半导体工艺加工设备的制作方法

1.本技术涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种半导体工艺加工设备。


背景技术：

2.在半导体工艺加工过程中，通常需要多个设备进行分别进行各个工艺加工步骤。
3.然而，采用目前的半导体工艺加工设备时，在相关加工设备之间传递基片的过程中，常会出现加工中的基片在运输过程中或在与空气接触过程中吸收c、o和其他施主杂质等，从而降低基片上的界面态的质量，从而导致加工形成的半导体器件性能不理想的状况。


技术实现要素：

4.基于此，本技术实施例提出了一种能够提高半导体器件性能的半导体工艺加工设备。
5.一种半导体工艺加工设备，包括：
6.传送腔，具有第一闸板阀，所述第一闸板阀关闭时将所述传送腔的内部与外部相隔离，所述传送腔内部设有机械手；
7.至少两个工艺腔，所述至少两个工艺腔包括第一工艺腔及第二工艺腔；所述第一工艺腔与所述第二工艺腔实现不同的工艺，第一工艺腔朝向所述传送腔一侧具有第二闸板阀，所述第二闸板阀关闭时将所述第一工艺腔的内部与外部相隔离，所述第二工艺腔朝向所述传送腔一侧具有第三闸板阀，所述第三闸板阀关闭时将所述第二工艺腔的内部与外部相隔离，所述传送腔、所述第一工艺腔以及所述第二工艺腔均连接抽真空系统；
8.驱动装置，连接所述传送腔，且驱动所述传送腔运动。
9.在其中一个实施例中，所述半导体工艺加工设备还包括外围腔，所述第一工艺腔、所述第二工艺腔以及所述传送腔均位于所述外围腔内，所述外围腔也连接所述抽真空系统。
10.在其中一个实施例中，
11.所述驱动装置驱动传送腔沿所述至少两个工艺腔排列方向转动或平移，或者，所述驱动装置驱动传送腔沿所述至少两个工艺腔排列方向转动或平移，且驱动所述传送腔向其设有所述第一闸板阀的方向移动；
12.和/或，所述驱动装置驱动所述机械手运动。
13.在其中一个实施例中，所述第二工艺腔包括沉积腔；所述半导体工艺加工设备还包括：
14.缓冲腔，位于所述第一工艺腔与所述第二工艺腔之间，用于存放基片，朝向所述传送腔一侧具有第四闸板阀，所述第四闸板阀关闭时将所述缓冲腔内部与外部相隔离，所述缓冲腔也连接所述抽真空系统。
15.在其中一个实施例中，所述缓冲腔内设有预加热装置、温度检测热装置以及光学检测装置，所述预加热装置用于对所述基片进行预加热，所述温度检测热装置用于检测所
述基片的温度，所述光学检测装置的光束聚焦在基片上以检测所述基片的物理参数信息。
16.在其中一个实施例中，所述第一工艺腔包括激光剥离工艺腔和/或刻蚀腔，所述第二工艺腔包括沉积腔，所述激光剥离工艺腔和/或所述刻蚀腔设置在所述沉积腔之前。
17.在其中一个实施例中，所述第一工艺腔与所述第二工艺腔环绕所述传送腔设置，且与所述传送腔的距离相等。
18.在其中一个实施例中，所述第二工艺腔包括沉积腔，所述半导体工艺加工设备还包括：
19.测试腔，朝向所述传送腔一侧具有第五闸板阀，所述第五闸板阀关闭时将所述测试腔的内部与外部相隔离，所述测试腔用于对所述沉积腔沉积形成的产品进行测试。
20.在其中一个实施例中，所述第二工艺腔包括多个沉积腔，所述多个沉积腔分别用于沉积不同
ⅲ‑ⅴ
族化合物外延片。
21.在其中一个实施例中，所述第二工艺腔包括多个沉积腔，所述多个沉积腔至少包括金属有机化学气相沉积腔、分子束外延沉积腔和原子层沉积腔；多个所述沉积腔与所述传送腔的距离相同。
22.上述半导体工艺加工设备中，第一工艺腔以及第二工艺腔均连接抽真空系统，从而保证各个工艺腔内均可以处于真空状态下，从而可以防止外延片在各个剥离工艺过程中收到污染。同时，还设置了传送腔。传送腔100也连接抽真空系统，从而可以防止外延片在传送过程中收到污染。因此，本本技术实施例在剥离过程中可以有效减少空气中的c、o和其他施主杂质等外界污染。
