一种显示基板及显示装置的制作方法

1.本发明涉及光电技术领域，特别涉及一种显示基板及显示装置。


背景技术：

2.可见光通信技术是使用可见光作为信息载体的通讯技术，该通讯技术可以直接利用照明发光二极管(light emitting diode，led)作为信号源，实现低能耗通讯、绿色低碳的优点。此外，由于是光通讯技术，可有效避免传统无线电通讯电磁信号泄露的风险，有利于构建安全可靠的信息网络。而且可见光通信也将与5g等其他通信技术相结合，在物联网、智慧家庭等领域带来创新应用和价值体验。
3.随着可见光通信的发展，整合了信号接收和信号放大功能的光电子集成电路(opto electronic integrated circuit，oeic)技术越来越受重视，其与显示技术的结合也受到更多的关注。在光电子集成基板中，除光电二极管外，放大电路的响应频率对通讯速度也有着直接的影响。而且受半导体显示工艺能力的限制，玻璃基背板薄膜晶体管尺寸较大，从而导致栅极层与有源层之间的介质层电容较大，不利于灰阶展开以及提高放大电路的响应频率。
4.目前通过整体增加栅极层与有源层之间的介质层的厚度，降低介质层的电容，来保证灰阶展开以及提高放大电路的响应频率，然而，一旦整体增加介质层的厚度，就会导致功耗增加。
5.如此一来，如何提高显示质量成为急需解决的技术问题。


