技术特征:
1.一种电子放射源的动作控制方法,其特征在于,具备如下步骤:放射电子射束;以在试样面上得到所希望的电流的方式调整所述电子射束;一边改变电子射束的发射电流,一边取得被电子射束照射的试样面位置处的试样面电流与发射电流之间的特性;根据所述特性来计算第一斜率值,该第一斜率值是所述特性中发射电流的规定范围中的、所述试样面电流除以所述发射电流而得到的;计算第二斜率值,该第二斜率值是所述电子射束已被调整的状态的试样面电流除以发射电流而得到的;以及以使在所述电子射束已被调整的状态下的所述第二斜率值在发射电流的所述规定范围的所述第一斜率值的范围内的方式调整阴极温度。2.根据权利要求1所述的电子放射源的动作控制方法,其特征在于,所述规定范围包含所述特性的峰值位置。3.根据权利要求1所述的电子放射源的动作控制方法,其特征在于,包括如下步骤:每隔规定期间,实施所述特性的取得、发射电流的所述规定范围的所述第一斜率值的计算、和以得到所述所希望的电流的方式调整了所述电子射束的状态的所述第二斜率值的计算;每隔所述规定期间,判定所述第二斜率值是否在发射电流的所述规定范围的所述第一斜率值的范围内;在判定的结果是所述第二斜率值从发射电流的所述规定范围的所述第一斜率值的范围内偏离的情况下,再次以使所述第二斜率值在发射电流的所述规定范围的所述第一斜率值的范围内的方式调整所述阴极温度。4.根据权利要求3所述的电子放射源的动作控制方法,其特征在于,再次以使所述第二斜率值在所述规定范围的所述第一斜率值的范围内的方式调整所述阴极温度的步骤包括如下步骤:降低所述阴极温度。5.根据权利要求3所述的电子放射源的动作控制方法,其特征在于,再次以使所述第二斜率值在发射电流的所述规定范围的所述第一斜率值的范围内的方式调整所述阴极温度的步骤包括如下步骤:判定在设定的阴极温度下是否得到预先设定的亮度。6.根据权利要求5所述的电子放射源的动作控制方法,其特征在于,再次以使所述第二斜率值在发射电流的所述规定范围的所述第一斜率值的范围内的方式调整所述阴极温度的步骤包括如下步骤:在得不到预先设定的所述亮度的情况下,提高所述阴极温度。7.根据权利要求1所述的电子放射源的动作控制方法,其特征在于,以使所述第二斜率值在发射电流的所述规定范围的所述第一斜率值的范围内的方式调整阴极温度的步骤包括如下步骤:降低所述阴极温度,降低所述阴极温度后,提高所述阴极温度。
8.根据权利要求7所述的电子放射源的动作控制方法,其特征在于,在降低了所述阴极温度之后,判定在设定的阴极温度下是否得到预先设定的亮度。9.一种电子射束描绘方法,其特征在于,具备如下步骤:放射电子射束;以在试样面上得到所希望的电流的方式调整所述电子射束;一边改变电子射束的发射电流,一边取得被电子射束照射的试样面位置处的试样面电流与发射电流之间的特性;根据所述特性来计算第一斜率值,该第一斜率值是所述特性中发射电流的规定范围中的、所述试样面电流除以所述发射电流而得到的;计算第二斜率值,该第二斜率值是所述电子射束已被调整的状态的试样面电流除以发射电流而得到的;以使在所述电子射束已被调整的状态下的所述第二斜率值在发射电流的所述规定范围的所述第一斜率值的范围内的方式调整阴极温度;以及使用已被调整为所述第二斜率值在发射电流的所述规定范围的所述第一斜率值的范围内的所述阴极温度的电子射束,在试样上描绘图案。10.一种电子射束描绘装置,其特征在于,具备:电子放射源,放射电子射束;发射电流控制电路,控制从所述电子射束放射源放射的所述电子射束的发射电流;取得电路,取得被电子射束照射的试样面位置处的试样面电流与电子射束的发射电流之间的特性;第一斜率值计算电路,根据所述特性,计算第一斜率值,该第一斜率值是所述特性中发射电流的规定范围的所述试样面电流除以所述发射电流而得到的;第二斜率值计算部,计算第二斜率值,该第二斜率值是以在试样面上得到所希望的电流的方式调整了所述电子射束后的状态的试样面电流除以发射电流而得到的;温度调整电路,以使所述电子射束已被调整的状态下的所述第二斜率值在发射电流的所述规定范围的所述第一斜率值的范围内的方式调整阴极温度;以及描绘机构,使用已被调整为所述第二斜率值在发射电流的所述规定范围的所述第一斜率值的范围内的所述阴极温度的电子射束,在试样上描绘图案。
技术总结
本发明的一个方式的电子放射源的动作控制方法的特征在于,具备如下步骤:一边改变电子射束的发射电流,一边取得被电子射束照射的试样面位置处的试样面电流与发射电流之间的特性;根据特性计算特性中的规定范围内的、相对于发射电流的试样面电流除以发射电流而得到的第一斜率值;计算电子射束已被调整的状态的试样面电流除以发射电流而得到的第二斜率值;以使电子射束已被调整的状态下的第二斜率值在规定范围的第一斜率值的范围内的方式对阴极温度进行调整。阴极温度进行调整。阴极温度进行调整。
技术研发人员:宫本房雄 山田拓
受保护的技术使用者:纽富来科技股份有限公司
技术研发日:2021.11.19
技术公布日:2022/5/20
再多了解一些
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