显示装置的制作方法

1.本公开涉及一种显示装置。


背景技术：

2.随着多媒体技术的发展，显示装置变得越来越重要。因此，目前使用诸如有机发光显示(oled)装置和液晶显示(lcd)装置的各种类型的显示装置。
3.显示装置用于显示图像，并且包括诸如有机发光显示面板或液晶显示面板的显示面板。在显示面板之中，发光显示面板可以包括发光元件。例如，发光二极管(led)可以包括使用有机材料作为发光材料的有机发光二极管和使用无机材料作为发光材料的无机发光二极管。


技术实现要素：

4.本公开的方面提供了可以减少外部光的反射的显示装置。
5.根据本公开的一些实施例，显示装置包括透射从发光元件发射的光同时阻挡其它光的透射的绝缘层。显示装置可以减少外部光的反射并且可以改善可视性。
6.应注意的是，本公开的方面不限于上述的方面，根据以下描述，本公开的其它方面对于本领域技术人员而言将是明显的。
7.根据一些实施例，显示装置包括：第一基底；第一电极和第二电极，在第一基底上且彼此分隔开；第一绝缘层，在第一电极和第二电极上；发光元件，在第一绝缘层上且具有分别在第一电极和第二电极上的端部；以及第二绝缘层，在第一绝缘层和发光元件上，并且限定暴露发光元件的端部的开口，其中，第二绝缘层被构造为透射在由发光元件发射的光的波长范围内的光，并且被构造为阻挡在波长范围外的光的透射。
8.从发光元件发射的光可以具有从约400nm至约500nm的中心波长范围。
9.第二绝缘层的开口可以包括暴露发光元件的第一端部且与第一电极部分地叠置的第一开口以及暴露发光元件的第二端部且与第二电极部分地叠置的第二开口，其中，第二绝缘层包括在第一开口与第二开口之间且在发光元件上的图案部。
10.第二绝缘层的厚度可以在约0.1μm至约1μm的范围内。
11.图案部的宽度可以比发光元件的长度小。
12.显示装置还可以包括：第一接触电极，在第一电极和第二绝缘层上，并且与发光元件的第一端部接触；以及第二接触电极，在第二电极和第二绝缘层上，并且与发光元件的第二端部接触，其中，第一接触电极和第二接触电极在第二绝缘层的图案部上彼此分隔开。
13.第一绝缘层可以暴露第一电极和第二电极中的每个的上表面的部分，其中，第一接触电极和第二接触电极分别与第一电极和第二电极直接接触。
14.第二绝缘层可以包括直接在第一电极和第二电极上的部分。
15.显示装置还可以包括分别在第一电极与第一基底之间以及在第二电极与第一基底之间的第一堤，其中，第一开口和第二开口分别与第一堤中的不同的第一堤部分地叠置。
16.显示装置还可以包括：第二堤，在第一绝缘层上，围绕其中设置有发光元件的发射区域，并且使第二绝缘层的部分在第二堤上。
17.第二堤可以围绕与发射区域分隔开且其中未设置发光元件的子区域，其中，第一电极和第二电极设置为横跨发射区域和子区域。
18.第一绝缘层可以包括：第一接触件，暴露第一电极的上表面的在子区域中的部分；以及第二接触件，暴露第二电极的上表面的在子区域中的部分，其中，第二绝缘层还包括与第一接触件叠置的第三开口以及与第二接触件叠置的第四开口。
19.第二绝缘层还可以包括形成在子区域中的第五开口，其中，第一电极和第二电极不设置在第五开口中。
20.显示装置还可以包括：波长转换层，在发光元件上；以及滤色器层，在波长转换层上，并且被构造为透射在由发光元件发射的光的波长范围外的光，并且阻挡在由发光元件发射的光的波长范围内的光的透射。
21.根据其它实施例，显示装置包括：发射区域；子区域，在第一方向上与发射区域分隔开；第一电极和第二电极，在第一方向上延伸，并且在第二方向上彼此分隔开；第一绝缘层，覆盖第一电极和第二电极；发光元件，在第一电极和第二电极上，并且在发射区域中沿第一方向布置；以及第二绝缘层，在第一绝缘层上且在发光元件上，限定暴露发光元件的端部的开口，并且包括在开口之间且在发光元件上沿第一方向延伸的图案部，其中，从发光元件发射的光具有约400nm至约500nm的中心波长范围，并且其中，第二绝缘层被构造为透射具有从约400nm至约500nm的中心波长范围的光同时阻挡其它光。
22.第二绝缘层可以在发射区域和子区域中，并且可以限定在发射区域中的沿第一方向延伸且与第一电极部分地叠置的第一开口和沿第一方向延伸且与第二电极部分地叠置的第二开口。
23.第一绝缘层可以包括在子区域中的暴露第一电极的上表面的部分的第一接触件和暴露第二电极的上表面的部分的第二接触件，其中，第二绝缘层还限定与第一接触件叠置的第三开口以及与第二接触件叠置的第四开口。
24.显示装置还可以包括：第一接触电极，在第一电极上，并且与发光元件的被第一开口暴露的第一端部接触且与通过第三开口和第一接触件暴露的第一电极接触；以及第二接触电极，在第二电极上，并且与发光元件的被第二开口暴露的第二端部接触且与通过第四开口和第二接触件暴露的第二电极接触。
25.第二绝缘层还可以限定形成在子区域中的第五开口，其中，第一电极和第二电极不设置在第五开口中。
26.图案部的宽度可以比发光元件的长度小。
附图说明
27.通过参照附图详细描述本公开的实施例，本公开的以上和其它方面及特征将变得更加明显。
28.图1是根据本公开的一些实施例的显示装置的平面图。
29.图2是示出根据本公开的一些实施例的显示装置的像素的平面图。
30.图3是示出图2的第一子像素的平面图。
31.图4是沿着图3的线q1-q1'截取的剖视图。
32.图5是示出根据本公开的一些实施例的发光元件的视图。
33.图6是示出根据本公开的一些实施例的显示装置中的第二绝缘层的布局的平面图。
34.图7是示意性地示出根据一些实施例的显示装置中的光的路径的剖视图。
35.图8是示出根据本公开的其它实施例的显示装置的子像素的平面图。
36.图9是示意性地示出图8的显示装置中的第二绝缘层的布置的平面图。
37.图10是沿着图8的线q2-q2'截取的剖视图。
38.图11是沿着图8的线q3-q3'截取的剖视图。
39.图12是沿着图8的线q4-q4'截取的剖视图。
40.图13是示出根据本公开的其它实施例的显示装置的部分的剖视图。
41.图14是根据本公开的其它实施例的显示装置的剖视图。
42.图15是示意性地示出图14的子像素中的一个子像素中的光的路径的剖视图。
具体实施方式
43.通过参照实施例的具体实施方式和附图，可以更容易地理解本公开的一些实施例的方面和实现本公开的方法。在下文中，将参照附图更详细地描述实施例。然而，所描述的实施例可以以各种不同的形式体现，并且不应被解释为限于仅在此示出的实施例。相反，提供这些实施例作为示例，使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本公开的方面。因此，可以不再描述本领域普通技术人员为了完全理解本公开的方面所不必需的工艺、元件和技术。
44.除非另外说明，否则在整个附图和书面描述中，同样的附图标记、字符或它们的组合表示同样的元件，因此，将不再重复其描述。此外，为了使描述清楚，可以不示出与实施例的描述无关的部分。
45.在附图中，为了清楚起见，可以夸大元件、层和区域的相对尺寸。另外，通常在附图中提供交叉影线和/或阴影的使用来阐明相邻元件之间的边界。如此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在或不存在都不传达或表明对元件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或要求。
46.在此参照作为实施例和/或中间结构的示意图的剖视图来描述各种实施例。如此，将预计例如由于制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化。此外，出于描述根据本公开的构思的实施例的目的，在此所公开的具体结构或功能描述仅是说明性的。因此，在此所公开的实施例不应被解释为限于区域的具体示出的形状，而是将包括由例如制造引起的形状上的偏差。
47.例如，示出为矩形的注入区域将通常在其边缘处具有圆形或弯曲的特征和/或注入浓度的梯度，而不是从注入区域到非注入区域的二元变化。同样地，通过注入形成的埋入区域可以导致在埋入区域与通过其发生注入的表面之间的区域中的一些注入。
48.因此，附图中示出的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出装置的区域的实际形状，并且不旨在进行限制。另外，如本领域技术人员将认识到的，在全部不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例。
49.在具体实施方式中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对各种实施例的透彻理解。然而，清楚的是，可以在没有这些具体细节或者具有一个或更多个等效布置的情况下实践各种实施例。在其它情况下，以框图形式示出了公知的结构和装置，以避免使各种实施例不必要地模糊。
50.为了易于解释，在此可以使用诸如“在
……
之下”、“在
……
下方”、“下”、“在
……
下面”、“在
……
上方”、“上”等的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语旨在涵盖装置在使用或操作中的除图中描绘的方位之外的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”、“之下”或“下面”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例术语“在
……
下方”和“在
……
