显示装置的制作方法

1.实施例总体上涉及显示装置。更具体地，本发明的实施例涉及包括反射构件的显示装置。


背景技术：

2.平板显示装置由于其重量轻和薄的特性被广泛用作用于取代阴极射线管显示装置的显示装置。平板显示装置可以包括液晶显示装置和有机发光二极管显示装置。
3.近来，已经开发了从其去除能够减少从外部入射的光(例如，外部光)的反射的偏振层的显示装置。在这样的显示装置中，外部光可以从在显示装置中包括的电极(例如，阳极电极、阴极电极等)被反射。显示装置可以包括光阻挡构件和滤色器(而不是偏振层)以减少外部光的反射，并且可以通过增大光阻挡构件的面积来减少外部光的反射。


技术实现要素：

4.在从其去除能够减少外部光的反射的偏振层的显示装置中，当光阻挡构件的面积增大时，外部光的反射可能相对减少，而在显示装置中包括的发光层的开口率和亮度等可能降低，使得显示装置的显示质量可能劣化。
5.一些实施例提供了包括反射构件的显示装置。
6.根据实施例，显示装置包括基板、子像素结构、光阻挡构件和反射构件。在这样的实施例中，包括子像素区域的显示区域被限定在基板上。在这样的实施例中，子像素结构设置在子像素区域中、基板上。在这样的实施例中，光阻挡构件设置在子像素结构之上，并且第一开口被限定在光阻挡构件的与子像素结构重叠的部分中。在这样的实施例中，反射构件设置在光阻挡构件与子像素结构之间，并且在平面图中，反射构件围绕子像素结构和第一开口。
7.在实施例中，反射构件可以在基板的厚度方向上与第一开口不重叠。
8.在实施例中，显示装置可以进一步包括设置在光阻挡构件与子像素结构之间的支撑构件。在这样的实施例中，第二开口可以被限定在支撑构件中以与第一开口重叠。
9.在实施例中，支撑构件的限定第二开口的侧壁可以与反射构件接触。
10.在实施例中，支撑构件的侧壁可以与支撑构件的顶表面正交。
11.在实施例中，第二开口可以大于第一开口。
12.在实施例中，显示装置可以进一步包括覆盖子像素结构之上的反射构件和支撑构件的绝缘层。
13.在实施例中，光阻挡构件可以与绝缘层的顶表面接触。
14.在实施例中，子像素结构可以包括下电极、设置在下电极上的发光层以及设置在发光层上的上电极，其中发光层可以发射光。在这样的实施例中，从发光层发射的光的一部分可以从反射构件被反射。
15.在实施例中，显示装置可以进一步包括设置在下电极上的像素限定层，其中第三
开口可以被限定在像素限定层中以暴露下电极的顶表面的一部分。
16.在实施例中，沿像素限定层的限定像素限定层的第三开口的侧壁延伸的虚拟线可以穿过支撑构件。
17.在实施例中，光阻挡构件和像素限定层中的每一个可以具有不透明的颜色。
18.在实施例中，显示装置可以进一步包括设置在子像素结构与反射构件之间的薄膜封装结构。
19.在实施例中，薄膜封装结构可以包括第一无机薄膜封装层、设置在第一无机薄膜封装层上的有机封装层以及设置在有机封装层上的第二无机薄膜封装层。
20.在实施例中，显示装置可以进一步包括设置在薄膜封装结构与反射构件之间的触摸感测结构。
21.在实施例中，触摸感测结构可以与薄膜封装结构的顶表面接触。
22.在实施例中，显示装置可以进一步包括设置在光阻挡构件上的滤色器，其中滤色器可以填充第一开口。
23.根据本发明的实施例，显示装置可以包括具有相对大的面积的光阻挡构件以减少外部光的反射。在这样的实施例中，显示装置包括反射构件和支撑构件，使得从子像素结构发射的相对大量的光可以被发射到显示装置的外部。相应地，在这样的实施例中，即使当显示装置包括具有相对大的面积的光阻挡构件时，显示装置的亮度也可以相对增大，并且不包括偏振层的显示装置的显示质量可以基本上提高。
24.在这样的实施例中，显示装置包括具有相对大的锥角的像素限定层，使得显示装置的开口率可以相对增大。
附图说明
25.通过参考附图进一步详细描述本发明的实施例，本发明的上述和其它特征将变得更加显而易见，在附图中：
26.图1是示出根据本发明的实施例的显示装置的平面图；
27.图2是示出在图1的显示装置中包括的像素区域的平面图；
28.图3是示出图2的像素区域中的支撑构件和反射构件的平面图；
29.图4是示出图2的像素区域中的反射构件和光阻挡构件的平面图；
30.图5是沿图4的线i-i'截取的显示装置的截面图；
31.图6是示出图4的显示装置的实施例的反射率和比较例的反射率的图；
32.图7是示出图4的显示装置的实施例的亮度和比较例的亮度的图；以及
33.图8是示出图4的显示装置的实施例的亮度差和比较例的亮度差的图。
具体实施方式
34.现在将在下文中参考附图更全面地描述本发明，附图中示出了各种实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式体现，并且不应被解释为限于在本文中阐述的实施例。相反，这些实施例被提供是为了将使本公开彻底和完整，并且将本发明的范围充分传达给本领域的技术人员。相同的附图标记始终指代相同的元件。
35.将理解，当元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在该另一元件上，或
者可以在该元件和该另一元件之间存在居间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，则不存在居间元件。