23.并且，本实施例的传送腔具有传送闸板阀。传送闸板阀关闭时将传送腔100的内部与外部相隔离，即使得传送腔独立于其他腔室。此时，可以使得传送腔不受其他腔室影响。例如传送腔的的尺寸不受其他腔室影响，从而将其灵活设置，进而适应相对需求。具体地可以将传送腔设置成相对较小的腔室，从而便于对其进行抽空度至真空度较高的状态，以在外延片传送过程中，对其进行更加良好的保护，防止其被污染。同时，传送腔与其他各个腔室均相互独立，也降低了传送腔设计、制作以及使用后的维护工作的难度。
24.并且，本实施例的传送腔在控制装置的控制下可以运动，从而可以通过转动传送腔而将同一传送闸板阀对准不同的工艺腔室，从而使得传送腔只需要设置一个传送闸板阀，进而简化传送腔的结构，降低传送腔的制作成本。
附图说明
25.为了更清楚地说明本技术实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
26.图1至图4为不同实施例中提供的半导体工艺加工设备的结构示意图；
27.图5为一实施例中提供的半导体工艺加工设备的光学检测装置示意图；
28.图6为另一实施例中提供的半导体工艺加工设备的结构示意图。
具体实施方式
29.为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本技术的公开内容更加透彻全面。
30.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。
31.应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分，这些元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分与另一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分。因此，在不脱离本技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层、掺杂类型或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
32.在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。
33.正如背景技术所言，目前半导体工艺加工设备在进行半导体器件加工的过程中，常会出现半导体器件性能不理想的状况。
34.具体地，例如，目前，由于很难得到大尺寸的氮化镓(gan)单晶材料，因此高性能的同质gan器件的支撑衬底通常为氮化镓外延片。氮化镓外延片形成方法通常为：在异质衬底(如蓝宝石衬底)上进行异质外延生长，形成氮化镓外延层。之后，将异质衬底剥离，从而得到氮化镓外延片。
35.但剥离后的氮化镓外延片作为支撑衬底时，其在空气中吸收c、o和其他施主杂质等，降低了衬底与同质外延层的界面态的质量。有报道显示所吸收的施主杂质元素进入衬底后有扩散的现象，故这些杂质使用常规热分解等方法很难去除。即使机械去除后，只要衬底再次暴露于大气，其就会再次吸收上述杂质。因此，导致gan器件性能不理想。比如对于gan微电子器件，衬底和外延层的界面会产生漏电通道。因此，现有的半导体工艺加工设备阻碍了gan衬底的应用和同质外延的高性能发挥。
36.基于此，本技术实施例提出了一种能够提高半导体器件性能的半导体工艺加工设备。
37.在一个实施例中，请参阅图1，提供了一种半导体工艺加工设备，其包括传送腔100以及至少两个工艺腔。至少两个工艺腔包括第一工艺腔200以及第二工艺腔300。第一工艺腔200以及第二工艺腔300实现不同的工艺。并且，半导体工艺加工设备还包括驱动装置400。
38.传送腔100内部设有机械手110。机械手110用来传递基片。同时，传送腔100具有第一闸板阀120，第一闸板阀120关闭时将传送腔100的内部与外部相隔离。且传送腔100可以连接抽真空系统，从而可以为腔室内部提供真空环境。