下面”可以涵盖上方和下方两个方位。装置可以被另外定位(例如，旋转90度或处于其它方位)，应相应地解释在此所使用的空间相对描述语。类似地，当第一部分被描述为布置“在”第二部分“上”时，这表示第一部分布置在第二部分的上侧或下侧处，而不限于第二部分的基于重力方向的上侧。
51.此外，在本说明书中，短语“在平面上”或“平面图”意指从顶部观察目标部分，短语“在剖面上”意指从侧面观察通过竖直地切割目标部分形成的剖面。
52.将理解的是，当元件、层、区域或组件被称为“形成在”另一元件、层、区域或组件“上”，“在”另一元件、层、区域或组件“上”，“连接到”或“结合到”另一元件、层、区域或组件时，它可以直接形成在所述另一元件、层、区域或组件上，直接在所述另一元件、层、区域或组件上，直接连接到或直接结合到所述另一元件、层、区域或组件，或者间接形成在所述另一元件、层、区域或组件上，间接在所述另一元件、层、区域或组件上，间接连接到或间接结合到所述另一元件、层、区域或组件，使得可以存在一个或更多个中间元件、层、区域或组件。例如，当层、区域或组件被称为“电连接”或“电结合”到另一层、区域或组件时，它可以直接电连接或直接电结合到所述另一层、区域和/或组件，或者可以存在中间层、区域或组件。然而，“直接连接/直接结合”指一个组件直接连接或直接结合另一组件，而没有中间组件。同时，可以类似地解释描述组件之间的关系的其它表达，诸如“在
……
之间”和“直接在
……
之间”或者“与
……
相邻”和“直接与
……
相邻”。另外，还将理解的是，当元件或层被称为“在”两个元件或层“之间”时，它可以是所述两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或更多个中间元件或层。
53.出于本公开的目的，诸如
“……
中的至少一个(种/者)”的表达在一列元件之后时修饰整列元件，而不修饰该列的单独元件。例如，“x、y和z中的至少一个(种/者)”、“x、y或z中的至少一个(种/者)”和“选自于由x、y和z组成的组中的至少一个(种/者)”可以被解释为仅x、仅y、仅z、x、y和z中的两个或更多个的任何组合(诸如，以xyz、xyy、yz和zz为例)或者其任何变型。类似地，诸如“a和b中的至少一个(种/者)”的表达可以包括a、b、或者a和b。如在此所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。例如，诸如“a和/或b”的表达可以包括a、b、或者a和b。
54.将理解的是，虽然在此可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，以下所描述的第一元件、组件、区域、层或部
分可以被命名为第二元件、组件、区域、层或部分。作为“第一”元件的元件的描述可能不需要或暗示存在第二元件或其它元件。术语“第一”、“第二”等在此也可以用于区分元件的不同类别或组。为了简洁起见，术语“第一”、“第二”等可以分别表示“第一类别(或第一组)”、“第二类别(或第二组)”等。
55.在示例中，x轴、y轴和/或z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以在更广泛的意义上进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。这同样适用于第一方向、第二方向和/或第三方向。
56.在此所使用的术语仅出于描述具体实施例的目的，并且不旨在限制本公开。如在此所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”和“一个(种/者)”也旨在包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”、“具有”、“包含”及其变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
57.如在此所使用的，术语“基本上”、“大约(约)”、“近似”和类似术语用作近似术语而不是程度术语，并且旨在考虑本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值中的固有偏差。如在此所使用的，“大约(约)”或“近似”包括所陈述的值，并且表示在如由本领域普通技术人员考虑到所讨论的测量和与特定量的测量有关的误差(即，测量系统的局限性)所确定的具体值的偏差的可接受的范围内。例如，“大约(约)”可以表示在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述值的
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％内。此外，在描述本公开的实施例时“可以”的使用指“本公开的一个或更多个实施例”。
58.此外，在此所公开和/或所叙述的任何数值范围旨在包括包含在所叙述的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括所叙述的最小值1.0与所叙述的最大值10.0之间(并且包括所叙述的最小值1.0和所叙述的最大值10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如，以2.4至7.6为例。在此所叙述的任何最大数值限度旨在包括其中所包含的所有较低数值限度，本说明书中所叙述的任何最小数值限度旨在包括其中所包含的所有较高数值限度。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求)的权利，以明确地叙述包含于在此明确地叙述的范围内的任何子范围。所有这样的范围旨在在本说明书中被固有地描述，使得对明确地叙述任何这样的子范围的修改将符合要求。
59.根据在此所描述的本公开的实施例的电子或电气装置和/或任何其它相关装置或组件可以利用任何合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件或软件、固件和硬件的组合来实现。例如，这些装置的各种组件可以形成在一个集成电路(ic)芯片上或形成在单独的ic芯片上。此外，这些装置的各种组件可以实现在柔性印刷电路膜、载带封装(tcp)、印刷电路板(pcb)上，或者形成在一个基底上。
60.此外，这些装置的各种组件可以是进程或线程，进程或线程在一个或更多个计算装置中在一个或更多个处理器上运行，执行计算机程序指令并与其它系统组件交互以执行在此所描述的各种功能。计算机程序指令存储在存储器中，存储器可以在计算装置中使用标准存储器装置(诸如，以随机存取存储器(ram)为例)来实现。计算机程序指令也可以存储在其它非暂时性计算机可读介质(诸如，以cd-rom、闪存驱动器等为例)中。而且，本领域技术人员应认识到的是，在不脱离本公开的实施例的精神和范围的情况下，各种计算装置的
功能可以组合或集成到单个计算装置中，或者特定计算装置的功能可以分布在一个或更多个其它计算装置上。
61.除非另外限定，否则在此所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域和/或本说明书的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于正式的含义来进行解释，除非在此明确地这样限定。
62.图1是根据本公开的一些实施例的显示装置的平面图。
63.参照图1，显示装置10显示运动图像或静止图像。显示装置10可以指提供显示屏幕的任何电子装置。例如，显示装置10可以包括电视机、膝上型计算机、监视器、电子广告牌、物联网装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(pc)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示装置、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(pmp)、导航装置、游戏机、数码相机、摄像机等。
64.显示装置10包括用于提供显示屏幕的显示面板。显示面板的示例可以包括无机发光二极管显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板、场发射显示面板等。在以下描述中，无机发光二极管显示面板用作显示装置10的显示面板的示例，但是本公开不限于此。可以采用任何其它显示面板，只要可以等同地应用本公开的技术理念即可。
65.显示装置10的形状可以以各种的方式修改。例如，显示装置10可以具有诸如具有较长的横向边的矩形、具有较长的竖直边的矩形、正方形、具有圆角(顶点)的四边形、其它多边形、圆形等的形状。显示装置10的显示区域dpa的形状也可以与显示装置10的整体形状类似。在图1中所示的示例中，显示装置10具有具备在第二方向dr2上的较长的边的矩形形状。
66.显示装置10可以包括显示区域dpa和非显示区域nda。在显示区域dpa中，可以显示图像。在非显示区域nda中，不显示图像。显示区域dpa可以被称为有效区域，同时非显示区域nda也可以被称为无效区域。显示区域dpa通常可以占据显示装置10的中心的大部分。
67.显示区域dpa可以包括多个像素px。多个像素px可以以矩阵布置。当从顶部观察时，每个像素px的形状可以是但不限于矩形或正方形。每个像素px可以具有具备相对于一个方向倾斜的边的菱形形状。像素px可以以条纹和图案交替地布置。是韩国三星显示有限公司的注册商标。像素px中的每个可以包括发射对应的(例如，特定的)波长范围的光以表现颜色的至少一个发光元件。