36.将理解，尽管在本文中术语“第一”、“第二”、“第三”等可以用于描述各种元件、部件、区、层和/或部分，但是这些元件、部件、区、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区、层或部分与另一元件、部件、区、层或部分区分开。因此，在不脱离本文中的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“第一部件”、“第一区”、“第一层”或“第一部分”可以被称为第二元件、第二部件、第二区、第二层或第二部分。
37.在本文中使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，并且不旨在是限制性的。如在本文中使用的，“一”、“该(所述)”和“至少一个”不表示对数量的限制，并且旨在包括单数和复数两者，除非上下文清楚地另外指示。例如，“元件”与“至少一个元件”具有相同的含义，除非上下文清楚地另外指示。“至少一个”不被解释为限于“一”。“或”表示“和/或”。如在本文中使用的，术语“和/或”包括相关列出的项中的一个或多个的任何和全部组合。将进一步理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”或者“含有”和/或“具有”规定所述特征、区、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、区、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组。
38.此外，在本文中诸如“下”或“底”以及“上”或“顶”的相对术语可以用于描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解，除了附图中描绘的定向外，相关术语旨在包含装置的不同定向。例如，如果附图之一中的装置被翻转，则被描述为在其它元件“下”侧的元件将随之被定向在该其它元件的“上”侧。因此，根据附图的特定定向，术语“下”可以包含“下”和“上”两个定向。类似地，如果附图之一中的装置被翻转，则被描述为在其它元件的“下方”或“下面”的元件则随之被定向在该其它元件的“上方”。因此，术语“下方”或“下面”可以包含上方和下方两个定向。
39.考虑到所讨论的测量和与特定数量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)，如在本文中使用的“约”或“近似”包括所述值并且意味着在由本领域普通技术人员确定的该特定值的可接受的偏差范围内。例如，“约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差之内，或者在所述值的
±
30％、
±
20％、
±
10％或
±
5％之内。
40.除非另有定义，否则在本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。将进一步理解，诸如在常用词典中定义的那些术语的术语应被解释为具有与它们在相关领域和本公开的上下文中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确如此定义，否则将不会以理想化或过于形式的意义进行解释。
41.在本文中参考是理想化实施例的示意图的截面图描述实施例。这样，由于例如制造技术和/或公差引起的图示形状的变化是可以预期的。因此，在本文中描述的实施例不应被解释为限于如在本文中所示的区的特定形状，而是将包括例如由制造引起的形状的偏差。例如，示出或描述为平坦的区通常可以具有粗糙和/或非线性特征。此外，示出的尖角可以是倒圆的。因此，附图中所示的区本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出区的精确形状且不旨在限制本权利要求的范围。
42.在下文中，将参考附图详细描述本发明的实施例。
43.图1是示出根据本发明的实施例的显示装置的平面图，并且图2是示出在图1的显
示装置中包括的像素区域的平面图。
44.参考图1和图2，显示装置100的实施例可以包括其中显示图像的显示区域10以及其中不显示图像的外围区域20。在一个实施例中，例如，外围区域20可以基本上围绕显示区域10。
45.显示区域10可以包括多个像素区域30。像素区域30可以布置在与显示装置100的顶表面平行的第一方向d1以及与显示装置100的顶表面平行并且与第一方向d1基本上正交的第二方向d2上。与第一方向d1和第二方向d2或者显示装置100的顶表面正交的方向可以是显示装置100的基板的厚度方向。在实施例中，如图2中所示，像素区域30当中的一个像素区域30可以包括第一子像素区域31、第二子像素区域32和第三子像素区域33。在这样的实施例中，像素区域30中的每一个可以包括第一子像素区域至第三子像素区域31、32和33。
46.第一子像素至第三子像素(例如，图5的子像素结构200)可以分别设置在第一子像素区域至第三子像素区域31、32和33中。在一个实施例中，例如，第一子像素可以发射红光，第二子像素可以发射绿光，并且第三子像素可以发射蓝光。显示装置100可以通过第一子像素至第三子像素来显示图像。
