三气体反应物入口设置在面对所述第二气体反应物入口的反应器内壁上;以及第一注射喷嘴和第二注射喷嘴,所述第一注射喷嘴与所述第二气体反应物入口连接,所述第二注射喷嘴与所述第三气体反应物入口连接。2.根据权利要求1所述的用于制备低聚物的设备,还包括:第一气体反应物供应线,该第一气体反应物供应线与所述第一气体反应物入口连接;第二气体反应物供应线和第三气体反应物供应线,所述第二气体反应物供应线从所述第一气体反应物供应线分支出来并与所述第二气体反应物入口连接,所述第三气体反应物供应线从所述第一气体反应物供应线分支出来并与所述第三气体反应物入口连接;和第一流量控制装置、第二流量控制装置和第三流量控制装置,所述第一流量控制装置、所述第二流量控制装置和所述第三流量控制装置分别设置在所述第一气体反应物供应线、所述第二气体反应物供应线和所述第三气体反应物供应线中。3.根据权利要求1所述的用于制备低聚物的设备,其中,所述反应介质是液态。4.根据权利要求1所述的用于制备低聚物的设备,其中,所述第一气体反应物入口位于所述反应器的下部的中心。5.根据权利要求1所述的用于制备低聚物的设备,还包括多孔分散板,该多孔分散板设置在所述气体区域和所述反应区域之间。6.根据权利要求1所述的用于制备低聚物的设备,还包括第一导流板和第二导流板,所述第一导流板和第二导流板各自设置在所述第二气体反应物入口和所述第三气体反应物入口上方的反应器内壁上。7.根据权利要求1所述的用于制备低聚物的设备,其中,从所述第一注射喷嘴和所述第二注射喷嘴注射的气体反应物的注射角沿反应器的向下方向为40
°
至50
°
。8.根据权利要求1所述的用于制备低聚物的设备,其中,所述气体区域的高度为相对于所述反应器的直径的70%至90%。9.根据权利要求1所述的用于制备低聚物的设备,还包括:反应介质供应线,用于将反应介质供应至所述反应区域;产物排出线,用于从所述反应区域排出产物;和未反应蒸汽排出线,用于从所述反应器排出未反应蒸汽。10.根据权利要求1所述的用于制备低聚物的设备,其中,所述气体反应物包括乙烯,所述低聚物包括α-烯烃。11.一种制备低聚物的方法,该方法使用权利要求2所述的用于制备低聚物的设备,所述方法包括:当所述第一气体反应物入口被堵塞时,通过关闭所述第一流量控制装置并打开所述第二流量控制装置和所述第三流量控制装置,通过所述第二气体反应物供应线和所述第三气体反应物供应线将所述气体反应物供应至所述气体区域中。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,通过所述第二气体反应物供应线和所述第三气体反应物供应线供应至所述气体区域的气体反应物的流量相对于供应至所述第一气体反应物供应线的气体反应物的总流量的比率各自为40%至60%。

技术总结
本发明涉及一种用于制备低聚物的设备,更具体地,涉及一种用于制备低聚物的设备,包括:反应器,该反应器包括在下部设置有第一气体反应物入口的气体区域,和在所述气体区域上方包括与气体反应物接触的反应介质的反应区域;第二气体反应物入口和第三气体反应物入口,所述第二气体反应物入口设置在所述气体区域中的反应器内壁上,所述第三气体反应物入口设置在面对所述第二气体反应物入口的反应器内壁上;以及第一注射喷嘴和第二注射喷嘴,所述第一注射喷嘴与所述第二气体反应物入口连接,所述第二注射喷嘴与所述第三气体反应物入口连接。二注射喷嘴与所述第三气体反应物入口连接。二注射喷嘴与所述第三气体反应物入口连接。


技术研发人员:黄文燮 李政锡 宋宗勋 陆炅奭 宣玟浩 李洪旻
受保护的技术使用者:株式会社LG化学
技术研发日:2021.07.09
技术公布日:2022/5/31
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