68.非显示区域nda可以设置在显示区域dpa周围。非显示区域nda可以完全地或部分地围绕显示区域dpa。显示区域dpa可以具有矩形形状，非显示区域nda可以与显示区域dpa的四个边相邻。非显示区域nda可以形成显示装置10的边框。包括在显示装置10中的线或电路驱动器可以设置在非显示区域nda中的每个中，或者可以安装外部装置。
69.图2是示出根据本公开的一些实施例的显示装置的像素的平面图。
70.参照图2，显示装置10的多个像素px中的每个可以包括多个子像素pxn，其中n是从1到3的整数。例如，像素px可以包括第一子像素px1、第二子像素px2和第三子像素px3。第一子像素px1可以输出第一颜色的光，第二子像素px2可以输出第二颜色的光，第三子像素px3
可以输出第三颜色的光。例如，第一颜色可以是红色，第二颜色可以是绿色，第三颜色可以是蓝色。然而，将理解的是，本公开不限于此。在一些实施例中，所有子像素pxn可以发射相同颜色的光。虽然在图2中所示的示例中，单个像素px包括三个子像素pxn，但是本公开不限于此。像素px可以包括两个子像素pxn或者四个或更多个子像素pxn。
71.显示装置10的子像素pxn中的每个可以包括发射区域ema和非发射区域。在发射区域ema中，可以设置发光元件(或称为发光二极管)ed以发射对应的波长的光。在非发射区域中，没有设置发光元件ed，从发光元件ed发射的光不到达，因此没有光从非发射区域出射。发射区域ema可以包括其中设置有发光元件ed的区域，并且可以包括与发光元件ed相邻的其中从发光元件ed发射的光出射的区域。
72.然而，将理解的是，本公开不限于此。在一些实施例中，发射区域ema还可以包括其中从发光元件ed发射的光被其它元件反射或折射以出射的区域。多个发光元件ed可以设置在子像素pxn中的每个中，发射区域ema可以包括其中设置有发光元件ed的区域和与该区域相邻的区域。
73.虽然在附图中所示的示例中，子像素pxn的发射区域ema具有基本上均匀的面积，但是本公开不限于此。在一些实施例中，根据从设置在相应的子像素pxn中的发光二极管ed发射的光的颜色或波长范围，子像素pxn的发射区域ema可以具有不同的面积。
74.当从顶部观察时，第二堤bnl2可以以网格图案设置在显示区域dpa的包括在第一方向dr1和第二方向dr2上延伸的部分的整个表面上。第二堤bnl2可以沿着子像素pxn中的每个的边界设置，以将相邻的子像素pxn彼此区分开。另外，第二堤bnl2可以设置为围绕设置在子像素pxn中的每个中的发射区域ema，以在它们之间进行区分。
75.图3是示出图2的第一子像素的平面图，图4是沿着图3的线q1-q1'截取的剖视图。图3示出包括在一个像素px中的第一子像素px1，图4示出穿过设置在第一子像素px1中的发光二极管ed的两个端部的剖面。
76.结合图2参照图3和图4，显示装置10可以包括第一基底sub1、设置在第一基底sub1上的半导体层、多个导电层和多个绝缘层。半导体层、导电层和绝缘层可以形成显示装置10的电路层ccl和显示元件层。
77.第一基底sub1可以是绝缘基底。第一基底sub1可以由诸如玻璃、石英和聚合物树脂的绝缘材料制成。第一基底sub1可以是刚性基底或者可以弯曲、折叠或卷曲的柔性基底。
78.第一导电层可以设置在第一基底sub1上。第一导电层包括底部金属层bml。底部金属层bml设置为与第一晶体管t1的有源层act1叠置。底部金属层bml可以包括阻挡光的材料，因此可以减少或防止光进入第一晶体管t1的有源层act1。然而，将注意的是，在其它实施例中，可以除去底部金属层bml。
79.缓冲层bl可以设置在底部金属层bml和第一基底sub1上。缓冲层bl可以形成在第一基底sub1上以保护像素px的晶体管免受湿气渗透通过易受湿气渗透的第一基底sub1，并且还可以提供平坦表面。
80.半导体层设置在缓冲层bl上。半导体层可以包括第一晶体管t1的有源层act1。有源层act1可以设置为与第二导电层的栅电极g1部分地叠置，这将在稍后描述。
81.半导体层可以包括多晶硅、单晶硅、氧化物半导体等。在其它实施例中，半导体层可以包括多晶硅。氧化物半导体可以是包含铟(in)的氧化物半导体。例如，氧化物半导体可
以是氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化铟镓(igo)、氧化铟锌锡(izto)、氧化铟镓锡(igto)、氧化铟镓锌(igzo)、氧化铟镓锌锡(igzto)等中的至少一种。
82.虽然在附图中仅一个第一晶体管t1设置在显示装置10的子像素pxn中，但是本公开不限于此。更多数量的晶体管可以包括在显示装置10中。
83.第一栅极绝缘体gi设置在半导体层和缓冲层bl上。第一栅极绝缘体gi可以用作第一晶体管t1的栅极绝缘膜。
84.第二导电层设置在第一栅极绝缘体gi上。第二导电层可以包括第一晶体管t1的栅电极g1。栅电极g1可以设置为使得栅电极g1在厚度方向(例如，第三方向dr3)上与有源层act1的沟道区叠置。在一些实施例中，第二导电层还可以包括存储电容器的电容器电极。
85.第一层间介电层il1设置在第二导电层上。第一层间介电层il1可以用作第二导电层与设置在第二导电层上的其它层之间的绝缘膜，并且可以保护第二导电层。
86.第三导电层设置在第一层间介电层il1上。第三导电层可以包括第一晶体管t1的第一源电极s1和第一漏电极d1。
87.第一晶体管t1的第一源电极s1和第一漏电极d1可以通过穿透第一层间介电层il1和第一栅极绝缘体gi的接触孔而与有源层act1接触。另外，第一源电极s1可以通过另一接触孔而与底部金属层bml接触。在一些实施例中，第三导电层还可以包括多条数据线或存储电容器的电容电极。
88.第二层间介电层il2设置在第三导电层上。第二层间介电层il2可以用作第三导电层与设置在第三导电层上的其它层之间的绝缘层，并且可以保护第三导电层。
89.第四导电层设置在第二层间介电层il2上。第四导电层可以包括第一电压线vl1、第二电压线vl2和第一导电图案cdp。高电平电压(或第一电源电压)可以施加到第一电压线vl1以通过第一晶体管t1传输到第一电极rme1，低电平电压(或第二电源电压)可以施加到第二电压线vl2以传输到第二电极rme2。
90.第一导电图案cdp可以电连接到第一晶体管t1。第一导电图案cdp也可以连接到稍后将描述的第一电极rme1。第一晶体管t1可以将从第一电压线vl1施加的第一电源电压传输到第一电极rme1。
91.缓冲层bl、第一栅极绝缘体gi、第一层间介电层il1和第二层间介电层il2可以由彼此交替地堆叠的多个无机层制成。例如，缓冲层bl、第一栅极绝缘体gi、第一层间介电层il1和第二层间介电层il2可以由其中包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和氮氧化硅(sion)中的至少一种的无机层彼此堆叠的双层或者其中它们彼此交替地堆叠的多层制成。然而，将理解的是，本公开不限于此。缓冲层bl、第一栅极绝缘体gi、第一层间介电层il1和第二层间介电层il2可以由包括上述绝缘材料的单个无机层制成。另外，在一些实施例中，第一层间介电层il1和第二层间介电层il2可以由诸如聚酰亚胺(pi)的有机绝缘材料制成。
92.第二导电层、第三导电层和第四导电层可以由钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)和铜(cu)中的一种或者它们的合金的单层或多层制成。然而，将理解的是，本公开不限于此。
93.过孔层via设置在第四导电层上。过孔层via可以包括有机绝缘材料(例如，诸如聚酰亚胺(pi)的有机绝缘材料)以提供平坦表面。
94.多个电极rme(rme1和rme2)、多个第一堤bnl1、第二堤bnl2、多个发光二极管ed以
及多个接触电极cne(cne1和cne2)设置在过孔层via上作为显示元件层。另外，多个钝化层pas1和pas2可以设置在过孔层via上。
95.第一堤bnl1可以直接设置在过孔层via上。第一堤bnl1可以在发射区域ema中沿第一方向dr1延伸，并且可以在第二方向dr2上彼此分隔开。例如，一个第一堤bnl1可以设置在发射区域ema的中心的左侧上，另一第一堤bnl1可以设置在发射区域ema的中心的右侧上。
96.第一堤bnl1可以具有在第一方向dr1上延伸的形状，并且可以具有比被第二堤bnl2围绕的区域的在第一方向dr1上的长度小的长度。也就是说，第一堤bnl1可以设置在子像素pxn中的每个的发射区域ema中，以形成具有相对窄的宽度且在显示区域dpa的前表面上沿一个方向延伸的岛状图案。虽然第一堤bnl1在附图中具有相同的宽度，但是本公开不限于此。在其它实施例中，第一堤bnl1可以具有不同的宽度。
97.第一堤bnl1可以具有从过孔层via的上表面至少部分地突出的结构。第一堤bnl1的突起可以具有倾斜的侧表面。从发光二极管ed发射的光可以被设置在第一堤bnl1上的电极rme反射，使得光可以朝向过孔层via的上侧或远离过孔层via出射。然而，将理解的是，本公开不限于此。第一堤bnl1可以具有具备弯曲的外表面的半圆形或半椭圆形的形状。第一堤bnl1可以包括但不限于诸如聚酰亚胺(pi)的有机绝缘材料。
98.多个电极rme具有在一个方向上延伸的形状，并且设置在子像素pxn中的每个中。多个电极rme可以具有在第一方向dr1上延伸的形状，并且可以在子像素pxn中的每个中沿第二方向dr2彼此分隔开。电极rme可以设置为横跨每个子像素pxn中的发射区域ema和第二堤bnl2。子像素pxn中的一个子像素pxn的电极rme可以在其边界处沿第一方向dr1与子像素pxn中的另一相邻的子像素pxn的电极rme分隔开。
99.在制造显示装置10的工艺期间，多个电极rme可以用于在子像素pxn中产生电场以使发光二极管ed对准。发光二极管ed可以通过在电极rme之上产生的电场接收介电泳力，并且可以在电极rme上对准。