39.具体地，机械手110包括有机械臂111和基片拾取接口112，基片拾取接口112通过真空吸附的方式将基片吸取，并通过机械臂111运输转移至其他腔室。基片可以但不限于包
括用于进行同质外延生长的氮化物外延片(如氮化镓外延片)。
40.第一工艺腔200朝向传送腔100一侧具有第二闸板阀210。第二闸板阀210关闭时将第一工艺腔200的内部与外部相隔离。并且，第一工艺腔200也可以连接抽真空系统，从而可以为第一工艺腔200内部提供真空环境。第一工艺腔200的数量可以为一个也可以为多个，这里对此没有限制。
41.按照各个腔室的工艺顺序，可以将缓冲腔的相关描述放在第二工艺腔之前。
42.第二工艺腔300朝向传送腔100一侧具有第三闸板阀310。第三闸板阀310关闭时将第二工艺腔300的内部与外部相隔离。第二工艺腔300也连接抽真空系统，从而可以为第一工艺腔200内部提供真空环境。第二工艺腔300的数量可以为一个也可以为多个，这里对此没有限制。
43.作为示例，第一工艺腔可以包括激光剥离工艺腔和/或刻蚀腔。第二工艺腔可以包括沉积腔。并且可以将激光剥离工艺腔和/或刻蚀腔设置在沉积腔之前。当然，第一工艺腔与第二工艺腔也可包括其他类型的腔室，这里对此并没有限制。
44.同时，第一工艺腔200与第二工艺腔300可以环绕传送腔设置，且与传送腔的距离相等。当然，第一工艺腔200、第二工艺腔300以及传送腔的设置形式并不限于此，例如，请参阅图2，第一工艺腔200、第二工艺腔300也可以在传送腔100前排成一排，这里对比也没有限制。
45.在本实施例半导体工艺加工设备中，传送腔100、第一工艺腔200以及第二工艺腔300均连接抽真空系统。具体地，抽真空系统可以包括多个抽真空装置。不同的腔可以具有独立的抽真空装置，从而便于根据需求对各个腔室内进行灵活抽真空。当然，各个腔室也可以共用抽真空装置，这里对此并不做限制。
46.在本实施例中，第一工艺腔200以及第二工艺腔300均连接抽真空系统，从而保证各个工艺腔内均可以处于真空状态下，从而可以防止外延片在各个剥离工艺过程中收到污染。同时，本实施例还设置了传送腔100。传送腔100也连接抽真空系统，从而可以防止外延片在传送过程中收到污染。因此，本实施例在剥离过程中可以有效减少空气中的c、o和其他施主杂质等外界污染。
47.并且，本实施例的传送腔100具有传送闸板阀120。传送闸板阀120关闭时将传送腔100的内部与外部相隔离，即使得传送腔100独立于其他腔室。此时，可以使得传送腔100不受其他腔室影响。例如传送腔100的的尺寸不受其他腔室影响，从而将其灵活设置，进而适应相对需求。具体地可以将传送腔100设置成相对较小的腔室，从而便于对其进行抽空度至真空度较高的状态，以在外延片传送过程中，对其进行更加良好的保护，防止其被污染。同时，传送腔100与其他各个腔室均相互独立，也降低了腔室设计、制作以及使用后的维护工作的难度。
48.并且，本实施例的传送腔100在控制装置的控制下可以运动，从而可以通过转动传送腔100而将同一传送闸板阀120对准不同的工艺腔室，从而使得传送腔100只需要设置一个传送闸板阀120，进而简化传送腔100的结构，降低传送腔100的制作成本。
49.在一个实施例中，请参阅图3，半导体工艺加工设备还包括外围腔500。传送腔100、第一工艺腔200以及第二工艺腔300均位于外围腔500内。
50.外围腔500也连接抽真空系统，外围腔500的设置可以使得整个刻蚀系统均处于封
闭的真空环境下，从而有效防止基片在刻蚀过程中受到污染。
51.可以理解的是外围腔500具有可供基片进出的外腔开口(图中未示出)。
52.在一个实施例中，半导体工艺加工设备还包括内围腔。传送腔500之外的其他腔室(如第一工艺腔200以及第二工艺腔300等)围设并形成封闭的内围腔。内围腔也连接抽真空系统，此时传送腔500可以位于内围腔内。