47.在实施例中，如上所述，一个像素区域30可以包括三个子像素区域31、32和33，但不限于此。在一个实施例中，例如，一个像素区域30可以具有至少一个子像素区域，例如，四个子像素区域。
48.在实施例中，如上所述，第一子像素区域至第三子像素区域31、32和33可以布置在第一方向d1上，但不限于此。可替代地，第一子像素区域至第三子像素区域31、32和33的布置可以被不同地改变或修改。
49.在实施例中，如图1和图2中所示，当在平面图中观看时，显示区域10、外围区域20以及第一子像素区域至第三子像素区域31、32和33中的每一个可以具有矩形形状，但不限于此。在一个可替代的实施例中，例如，当在平面图中观看时，显示区域10、外围区域20以及第一子像素区域至第三子像素区域31、32和33中的每一个可以具有三角形形状、菱形形状、多边形形状、圆形形状、轨道(track)形状或椭圆形形状。
50.图3是示出图2的像素区域中的支撑构件和反射构件的平面图，并且图4是示出图2的像素区域中的反射构件和光阻挡构件的平面图。
51.参考图3和图4，显示装置100的实施例可以包括下电极290、反射构件490和光阻挡构件430等。在这样的实施例中，下电极290可以包括第一下电极291、第二下电极292和第三下电极293。
52.第一下电极291可以设置在第一子像素区域31中，第二下电极292可以设置在第二子像素区域32中，并且第三下电极293可以设置在第三子像素区域33中。在这样的实施例中，第一下电极至第三下电极291、292和293可以分别对应于第一子像素区域至第三子像素区域31、32和33。
53.在实施例中，如图3中所示，支撑构件480可以设置在第一下电极至第三下电极291、292和293上。支撑构件480可以具有其中限定有多个开口的板形状。
54.在这样的实施例中，第一开口至第三开口481、482和483可以被限定通过支撑构件480。在一个实施例中，例如，第一开口481可以暴露第一下电极291(或第一子像素区域31)，第二开口482可以暴露第二下电极292(或第二子像素区域32)，并且第三开口483可以暴露
第三下电极293(或第三子像素区域33)。在这样的实施例中，当在平面图中观看时，支撑构件480可以分别与第一下电极至第三下电极291、292和293不重叠。
55.反射构件490可以分别设置在第一下电极至第三下电极291、292和293上方。在这样的实施例中，反射构件490可以设置在支撑构件480的限定支撑构件480的第一开口至第三开口481、482和483的侧壁上。在这样的实施例中，反射构件490可以与侧壁直接接触。当在平面图中观看时，反射构件490可以分别围绕第一下电极至第三下电极291、292和293。在这样的实施例中，反射构件490可以分别围绕第一子像素区域至第三子像素区域31、32和33。
56.在实施例中，如图4中所示，光阻挡构件430可以设置在反射构件490上。光阻挡构件430可以具有其中限定有多个开口的板形状。在这样的实施例中，第一开口至第三开口621、622和623可以被限定通过光阻挡构件430。在一个实施例中，例如，第一开口621可以暴露第一下电极291(或第一子像素区域31)，光阻挡构件430的第一开口621的面积可以小于支撑构件480的第一开口481的面积，并且第一开口621和第一开口481可以彼此重叠。在这样的实施例中，第二开口622可以暴露第二下电极292(或第二子像素区域32)，光阻挡构件430的第二开口622的面积可以小于支撑构件480的第二开口482的面积，并且第二开口622和第二开口482可以彼此重叠。在这样的实施例中，第三开口623可以暴露第三下电极293(或第三子像素区域33)，光阻挡构件430的第三开口623的面积可以小于支撑构件480的第三开口483的面积，并且第三开口623和第三开口483可以彼此重叠。在实施例中，当在平面图中观看时，反射构件490可以分别围绕第一开口至第三开口621、622和623。在这样的实施例中，当在平面图中或在显示装置100的厚度方向上观看时，反射构件490可以与光阻挡构件430重叠。
57.图5是沿图4的线i-i'截取的显示装置的截面图。
58.参考图5，显示装置100的实施例可以包括基板110、半导体元件250、栅绝缘层150、层间绝缘层190、平坦化层270、子像素结构200、像素限定层310、薄膜封装结构450、触摸感测结构400、支撑构件480、反射构件490、绝缘层460、光阻挡构件430和滤色器510等。在这样的实施例中，半导体元件250可以包括有源层130、栅电极170、源电极210和漏电极230，并且子像素结构200可以包括下电极290、发光层330和上电极340。在这样的实施例中，薄膜封装结构450可以包括第一无机薄膜封装层451、有机封装层452和第二无机薄膜封装层453，并且滤色器510可以包括第一滤色器511、第二滤色器512和第三滤色器513。
59.在实施例中，基板110可以包括透明或不透明材料。基板110可以是具有柔性的透明树脂基板。在实施例中，例如，在基板110是透明树脂基板的情况下，基板110包括聚酰亚胺基板。在这样的实施例中，聚酰亚胺基板可以具有包括第一聚酰亚胺层、阻挡膜层和第二聚酰亚胺层等的堆叠结构。在可替代的实施例中，基板110可以包括从石英基板、合成石英基板、氟化钙基板、掺杂氟(“f掺杂”)的石英基板、钠钙玻璃基板和非碱玻璃基板等中选择的至少一种。