100.根据本公开的一些实施例，显示装置10可以包括设置在子像素pxn中的每个上的第一电极rme1和第二电极rme2。第一电极rme1和第二电极rme2可以在过孔层via上沿第一方向dr1延伸，并且可以在第二方向dr2上彼此分隔开。第一电极rme1和第二电极rme2可以具有相同的宽度，但是本公开不限于此。
101.第一电极rme1可以设置在发射区域ema的左侧上设置的第一堤bnl1上。第二电极rme2可以在第二方向dr2上与第一电极rme1分隔开，并且可以设置在发射区域ema的右侧上设置的第一堤bnl1上。
102.根据本公开的一些实施例，多个电极rme的在第二方向dr2上测量的宽度可以比第一堤bnl1的在第二方向dr2上测量的宽度大。第一电极rme1和第二电极rme2可以设置为覆盖第一堤bnl1的两个侧表面。电极rme可以设置为至少覆盖第一堤bnl1的彼此面对的侧表面，以反射从发光二极管ed发射的光。在第二方向dr2上分隔开的电极rme之间的距离可以比第一堤bnl1之间的距离小。电极rme中的每个的至少一部分可以直接设置在过孔层via上，使得它们可以设置在同一平面上。
103.第一电极rme1和第二电极rme2中的每个可以连接到在第一电极rme1和第二电极rme2下方的第四导电层。第一电极rme1和第二电极rme2可以分别通过第一电极接触孔ctd和第二电极接触孔cts直接连接到第四导电层，第一电极接触孔ctd和第二电极接触孔cts
形成在使得第一电极接触孔ctd和第二电极接触孔cts与第二堤bnl2叠置的位置处。例如，第一电极rme1可以通过穿透在第一电极rme1下面的过孔层via的第一电极接触孔ctd而与第一导电图案cdp接触。第二电极rme2可以通过穿透在第二电极rme2下面的过孔层via的第二电极接触孔cts而与第二电压线vl2接触。第一电极rme1可以通过第一导电图案cdp电连接到第一晶体管t1，以接收第一电源电压。第二电极rme2可以电连接到第二电压线vl2以接收第二电源电压。因为第一电极rme1和第二电极rme2分别设置在子像素pxn中的每个中，所以不同的子像素pxn的发光二极管ed可以单独地发光。
104.多个电极rme可以电连接到发光二极管ed。电极rme可以通过将在下面描述的接触电极cne(cne1和cne2)连接到发光二极管ed，并且可以将从第四导电层施加的一个或更多个电信号传输到发光二极管ed。用于使发光二极管ed发光的电信号可以被直接施加到电极rme。在还包括除了第一电极rme1和第二电极rme2之外的电极的一些实施例中，电信号可以通过接触电极cne和发光二极管ed传输到其它电极。
105.电极rme中的每个可以包括具有高反射率的导电材料。例如，电极rme可以包括诸如银(ag)、铜(cu)和铝(al)的金属作为具有高反射率的材料，并且可以是包括铝(al)、镍(ni)、镧(la)等的合金。电极rme可以将从发光二极管ed发射且朝向第二堤bnl2的侧表面行进的光朝向子像素pxn中的每个的上侧反射。
106.然而，将理解的是，本公开不限于此。电极rme还可以包括透明导电材料。例如，电极rme中的每个可以包括诸如ito、izo和itzo的材料。在一些实施例中，电极rme1和rme2中的每个可以具有其中一层或更多层的透明导电材料以及具有高反射率的一个或更多个金属层彼此堆叠的结构，或者可以由包括它们的单层制成。例如，电极rme中的每个可以具有诸如ito/ag/ito、ito/ag/izo或ito/ag/itzo/izo的堆叠结构。
107.第一绝缘层pas1设置在过孔层via和多个电极rme上。第一绝缘层pas1可以设置为完全地或部分地覆盖电极rme，并且可以保护多个电极rme且可以使多个电极rme彼此绝缘。另外，第一绝缘层pas1还可以减少或防止设置在第一绝缘层pas1上的发光二极管ed与其它元件进行接触而被损坏的可能性。
108.在一些实施例中，第一绝缘层pas1可以具有台阶，使得第一绝缘层pas1的上表面的部分在沿第二方向dr2彼此分隔开的电极rme之间凹陷。发光二极管ed可以设置在第一绝缘层pas1的上表面的台阶/下部处或附近，并且可以在发光二极管ed与第一绝缘层pas1之间形成空间。然而，将理解的是，本公开不限于此。
109.第一绝缘层pas1可以设置为暴露电极rme中的每个的上表面的部分。下面将描述的接触电极cne可以通过电极rme的被第一绝缘层pas1暴露的部分而与电极rme接触。
110.第二堤bnl2可以设置在第一绝缘层pas1上。当从顶部观察时，第二堤bnl2可以以包括在第一方向dr1和第二方向dr2上延伸的部分的网格图案设置，并且可以设置在子像素pxn的边界处以将相邻的子像素pxn彼此区分开。
111.第二堤bnl2可以具有高度(例如，预定高度)。在一些实施例中，第二堤bnl2的上表面可以比第一堤bnl1的上表面高，第二堤bnl2的厚度可以等于或大于第一堤bnl1的厚度。在制造显示装置10的工艺的喷墨印刷工艺期间，第二堤bnl2可以减少或防止墨溢出到相邻的子像素pxn中。第二堤bnl2可以将不同的子像素pxn彼此分开，使得其中分散有不同的发光二极管ed的墨不混合。
112.发光二极管ed可以设置在第一绝缘层pas1上。发光二极管ed可以包括在与第一基底sub1的上表面平行的方向上设置在第一基底sub1的上表面上的多个层。显示装置10的发光元件ed可以布置为使得它们与第一基底sub1平行延伸。包括在发光元件ed中的多个半导体层可以在与第一基底sub1的上表面平行的方向上顺序地设置。然而，将理解的是，本公开不限于此。在一些实施例中，当发光二极管ed具有不同的结构时，多个层可以在与第一基底sub1垂直的方向上设置。
113.多个发光二极管ed可以在电极rme沿其延伸的第一方向dr1上彼此分隔开，并且可以对准为基本上彼此平行。发光元件ed可以具有在一个方向上延伸的形状。电极rme延伸所沿的方向可以与发光二极管ed延伸所沿的方向基本上垂直。然而，将理解的是，本公开不限于此。发光二极管ed可以与电极rme延伸所沿的方向倾斜地定位。
114.发光二极管ed可以包括多个半导体层，并且可以与稍后将描述的接触电极cne1和cne2接触。当发光二极管ed中的每个的半导体层的部分被暴露时，因为发光二极管ed的绝缘膜38(见图5)没有形成在延伸方向的一侧上的端部表面处，所以半导体层的暴露部分可以与接触电极cne接触。另外，在根据一些实施例的显示装置10中，可以去除绝缘膜38的设置在发光二极管ed的侧表面上的部分，接触电极cne的部分可以连接到发光二极管ed的侧表面。发光二极管ed中的每个可以通过接触电极cne电连接到第一电极rme1或在过孔层via下面的导电层，电信号可以被施加到每个发光二极管ed，使得可以从每个发光二极管ed发射对应的波长范围的光。
115.设置在子像素pxn中的每个中的发光二极管ed可以根据半导体层的材料来发射不同的波长范围的光。然而，将理解的是，本公开不限于此。设置在子像素pxn中的发光二极管ed可以发射相同颜色的光。发光二极管ed可以包括掺杂有不同的导电类型的杂质的半导体层，并且可以对准使得它们的端部根据在电极rme之上产生的电场而沿对应的方位定向。
116.发光二极管ed的长度可以比第一电极rme1与第二电极rme2之间的距离大，发光元件ed的两个端部可以分别设置在第一电极rme1和第二电极rme2上。发光二极管ed中的每个可以包括多个半导体层，第一端部以及与第一端部相对的第二端部可以相对于半导体层中的一个来限定。发光二极管ed中的每个可以设置为使得第一端部和第二端部分别放置在第一电极rme1和第二电极rme2上。然而，将理解的是，本公开不限于此。多个发光二极管ed中的一些可以设置为使得端部中的仅一个端部根据第一电极rme1与第二电极rme2之间的方位而放置在电极rme1和rme2中的相应的一个电极上。
117.第二绝缘层pas2可以设置在第一绝缘层pas1和发光二极管ed上。另外，第二绝缘层pas2可以设置在电极rme1和rme2的其上未设置第一绝缘层pas1的暴露部分上，并且可以设置为与电极rme1和rme2部分地叠置。例如，第二绝缘层pas2可以包括部分地围绕发光二极管ed中的每个的外表面的图案部pt。第二绝缘层pas2的图案部pt可以设置为使得图案部pt不覆盖发光二极管ed的第一端部和第二端部，并且可以在第一绝缘层pas1上沿第一方向dr1延伸，并且当从顶部观察时可以在子像素pxn中的每个内形成线性图案或岛状图案。第二绝缘层pas2的图案部pt可以保护发光二极管ed，并且可以在制造显示装置10的工艺期间固定发光二极管ed。另外，在一些实施例中，图案部pt的部分可以设置为填充发光二极管ed与在发光二极管ed的下面的第一绝缘层pas1之间的空间。
118.第二绝缘层pas2可以在暴露发光二极管ed的两个端部的同时完全地设置在第一
绝缘层pas1上，使得形成图案部pt。根据本公开的一些实施例，第二绝缘层pas2可以包括分别用于暴露发光二极管ed的两个端部的开口op1和op2(见图6)。开口op1和开口op2形成为分别与电极rme1和电极rme2的部分叠置，使得叠置的部分被暴露。暴露部分可以分别连接到接触电极cne1和cne2。另外，第二绝缘层pas2也可以设置在第二堤bnl2上。第二绝缘层pas2可以成形为在制造显示装置10的工艺期间完全地形成在第一绝缘层pas1上，然后可以在暴露发光二极管ed的两个端部的工艺期间被去除。