53.可以理解的是，在一些实施例中，半导体工艺加工设备可以包括外围腔或者内围腔中的其中一个，或者，在另一些实施例中，半导体工艺加工设备也可以同时设有外围腔或者内围腔等，这里对此没有限制。
54.在一个实施例中，驱动装置400驱动传送腔100沿至少两个工艺腔排列方向转动或平移，或者，驱动装置驱动传送腔沿至少两个工艺腔排列方向转动或平移，且驱动传送腔向其设有第一闸板阀的方向移动。
55.作为第一示例，请参阅图3，传送腔100之外的至少两个工艺腔(第一工艺腔200以及第二工艺腔300)环绕传送腔100设置时，可以设置驱动装置400驱动传送腔100沿至少两个工艺腔排列方向转动且驱动传送腔向其设有第一闸板阀的方向移动。或者，作为第二示例，请参阅图4，传送腔100之外的至少两个工艺腔(第一工艺腔200以及第二工艺腔300)在传送腔100前排成一排设时，可以设置驱动装置400驱动传送腔100沿至少两个工艺腔排列方向平移且驱动传送腔向其设有第一闸板阀的方向移动。
56.此时，传送腔100在与第一闸板阀120相对的腔室(第一工艺腔200或第二工艺腔300等)进行基片的传送的过程中，可以使得第一闸板阀120向该腔室运动，而与其闸板阀接触。然后将两个腔抽真空至压强相当，从而将两个腔室的闸板阀同时打开。然后通过机械手110进行基片传输。基片传输完毕，再将两个腔室的闸板阀同时关闭。之后，传送腔100可以在驱动装置400的驱动下远离该腔室的方向运动，回到原点。之后，驱动装置400再驱动传送腔100转动方向，以使得第一闸板阀120与其他腔室间进行基片传输。在基片传输过程中，为了节省时间可以将相关腔室同时进行抽真空。例如，在从第一工艺腔中取出基片的过程中，可以将第一工艺腔与传送腔同时抽真空。
57.当然，作为第三示例，请参阅图3，传送腔100之外的至少两个工艺腔(第一工艺腔200以及第二工艺腔300)环绕传送腔100设置时，也可以设置驱动装置400只驱动传送腔100沿至少两个工艺腔排列方向转动。或者，作为第四示例，请参阅图4，传送腔100之外的至少两个工艺腔(第一工艺腔200以及第二工艺腔300)在传送腔100前排成一排设置时，也可以设置驱动装置400只驱动传送腔100沿至少两个工艺腔排列方向平移。
58.此时，当设有外围腔500(或者内围腔)时，在传送腔100与其他腔之间进行基片传输时，也可以对两个腔及其外围的外围腔500(或者内围腔)同时进行抽真空，从而使得两个腔均与外围腔的压强相当，从而可以打开两个腔的闸板阀而进行基片传输。当然，在第一示例与第二示例所示的情况下，由于驱动装置400还同时驱动传送腔100向其设有第一闸板阀120的方向移动，从而可以有效降低对外围腔500(或者内围腔)的真空度要求。
59.在一些实施例中，驱动装置400的驱动模块还可以同时驱动机械手110的运动和/或驱动各个腔室的闸板阀开启与关闭等等。
60.在一个实施例中，请参阅图3，第二工艺腔300包括沉积腔，且半导体工艺加工设备还包括缓冲腔600。缓冲腔600位于第一工艺腔与第二工艺腔之间，从而存放基片。
61.具体地，缓冲腔600也可以位于外围腔500内。
62.同时，缓冲腔600设有第一基片放置装置。第一基片放置装置可以包括多个第一基片放置台，多个第一基片放置台可以从上而下依次竖直排列设置。每个第一基片放置台上可以放置一片基片。
63.缓冲腔600朝向传送腔100一侧具有第四闸板阀610。第四闸板阀610关闭时将缓冲腔600内部与外部相隔离，从而可以通过第四闸板阀610而与其他腔室相互独立，进而防止腔室之间的相互污染。
64.缓冲腔600也可以连接抽真空系统，从而可以为缓冲腔600内提供真空环境。
65.在一个实施例中，缓冲腔600内设有预加热装置。预加热装置用于对基片进行预加热。
66.具体地，缓冲腔600内设有多个第一基片放置台时，预加热装置可以对各个第一基片放置台进行独立加热，从而根据需求对各个第一基片放置台上放置的外延片进行加热。