60.在实施例中，缓冲层(未示出)可以设置在基板110上。缓冲层可以防止金属原子或杂质从基板110扩散到上结构(例如，半导体元件250、子像素结构200等)，并且可以在用于形成有源层130的结晶工艺期间控制传热速率以获得基本上均匀的有源层130。在实施例中，在基板110的表面不均匀的情况下，缓冲层可以用于提高基板110的表面的平坦度。根据
基板110的类型，至少两个缓冲层可以被提供在基板110上，或者缓冲层可以被省略。缓冲层可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。
61.有源层130可以设置在像素区域30中、基板110上。有源层130可以包括金属氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅或多晶硅)或有机半导体等。有源层130可以具有源区和漏区。
62.栅绝缘层150可以设置在基板110和有源层130上。在一个实施例中，例如，栅绝缘层150可以充分地覆盖基板110上的有源层130，并且可以具有基本上平坦的顶表面而不在有源层130周围创建台阶结构。可替代地，栅绝缘层150可以沿有源层130的轮廓以均匀的厚度设置，以覆盖基板110上的有源层130。栅绝缘层150可以包括从硅化合物和金属氧化物等中选择的至少一种。在一个实施例中，例如，栅绝缘层150可以包括从氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、碳氧化硅(sio
xcy
)、碳氮化硅(sic
x
ny)、氧化铝(alo
x
)、氮化铝(aln
x
)、氧化钽(tao
x
)、氧化铪(hfo
x
)、氧化锆(zro
x
)、氧化钛(tio
x
)以及它们的组合中选择的至少一种。在实施例中，栅绝缘层150可以具有包括多个绝缘层的多层结构。在一个实施例中，例如，具有多层结构的栅绝缘层150的绝缘层可以具有相互不同的厚度，或者可以包括相互不同的材料。
63.栅电极170可以设置在栅绝缘层150上。在实施例中，栅电极170可以设置在栅绝缘层150的有源层130位于其下面的部分上或者可以设置为与有源层130重叠。栅电极170可以包括从金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料以及它们的组合中选择的至少一种。在实施例中，栅电极170可以具有包括多个金属层的多层结构。在一个实施例中，例如，具有多层结构的栅电极170的金属层可以具有相互不同的厚度，或者可以包括相互不同的材料。
64.层间绝缘层190可以设置在栅绝缘层150和栅电极170上。在一个实施例中，例如，层间绝缘层190可以充分地覆盖栅绝缘层150上的栅电极170，并且可以具有基本上平坦的顶表面而不在栅电极170周围创建台阶结构。可替代地，层间绝缘层190可以沿栅电极170的轮廓以均匀的厚度设置，以覆盖栅绝缘层150上的栅电极170。层间绝缘层190可以包括从硅化合物和金属氧化物等中选择的至少一种。在实施例中，层间绝缘层190可以具有包括多个绝缘层的多层结构。在一个实施例中，例如，具有多层结构的层间绝缘层190的绝缘层可以具有相互不同的厚度，或者可以包括相互不同的材料。
65.源电极210和漏电极230可以设置在层间绝缘层190上。源电极210可以通过被限定通过栅绝缘层150和层间绝缘层190的第一部分(例如，通过去除栅绝缘层150和层间绝缘层190的第一部分形成)的接触孔连接到有源层130的源区，并且漏电极230可以通过被限定通过栅绝缘层150和层间绝缘层190的第二部分(例如，通过去除栅绝缘层150和层间绝缘层190的第二部分形成)的接触孔连接到有源层130的漏区。源电极210和漏电极230中的每一个可以包括从金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料以及它们的组合中选择的至少一种。在实施例中，源电极210和漏电极230中的每一个可以具有包括多个金属层的多层结构。在一个实施例中，例如，具有多层结构的源电极210和漏电极230中的每一个的金属层可以具有相互不同的厚度，或者可以包括相互不同的材料。
66.在这样的实施例中，如上所述，包括有源层130、栅电极170、源电极210和漏电极230的半导体元件250可以被提供在显示装置100中。
67.在图5中，为了便于说明和描述，示出了设置在第二子像素区域32中的一个晶体管(例如，半导体元件250)，但本发明的配置不限于此。在一个可替代的实施例中，例如，第二子像素区域32和与第二子像素区域32相邻的显示区域10可以具有包括至少两个晶体管和至少一个电容器的配置。
68.在图5中，为了便于说明和描述，示出了具有顶栅结构的半导体元件250，但本发明的配置不限于此。在一个可替代的实施例中，例如，半导体元件250可以具有底栅结构和/或双栅结构。