119.根据本公开的一些实施例，第二绝缘层pas2可以透射具有存在于从发光二极管ed发射的光的波长范围内的波长的光，同时阻挡具有在从发光二极管ed发射的光的波长范围外的波长的其它光。第二绝缘层pas2可以覆盖且固定发光二极管ed，并且可以透射从发光二极管ed发射的光，使得光从子像素pxn中的每个出射。然而，可以阻挡一些光从子像素pxn出射。例如，包括具有高反射率的材料的多个电极rme1和rme2可以设置在显示装置10的子像素pxn中的每个中，第二绝缘层pas2可以减少或防止被电极rme1和rme2反射的光中的一些光从子像素pxn出射。第二绝缘层pas2可以具有足以固定发光二极管ed的厚度，同时顺利地透射从发光二极管ed发射的光，并且同时阻挡从电极rme1和rme2反射离开的光的透射。在一些实施例中，第二绝缘层pas2可以具有从约0.1μm至约1.0μm的厚度。稍后将参照其它附图描述第二绝缘层pas2的布置和用于阻挡光的能力。
120.多个接触电极cne可以设置在发光二极管ed和第二绝缘层pas2上。接触电极cne中的每个可以设置在电极rme1和rme2中的相应一个上，以与发光二极管ed的相应的端部和电极rme中的一个电极接触。例如，接触电极cne可以与发光二极管ed的被第二绝缘层pas2的开口op1和op2暴露的端部接触，并且与电极rme的其上未设置第一绝缘层pas1的暴露部分接触。
121.多个接触电极cne可以在第一方向dr1上延伸且可以设置在发射区域ema中。第一接触电极cne1可以设置在第一电极rme1上且可以在第一方向dr1上延伸，第二接触电极cne2可以设置在第二电极rme2上且可以在第一方向dr1上延伸。另外，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以通过第二绝缘层pas2的图案部pt在第二方向dr2上彼此分隔开。第一接触电极cne1可以与第一电极rme1和发光二极管ed的第一端部接触，第二接触电极cne2可以与第二电极rme2和发光二极管ed的第二端部接触。发光二极管ed可以通过第一接触电极cne1和第二接触电极cne2接收施加到电极rme的电信号，以发射对应的波长范围的光。
122.虽然如附图中所示，接触电极cne直接设置在发光二极管ed上，并且在第二绝缘层pas2上形成为基本上相同的层，但是本公开不限于此。在一些实施例中，一个或更多个附加的绝缘层还可以设置在接触电极cne之间，因此接触电极cne可以设置在不同的层上。
123.接触电极cne可以包括导电材料。例如，接触电极可以包括ito、izo、itzo、铝(al)等。例如，接触电极cne可以包括透明导电材料，从发光二极管ed发射的光可以透射通过接触电极cne以朝向电极rme行进。然而，将理解的是，本公开不限于此。
124.在一些实施例中，绝缘层还可以设置在接触电极cne上以覆盖它们。绝缘层可以完全地设置在整个的第一基底sub1上或覆盖整个的第一基底sub1，以保护设置在第一基底sub1上的元件免受外部环境的影响。
125.图5是示出根据本公开的一些实施例的发光元件的视图。
126.参照图5，发光元件ed可以是发光二极管。例如，发光元件ed可以具有从纳米到微
米的尺寸，并且可以是由无机材料制成的无机发光二极管。当通过在两个电极之间沿对应的方向形成电场而产生极性时，发光二极管ed可以在彼此面对的两个电极之间对准。
127.根据一些实施例的发光二极管ed可以具有在一个方向上延伸的形状。发光元件ed可以具有圆柱、杆、线、管等的形状。将理解的是，发光二极管ed的形状不限于此。发光二极管ed可以具有包括诸如立方体、长方体和六边形柱的多边形柱形状的各种形状或者在具有部分地倾斜的外表面的方向上延伸的形状。
128.发光二极管ed可以包括掺杂有导电类型(例如，p型或n型)的杂质的半导体层。半导体层可以通过传输从外部电源施加的电信号来发射特定波长范围的光。发光二极管ed可以包括第一半导体层31、第二半导体层32、发射层36、电极层37和绝缘膜38。
129.第一半导体层31可以是n型半导体。第一半导体层31可以包括具有以下化学式的半导体材料：al
x
gayin
1-x-y
n(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x y≤1)。例如，第一半导体层31可以是n型掺杂的algainn、gan、algan、ingan、aln和inn中的一种或更多种。掺杂到第一半导体层31中的n型掺杂剂可以是si、ge、sn、se等。
130.第二半导体层32设置在第一半导体层31上方，并且发射层36在第二半导体层32与第一半导体层31之间。第二半导体层32可以是p型半导体，并且可以包括具有以下化学式的半导体材料：al
x
gayin
1-x-y
n(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x y≤1)。例如，第二半导体层32可以是p型掺杂的algainn、gan、algan、ingan、aln和inn中的一种或更多种。掺杂到第二半导体层32中的p型掺杂剂可以是mg、zn、ca、ba等。
131.虽然第一半导体层31和第二半导体层32中的每个在附图中被实现为单层，但是本公开不限于此。根据发射层36的材料，第一半导体层31和第二半导体层32还可以包括更多数量的层(例如，可以包括包覆层和/或拉伸应变势垒减小(tsbr)层)。
132.发射层36设置在第一半导体层31与第二半导体层32之间。发射层36可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。当发射层36包括具有多量子阱结构的材料时，所述结构可以包括彼此交替地堆叠的量子层和阱层。发射层36可以响应于通过第一半导体层31和第二半导体层32施加的电信号随着电子-空穴对在发射层36中复合来发光。发射层36可以包括诸如algan和algainn的材料。例如，当发射层36具有其中量子层和阱层彼此交替地堆叠的多量子阱结构时，量子层可以包括algan或algainn，阱层可以包括诸如gan和algan的材料。
133.电极层37可以是欧姆接触电极或肖特基接触电极。发光二极管ed可以包括至少一个电极层37。发光二极管ed可以包括一个或更多个电极层37。然而，将理解的是，本公开不限于此。可以除去电极层37。
134.当发光元件ed电连接到显示装置10中的电极rme或接触电极cne时，电极层37可以减小发光元件ed与电极rme或接触电极cne之间的电阻。电极层37可以包括具有导电性的金属。例如，电极层37可以包括铝(al)、钛(ti)、铟(in)、金(au)、银(ag)、ito、izo和itzo中的至少一种。
135.绝缘膜38设置为围绕或部分地围绕上述多个半导体层和电极层37的外表面。例如，绝缘膜38可以设置为至少围绕发射层36的外表面，并且发光元件ed的在纵向方向上的两个端部被暴露。另外，绝缘膜38的上表面的部分在剖面中可以是圆形的，绝缘膜38的上表面的部分与发光二极管ed的端部中的至少一个相邻。
136.绝缘膜38可以包括诸如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氮化铝(aln
x
)和氧化铝(alo
x
)的具有绝缘性质的材料。虽然在附图中绝缘膜38形成为单层，但是本公开不限于此。在一些实施例中，绝缘膜38可以由其中多个层彼此堆叠的多层结构制成。
137.绝缘膜38可以用于保护上述元件。绝缘膜38可以减少或防止如果发射层36与电信号通过其传输到发光二极管ed的电极直接接触而在发射层36中会发生的电短路的可能性。另外，绝缘膜38可以减少或防止发光效率的降低。
138.另外，绝缘膜38的外表面可以经历表面处理。发光二极管ed可以分散在墨中，墨可以喷射到电极上。在这样做时，可以对绝缘膜38施加表面处理，使得绝缘膜38变得疏水或亲水，从而保持分散在墨中的发光二极管ed不彼此聚集。
139.在显示装置10的子像素pxn中，从外部入射的光可以在电极rme1和rme2处被反射，并且可以与从发光二极管ed发射的光一起出射。在这方面，根据一些实施例的显示装置10包括设置在发光二极管ed以及电极rme1和rme2上的第二绝缘层pas2，以仅透射对应的波长范围的光，使得来自发光二极管ed的光可以出射同时可以减少外部光通过电极rme1和rme2的反射。
140.图6是示出根据本公开的一些实施例的显示装置中的第二绝缘层的布局的平面图，图7是示意性地示出根据一些实施例的显示装置中的光的路径的剖视图。图6示意性地示出子像素pxn中的电极rme1和rme2、发光二极管ed以及第二绝缘层pas2的相对布置。图7示出从发光二极管ed发射的光l1和l2的路径以及从外部入射的光l3的路径。
141.结合图4参照图6和图7，第二绝缘层pas2可以完全地设置在显示装置10的显示区域dpa中。第二绝缘层pas2可以设置在子像素pxn的发射区域ema和非发射区域中，并且在剖视图中可以设置在第一绝缘层pas1、发光二极管ed、电极rme1和rme2以及第二堤bnl2上。
142.根据本公开的一些实施例，第二绝缘层pas2可以包括暴露发光二极管ed的端部且在第一方向dr1上延伸的多个开口op1和op2，并且还可以包括设置在发光二极管ed上且在第一方向dr1上延伸的图案部pt。第一开口op1可以暴露发光二极管ed的第一端部，并且可以设置为与第一电极rme1和第一堤bnl1中的一个第一堤叠置。在第一开口op1中，第一电极rme1的在未设置第一绝缘层pas1的区域处被暴露的部分以及第一绝缘层pas1的部分可以被暴露。第二开口op2可以暴露发光二极管ed的第二端部，并且可以设置为与第二电极rme2和第一堤bnl1中的另一个第一堤叠置。在第二开口op2中，第二电极rme2的在未设置第一绝缘层pas1的区域处被暴露的部分以及第一绝缘层pas1的部分可以被暴露。电极rme1和rme2的经由第二绝缘层pas2的开口op1和op2以及经由第一绝缘层pas1的省略部分而被暴露的部分可以分别与接触电极cne1和cne2接触。
