脉冲DC溅射系统和方法与流程

脉冲dc溅射系统和方法
1.根据35 u.s.c.
§
119要求享有优先权
2.本专利申请要求2019年7月25日提交的标题为“pulsed dc sputtering systems and methods”并且转让给本受让人的临时申请no.62/878,591的优先权，并且在此通过引用将其明确并入本文。
技术领域
3.本发明总体涉及溅射系统，并且更具体地涉及脉冲dc溅射。


背景技术：

4.在历史上，溅射包括在真空室中生成磁场，并且在该室中使等离子体束撞击牺牲靶，由此使靶溅射(发射)材料，然后这些材料作为薄膜层沉积在衬底上(有时是在与工艺气体反应之后)。溅射源可以采用磁控管，磁控管利用强电场和磁场将带电等离子体粒子局限为靠近靶的表面。通常提供阳极以从等离子体收集电子，以在离子离开以轰击靶时保持等离子体中性。
5.多年来，业界已经进行了各种尝试，以使溅射效率最大化、降低功耗要求、使系统的热负荷最小化、使电弧最小化和/或增加可以用于系统中的衬底的类型。另外，溅射靶已经发展了多年，包括复合材料，例如氧化铟锡(ito)，其经常用于制造用于显示器(例如液晶显示器(lcd)、平板显示器、等离子显示器和触摸面板)的透明导电涂层。这些复合靶材料可以包括用作磁控管上的靶并且然后被溅射以产生复合材料层的两种或更多种金属。但是这些复合靶可能非常昂贵，这使得溅射工艺非常昂贵。
6.另一个在业界一直存在的问题是在不均匀表面(例如，在具有沟槽的表面)之上沉积溅射材料的均匀层的问题。因此，仍然需要更成本有效和更共形的靶材料沉积。


技术实现要素：

7.本公开的一个方面是一种用于溅射的方法，其包括提供至少第一电极、第二电极和第三电极。该方法还包括：在第一电处施加第一电压，第一电压在多个周期中的每个周期期间相对于第二电极在正与负之间交变；以及向第三电极施加第二电压，第二电压在多个周期中的每个周期期间相对于第二电极在正与负之间交变。该方法还包括使用至少两种单独的并且不同的靶材料中的每种靶材料与三个电极结合，以实现溅射。
8.在该方法的一些变型中，第一电极和第三电极各自包括磁控管，以形成第一磁控管和第三磁控管，其中，第一磁控管和第三磁控管中的每者耦接至两种单独的并且不同的靶材料中的对应的一种靶材料，并且其中，第二电极既不包括靶也不包括磁控管，以作为阳极操作。
9.在该方法的其他变型中，三个电极中的每个电极是磁控管，以形成第一磁控管、第二磁控管和第三磁控管，其中，至少两种单独的并且不同的靶材料中的一种靶材料耦接至第一磁控管和第三磁控管，并且至少两种单独的并且不同的靶材料中的另一种靶材料耦接
至第二磁控管。
10.在该方法的另外其他变型中，三个电极中的每个电极是磁控管，以形成第一磁控管、第二磁控管和第三磁控管，并且至少两种单独的并且不同的靶材料包括三种单独的并且不同的靶材料，其中，三种单独的并且不同的靶材料中的每种靶材料耦接至三个磁控管中的对应的一个磁控管。
11.该方法的任何以及所有变型都可以包括：采用接地屏蔽孔并且在任何方向上移动衬底，以在均匀地衬底上沉积至少两种单独的并且不同的靶材料。
12.根据另一个方面，公开了一种脉冲溅射系统，其包括至少三个电极：第一电极、第二电极和第三电极。使用至少两种单独的并且不同的靶材料中的每种靶材料与三个电极结合，以实现溅射。该脉冲溅射系统包括：耦接至第一电极和第二电极的第一电源，其中，第一电源被配置为在第一电极处施加第一电压，第一电压在多个周期中的每个周期期间相对于第二电极在正与负之间交变，并且第二电源耦接至第三电极和第二电极，第二电源被配置为向第三电极施加第二电压，第二电压在多个周期中的每个周期期间相对于第二电极在正与负之间交变。
附图说明
13.图1示出了包括两个电极和两种对应的靶材料的溅射系统的实施例；
14.图2是示出了随时间施加至图1的电极的示例性电压的时序图；
15.图3是示出了包括三个电极和两种靶材料的溅射系统的图；
16.图4是包括三个电极和三种对应的靶材料的溅射系统的图；
17.图5a是示出了可以施加至图3和图4的电极的示例性电压的时序图；