技术实现要素：

6.本发明提供了一种显示基板及显示装置，用于提高显示质量。
7.第一方面，本发明实施例提供了一种显示基板，包括：
8.衬底基底、设置在所述衬底基底上的光敏电路以及显示电路，其中：
9.所述光敏电路包括光电二极管以及与所述光电二极管耦接的第一驱动晶体管；
10.所述显示电路包括显示器件以及分别与所述显示器件耦接的第二驱动晶体管和开关晶体管；
11.所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管对应的栅极层与有源层之间的距离，均大于所述开关晶体管对应的栅极层与有源层之间的距离。
12.在一种可能的实现方式中，所述第一驱动晶体管对应的栅极层和所述第二驱动晶体管对应的栅极层位于同一膜层，且均与所述开关晶体管对应的栅极层位于不同膜层。
13.在一种可能的实现方式中，所述第一驱动晶体管对应的栅极层、所述第二驱动晶体管对应的栅极层以及所述开关晶体管对应的栅极层，均位于相应的有源层背离所述衬底基板的一侧。
14.在一种可能的实现方式中，所述第一驱动晶体管对应的栅极层和相应的有源层之间，以及所述第二驱动晶体管对应的栅极层和相应的有源层之间，沿背离所述衬底基板的
方向均依次设置有第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层，所述开关晶体管对应的栅极层和相应的有源层之间仅设置有所述第一栅极绝缘层。
15.在一种可能的实现方式中，所述第一驱动晶体管对应的栅极层和所述第二驱动晶体管对应的栅极层，均位于相应的有源层靠近所述衬底基板的一侧，所述开关晶体管对应的栅极层位于相应的有源层背离所述衬底基板的一侧。
16.在一种可能的实现方式中，所述开关晶体管对应的有源层靠近所述衬底基板的一侧还设置有遮光层，所述遮光层与所述第一驱动晶体管相应的栅极层以及所述第二驱动晶体管相应的栅极层位于同一膜层。
17.在一种可能的实现方式中，所述第一驱动晶体管对应的栅极层与相应的有源层之间，所述第二驱动晶体管对应的栅极层与相应的有源层之间，均设置有缓冲层，所述开关晶体管对应的栅极层和相应的有源层之间仅设置有第一栅极绝缘层。
18.在一种可能的实现方式中，所述第一驱动晶体管对应的栅极层和所述第二驱动晶体管对应的栅极层均与所述开关晶体管对应的栅极层位于不同膜层，且所述第一驱动晶体管对应的栅极层、所述第二驱动晶体管对应的栅极层以及所述开关晶体管对应的栅极层，均位于相应的有源层背离所述衬底基板的一侧。
19.在一种可能的实现方式中，所述第二驱动晶体管对应的栅极层，与所述第一驱动晶体管的源漏电极层以及所述开关晶体管的源漏电极层位于同一膜层。
20.在一种可能的实现方式中，所述第一驱动晶体管对应的栅极层和相应的有源层之间，沿背离所述衬底基板的方向依次设置有第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层，所述第二驱动晶体管对应的栅极层和相应的有源层之间，沿背离所述衬底基板的方向依次设置有所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层和层间绝缘层，所述开关晶体管对应的栅极层和相应的有源层之间仅设置有所述第一栅极绝缘层。
21.在一种可能的实现方式中，所述第一驱动晶体管对应的有源层、所述第二驱动晶体管对应的有源层和所述开关晶体管对应的有源层的材料为多晶硅或者金属氧化物半导体材料。
22.在一种可能的实现方式中，所述显示器件包括有机发光二极管显示模组；或者，
23.所述显示器件包括液晶显示模组。
24.第二方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括：如上面任一项所述的显示基板。
25.本发明的有益效果如下：
26.本发明实施例提供了一种显示基板及显示装置，其中，该显示基板包括衬底基板、设置在该衬底基板上的光敏电路以及显示电路，其中，该光敏电路包括光电二极管以及与该光电二极管耦接的第一驱动晶体管，该显示电路包括显示器件以及分别与该显示器件耦接的第二驱动晶体管和开关晶体管，其中，该开关晶体管可以为一个，还可以为多个，在此不做限定，此外，第一驱动晶体管和第二驱动晶体管对应的栅极层与有源层之间的距离，均大于开关晶体管对应的栅极层与有源层之间的距离，相应地，第一驱动晶体管和第二驱动晶体管对应的栅极层与有源层之间所形成的电容，小于开关晶体管对应的栅极层与有源层之间所形成的电容，一方面，提高了光敏电路的响应频率，另一方面，增大了显示电路的亚阈值斜率，保证了灰阶展开的效果，另一方面，有利于提升电流，降低了功耗，从而提高了显
示质量。
附图说明
27.图1为相关技术中光电子集成基板采用的放大电路的其中一种结构示意图；
28.图2为相关技术中光电子集成基板采用的显示驱动电路的其中一种结构示意图；
29.图3为本发明实施例提供的一种显示基板的其中一种俯视结构示意图；
30.图4为沿着图3中mm所示方向的其中一种剖面结构示意图；
31.图5为制作图4所示的显示基板的其中一种工艺流程图；
32.图6为沿着图3中mm所示方向的其中一种剖面结构示意图；
33.图7为制作图6所示的显示基板的其中一种工艺流程图；
34.图8为沿着图3中mm所示方向的其中一种剖面结构示意图。
具体实施方式
35.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
36.除非另外定义，本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。
37.需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
38.在相关技术中，本发明人发现薄膜晶体管中栅极层与有源层之间的介质层的电容大小为其中，w表示薄膜晶体管相应的栅极层的宽度，l表示薄膜晶体管相应的栅极层的长度，ε表示介质层的介电常数，d表示相应的栅极层与有源层之间的距离。根据该电容公式可知，在薄膜晶体管相应的栅极层的宽度和长度不变时，薄膜晶体管中栅极层与有源层之间的介质层的电容大小与相应的栅极层和有源层之间的距离呈反比。此外，本发明人发现光电子集成基板在采用如图1所示的放大电路时，该放大电路的响应时间为t＝r