143.图案部pt可以设置在第一开口op1与第二开口op2之间，并且可以设置在沿第一方向dr1布置的多个发光二极管ed上。第一开口op1、第二开口op2和图案部pt中的每个可以具有在发光二极管ed布置所沿的第一方向dr1上延伸的形状。另外，图案部pt可以具有宽度ptd，使得发光二极管ed的两个端部可以被暴露。根据本公开的一些实施例，图案部pt的在第二方向dr2上测量的宽度ptd可以比发光二极管ed的长度小。例如，图案部pt的宽度ptd可以具有约3μm或更小的范围。
144.另外，接触电极cne可以在第二绝缘层pas2的图案部pt上沿第二方向dr2彼此分隔开。图案部pt可以设置在第一开口op1与第二开口op2之间，并且可以在多个发光二极管ed
布置所沿的第一方向dr1上延伸。图案部pt可以连接到第二绝缘层pas2的除了开口op1和op2之外的另一部分。例如，图案部pt可以连接到第二绝缘层pas2的设置在其中在第二堤bnl2中和发射区域ema中未设置发光二极管ed的位置处的部分。因为第一绝缘层pas1未设置在暴露的电极rme1和rme2的上表面上，所以第二绝缘层pas2的除了开口op1和op2之外的另一部分可以直接设置在暴露的电极rme1和rme2的上表面上，并且可以与暴露的电极rme1和rme2的上表面直接接触。
145.如前所述，第二绝缘层pas2可以透射在对应的波长范围内的光同时阻挡在其它波长范围内的光。第二绝缘层pas2可以包括吸收在除了对应的波长范围之外的波长范围内的光的诸如染料和颜料的着色剂。例如，第二绝缘层pas2可以透射具有与从发光二极管ed发射的光的中心波长范围类似的中心波长范围的光，同时阻挡具有其它中心波长范围的光的透射。根据本公开的一些实施例，显示装置10可以包括发射第三颜色的蓝光的发光二极管ed，第二绝缘层pas2可以透射具有从约400nm至约500nm的中心波长范围的光，同时阻挡其它光的透射。
146.从发光二极管ed发射的光和透射通过第二绝缘层pas2的光的波长范围可以彼此部分地叠置。例如，第二绝缘层pas2可以透射具有与从发光二极管ed发射的光相同的中心波长范围的光，或者可以透射具有在从发光二极管ed发射的光的半高全宽(fwhm)内的波长范围的光。也就是说，第二绝缘层pas2可以选择性地透射具有在从发光二极管ed发射的光所具有的光谱内的波长的光，该光包括具有落入从发光二极管ed发射的光的中心波长范围内的波长的光。
147.光可以在没有方向性的情况下从发光二极管ed的发射层36出射。第一光l1可以在发光二极管ed的发射层36中产生，并且可以通过发光二极管ed的侧表面出射。第二绝缘层pas2可以透射从发光二极管ed发射的第一光l1，第一光l1可以穿过绝缘膜38和第二绝缘层pas2以朝向第一基底sub1或过孔层via的上表面出射。另外，第二光l2可以在发光二极管ed的发射层36中产生，并且可以通过发光二极管ed的两个端部表面出射。第二光l2可以朝向第一堤bnl1的倾斜的侧表面行进，并且可以从设置在第一堤bnl1上的电极rme1和rme2反射离开，以朝向第一基底sub1或过孔层via的上表面出射。
148.顺便，除了在发光二极管ed中产生的光l1和l2之外，第三光l3可以从外部入射到显示装置10上。第三光l3可以在子像素pxn中的每个处朝向第一基底sub1的上表面行进，第三光l3的部分可以在电极rme1和rme2处或者在设置在电极rme1和rme2下面的电路层ccl中的导电层处反射。反射的第三光l3(在下文中，被称为反射光)会再次出射到显示装置10的外部，这会使观看显示装置10的用户的可视性劣化。根据本公开的一些实施例的显示装置10可以包括阻挡在其它波长范围内的光的透射的第二绝缘层pas2，使得可以减少从外部入射且被电极rme1和rme2或者另一导电层反射的光(诸如第三光l3)的量。可以反射从外部入射的第三光l3的层(例如，电极rme1和rme2以及电路层ccl的导电层)可以在第二绝缘层pas2与第一基底sub1之间。反射光中的一些可以入射在第二绝缘层pas2上。在入射在第二绝缘层pas2上的反射光之中，具有与从发光二极管ed发射的光l1和l2的中心波长范围不同的中心波长范围的光可以被第二绝缘层pas2阻挡或吸收。另外，在第三光l3之中，直接入射在第二绝缘层pas2上的光也可以被第二绝缘层pas2阻挡或吸收。
149.根据一些实施例，显示装置10的子像素pxn中的每个的每单位面积的第二绝缘层
pas2的面积可以是约80％或更大。第二绝缘层pas2可以设置为横跨发射区域ema和子区域sa(见图8)。子像素pxn中的每个的每单位面积的由第二绝缘层pas2的其它部分(例如，除了开口op1和op2之外)占据的面积可以等于或大于约80％。例如，第二绝缘层pas2可以设置为在厚度方向上与多个电极rme1和rme2以及在多个电极rme1和rme2下面的电路层ccl的导电层叠置。显示装置10可以透射从发光二极管ed发射的光同时阻挡其它光中的一些光的透射，从而减少外部光的反射，因此可以改善可视性。
150.在下文中，将参照其它附图描述根据本公开的各种的实施例的显示装置。
151.图8是示出根据本公开的其它实施例的显示装置的子像素的平面图，图9是示意性地示出图8的显示装置中的第二绝缘层的布置的平面图。图9示意性地示出单个子像素pxn中的电极rme1_1和rme2_1、发光二极管ed以及第二绝缘层pas2_1的相对布置。
152.参照图8和图9，根据一些实施例的显示装置10_1的子像素pxn中的每个还可以包括设置在非发射区域中的子区域sa。子区域sa可以在第一方向dr1上设置在发射区域ema的一侧上，并且可以设置在子像素pxn中的沿第一方向dr1彼此相邻的相邻的子像素pxn的发射区域ema之间。例如，多个发射区域ema和子区域sa可以在第二方向dr2上重复地布置，并且可以在第一方向dr1上交替地布置。第二堤bnl2_1可以设置在子区域sa与发射区域ema之间，并且子区域sa与发射区域ema之间的距离可以根据第二堤bnl2_1的宽度而变化。发光二极管ed不设置在子区域sa中，因此没有光从子区域sa出射。设置在子像素pxn中的电极rme可以部分地设置在子区域sa中。设置在不同的子像素pxn中的电极rme可以在子区域sa中彼此单独地设置，或者彼此分开。
153.在子像素pxn中的每个包括发射区域ema和子区域sa的一些实施例中，多个电极rme1_1和rme2_1可以在第一方向dr1上延伸，并且可以设置为横跨发射区域ema和子区域sa。子像素pxn的电极rme1_1和rme2_1可以在子区域sa的分离区域rop处与沿第一方向dr1与子像素pxn相邻的另一相邻的子像素pxn的电极rme1_1和rme2_1分开。多个电极rme1_1和rme2_1可以在制造显示装置10的工艺期间形成为在第一方向dr1上延伸的电极线，并且可以在对准发光二极管ed的工艺中使用。电极线可以在分离区域rop处被分为多个部分，以形成设置在子像素pxn中的每个中的电极rme1_1和rme2_1。
154.虽然在附图中的电极rme1_1和rme2_1中的每个在子区域sa的分离区域rop处被分为多个部分，但是本公开不限于此。在一些实施例中，设置在子像素pxn中的每个中的电极rme可以在形成在发射区域ema中的分离区域rop中彼此分隔开。在这种情况下，多个电极rme1_1和rme2_1可以被分类为设置在发射区域ema的分离区域rop的一侧上的电极组和设置在分离区域rop的相对侧上的另一电极组。
155.根据显示装置10_1还包括子区域sa的一些实施例，电极rme1_1和rme2_1的上表面的被第一绝缘层pas1_1暴露的部分可以不设置在发光二极管ed的第二方向dr2上。换句话说，电极rme1_1和rme2_1的上表面的暴露部分可以与其中发光二极管ed在第一方向dr1上设置的位置分隔开。在根据一些实施例的显示装置10_1中，第一绝缘层pas1_1可以设置为在发射区域ema中覆盖电极rme1_1和rme2_1的上表面，与下面进一步描述的接触开口相对应的接触件ct1和ct2可以形成在子区域sa中，以暴露电极rme1_1和rme2_1的上表面的部分。
156.图10是沿着图8的线q2-q2'截取的剖视图，图11是沿着图8的线q3-q3'截取的剖视
图，图12是沿着图8的线q4-q4'截取的剖视图。图10示出穿过设置在发射区域ema中的发光二极管ed的两个端部的剖面，图11示出穿过多个接触件ct1和ct2的剖面。图12示出在子区域sa的分离区域rop处彼此分隔开的电极rme1_1和rme2_1。
157.结合图8和图9参照图10至图12，多个电极rme1_1和rme2_1可以设置为横跨发射区域ema和子区域sa，同时多个发光二极管ed可以仅设置在发射区域ema中。在发射区域ema的其中设置有发光二极管ed的部分中，第一绝缘层pas1_1可以设置为覆盖多个电极rme1_1和rme2_1中的全部。与图4的实施例不同，第二绝缘层pas2_1的与电极rme1_1和rme2_1叠置的部分可以不与电极rme1_1和rme2_1直接接触，而是可以设置在第一绝缘层pas1_1上。