18.图5b是示出了可以施加至图3和图4的电极的其他示例性电压的时序图；
19.图5c是示出了可以施加至图3和图4的电极的另外其他示例性电压的时序图；
20.图5d是示出了可以施加至图3和图4的电极的图5c中的示例性电压的变化的时序图；
21.图6是示出了图1中所示的实施例的变型和使用情况的图；
22.图7是示出了图3中所示的实施例的变型和使用情况的图；
23.图8是示出了图4中所示的实施例的另一变型和使用情况的图；
24.图9是示出了本文描述的电源和控制器的示例性方面的图；
25.图10是示出了可以在本文描述的系统中实施的部件的方面的框图；
26.图11是与现有技术中使用的方法一致的与移动衬底相结合的单个靶的图示；
27.图12是用图11中所示的单个靶进行溅射的方向性和单角度结果的图示；
28.图13是与本文公开的方法一致的与移动衬底相结合的多个靶的图示；并且
29.图14是用如本文所公开的多个靶的进行溅射的双角度结果和多角度溅射结果的图示。
具体实施方式
30.词语“示例性”在本文中被用于意味着“用作示例、实例或者例示”。本文描述为“示例性”的任何实施例未必要被理解为相比其它实施例是优选的或有利的。
31.参考图1，其示出了示例性的脉冲直流溅射系统100。系统100的一个方面是利用容易获得并且相对便宜的靶材料来产生期望的多元素膜的能力，与现有的ac双磁控管和脉冲dc单磁控管溅射方法相比，该多元素膜具有有利的沉积速率。作为示例，代替使用相对昂贵的复合靶材料，例如氧化铟锡(ito)，可以使用单独的较便宜(并且容易获得)的基于铟和锡的靶(例如分别为in和sn靶)来获得期望的ito膜。系统100的一些变型的另一方面是在变化的衬底表面拓扑结构之上提供共形并且高度均匀的涂层的能力；因此，能够实现当前和未来的产品设计。
32.有益地，与现有的ac溅射系统相比，系统100的许多变形可以将端块或磁控管中的rms电流削减大约一半。因此，在端块额定电流受限的情况下，系统100可以在保持在端块额定电流限制内的同时实现几乎两倍的功率的输送。图1所示系统的另一方面是，根据所使用的电极类型和所实施的控制方案，溅射在至少70％的时间发生。并且在一些实施方式中，系统100能够在80％、90％或高达几乎100％的时间溅射。
33.系统100的附加方面包括对衬底的热负荷的最终减少，或在相同衬底热负荷下更高的沉积速率。此外，许多实施方式的另一方面是与中频(mf)(ac或脉冲)双磁控管溅射相比，可以预期基本上相同的沉积速率(输送至工艺的单位总功率(kw))。系统100可以提供ac双磁控管或双极脉冲dc溅射的大约2倍的沉积速率，其中在典型的溅射系统中经历较低的热负荷。如本文所讨论的，每个周期中的电压可以反转100％。并且有益地，一些实施方式在衬底上的膜中产生不可检测的阳极材料水平的同时操作。
34.如图1所示，系统100包括至少围绕第一电极e1、第二电极e2和第三电极e3的等离子体室101。系统100包括衬底122，系统100在溅射工艺中在衬底122上沉积薄膜材料。如图1中所示，系统100包括至少三个电极，但是可以包括n个电极，其中，n大于3。在一些实施例中，将六个或更多电极布置为三个一组。
35.在图1的一些实施方式中，第二电极e2被实施成阳极，并且第一电极e1和第三电极e3可以各自为被实施成磁控管的部分，但是在其他实施方式中，第一电极e1和第三电极e3不被实施成磁控管的部分。如图所示，第一电源140耦接至第一电极e1和第二电极e2，并且第一电源140被配置为在第一电极e1处施加第一电压vab，第一电压vab在多个周期中的每个期间相对于第二电极e2在正与负之间交变。第二电源142耦接至第三电极e3和第二电极e2，并且第二电源142被配置为向第三电极e3施加第二电压vcb，第二电压vcb多个周期中的每个期间期间相对于阳极在正与负之间交变。