69.在实施例中，平坦化层270可以设置在层间绝缘层190、源电极210和漏电极230上。在一个实施例中，例如，平坦化层270可以具有相对厚的厚度以充分地覆盖层间绝缘层190上的源电极210和漏电极230。在这样的实施例中，平坦化层270可以具有基本上平坦的顶表面。在实施例中，可以在平坦化层270上附加地执行平坦化工艺，以提供或形成平坦化层270的这样的平坦的顶表面。在实施例中，接触孔可以被限定通过平坦化层270以暴露漏电极230的顶表面。平坦化层270可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。在实施例中，平坦化层270可以包括有机绝缘材料。
70.第二下电极292可以设置在第二子像素区域32中、平坦化层270上。第二下电极292可以通过平坦化层270的接触孔与漏电极230直接接触，并且第二下电极292可以电连接到半导体元件250。第二下电极292可以包括从金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料以及它们的组合中选择的至少一种。在实施例中，第二下电极292可以具有包括多个金属层的多层结构。在一个实施例中，例如，具有多层结构的第二下电极292的金属层可以具有相互不同的厚度，或者可以包括相互不同的材料。
71.像素限定层310可以设置在平坦化层270上。在实施例中，像素限定层310可以设置在第二下电极292的一部分以及平坦化层270上。像素限定层310可以覆盖第二下电极292的两个侧部分，并且开口可以被限定通过像素限定层310以暴露第二下电极292的顶表面的一部分。在这样的实施例中，沿像素限定层310的限定开口的侧壁延伸的线将被定义为虚拟线或假想线vl。在实施例中，如图5中所示，虚拟线vl可以穿过支撑构件480。在这样的实施例中，像素限定层310的锥角可以相对大。在这样的实施例中，锥角可以是在像素限定层310的侧壁与顶表面之间形成的角。
72.在传统显示装置中，可以增大光阻挡构件(而不是偏振层)的面积以减少外部光的反射。相应地，在这样的传统显示装置中，像素限定层的锥角可以相对小，以减少光阻挡构件的底表面对从发光层发射的光的吸收。
73.在本发明的实施例中，反射构件490设置在光阻挡构件430下面，使得即使当像素限定层310的锥角大时，被引导到光阻挡构件430的底表面的光(例如，第二光l2和第三光l3)也可以被反射，从而允许光被发射到外部。
74.像素限定层310可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料，或者可以由有机绝缘材料或无机绝缘材料形成。在实施例中，像素限定层310可以包括有机绝缘材料。在一个实施例中，例如，像素限定层310可以包括从光刻胶、聚丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂、丙烯酸类树脂和环氧类树脂等中选择的至少一种。在实施例中，显示装置100不包括偏振层，并且像素限定层310可以具有基本上不透明的颜色以减少外部光的反射。在一个实施例中，例如，像素限定层310可以进一步包括光阻挡材料以吸收光。光阻
挡材料可以包括从炭黑、氮氧化钛、钛黑、亚苯基黑、苯胺黑、花青黑、尼格苯胺黑酸黑(nigrosine acid black)和黑树脂等中选择的至少一种。
75.发光层330可以设置在第二子像素区域32中、第二下电极292上。在实施例中，发光层330可以设置在由像素限定层310的开口暴露的第二下电极292上。在实施例中，发光层330可以通过使用从用于基于子像素的类型发射不同颜色的光(即，红光、绿光、蓝光等)的发光材料中选择的至少一种材料来形成。可替代地，发光层330可以通过堆叠用于产生诸如红光、绿光和蓝光的不同颜色的光的多种发光材料以整体发射白光来形成。
76.上电极340可以设置在像素限定层310和发光层330上。在实施例中，上电极340可以设置在整个基板110之上。上电极340可以包括从金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料以及它们的组合中选择的至少一种。在实施例中，上电极340可以具有包括多个金属层的多层结构。在一个实施例中，例如，具有多层结构的上电极340的金属层可以具有相互不同的厚度，或者可以包括相互不同的材料。
77.在实施例中，如上所述，包括下电极290(例如，第二下电极292)、发光层330(例如，被配置为发射绿光的发光层)和上电极340的子像素结构200(例如，第二子像素结构)可以被提供在显示装置100中。
78.在这样的实施例中，如上面参考子像素结构200所描述的，第一下电极291和发光层330(例如，被配置为发射红光的发光层)可以设置在第一子像素区域31中，并且第三下电极293和发光层330(例如，被配置为发射蓝光的发光层)可以设置在第三子像素区域33中。在这样的实施例中，上电极340可以被连续地提供在第一子像素区域至第三子像素区域31、32和33中。
79.第一无机薄膜封装层451可以设置在上电极340上。第一无机薄膜封装层451可以沿上电极340的轮廓以均匀的厚度设置以覆盖上电极340。第一无机薄膜封装层451可以防止子像素结构200由于水分和氧气等的渗透而劣化。另外，第一无机薄膜封装层451可以执行保护子像素结构200免受外部冲击的功能。第一无机薄膜封装层451可以包括具有柔性的无机绝缘材料。
