神经形态器件的制作方法

技术特征：
1.一种神经形态器件，其具备第一元件组和第二元件组，所述第一元件组和所述第二元件组分别包含多个磁畴壁移动元件，所述多个磁畴壁移动元件分别具备磁畴壁移动层、铁磁性层、以及夹持于所述磁畴壁移动层和所述铁磁性层之间的非磁性层，属于所述第一元件组的各个所述磁畴壁移动元件的所述磁畴壁移动层的长边方向上的长度比属于所述第二元件组的各个所述磁畴壁移动元件的所述磁畴壁移动层的长边方向上的长度短，就输入了规定的脉冲时的电阻变化率而言，属于所述第一元件组的各个所述磁畴壁移动元件一方比属于所述第二元件组的各个所述磁畴壁移动元件大。2.根据权利要求1所述的神经形态器件，其中，所述第一元件组和所述第二元件组处于层叠结构体内，所述层叠结构体层叠于基板上。3.根据权利要求2所述的神经形态器件，其中，在所述层叠结构体上，所述第二元件组处于比所述第一元件组远离所述基板的位置。4.根据权利要求1～3中任一项所述的神经形态器件，其中，属于所述第一元件组的所述磁畴壁移动元件的数量比属于所述第二元件组的所述磁畴壁移动元件的数量多。5.根据权利要求1～4中任一项所述的神经形态器件，其中，就使所述磁畴壁移动元件的磁畴壁移动所需的临界电流密度而言，属于所述第二元件组的各个所述磁畴壁移动元件一方比属于所述第一元件组的各个所述磁畴壁移动元件小。6.根据权利要求1～5中任一项所述的神经形态器件，其中，从所述磁畴壁移动元件的层叠方向俯视时，所述第一元件组的任一个所述磁畴壁移动元件和所述第二元件组的任一个所述磁畴壁移动元件至少一部分重叠。7.根据权利要求1～6中任一项所述的神经形态器件，其中，在属于所述第二元件组的任一个所述磁畴壁移动元件的长边方向上，所述第一元件组中的任一个所述磁畴壁移动元件的两端处于所述第二元件组中的任一个所述磁畴壁移动元件的两端的内侧。8.根据权利要求1～5中任一项所述的神经形态器件，其中，从所述磁畴壁移动元件的层叠方向俯视时，所述第一元件组的所述磁畴壁移动元件和所述第二元件组的所述磁畴壁移动元件未重叠。9.根据权利要求1～8中任一项所述的神经形态器件，其中，属于所述第二元件组的所述磁畴壁移动元件的下表面的表面粗糙度比属于所述第一元件组的所述磁畴壁移动元件的下表面的表面粗糙度大。10.根据权利要求1～9中任一项所述的神经形态器件，其中，还具备将所述第一元件组的任一个所述磁畴壁移动元件和所述第二元件组的任一个所述磁畴壁移动元件相连的连接配线。11.根据权利要求1～10中任一项所述的神经形态器件，其中，所述第一元件组进行第一积和运算，所述第二元件组进行第二积和运算，将来自属于所述第一元件组的多个磁畴壁移动元件的输出的合计向属于所述第二元
件组的所述磁畴壁移动元件输入。12.根据权利要求1～11中任一项所述的神经形态器件，其中，向属于所述第二元件组的所述磁畴壁移动元件输入的写入脉冲的脉冲长度与向属于所述第一元件组的所述磁畴壁移动元件输入的写入脉冲的脉冲长度不同。13.根据权利要求1～12中任一项所述的神经形态器件，其中，向属于所述第二元件组的所述磁畴壁移动元件输入的写入脉冲的脉冲振幅与向属于所述第一元件组的所述磁畴壁移动元件输入的写入脉冲的脉冲振幅不同。14.根据权利要求1～13中任一项所述的神经形态器件，其中，所述第一元件组及所述第二元件组分别负责神经网络中的不同层之间的运算。15.根据权利要求1～14中任一项所述的神经形态器件，其中，所述第一元件组与所述第二元件组相比，负责神经网络的输入层侧的运算。

技术总结
该神经形态器件具备第一元件组和第二元件组，所述第一元件组和所述第二元件组分别包含多个磁畴壁移动元件，所述多个磁畴壁移动元件分别具备磁畴壁移动层、铁磁性层、以及夹持于所述磁畴壁移动层和所述铁磁性层之间的非磁性层，属于所述第一元件组的各个所述磁畴壁移动元件的所述磁畴壁移动层的长边方向上的长度比属于所述第二元件组的各个所述磁畴壁移动元件的所述磁畴壁移动层的长边方向上的长度短，就输入了规定的脉冲时的电阻变化率而言，属于所述第一元件组的各个所述磁畴壁移动元件一方比属于所述第二元件组的各个所述磁畴壁移动元件大。畴壁移动元件大。畴壁移动元件大。


技术研发人员：山田章悟 柴田龙雄
受保护的技术使用者：TDK株式会社
技术研发日：2021.10.25
技术公布日：2022/5/17