一种新型熔断体加工工艺的制作方法

1.本发明涉及电子保护类元器件技术领域，特别是涉及一种新型熔断体加工工艺。


背景技术：

2.贴片式保险丝在印刷电路板中得到广泛应用，随着电子器件的微小型化，其尺寸也越来越小，它是一种安装在电路中，保证电路安全运行的电器元件，当电路发生故障或异常时，伴随着电流不断升高，并且升高的电流有可能损坏电路中的某些重要器件或贵重器件，也有可能烧毁电路甚至造成火灾，保险丝保护电子设备不受过电流的伤害，也可避免电子设备因内部故障所引起的严重伤害。
3.目前广泛用于制造保险丝的方法有两种，一种是印刷电镀工艺，另一种是在腔体中穿丝，在腔体中穿丝制造的保险丝器性能比较稳定，但其生产效率低下，导致产品成本一直比较高，而且很难生产小型或超小型的保险丝，印刷电镀工艺提供了一种可批量化生产保险丝的方法，专利号为cn101202186a的中国专利公开了一种一种贴片保险丝及其制造方法，具体提及到在玻璃陶瓷层宽度方向上切割形成缝隙，再至少一次涂覆金属薄膜浆料，浆料渗入该缝隙内，金属薄膜浆料于切割缝隙内形成熔丝结构，切割本身存在公差，难以控制缝隙的大小，直接导致熔丝结构外形存在差异，切割品质难以保证，存在断线的可能，这些因素直接造成熔丝结构性能受损；此外熔丝结构是直接与玻璃陶瓷层接触的，玻璃陶瓷层热传导性能强于空气，工作时，热量会从玻璃陶瓷层传导，影响熔断性能。
4.基于以上缺陷和不足，有必要对现有的技术予以改进，设计出一种新型熔断体加工工艺。


技术实现要素：

5.本发明主要解决的技术问题是提供一种新型熔断体加工工艺，能够一次制成多个成品，效率高，减低生产成本，直接埋熔丝，性能不受影响，熔丝于槽孔处悬空设置，不直接接触生瓷片，不影响分断能力。
6.为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种新型熔断体加工工艺，该种新型熔断体加工工艺包括以下步骤：
7.步骤(1)冲型，在生瓷片上采用镭射激光阵列冲切若干槽孔；
8.步骤(2)堆叠，在未冲型生瓷片上堆叠至少两片冲型生瓷片；
9.步骤(3)埋线，堆叠到一半产品高度时，将熔丝横向摆放到槽孔上方的生瓷片；
10.步骤(4)堆叠，堆叠剩下一半高度生瓷片，竖直方向槽孔形成腔体；
11.步骤(5)填充，将灭弧材料填充到腔体内；
12.步骤(6)加盖，将未冲型生瓷片盖装到上层冲型生瓷片上；
13.步骤(7)预切，将步骤(6)制成产品预切成若干个熔断体单元，以槽孔为切割基准；
14.步骤(8)烧结，预切后对产品进行烧结处理，产品表面呈硬质陶瓷；
15.步骤(9)剥条，将烧结后产品沿预切纹路掰成一列一列产品条；
16.步骤(10)溅镀，将成列产品条堆叠到真空腔体，在真空环境下溅镀，在产品条两端形成镀膜，产品条端面导通；
17.步骤(11)剥粒，将溅镀产品条掰成单个熔断体，滚镀，制成成品。
18.优选的是，步骤(1)中生瓷片采用ltcc技术制作，冲型生瓷片厚度120mm，低温环境冲型。
19.优选的是，步骤(5)中所述灭弧材料采用石英砂或碳膏。
20.优选的是，步骤(10)中镀膜为镀铜膜或镀铬膜。
21.与现有技术相比，本发明的有益效果是：
22.相比于传统腔体中穿丝工艺，单个制造工艺，本工艺能够一次制成多个成品，效率高，减低生产成本；
23.埋线相比于在切割缝隙里涂覆金属薄膜浆料成型的熔体结构，直接埋熔丝，能够保证熔丝性能不受切割品质影响；
24.熔丝在冲型生瓷片的槽孔处相当于悬空设置，不直接接触生瓷片，工作时不受生瓷片热传导影响，不影响分断能力。
附图说明
25.图1为一种新型熔断体加工工艺的流程图。
26.图2为生瓷片结构示意图。
27.图3为冲型后生瓷片结构示意图。
28.图4为一种新型熔断体加工工艺的叠放示意图。
29.图5为一种新型熔断体加工工艺的埋线示意图。
30.图6为一种新型熔断体加工工艺的步骤(4)堆叠示意图。
31.图7为一种新型熔断体加工工艺的填充示意图。
32.图8为一种新型熔断体加工工艺的加盖示意图。
33.图9为一种新型熔断体加工工艺的预切示意图。
34.图10为一种新型熔断体加工工艺的剥条示意图。
35.图11为一种新型熔断体加工工艺的剥粒示意图。
具体实施方式
36.下面结合附图对本发明较佳实施例进行详细阐述，以使发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
37.请参阅图1至图11，本发明实施例包括：
38.一种新型熔断体加工工艺，该种新型熔断体加工工艺包括以下步骤：
39.步骤(1)冲型，在生瓷片上采用镭射激光阵列冲切若干槽孔，生瓷片采用ltcc技术制作，冲型生瓷片厚度120mm，低温环境冲型；
40.步骤(2)堆叠，在未冲型生瓷片上堆叠至少两片冲型生瓷片；
41.步骤(3)埋线，堆叠到一半产品高度时，将熔丝横向摆放到槽孔上方的生瓷片；
42.步骤(4)堆叠，堆叠剩下一半高度生瓷片，竖直方向槽孔形成腔体；
43.步骤(5)填充，将灭弧材料填充到腔体内，灭弧材料采用石英砂或碳膏；
44.步骤(6)加盖，将未冲型生瓷片盖装到上层冲型生瓷片上；
45.步骤(7)预切，将步骤(6)制成产品预切成若干个熔断体单元，以槽孔为切割基准；
46.步骤(8)烧结，预切后对产品进行烧结处理，产品表面呈硬质陶瓷；
47.步骤(9)剥条，将烧结后产品沿预切纹路掰成一列一列产品条；
48.步骤(10)溅镀，将成列产品条堆叠到真空腔体，在真空环境下溅镀，在产品条两端形成镀膜，镀铜膜或镀铬膜，产品条端面导通；
49.步骤(11)剥粒，将溅镀产品条掰成单个熔断体，滚镀，制成成品。
50.本发明一种新型熔断体加工工艺，能够一次制成多个成品，效率高，减低生产成本，直接埋熔丝，性能不受影响，熔丝于槽孔处悬空设置，不直接接触生瓷片，不影响分断能力。
51.以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。