158.多个接触电极cne1_1和cne2_1可以设置为横跨发射区域ema和子区域sa。接触电极cne1_1和cne2_1可以(例如，分别)通过第一绝缘层pas1_1的接触件ct1和ct2而与电极rme1_1和rme2_1中的至少一个接触，第一绝缘层pas1_1的接触件ct1和ct2形成在子区域sa中且暴露电极rme1_1和rme2_1的上表面的部分。接触电极cne1_1和cne2_1的设置在发射区域ema中的部分可以与发光二极管ed接触。接触电极cne1_1和cne2_1的设置在子区域sa中的部分可以通过接触件ct1和ct2而与电极rme1_1和rme2_1接触。接触电极cne1_1和cne2_1可以部分地设置在设置在发射区域ema与子区域sa之间的第二堤bnl2_1上。
159.第一接触电极cne1_1和第二接触电极cne2_1可以分别设置在第一电极rme1_1和第二电极rme2_1上。第一接触电极cne1_1和第二接触电极cne2_1中的每个可以在第一方向dr1上延伸，并且可以在子像素pxn中的每个的发射区域ema中形成线性图案。第一接触电极cne1_1可以在子区域sa中通过暴露第一电极rme1_1的上表面的第一接触件ct1而与第一电极rme1_1接触，第二接触电极cne2_1可以在子区域sa中通过暴露第二电极rme2_1的上表面的第二接触件ct2而与第二电极rme2_1接触。
160.第二绝缘层pas2_1也可以部分地设置在子区域sa中。第二绝缘层pas2_1可以完全地设置在子像素pxn中的每个中的发射区域ema和子区域sa中，并且还可以包括除了设置在发射区域ema中的第一开口op1_1和第二开口op2_1之外的设置在子区域sa中的多个开口op3_1、op4_1和op5_1。
161.根据本公开的一些实施例，第二绝缘层pas2_1还可以包括与第一接触件ct1叠置的第三开口op3_1、与第二接触件ct2叠置的第四开口op4_1以及与电极rme1_1和rme2_1的分离区域rop叠置的第五开口op5_1。
162.第三开口op3_1和第四开口op4_1可以分别暴露子区域sa中的接触件ct1和ct2。第三开口op3_1和第四开口op4_1可以使电极rme1_1和rme2_1的上表面与接触件ct1和ct2一起暴露。接触电极cne1_1和cne2_1可以设置在第二绝缘层pas2_1上，并且可以分别通过第三开口op3_1和第四开口op4_1而与电极rme1_1和rme2_1接触。
163.多个电极rme1_1和rme2_1可以通过在对准发光二极管ed之后且在形成第二绝缘层pas2_1之后在子区域sa的分离区域rop处将电极线分为多个部分来形成。第二绝缘层pas2_1的第五开口op5_1可以设置为与子区域sa中的分离区域rop叠置，以在分离电极线的工艺中暴露电极线。被第五开口op5_1暴露的电极线可以在分离区域rop处被分为多个部分，在电极线下面的过孔层via的上表面可以在第五开口op5_1中部分地暴露。因此，第一电极rme1_1和第二电极rme2_1可以在分离区域rop处与在第一方向dr1上设置在另一子像素pxn中的电极分隔开，并且可以从第五开口op5_1省略第一电极rme1_1和第二电极rme2_1。
164.在根据一些实施例的显示装置10_1中，子像素pxn中的每个包括发射区域ema和子区域sa，当从顶部观察时，电极rme1_1和rme2_1以及接触电极cne1_1和cne2_1的布置可以改变。据此，第二绝缘层pas2_1完全地设置在发射区域ema和子区域sa中，以减少外部光的反射。另外，第二绝缘层pas2_1还包括多个开口op3_1、op4_1和op5_1，使得发光二极管ed可以通过接触电极cne1_1和cne2_1电连接到电极rme1_1和rme2_1。此外，图8至图10中的图案部pt_1和第一堤bnl1_1具有与图4中的图案部pt和第一堤bnl1类似的结构，将省略其描述。
165.图13是示出根据本公开的其它实施例的显示装置的部分的剖视图。
166.参照图13，在根据一些实施例的显示装置10_2中，第一接触电极cne1_2和第二接触电极cne2_2可以设置在不同的层上，第三绝缘层pas3_2还可以设置在第一接触电极cne1_2与第二接触电极cne2_2之间。本示例与图4的实施例的不同之处在于，显示装置10_2包括更多的绝缘层。
167.第三绝缘层pas3_2可以设置在第一绝缘层pas1_2、第二绝缘层pas2_2和第二接触电极cne2_2之上。第三绝缘层pas3_2可以完全地设置在第一绝缘层pas1_2和第二绝缘层pas2_2上，留下发光二极管ed中的每个的其上设置有第一接触电极cne1_2的一端部。第一接触电极cne1_2的部分可以设置在第三绝缘层pas3_2上。第一接触电极cne1_2和第二接触电极cne2_2可以通过第三绝缘层pas3_2彼此绝缘。此外，图13中的第二绝缘层pas2_2的图案部pt_2具有与图4中的图案部pt类似的结构，将省略其描述。
168.在上述实施例中，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以经由同一工艺形成。相反，在根据一些实施例的显示装置10_2中，至少一个绝缘层可以设置在接触电极cne1_2和cne2_2之间，因此接触电极cne1_2和cne2_2可以经由不同的工艺形成。例如，一旦在设置发光二极管ed之后形成第二绝缘层pas2_2，则首先形成第二接触电极cne2_2，然后形成第三绝缘层pas3_2和第一接触电极cne1_2。在显示装置10_2中，接触电极cne1_2和cne2_2可以通过第三绝缘层pas3_2彼此绝缘，因此可以减少或防止在制造工艺期间由于接触电极材料的残留物或残留部分引起的短路的可能性。
169.顺便，显示装置10还可以包括设置在第二堤bnl2和发光二极管ed上的结构或层，以控制从子像素pxn中的每个发射的光的颜色。根据显示装置10的电极rme的形状和发光二极管ed的布置，这些结构和层可以设置在发射区域ema中的特定位置上。
170.图14是根据本公开的一些实施例的显示装置的剖视图。
171.参照图14，根据一些实施例的显示装置10还可以包括设置在发光二极管ed之上的颜色控制结构tpl、wcl1和wcl2以及多个滤色器层cfl1、cfl2和cfl3。因为显示装置10还包括颜色控制结构tpl、wcl1和wcl2以及滤色器层cfl1、cfl2和cfl3，所以即使子像素pxn包括相同类型的发光二极管ed，显示装置10也可以发射不同颜色的光。
172.显示装置10可以包括其中设置有滤色器层cfl1、cfl2和cfl3以允许光出射的多个透光区域ta以及其中没有光出射的在透光区域ta之间的阻光区域ba。透光区域ta可以设置为与子像素pxn中的每个的发射区域ema的特定部分一致，阻光区域ba可以是除了透光区域ta之外的区域。如稍后将描述的，透光区域ta和阻光区域ba可以通过第一阻光构件ubm来区分。
173.颜色控制结构tpl、wcl1和wcl2可以设置在发光二极管ed之上。颜色控制结构tpl、wcl1和wcl2可以设置在被第二堤bnl2围绕的区域中。然而，颜色控制结构tpl、wcl1和wcl2
可以在第一方向dr1上延伸，并且当从顶部观察时可以设置为超过第二堤bnl2。除了被第二堤bnl2围绕的发射区域ema和子区域sa之外，颜色控制结构tpl、wcl1和wcl2还可以设置在第二堤bnl2的在第二方向dr2上延伸的部分上，以在显示区域dpa中形成线性图案。然而，将理解的是，本公开不限于此。颜色控制结构tpl、wcl1和wcl2可以仅设置在其中设置有发光二极管ed的发射区域ema中，以在显示区域dpa中形成岛状图案。
174.在子像素pxn中的每个的发光二极管ed发射第三颜色的蓝光的一些实施例中，颜色控制结构tpl、wcl1和wcl2可以包括设置在第一子像素px1中的第一波长转换层wcl1、设置在第二子像素px2中的第二波长转换层wcl2和设置在第三子像素px3中的透明层tpl。
175.第一波长转换层wcl1可以包括第一基体树脂brs1和分散在第一基体树脂brs1中的第一波长转换颗粒wcp1。第二波长转换层wcl2可以包括第二基体树脂brs2和分散在第二基体树脂brs2中的第二波长转换颗粒wcp2。第一波长转换层wcl1和第二波长转换层wcl2转换从发光二极管ed入射的第三颜色的蓝光的波长，并且透射转换后的波长的光。第一波长转换层wcl1和第二波长转换层wcl2还可以包括包含在每个基体树脂中的散射颗粒scp，散射颗粒scp可以增大波长转换效率。
176.透明层tpl可以包括第三基体树脂brs3和分散在第三基体树脂brs3中的散射颗粒scp。透明层tpl照原样透射从发光二极管ed入射的第三颜色的蓝光的波长。透明层tpl的散射颗粒scp可以调整通过透明层tpl出射的光的路径。透明层tpl可以不包括波长转换材料。
177.散射颗粒scp可以是金属氧化物颗粒或有机颗粒。金属氧化物的示例可以包括氧化钛(tio2)、氧化锆(zro2)、氧化铝(al2o3)、氧化铟(in2o3)、氧化锌(zno)、氧化锡(sno2)等。有机颗粒的材料的示例可以包括丙烯酸树脂、聚氨酯树脂等。
178.第一基体树脂至第三基体树脂brs1、brs2和brs3可以包括透明有机材料。例如，第一基体树脂至第三基体树脂brs1、brs2和brs3可以包括环氧树脂、丙烯酸树脂、卡多树脂、酰亚胺树脂等。第一基体树脂至第三基体树脂brs1、brs2和brs3可以由相同的材料制成，但不限于此。
179.第一波长转换颗粒wcp1可以将第三颜色的蓝光转换为第一颜色的红光，第二波长转换颗粒wcp2可以将第三颜色的蓝光转换为第二颜色的绿光。第一波长转换颗粒wcp1和第二波长转换颗粒wcp2可以是量子点、量子棒、磷光体等。量子点可以包括iv纳米晶体、ii-vi化合物纳米晶体、iii-v化合物纳米晶体、iv-vi化合物纳米晶体或它们的组合。