80.有机封装层452可以设置在第一无机薄膜封装层451上。有机封装层452可以提高显示装置100的平坦度，并且可以与第一无机薄膜封装层451一起保护子像素结构200。有机封装层452可以包括具有柔性的有机材料。
81.第二无机薄膜封装层453可以设置在有机封装层452上。第二无机薄膜封装层453可以沿有机封装层452的轮廓以均匀的厚度设置以覆盖有机封装层452。第二无机薄膜封装层453可以与第一无机薄膜封装层451一起防止子像素结构200由于水分和氧气等的渗透而劣化。另外，第二无机薄膜封装层453可以与第一无机薄膜封装层451和有机封装层452一起执行保护子像素结构200免受外部冲击的功能。第二无机薄膜封装层453可以包括具有柔性的无机绝缘材料。
82.在实施例中，如上所述，包括第一无机薄膜封装层451、有机封装层452和第二无机薄膜封装层453的薄膜封装结构450可以被提供在显示装置100中。
83.在可替代的实施例中，薄膜封装结构450可以具有其中三个无机薄膜封装层和两个有机封装层彼此堆叠的五层结构或其中四个无机薄膜封装层和三个有机封装层彼此堆叠的七层结构。
84.触摸感测结构400可以设置在薄膜封装结构450上。在实施例中，触摸感测结构400可以设置在薄膜封装结构450和反射构件490之间，并且可以与薄膜封装结构450的顶表面直接接触。在一个实施例中，例如，触摸感测结构400可以是基本上透明的，并且从子像素结构200发射的光可以穿过触摸感测结构400。在实施例中，触摸感测结构400可以包括触摸感测电极。触摸感测结构400可以通过触摸感测电极感测位于显示装置100的顶表面之上的用户的身体的一部分或对象等。在可替代的实施例中，触摸感测结构400可以包括被配置为检测相对于位于显示装置100的顶表面之上的用户或对象的接近的接近感测器。
85.参考图3和图5，支撑构件480可以设置在触摸感测结构400上。在这样的实施例中，触摸感测结构400可以设置在光阻挡构件430与子像素结构200之间，并且支撑构件480可以与第二子像素区域32(或第一子像素区域31和第三子像素区域33)不重叠。从设置在第二子像素区域32中的子像素结构200发射的光可以通过支撑构件480的第二开口482被发射到外部。支撑构件480的第二开口482可以大于光阻挡构件430的第二开口622。支撑构件480可以用于支撑反射构件490。在实施例中，支撑构件480的限定支撑构件480的第二开口482的侧壁可以与支撑构件480的顶表面正交。
86.支撑构件480可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。在实施例中，支撑构件480可以包括从光刻胶、丙烯醛基、聚丙烯醛基、聚酰亚胺、聚酰胺、环氧树脂、丙烯酸酯单体、苯乙炔、二氨、二酐、硅氧烷、聚硅氧烷、硅烷、聚对二甲苯、烯烃类聚合物(聚乙烯或聚丙烯)、聚对苯二甲酸乙二醇酯和氟中选择的至少一种有机绝缘材料。在实施例中，支撑构件480可以包括包含该至少一种有机绝缘材料作为基底材料的树脂。
87.反射构件490可以设置在支撑构件480的侧壁上。在实施例中，反射构件490可以设置在光阻挡构件430与设置在第二子像素区域32中的子像素结构200之间。反射构件490可以在从基板110到光阻挡构件430的方向或基板110的厚度方向上与第二开口622(或第一开口621和第三开口623)不重叠。在这样的实施例中，从设置在第二子像素区域32中的子像素结构200发射的光可以包括第一光l1、第二光l2和第三光l3。在一个实施例中，例如，第一光l1可以是在与第二下电极292的顶表面基本上垂直的方向上发射的光。第一光l1可以穿过支撑构件480的第二开口482以及第二开口622以被发射到外部。在这样的实施例中，第二光l2和第三光l3中的每一者可以是以预定角度从第二下电极292的顶表面发射的光。第二光l2和第三光l3中的每一者可以从反射构件490被反射，以穿过支撑构件480的第二开口482以及第二开口622以被发射到外部。在一个实施例中，例如，反射构件490的反射第二光l2和第三光l3的表面可以被定义为反射构件490的第一侧表面，并且反射构件490的与支撑构件480接触的表面可以被定义为反射构件490的第二侧表面。在这样的实施例中，第一侧表面和第二侧表面可以彼此面对。
88.在实施例中，如上所述，反射构件490可以反射可以入射到光阻挡构件430的底表面上的第二光l2和第三光l3，使得相对大量的光可以被发射到外部。在这样的实施例中，如果显示装置100不包括反射构件490和支撑构件480，则第二光l2和第三光l3可以被吸收到光阻挡构件430的底表面中。在该情况下，显示装置100的亮度可能降低，并且显示装置100的显示质量可能劣化。
89.反射构件490可以包括从金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等中选择的至少一种。在一个实施例中，例如，反射构件490可以包括从金(au)、银