技术特征：
1.一种新型熔断体加工工艺，其特征在于：该种新型熔断体加工工艺包括以下步骤：步骤(1)冲型，在生瓷片上采用镭射激光阵列冲切若干槽孔；步骤(2)堆叠，在未冲型生瓷片上堆叠至少两片冲型生瓷片；步骤(3)埋线，堆叠到一半产品高度时，将熔丝横向摆放到槽孔上方的生瓷片；步骤(4)堆叠，堆叠剩下一半高度生瓷片，竖直方向槽孔形成腔体；步骤(5)填充，将灭弧材料填充到腔体内；步骤(6)加盖，将未冲型生瓷片盖装到上层冲型生瓷片上；步骤(7)预切，将步骤(6)制成产品预切成若干个熔断体单元，以槽孔为切割基准；步骤(8)烧结，预切后对产品进行烧结处理，产品表面呈硬质陶瓷；步骤(9)剥条，将烧结后产品沿预切纹路掰成一列一列产品条；步骤(10)溅镀，将成列产品条堆叠到真空腔体，在真空环境下溅镀，在产品条两端形成镀膜，产品条端面导通；步骤(11)剥粒，将溅镀产品条掰成单个熔断体，滚镀，制成成品。2.根据权利要求1所述的一种新型熔断体加工工艺，其特征在于：步骤(1)中生瓷片采用ltcc技术制作，冲型生瓷片厚度120mm，低温环境冲型。3.根据权利要求1所述的一种新型熔断体加工工艺，其特征在于：步骤(5)中所述灭弧材料采用石英砂或碳膏。4.根据权利要求1所述的一种新型熔断体加工工艺，其特征在于：步骤(10)中镀膜为镀铜膜或镀铬膜。

技术总结
本发明公开了一种新型熔断体加工工艺，包括以下步骤：冲型，在生瓷片上采用镭射激光阵列冲切若干槽孔；堆叠，在生瓷片上堆叠至少两片冲型生瓷片；埋线，将熔丝横向摆放到槽孔上方的生瓷片；堆叠，堆叠剩下一半高度生瓷片；填充，将灭弧材料填充到槽孔竖直方向形成的腔体内；加盖，将未冲型生瓷片盖装到上层冲型生瓷片上；预切，将加盖后产品预切成若干个熔断体单元；烧结，进行烧结处理；剥条，将烧结后产品沿预切纹路掰成一列一列产品条；溅镀，在真空环境下溅镀，产品条端面导通；剥粒，将溅镀产品条掰成单个熔断体，滚镀，制成成品。通过上述方式，本发明一次制成多个成品，效率高，直接埋熔丝，熔丝于槽孔处悬空设置，不影响分断能力。不影响分断能力。不影响分断能力。


技术研发人员：颜睿志
受保护的技术使用者：苏州华德电子有限公司
技术研发日：2022.01.21
技术公布日：2022/5/6