180.颜色控制结构tpl、wcl1和wcl2可以直接设置在第二绝缘层pas2上。在显示装置10中，第二堤bnl2可以具有高度(例如，预定高度)且可以围绕一些区域，颜色控制结构tpl、wcl1和wcl2的基体树脂brs1、brs2和brs3可以直接设置在发光二极管ed和设置在发光二极管ed上的第二绝缘层pas2上。颜色控制结构tpl、wcl1和wcl2的散射颗粒scp以及波长转换材料wcp1和wcp2可以设置在相应的基体树脂brs1、brs2和brs3中，并且可以设置在发光二极管ed周围。
181.虽然不同的子像素pxn的发光二极管ed可以发射相同颜色的光(例如，第三颜色的蓝光)，但是可以从不同的子像素pxn出射不同颜色的光。例如，从设置在第一子像素px1中的发光二极管ed发射的光入射在第一波长转换层wcl1上，从设置在第二子像素px2中的发光二极管ed发射的光入射在第二波长转换层wcl2上，从设置在第三子像素px3中的发光二极管ed发射的光入射在透明层tpl上。入射在第一波长转换层wcl1上的光可以被转换为红
光(r)，入射在第二波长转换层wcl2上的光可以被转换为绿光(g)，入射在透明层tpl上的光可以在没有波长转换的情况下将其作为相同的蓝光(b)透射。虽然子像素pxn包括发射相同颜色的光的发光二极管ed，但是可以通过在发光二极管ed之上设置颜色控制结构tpl、wcl1和wcl2来输出不同颜色的光。
182.覆盖层cpl设置在颜色控制结构tpl、wcl1和wcl2上。覆盖层cpl可以设置为覆盖颜色控制结构tpl、wcl1和wcl2以及在第二堤bnl2上的第二绝缘层pas2。覆盖层cpl可以减少或防止从外部引入诸如湿气和空气的杂质以损坏或污染颜色控制结构tpl、wcl1和wcl2。另外，覆盖层cpl可以减少或防止颜色控制结构tpl、wcl1和wcl2的材料扩散到其它元件。覆盖层cpl可以由无机材料制成。将注意的是，可以除去覆盖层cpl。
183.另外，虽然在附图中未示出，但是多个层还可以设置在覆盖层cpl上。例如，作为光学层的低折射率层和覆盖低折射率层的另一覆盖层还可以设置在覆盖层cpl与滤色器层cfl1、cfl2和cfl3之间。
184.与第二绝缘层pas2类似，多个滤色器层cfl1、cfl2和cfl3可以包括吸收除了在对应的波长范围内的光之外的在其它波长范围内的光的诸如染料和颜料的着色剂。滤色器层cfl1、cfl2和cfl3可以分别设置在子像素pxn中，以仅透射入射在相应的子像素pxn中的滤色器层cfl1、cfl2和cfl3上的光中的一些。显示装置10的子像素pxn可以选择性地仅显示透射通过滤色器层cfl1、cfl2和cfl3的光。
185.第一滤色器层至第三滤色器层cfl1、cfl2和cfl3可以直接设置在覆盖层cpl上。另外，与第二堤bnl2叠置的第一阻光构件ubm还可以设置在覆盖层cpl上。
186.第一阻光构件ubm可以以网格图案形成，以部分地暴露覆盖层cpl的一个表面。第一阻光构件ubm可以设置为当从顶部观察时覆盖子像素pxn中的每个的除了第二堤bnl2之外的子区域sa，并且可以设置为覆盖发射区域ema的部分。其中未设置第一阻光构件ubm的区域可以是透光区域ta，在透光区域ta中，设置滤色器层cfl1、cfl2和cfl3，并且光可以从透光区域ta出射。
187.第一阻光构件ubm可以由包括有机材料的材料制成。第一阻光构件ubm可以吸收外部光，从而减少由于外部光的反射引起的颜色失真。根据本公开的一些实施例，第一阻光构件ubm可以吸收所有的可见波长。第一阻光构件ubm可以包括吸光材料。例如，第一阻光构件ubm可以由用作显示装置10的黑矩阵的材料制成。
188.顺便，在一些实施例中，第一阻光构件ubm可以从显示装置10除去，并且可以利用吸收可见波长之中的对应的波长的光且透射其它波长的光的材料来代替。第一阻光构件ubm可以利用包括与第一滤色器层至第三滤色器层cfl1、cfl2和cfl3中的至少一个相同的材料的颜色图案来代替。例如，可以设置包括滤色器层中的一个的材料的颜色图案，或者可以堆叠多个颜色图案来代替第一阻光构件ubm。
189.第一滤色器层至第三滤色器层cfl1、cfl2和cfl3设置在通过第一阻光构件ubm暴露的覆盖层cpl上。不同的滤色器层cfl1、cfl2和cfl3可以彼此分隔开，并且第一阻光构件ubm的相应部分位于不同的滤色器层cfl1、cfl2和cfl3之间，但是本公开不限于此。在一些实施例中，第一滤色器层至第三滤色器层cfl1、cfl2和cfl3的部分可以设置在第一阻光构件ubm上，并且可以在第一阻光构件ubm上彼此分隔开。在其它实施例中，第一滤色器层至第三滤色器层cfl1、cfl2和cfl3可以彼此部分地叠置。
190.滤色器层cfl1、cfl2和cfl3可以包括设置在第一子像素px1中的第一滤色器层cfl1、设置在第二子像素px2中的第二滤色器层cfl2和设置在第三子像素px3中的第三滤色器层cfl3。与颜色控制结构tpl、wcl1和wcl2不同，第一滤色器层至第三滤色器层cfl1、cfl2和cfl3可以以遵照发射区域ema的岛状图案形成。然而，将理解的是，本公开不限于此。第一滤色器层至第三滤色器层cfl1、cfl2和cfl3可以形成遍及整个显示区域dpa的线性图案。
191.根据本公开的一些实施例，第一滤色器层cfl1可以是红色滤色器层，第二滤色器层cfl2可以是绿色滤色器层，第三滤色器层cfl3可以是蓝色滤色器层。从发光二极管ed发射的光可以穿过颜色控制结构tpl、wcl1和wcl2，以通过滤色器层cfl1、cfl2和cfl3出射。
192.设置在第一子像素px1中的发光二极管ed可以发射第三颜色的蓝光，光可以入射在第一波长转换层wcl1上。第一波长转换层wcl1的第一基体树脂brs1可以由透明材料制成，光中的一些可以穿过第一基体树脂brs1且可以入射在设置在第一基体树脂brs1上的覆盖层cpl上。光中的至少一些可以入射在分散在第一基体树脂brs1中的散射颗粒scp和第一波长转换颗粒wcp1上。光可以被散射，并且光的波长可以被转换为红光的波长，使得红光可以入射在覆盖层cpl上。入射在覆盖层cpl上的光可以穿过由透明材料制成的覆盖层cpl，并且可以入射在第一滤色器层cfl1上。第一滤色器层cfl1可以阻挡除了红光之外的其它光的透射。因此，可以从第一子像素px1发射红光。
193.类似地，从设置在第二子像素px2中的发光二极管ed发射的光可以穿过第二波长转换层wcl2、覆盖层cpl和第二滤色器层cfl2以作为绿光出射。
194.设置在第三子像素px3中的发光二极管ed可以发射第三颜色的蓝光，并且光可以入射在透明层tpl上。透明层tpl的第三基体树脂brs3可以由透明材料制成，光中的一些可以穿过第三基体树脂brs3且可以入射到设置在第三基体树脂brs3上的覆盖层cpl上。入射在覆盖层cpl上的光可以穿过由透明材料制成的覆盖层cpl，并且可以入射在第三滤色器层cfl3上。第三滤色器层cfl3可以阻挡不包括蓝光的其它光的透射。因此，可以从第三子像素px3发射蓝光。
195.在一些实施例中，至少一个层还可以设置在滤色器层cfl1、cfl2和cfl3以及第一阻光构件ubm上。设置在滤色器层cfl1、cfl2和cfl3以及第一阻光构件ubm上的层可以是保护元件的覆盖层或封装层。覆盖层或封装层可以是无机层，或者可以具有无机层和有机层的堆叠结构。然而，将理解的是，本公开不限于此。
196.虽然根据一些实施例的显示装置10还包括滤色器层cfl1、cfl2和cfl3，但是可以减少或防止从外部入射且穿过滤色器层cfl1、cfl2和cfl3的光被第二绝缘层pas2反射且通过第二绝缘层pas2出射。
197.图15是示意性地示出图14的子像素中的一个子像素中的光的路径的剖视图。图15示意性地示出光l1、l2和l3在其中设置有第二波长转换层wcl2和第二滤色器层cfl2的第二子像素px2中通过其行进的路径。
198.参照图15，从发射第三颜色的蓝光的发光二极管ed发射的光l1和l2可以通过第二波长转换层wcl2和第二滤色器层cfl2出射。通过发光二极管ed的侧表面发射的第一光l1穿过第二绝缘层pas2且入射在第二波长转换层wcl2上。光中的一些入射在第二波长转换颗粒wcp2上，被转换为第二颜色l_g1的光，并且穿过第二滤色器层cfl2以出射。通过发光二极管ed的端部表面发射的第二光l2被设置在第一堤bnl1的倾斜的侧表面上的电极rme1和rme2
反射，并且入射在第二波长转换层wcl2上。与第一光l1类似，第二光l2的部分入射在第二波长转换颗粒wcp2上，被转换为第二颜色的光l_g2，并且穿过第二滤色器层cfl2以出射。
199.从显示装置10的外部入射的第三光l3可以穿过第二滤色器层cfl2，仅第二颜色l_g3的光可以入射在第二波长转换层wcl2上。从外部入射的第二颜色l_g3的光可以在没有颜色转换的情况下朝向第二绝缘层pas2或者朝向电极rme1和rme2行进。因为第二绝缘层pas2阻挡除了从发光二极管ed发射的光(即，第三颜色的蓝光)之外的光的透射，所以从外部入射的第二颜色l_g3的光可以被第二绝缘层pas2阻挡或吸收。虽然根据一些实施例的显示装置10仅包括发射第三颜色的蓝光的发光二极管ed，但是因为显示装置10可以包括颜色控制结构wcl1、wcl2和tpl以及滤色器层cfl1、cfl2和cfl3，所以显示装置10可以发射不同颜色的光。此外，显示装置10包括透射从发光二极管ed发射的第三颜色的蓝光同时阻挡其它光的透射的第二绝缘层pas2，使得可以更有效地减少或防止已经穿过滤色器层cfl1、cfl2和cfl3的外部光l3的反射和出射。
200.在总结具体实施方式时，本领域技术人员将理解的是，在基本上不脱离本公开的方面的情况下，可以对所公开的实施例进行许多变化和修改。因此，公开的所公开的实施例仅在一般和描述性意义上使用，而不是为了限制的目的。