36.如图所示，控制器144耦接至第一电源140和第二电源142，以控制电源140、142。在一些操作模式中，控制器144被配置为控制第一电源140和第二电源142，以使第一电压vab与第二电压vcb相位同步，使得第一电压vab和第二电压vcb两者在每一周期的部分期间同时为负，并且在每一周期的另一部分期间相对于阳极同时为正。在其他操作模式中，控制器144被配置为控制第一电源140和第二电源142，以使第一电压vab与第二电压vcb去相位同步，使得在第一电压vab与第二电压vcb之间存在相位偏移。在图1中的实施方式的很多变型中，对作为共享阳极操作的第二电极e2进行冷却(例如，通过水冷却)。
37.如图所示，至少两个电极各自与两种不同靶材料(靶材料1和靶材料2)中的对应的一种靶材料结合使用，使得系统100以“共溅射”配置操作。用于靶材料1的材料和用于靶材料2的材料是不同的，但是可以存在变化，并且可以以不同的组合使用。例如，这些靶材料可
以包括但不限于铝、铟、锡、铅、锆、锌、钛。尽管靶材料可以是元素材料，但是也可以设想靶材料可以包括复合材料，此时两个磁控管的每个磁控管与两种不同复合靶材料中的对应的一种靶材料结合使用。靶材料的示例性组合包括耦接至电极中的一个电极的铟和耦接至另一个电极的锡。另一种组合(可以用到本文进一步讨论的3磁控管配置当中)是铅、锆、钛。
38.如本文进一步地更详细所述，在室101内响应于脉冲电压的施加生成等离子体。本领域普通技术人员将认识到，气体被提供给等离子体室101，并且在室101内对等离子体点火。更具体而言，可以有被馈送到等离子体室101内的反应气体和离子喷击(ion peening)气体。反应气体可以包括(例如)氮气、氧气，并且离子喷击气体可以是氩气。
39.如图1中所示，并且如本文进一步地更详细所述，等离子体室101还可以配置有水平接地屏蔽孔，并且衬底122可以置于平台上，该平台被配置为在任何方向上移动，以均匀地在衬底上沉积靶材料。
40.参考图2，其示出了描绘了随时间相对于第二电极e2(作为阳极操作)施加至图1的电极e1和e3的示例性电压的时序图。如图所示，在时间t1和t3处，电极e1和e3正在溅射。并且在时间t2和t4处，第一电极e1和第三电极e3相对于第二电极e2的负电势具有正电势。如图所示，在每一周期期间(并且因此在图2所示的多个周期期间)发生溅射的时间百分比为(t1)/(t2)，并且在一些实施方式中这一百分比至少为该周期的70％，或者在其他实施方式中，该百分比处于该周期的70％和90％之间。在另外其他实施方式中，该百分比处于该周期的80％和90％之间，或者该百分比可以处于该周期的85％和90％之间。并且在其他另外实施方式中，该百分比可以为90％或更大。在其他实施方式中，这一百分比可以为95％或更大。
41.为了实现图2的电压，控制器144被配置为控制第一电源140和第二电源142，以使第一电压与第二电压相位同步，使得第一电压v
ab
和第二电压v
cb
两者在每一周期的部分期同时为负，并且在每一周期的另一部分期间相对于第二电极同时为正。
42.如本文进一步讨论的，第一电源140和第二电源142中的每个电源可以包括双极可控脉冲dc电源，以施加第一电压v
ab
和第二电压v
cb
。并且如本文更详细地进一步讨论的，控制器144可以是通过硬件、固件或者软件和硬件的组合和/或硬件和固件的组合实现的。此外，可以实施电弧(arc)管理同步，从而使在等离子体中检测到的电弧促使电源140、142停止向电极施加功率。
43.接下来参考图3，其示出了三个电极中的每个电极耦接至靶材料的另一实施例。更具体而言，第一电极e1和第三电极耦接至第一靶材料，并且第二电极e2耦接至第二靶材料。图4示出了图3中所示的系统的一种变型，在这种变型中，三个电极中的每个电极耦接至三种不同靶材料中的对应的一种靶材料。
44.参考图3和图4，与此同时还参考作为示出了可以随时间施加至图3和图4的电极的示例性电压的时序图的图5a、图5b、图5c和图5d。为了产生图5a中的波形，控制器144被配置为控制第一电源140和第二电源142，使得第一电极e1处的第一电压v
ab
和第三电极处的第二电压v
cb
