一种晶圆托盘结构及设备的制作方法

技术特征：
1.一种晶圆托盘结构，其特征在于，包括：托盘底和环状结构，所述环状结构设置在所述托盘底的边缘；所述环状结构上环绕设置有弧形凸起；当晶圆放置在所述托盘底时，所述弧形凸起的尖端的高度大于或等于所述晶圆的最小边缘高度。2.根据权利要求1所述的晶圆托盘结构，其特征在于，所述弧形凸起的尖端的高度位于所述晶圆的二分之一高度处。3.根据权利要求1所述的晶圆托盘结构，其特征在于，所述弧形凸起与所述晶圆的边缘相接。4.根据权利要求1所述的晶圆托盘结构，其特征在于，所述弧形凸起与所述托盘底的可拆卸连接。5.根据权利要求4所述的晶圆托盘结构，其特征在于，还包括连接件，所述弧形凸起通过所述连接件与所述托盘底连接。6.根据权利要求4所述的晶圆托盘结构，其特征在于，所述弧形凸起的尖端与所述托盘底放置所述晶圆的平面的距离小于等于10mm。7.根据权利要求1所述的晶圆托盘结构，其特征在于，所述弧形凸起的尖端至所述环状结构的距离为3mm-50mm。8.根据权利要求1所述的晶圆托盘结构，其特征在于，所述托盘底的边缘位置设置有斜面。9.根据权利要求1所述的晶圆托盘结构，其特征在于，所述弧形凸起的截面为椭圆状。10.一种对晶圆进行沉积工艺的设备，其特征在于，包括：如权利要求1～9中任一所述的晶圆托盘结构。

技术总结
本发明实施例公开了一种晶圆托盘结构及设备，其中晶圆托盘结构包括：托盘底和环状结构，盘壁为环状结构，环状结构设置在托盘底的边缘，可对晶圆进行限位；其中，环状结构上环绕设置有弧形凸起；当晶圆放置在托盘底时，弧形凸起的高度大于或等于晶圆的边缘高度，可在CVD工艺过程中防止晶圆边部的离子反射，有效的降低了离子浓度，保证了晶圆边缘部分和中心部分的离子浓度均匀性。部分的离子浓度均匀性。部分的离子浓度均匀性。


技术研发人员：将镇宪 白国斌 高建峰 王桂磊 丁云凌 田光辉
受保护的技术使用者：真芯（北京）半导体有限责任公司
技术研发日：2020.11.18
技术公布日：2022/5/20