(ag)、铝(al)、铂(pt)、镍(ni)、钛(ti)、钯(pd)、镁(mg)、钙(ca)、锂(li)、铬(cr)、钽(ta)、钨(w)、铜(cu)、钼(mo)、钪(sc)、钕(nd)、铱(ir)、包含铝的合金、氮化铝(aln
x
)、包含银的合金、氮化钨(wn
x
)、包含铜的合金、包含钼的合金、氮化钛(tin
x
)、氮化铬(crn
x
)、氮化钽(tan
x
)、氧化锶钌(srru
x
oy)、氧化锌(zno
x
)、氧化铟锡(ito)、氧化锡(sno
x
)、氧化铟(ino
x
)、氧化镓(gao
x
)、氧化铟锌(izo)以及它们的组合中选择的至少一种。在实施例中，反射构件490可以具有包括多个金属层的多层结构。
90.绝缘层460可以设置在触摸感测结构400和支撑构件480上。在实施例中，绝缘层460可以覆盖位于设置在第二子像素区域32中的子像素结构200之上的反射构件490和支撑构件480。在一个实施例中，例如，绝缘层460可以充分地覆盖触摸感测结构400上的支撑构件480和反射构件490，并且可以具有基本上平坦的顶表面而不在支撑构件480和反射构件490周围创建台阶结构。可替代地，绝缘层460可以沿支撑构件480和反射构件490的轮廓以均匀的厚度设置，以覆盖触摸感测结构400上的支撑构件480和反射构件490。绝缘层460可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料等。在实施例中，绝缘层460可以包括有机绝缘材料。
91.光阻挡构件430可以设置在绝缘层460上。在实施例中，光阻挡构件430可以设置在设置在第二子像素区域32中的子像素结构200之上，并且第二开口622(或第一开口621和第三开口623)可以被限定在光阻挡构件430的与子像素结构200重叠的部分中。光阻挡构件430可以与绝缘层460的顶表面直接接触。光阻挡构件430可以阻挡(例如，吸收)从外部入射到显示装置100的内部的外部光。在实施例中，显示装置100不包括偏振层，第二开口622的面积可以相对小，并且光阻挡构件430在第一方向d1或第二方向d2上的长度可以相对长，以减少外部光的反射。光阻挡构件430可以具有基本上不透明的颜色。在一个实施例中，例如，光阻挡构件430可以进一步包括光阻挡材料以吸收光。光阻挡材料可以包括从炭黑、氮氧化钛、钛黑、亚苯基黑、苯胺黑、花青黑、尼格苯胺黑酸黑和黑树脂等中选择的至少一种。
92.第一滤色器至第三滤色器511、512和513可以设置在绝缘层460和光阻挡构件430上。第一滤色器511可以具有红色，第二滤色器512可以具有绿色，并且第三滤色器513可以具有蓝色。在一个实施例中，例如，第二滤色器512可以设置在光阻挡构件430的与第二子像素区域32相邻的部分上，同时填充光阻挡构件430的第二开口622。在这样的实施例中，第一滤色器511可以设置在光阻挡构件430的与第一子像素区域31相邻的部分上，同时填充光阻挡构件430的第一开口621。在这样的实施例中，第三滤色器513可以设置在光阻挡构件430的与第三子像素区域33相邻的部分上，同时填充光阻挡构件430的第三开口623。第一滤色器至第三滤色器511、512和513中的每一个可以包括光敏树脂和颜色光刻胶。在实施例中，如上所述，包括第一滤色器至第三滤色器511、512和513的滤色器510可以被提供在显示装置100中。
93.在实施例中，如上所述，可以提供包括基板110、半导体元件250、栅绝缘层150、层间绝缘层190、平坦化层270、子像素结构200、像素限定层310、薄膜封装结构450、触摸感测结构400、支撑构件480、反射构件490、绝缘层460、光阻挡构件430和滤色器510等的显示装置100。
94.在从其去除偏振层的传统显示装置中，传统显示装置可以包括光阻挡构件和滤色器(而不是偏振层)以减少外部光的反射，并且可以通过增大光阻挡构件的面积来减少外部光的反射。然而，在其中光阻挡构件的面积增大的这样的传统显示装置中，外部光的反射可
能相对减少，而在显示装置中包括的发光层的开口率和亮度等可能降低，使得传统显示装置的显示质量可能劣化。
95.根据本发明的实施例，显示装置100可以包括具有相对大的面积的光阻挡构件430以减少外部光的反射。在这样的实施例中，显示装置100包括如上所述的反射构件490和支撑构件480，使得从子像素结构200发射的相对大量的光可以被发射到显示装置100的外部。相应地，即使当显示装置100包括具有相对大的面积的光阻挡构件430时，显示装置100的亮度也可以相对增大，并且不包括偏振层的显示装置100的显示质量可以相对提高。
96.在这样的实施例中，显示装置100包括如上所述的具有相对大的锥角的像素限定层310，使得显示装置100的开口率可以相对增大。
97.图6是示出图4的显示装置的实施例的反射率和比较例的反射率的图。
98.在下文中，将描述根据光阻挡构件的开口的面积比的反射率评估的实验例。
99.根据比较例的显示装置(例如，其不包括反射构件490和支撑构件480)形成为具有其中基于光阻挡构件的总面积的光阻挡构件的开口的面积为近似49.2％的结构。
100.在实验例中，根据本发明的实施例的显示装置100(显示装置100中的每一个包括反射构件490和支撑构件480)形成为具有其中基于光阻挡构件430的总面积的光阻挡构件430的开口的面积分别为近似44.4％、近似40.5％、近似36.7％和近似33.1％的结构。在根据实施例的显示装置100中，随着开口的面积减小，光阻挡构件430可以具有相对大的面积。