两者至少在多个周期中的66％的时间上相对于第二电极e2同时为负。如图所示，在时间t1和t3处，第一电极e1和第三电极e3在第二电极e2用作阳极的同时发生溅射，并且在时间t2和t4处，第二电极e2在第一电极e1和第三电极e3用作阳极的同时发生溅射。因此，在每一周期的一部分期间，2/3的电极在发生溅射，并且在每一周期的另一相反极性部分期
间，1/3的电极在发生溅射。在其他实施方式中，对于任一电源，这一百分比可以是5-95％。
45.参考图5b，与第一电极e1和第三电极e3相比，可以存在施加到第二电极e2的半个周期(例如，在时间t2期间)的高电平(例如，电平的两倍)功率。也就是说，在一段时间内电极e2处将有两倍的功率。换句话说，当在电极之间切换时(例如，当从时间t1切换到t2时)，功率的幅值随着时间被有效地脉冲调制。
46.如图5c中所示，在一些操作模式中，波形v
ab
不必与波形v
cb
同步。图5c示出了v
ab
和v
cb
的示例性波形以及三个电极e1、e2和e3进行溅射时的时间段。如图所示，有电极e3与电极e1同时进行溅射的时间，还有电极e3与电极e2同时溅射的时间。
47.图5d描述了一种操作模式，其中波形的脉冲时序与图5c相同，但是v
cb
波形的正部分的幅度在幅值上低于v
cb
波形的负部分。
48.应当认识到，为了简单起见，在图3和图4中示出了三个电极(e1、e2和e3)，但是当然可以设想系统可以用多于三个电极来实施。例如，可以有n个电极，其中n大于三，并且n可以被3整除，从而形成n/3组电极(其中每个电极组包括由两个电源140、142供电的三个电极)。在这些实施方式中，一个电极组可以包括耦接到每个电极的相同靶材料，而另一个电极组包括至少两种不同的靶材料。
49.接下来参考图6，其示出了参考图1描述的系统100的变型和使用情况，其中第一电极e1和第三电极e3均为被实施为对应磁控管的一部分，以形成第一磁控管m1和第三磁控管m3。在所示的共溅射配置中，单独的并且较便宜的基于铟(in)和锡(sn)(例如分别为in和sn)的靶与接地屏蔽一起使用。在此变型中，第一磁控管m1利用可选固定接地屏蔽650来实施，第二电极e2利用对应可选接地屏蔽652来实施，并且第三磁控管m3也利用对应可选接地屏蔽654来实施。在操作中，在每个磁控管m1、m3和其屏蔽650、654之间产生“暗区”，其也用于集中定向溅射的中性in和sn物质。还示出了以一定角度放置的磁体，使得溅射的in和sn中性物质朝向中心，从而它们“混合”在一起。第二电极e2置于磁控管m1、m3之间，其中接地屏蔽652围绕侧面和背面，并且在第二电极e2和其屏蔽652之间产生暗区。因为在此实施方式中第二电极e2未耦接到靶材料，所以第二电极e2可以称为阳极，但应认识到电极e2的电压在每一周期期间确实经历相对于磁控管m1和m2中的每一者的负部分；因此，第二电极e2仅在每一周期的一部分期间作为阳极操作。
50.在示例性操作模式中，磁控管m1、m3共享相同的占空比，其在图6中被称为“a”侧，而共享的第二电极e2被称为“b”侧。磁场b和交变电场e(在磁控管m1、m3和公共第二电极e2之间的脉冲频率f(a/b)下)作用于氧(o2)/氩(ar)等离子体中的正离子和负电子。两个力矢量fb(洛伦兹力)和fe作为叉积x作用在带电粒子上，并且导致带电粒子的横向交变运动或“e
×
b混合”，这是进出纸面的结果力矢量fr。这种混合，取决于工艺压力(粒子之间的平均自由程mfp)，导致与in和sn中性物质的更多碰撞，并因此产生更化学计量的ito膜。较高的压力导致更多的混合。
51.在操作中，与直接影响施加到铟靶的功率的第一电源140相比，直接影响施加到锡靶的功率的第二电源142的功率设定点可以不同(以补偿与铟相比的较低的锡溅射产量)，这导致更化学计量的ito膜。使用所示的配置可以产生高达使用标准共溅射双磁控管溅射配置的沉积速率的两倍的沉积速率。并且图6中系统的产量可能高于使用ito靶的产量，因为复合ito靶的溅射产量低于单独的铟和锡靶。
52.尽管不是必需的，但是可以向衬底支架施加偏置电压以增加离子喷射能量来使ito膜致密，同时在潜在较低的衬底温度下增强其他材料性质另外外，衬底可在水平接地屏蔽孔下方来回移动，使得沉积的ito膜厚度和材料特性在整个衬底上基本上是均匀的。