67.通过对基片进行预加热，再运输到第二工艺腔300中进行外延生长沉积，可以进一步减少结晶时间，从而提高外延功能层的结晶质量。
68.同时，对基片进行预加热，还可以去除外延片表面可能存在的水分、表面吸附的气体等杂质。预加热装置在进行预加热的同时，还可以开启抽气装置，从而将可能的气体或水分杂质抽出，而不会影响后续的沉积步骤。
69.在一个实施例中，缓冲腔600内还设有温度检测热装置。温度检测热装置用于检测基片的温度。
70.具体地，当缓冲腔600内设有多个第一基片放置台时，温度检测装置可以包括多个温度检测单元。每个温度检测单元对应检测一个第一基片放置台的温度。此时，可以对各个第一基片放置台上放置的待加工基片的温度进行检测。
71.当然，缓冲腔600内也可以设有一个第一基片放置台。此时，温度检测装置也可以包括一个温度检测单元。
72.通过温度检测装置的设定，可以精确控制对基片的加热温度。具体地，可以将基片加热至预设温度。预设温度小于后续外延沉积的工艺温度。这样经过预加热的基片由于表面温度较高，能够进一步减少结晶时间，提高沉积外延功能层的结晶质量。
73.作为示例，当带沉积片为氮化镓外延片时，可以设置预设温度为200℃至300℃。
74.进一步地，缓冲腔600内的预加热装置可以电连接温度检测装置，从而可以根据温度检测装置的检测情况，对相应待加工基片进行自动加热。
75.在一个实施例中，请参阅图5，半导体工艺加工设备还包括光学检测装置700。光学检测装置700的光束聚焦在基片上，以检测基片的物理参数信息。
76.作为示例，光学检测装置700包括光学模块710以及检测控制模块720。光学模块710在检测控制模块720的控制下检测基片的物理参数信息，如获取基片的临界尺寸、膜层厚度、刻蚀深度、表面粗糙度、形成刻蚀坑的分布等信息。
77.在具体检测时，可以在基片的一个位置执行的一个或多个测量，进而满足工艺监控目的要求。同时，也可以改变光学模块710的光路入射点，进而对基片的不同的位置进行测量。
78.检测控制模块720可以通过对被基片的物理参数进行分析，进而确定是否进行下
一步的沉积。
79.例如，可以设置，如果被基片的被监测的物理参数信息符合标准，则将其送入第二工艺腔300进行沉积；否则，将其送至第一工艺腔200而从运输至半导体工艺加工设备之外进行返工或报废。
80.作为示例，在一个实施例中，请参阅图5，光学模块710包括光发射单元711与光接收单元712。
81.光发射单元711用于向基片发送检测光束。检测光束可以为红外光或者激光等。检测光束可以对基片的底部进行照射，也可以对基片的顶部表面进行照射。光发射单元711可以通过聚焦对基片的一个位置表面进行多次照射，和/或对多个位置的表面进行照射。
82.光接收单元712用于接收基片的反馈光束，并将反馈光束转化成电信号。反馈光束可以为检测光束发射到基片后，经基片反射、折射、散射、干涉或其组合作用等后形成的光束。光接收单元712捕捉到的反馈光束信号，并将其转化成电信号。
83.检测控制模块720包括光源单元721、发光控制单元722以及分析单元723。
84.光源单元721可以包括但不限于为激光芯片或红外光芯片等光学芯片。
85.发光控制单元722电连接光源单元721，用于控制光源单元721为光发射单元711提供光源。具体地，光源单元721与光发射单元711之间可通过光纤进行光的传输。作为示例，检测控制模块720可以位于缓冲腔600外部。光纤可以贯穿缓冲腔600内外。
86.分析单元723电连接光接收单元712，用于根据光接收单元712发送的电信号分析基片的物理参数信息。具体地，分析单元723可以使用专业测试软件(例如一种与光学检测装置700对应的工具软件来分析)，以获得关于基片的被刻蚀后的物理参数信息，如获取基片的临界尺寸、膜层厚度、刻蚀深度、表面粗糙度、形成刻蚀坑的分布等信息。