101.通过从根据比较例的显示装置和根据实施例的显示装置100的顶部辐射光来测量反射率。作为测量结果，如图6中所示，根据比较例的显示装置(例如，其中基于光阻挡构件的总面积的光阻挡构件的开口的面积为近似49.2％的结构)的反射率被测量为近似9％，并且根据实施例的显示装置100(例如，其中基于光阻挡构件430的总面积的光阻挡构件430的开口的面积分别为近似44.4％、近似40.5％、近似36.7％和近似33.1％的结构)的反射率分别被测量为近似8.2％、近似7.7％、近似7.3％和近似6.95％。如图6中所示，随着开口的面积减小，显示装置100的反射率逐渐减小。
102.图7是示出图4的显示装置的实施例的亮度和比较例的亮度的图。
103.在下文中，将描述根据光阻挡构件的开口的面积比的亮度评估的实验例。
104.根据比较例的显示装置(例如，其不包括反射构件490和支撑构件480)形成为具有其中基于光阻挡构件的总面积的光阻挡构件的开口的面积为近似49.2％的结构。
105.在实验例中，根据本发明的实施例的显示装置100(显示装置100中的每一个包括反射构件490和支撑构件480)形成为具有其中基于光阻挡构件430的总面积的光阻挡构件430的开口的面积分别为近似44.4％、近似40.5％、近似36.7％和近似33.1％的结构。在根据实施例的显示装置100中，随着开口的面积减小，光阻挡构件430可以具有相对大的面积。
106.通过驱动根据比较例的显示装置和根据实施例的显示装置100来测量被发射到外部的光的亮度。作为测量结果，如图7中所示，根据比较例的显示装置(例如，其中基于光阻挡构件的总面积的光阻挡构件的开口的面积为近似49.2％的结构)的亮度被测量为近似652.9，并且根据实施例的显示装置100(例如，其中基于光阻挡构件430的总面积的光阻挡构件430的开口的面积分别为近似44.4％、近似40.5％、近似36.7％和近似33.1％的结构)的亮度分别被测量为近似674.2、近似670.8、近似658.5和近似650.1。相应地，表明即使当根据实施例的显示装置100包括具有相对大的面积的光阻挡构件430以减少外部光的反射
时，由于显示装置100包括反射构件490和支撑构件480，因此从子像素结构200发射的相对大量的光也可以被发射到显示装置100的外部。在本发明的实施例中，即使当显示装置100包括具有相对大的面积的光阻挡构件430时，显示装置100的亮度也可以相对增大，并且不包括偏振层的显示装置100的显示质量可以相对提高。
107.图8是示出图4的显示装置的实施例的亮度差和比较例的亮度差的图。
108.在下文中，将描述根据光阻挡构件的开口的面积比的亮度差评估的实验例。
109.根据比较例的显示装置(例如，其不包括反射构件490和支撑构件480)形成为具有其中基于光阻挡构件的总面积的光阻挡构件的开口的面积为近似49.2％的结构。
110.在实验例中，根据本发明的实施例的显示装置100(显示装置100中的每一个包括反射构件490和支撑构件480)形成为具有其中基于光阻挡构件430的总面积的光阻挡构件430的开口的面积分别为近似49.2％、近似44.4％、近似40.5％和近似36.7％的结构。在根据实施例的显示装置100中，随着开口的面积减小，光阻挡构件430可以具有相对大的面积。
111.通过驱动根据比较例的显示装置和根据实施例的显示装置100来测量被发射到外部的光的亮度差(例如，白色角度依赖性(“wad”))。这里，wad是指在侧视角度下的颜色失真。另外，图8的“盖玻璃”可以位于显示装置100的最上部分中，并且盖玻璃可以与图8的“空气”接触。此外，图8的“0
°”
、“ 45
°”
、
“‑
45
°”
、“ 60
°”
和
“‑
60
°”
可以是从盖玻璃发射的光的角度。例如，图8的左侧方案可以已经示出以0
°
和45
°
发射的光的亮度差，并且图8的右侧方案可以已经示出以0
°
和60
°
发射的光的亮度差。作为测量结果，如图8中所示，当根据比较例的显示装置(下文中，比较例)与根据实施例的显示装置100(下文中，示例)进行比较时，表明比较例的wad和示例的wad(特别是当基于光阻挡构件430的总面积的光阻挡构件430的开口的面积为近似44.4％或近似40.5％时)处于相似的水平。相应地，在包括反射构件490和支撑构件480的显示装置100的实施例中，wad可以维持在正常水平。
112.例如，本发明的实施例可以应用于包括显示装置的各种电子装置，诸如车载显示装置、船载显示装置、机载显示装置、便携式通信装置、用于显示或用于信息传递的显示装置以及医疗显示装置。
113.本发明不应被解释为局限于本文中阐述的实施例。相反，这些实施例被提供是为了将使本公开彻底和完整，并且将本发明的构思充分传达给本领域的技术人员。
114.虽然已经参考本发明的实施例具体地示出和描述了本发明，但是本领域的普通技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的精神或范围的情况下，可以对其进行形式和细节上的各种改变。