53.参考图7，其示出了参考图3描述的系统的变型和使用情况。如图所示，在该变型中，第二电极e2由第二磁控管m2实现，第二磁控管m2结合可选的接地屏蔽752实施。另外，铟靶与外部磁控管m1、m3(在“a”侧)一起使用，并且锡与第二磁控管m2(在“b”侧)一起使用。在这种使用情况中，侧“a”的占空比可以是66％，并且侧“b”的占空比可以是33％，但是在其他使用情况，占空比当然可以变化。电源140、142的功率设定点可以基于靶材料而不同，以帮助控制薄膜化学计量。在替代的使用情况中，可以有两个基于锡的靶耦接到外部磁控管m1、m3，以及一个基于铟的靶耦接到第二磁控管。
54.在图6和图7所示的两个使用情况中，两种构成元素(铟和锡)可以与o2/氩气(ar—大惰性溅射离子)等离子体中的氧(o)发生反应，从而产生in2o5sn(ito)，这是一种导电的光学透明材料，其被广泛用于平板显示器、太阳能电池、触摸面板、有机发光二极管和其他应用。
55.接下来参考图8，其示出了参考图3描述的系统的另一变型和使用情况，其中，三个磁控管m1、m2、m3中的每者与三种不同靶材料(铅、锆和钛)中的对应的一种靶材料一起使用，以产生锆钛酸铅(pzt)膜(pb[zr
x
ti
1-x
]o3(0《x《1))。在操作中，三种构成元素(铅、锆和钛)与o2/氩气(ar—大惰性溅射离子)等离子体中的氧(o)发生反应，从而产生pzt。
[0056]
接下来参考图9，其示出了电源140、142和控制器144的示例性方面。如图所示，电源140、142可以分别从第一直流(dc)电源116和第二dc电源118接收直流电。另外，第一电源140可以包括第一双极可控脉冲dc电源112，并且第二电源142可以包括第二双极可控脉冲dc电源114。
[0057]
注意，第一电源140和第二电源142中的每一者可以被布置和配置为知道第一电源140和第二电源142中的另一者，而不试图控制第一电源140和第二电源142中的另一者的操作。申请人通过首先配置第一双极可控脉冲dc电源112和第二双极可控脉冲dc电源114中的每一者的频率(例如40khz)和占空比，并且随后耦接同步单元120并且配置第一双极可控脉冲dc电源112和第二双极可控脉冲dc电源114中的一者被感知为用于频率同步目的发射器，并且第一双极可控脉冲dc电源112和第二双极可控脉冲dc电源114中的另一者被感知为用于频率同步目的接收器，来实现这种“无控制知道(awareness without control)”。相反，第一dc电源116和第二dc电源118中的每一个可以是独立的，并且不依赖于第一电源116、和第二dc电源118中的另一者的知道来正确地起作用。
[0058]
尽管不是必需的，但是在一个实施方式中，第一dc电源116和第二dc电源118可以各自由美国科罗拉多州柯林斯堡的advancedenergy industries公司销售的一个或多个ascent直流电源实现，并且第一双极可控脉冲dc电源112和第二双极可控脉冲dc电源114可以各自由美国科罗拉多州柯林斯堡的advancedenergy industries公司销售的ascent dms双磁控管溅射配件实现，在该实施方式中，第一电源140和第二电源142各自实现为ams/dms堆叠体，其中ascent直流电源可以提供直接dc功率，并且dms双磁控管溅射配件从直接dc功率生成脉冲dc波形并且执行电弧管理。有益的是，dms双磁控管溅射配件可以位于靠近室101的位置，而ascent直流电源可以位于远离室101的位置(例如，在远程机架中)。在该实施
方式中，同步单元120可以通过dms配件的公共激励器(cex)功能来实现。在另一实施例中，第一电源140和第二电源142中的每一个都可以由集成脉冲dc电源实现。
[0059]