87.在一个实施例中，请参阅图6，第二工艺腔300包括沉积腔。且半导体工艺加工设备还包括测试腔800，测试腔800朝向传送腔100一侧具有第五闸板阀810。第五闸板阀810关闭时将测试腔800的内部与外部相隔离。
88.测试腔800对沉积腔加工形成的产品进行测试。具体地，测试腔800可以为一个也可以为多个。当测试腔800为多个时，各个测试腔800可以同时对不同的产品进行测试，或者对同一产品进行不同种类的性能测试。
89.测试腔800也可以连接抽真空系统，从而使得测试腔800内可以具有真空测试环境，能够防止外界空气中的水、氧等杂质对测试性能的影响。
90.在一个实施例中，第二工艺腔包括多个沉积腔，多个沉积腔分别用于沉积不同
ⅲ‑ⅴ
族化合物外延片。
91.具体地，多个沉积腔可以分别为gan沉积腔、ingan沉积腔、algan沉积腔、aln沉积腔。gan沉积腔还可分为n型gan沉积腔、p型gan沉积腔、u型gan沉积腔。
92.在一个实施例中，第二工艺腔300包括多个沉积腔，多个沉积腔至少包括金属有机化学气相沉积腔、分子束外延沉积腔和原子层沉积腔；多个沉积腔与传送腔100的距离相同。
93.具体地，可以设置多个沉积腔与其他腔室一起环绕传送腔100设置，并使得各个腔室与传送腔100的距离相同，从而保证传送腔内的机械手的能够等距离向其他腔室运输基片，这样能够快速精准的对基片进行传送。
94.此外，请参阅图6，半导体工艺加工设备还可以包括装卸腔900。装卸腔900朝向传送腔一侧具有第六闸板阀910，第六闸板阀910关闭时将装卸腔900的内部与外部相隔离。
95.装卸腔内可以设置第二基片放置装置(未图示)。第二基片放置装置可以包括多个第二基片放置台，多个第二基片放置台可以从上而下依次竖直排列设置。每个第二基片放置台上可以放置一片基片。
96.同时，装卸腔可以还可以包括装卸部920，装卸部920用于实现基片的装卸。当基片自外部传送至半导体工艺加工设备时，可以首先打开装卸腔的装卸部920。然后将基片放置在装卸腔内。之后再关闭装卸部920。
97.装卸部920与第六闸板阀910相对设置，从而可以方便地在装卸腔的相对侧分别进行与外部之间的基片的传送以及与传送腔100之间的基片的传送。
98.具体地，装卸部920可以是闸板阀的形式设置，也可以以其他形式(如开窗的形式)设置，这里对此并没有限制。或者，也可以不设有装卸部920。此时，可以设置第一工艺腔可以转动，从而通过在第二闸板阀处于不同的位置时，分别实现装卸腔与外部之间的基片的传送以及装卸腔与传送腔100之间的基片的传送。
99.同时，第一工艺腔可以连接氮气充入管路，进而通过氮气充入管路为第一工艺腔800内冲入氮气。使用氮气对基片进行清扫，可以将运输过程中附着在基片上的杂质颗粒进行清除，清扫时间可以为30s-5min。
100.应该理解的是，上述实施例中，为了便于进行说明介绍，将测试腔800、缓冲腔600、装卸腔900独立于第一工艺腔200以及第二工艺腔300。但是，在一些实施例中，测试腔800、缓冲腔600、装卸腔900等也可以作为第一工艺腔200和/或第二工艺腔300，这里对比并不做限制。
101.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“其他实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特征包含于本技术的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性描述不一定指的是相同的实施例或示例。
102.上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
103.以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。