结合本文所公开的实施例而描述的方法(包括控制方法)可以直接体现于硬件中、编码于非暂时性处理器可读介质中的处理器可执行指令中，或两者的组合中。参考图10的示例，示出了描绘根据示例性实施例的可以用于实现控制器144的物理部件的框图。如图所示，在该实施例中，显示器2212和非易失性存储器2220耦接到总线2222，该总线还耦接到随机存取存储器(“ram”)2224、处理部分(包括n个处理部件)2226、现场可编程门阵列(fpga 2227)和包括n个收发器的收发器部件2228。尽管图10中所示的部件表示物理部件，但是图10不旨在是详细的硬件图；因此，图22中所示的许多部件可以通过公共结构实现或者分布在附加的物理部件中。此外，可以预期，可以利用其他现有的和尚待开发的物理部件和结构来实施参考图10描述的功能部件。
[0060]
该显示器2212通常操作以向用户提供用户界面，并且在若干实施方式中，显示器2212由触摸屏显示器实现。通常，非易失性存储器2220是非暂时性存储器，其用于存储(例如，永久性地存储)数据和处理器可执行代码(包括与实现本文所述的方法相关联的可执行代码)。例如，在一些实施例中，非易失性存储器2220包括引导加载器代码、操作系统代码、文件系统代码和非暂时性处理器可执行代码，以促进本文描述的方法的执行。
[0061]
在许多实施方式中，非易失性存储器2220由闪存(例如，nand或onenand存储器)实现，但是可以构想，可以利用其他存储器类型。尽管可以执行来自非易失性存储器2220的代码，但是非易失性存储器中的可执行代码通常被加载到ram 2224中并且由处理部分2226中的n个处理部件中的一个或多个来执行。
[0062]
与ram 2224连接的n个处理部件通常操作以执行存储在非易失性存储器2220中的指令，以使电源140、142能够实现一个或多个目标。例如，用于实现本文所述方法的非暂时性处理器可执行指令可以永久性地存储在非易失性存储器2220中，并且由与ram 2224连接的n个处理部件来执行。如本领域普通技术人员将理解的，处理部分2226可以包括视频处理器、数字信号处理器(dsp)、图形处理单元(gpu)和其他处理部件。
[0063]
另外，或者作为替代，fpga 2227可以被配置为实现本文所描述的方法的一个或多个方面。例如，非暂时性fpga配置指令可以被永久性地存储在非易失性存储器2220中并且由fpga 2227访问(例如，在引导期间)以配置fpga 2227来实现控制器144的功能。
[0064]
输入部件可以操作以接收指示施加到电极(例如，磁控管和/或阳极)的功率的一个或多个方面的信号。在输入部件处接收的信号可以包括例如电压、电流和/或功率。输出部件通常操作以提供一个或多个模拟或数字信号，以实现第一电源140和/或第二电源142的操作方面。例如，输出部分可以是使第一双极可控脉冲dc电源112和/或第二可控脉冲dc电源114实现本文所述的一些方法的信号。在一些实施例中，输出部件可以操作以调节第一电源140、和/或第二电源142的电压、频率和/或占空比。
[0065]
所描绘的收发器部件2228包括n个收发器链，其可以被用于经由无线或有线网络与外部设备通信。n个收发器链中的每一个可以表示与特定通信方案(例如，wifi、以太网、profibus等)相关联的收发器。
[0066]
简单地返回参考图6、图7和图8，等离子体室101可以包括水平接地屏蔽，其具有位于衬底122上方的孔，并且衬底122可以搁置在可移动平台上，该可移动平台在孔下方在任
何方向上摇摆以提供更均匀的厚度和更均匀的材料特性。这些实施例提供了比现有技术方法好得多的阶梯覆盖。
[0067]
例如，图11和图12示出了现有技术方法固有地包括的缺陷。图11示出了与移动衬底相结合的单个靶，并且图12示出了最终定向和单角度结果。
[0068]
相反，图13示出了与移动衬底相结合的多个靶，并且图14示出了两个靶的双角度覆盖和三个靶的多角度覆盖。
[0069]
提供对所公开实施例的先前描述以使本领域的技术人员能够制作或使用本发明。本领域的技术人员将容易明白对这些实施例的各种修改，并且在不脱离本发明的精神或范围的情况下，本文所界定的一般原理可以应用于其他实施例。因此，本发明不旨在限于本文展示的实施例，而是应符合与本文揭示的原理和新颖特征一致的最广范围。