·cox
r
p
·cp
，其中，c
ox
表示放大电路中与光电二极管耦接的驱动晶体管dt相应的栅极层与有源层之间的介质层电容，基于该公式可知，c
ox
与t呈正比，相应地，与光电二极管耦接的驱动晶体管的栅极层与有源层之间的介质层电容越小，放大电路的响应时间越小，响应速度就越快。
39.此外，本发明人发现，光电子集成基板在采用如图2所示的显示驱动电路时，该显示驱动电路中p型驱动薄膜晶体管dtft的亚阈值斜率为
其中，c
ox
表示p型驱动薄膜晶体管相应的栅极层与有源层之间的介质层电容，由该公式可知，s与c
ox
呈反比，相应地，显示驱动电路中p型驱动薄膜晶体管的栅极层与有源层之间的介质层电容越小，该p型驱动薄膜晶体管的亚阈值斜率越大，更利于灰阶展开。对于该显示驱动电路中除p型驱动薄膜晶体管之外的其它薄膜晶体管，在饱和区电流为由该公式可知，i
ds
与c
ox
呈正比，相应地，其它各薄膜晶体管对应的栅极层与有源层之间的介质层电容越大，相应的薄膜晶体管在饱和区电流越大，功耗越低。
40.在相关技术中，需要通过整体增加栅极层与有源层之间的介质层的厚度，降低介质层的电容，来保证灰阶展开以及提高放大电路的响应频率，然而，一旦整体增加介质层的厚度，就会导致功耗增加。
41.鉴于此，本发明实施例提供了一种显示基板及显示装置，用于提高显示质量。
42.图3为本发明实施例提供的显示基板其中一种俯视结构示意图，在本发明实施例中，该显示基板包括：
43.衬底基底10、设置在所述衬底基底10上的光敏电路20以及显示电路30，其中：
44.所述光敏电路20包括光电二极管200以及与所述光电二极管200耦接的第一驱动晶体管201；
45.所述显示电路30包括显示器件301以及分别与所述显示器件301耦接的第二驱动晶体管302和开关晶体管303；
46.所述第一驱动晶体管201和所述第二驱动晶体管302对应的栅极层与有源层poly之间的距离，均大于所述开关晶体管303对应的栅极层与有源层poly之间的距离。
47.在具体实施过程中，该衬底基板10可以是刚性衬底，还可以是柔性衬底，在此不做限定。其中，显示基板包括设置在该衬底基板10上的光敏电路20以及显示电路30，该光敏电路20包括光电二极管200以及与该光电二极管200耦接的第一驱动晶体管201，光电二极管200一般可以采用pin实现其功能。该显示电路30包括显示器件301以及分别与该显示器件301耦接的第二驱动晶体管302和开关晶体管303，该开关晶体管303的个数可以是一个，还可以是多个，比如，在显示电路30为2t1c时，其所包括的开关晶体管303的个数为两个，再比如，在显示电路30为7t1c时，其所包括的开关晶体管303的个数为七个，可以根据实际应用需要来设置开关晶体管303的个数，在此不做限定。第一驱动晶体管201和第二驱动晶体管302对应的栅极层与有源层poly之间的距离，均大于开关晶体管303对应的栅极层与有源层poly之间的距离，相应地，第一驱动晶体管201和第二驱动晶体管302对应的栅极层与有源层poly之间所形成的电容，小于开关晶体管303对应的栅极层与有源层poly之间所形成的电容，这样的话，一方面，提高了光敏电路20的响应频率，另一方面，增大了显示电路30的亚阈值斜率，保证了灰阶展开的效果，另一方面，有利于提升电流，降低了功耗，从而提高了显示质量。
48.此外，各个晶体管可以是薄膜晶体管(thin film transistor，tft)，也可以是金属氧化物半导体场效应管(metal oxide semiconductor，mos)，在此不做限定。
49.在本发明实施例中，第一驱动晶体管201和第二驱动晶体管302的具体设置方式可
以有以下几种，但又不仅限于以下几种，可以根据实际应用需要来设置，在此不做限定。
50.第一种方式
51.在第一种方式下，所述第一驱动晶体管201对应的栅极层和所述第二驱动晶体管302对应的栅极层位于同一膜层，且均与所述开关晶体管303对应的栅极层位于不同膜层。
52.在具体实施过程中，第一驱动晶体管201、第二驱动晶体管和开关晶体管303均可以为顶栅结构，而且，第一驱动晶体管201对应的栅极层和第二驱动晶体管302对应的栅极层位于同一膜层，相应地，第一驱动晶体管201和第二驱动晶体管302对应的栅极层可以是同层制作，从而简化了制作工艺，降低了显示基板的制作成本。此外，处于同一膜层的第一驱动晶体管201对应的栅极层和第二驱动晶体管302对应的栅极层，均与开关晶体管303对应的栅极层位于不同膜层，由于第一驱动晶体管201和第二驱动晶体管302对应的栅极层与有源层poly之间的距离，均大于开关晶体管303对应的栅极层与有源层poly之间的距离，相应地，第一驱动晶体管201和第二驱动晶体管302对应的栅极层与有源层poly之间所形成的电容，小于开关晶体管303对应的栅极层与有源层poly之间所形成的电容，从而保证了显示基板的显示品质。
53.在其中一种示例性实施例中，如图4所示为沿着图3中mm所示方向的其中一种剖面结构示意图，其中，gate2表示第一驱动晶体管201对应的栅极层和第二驱动晶体管302对应的栅极层，gate1表示开关晶体管303对应的栅极层。在该示例性实施例中，所述第一驱动晶体管201对应的栅极层、所述第二驱动晶体管302对应的栅极层以及所述开关晶体管303对应的栅极层，均位于相应的有源层poly背离所述衬底基板10的一侧。
54.仍结合图4所示，第一驱动晶体管201、第二驱动晶体管302以及开关晶体管303均为顶栅结构，相应地，各晶体管相应的栅极层设置在对应的有源层poly背离衬底基板10的一侧。若第一驱动晶体管201与衬底基板10之间的距离为d1，第二驱动晶体管302与衬底基板10之间的距离为d1，开关晶体管303与衬底基板10之间的距离为d2，二者之间的数值大小关系为d1＞d2。如此一来，第一驱动晶体管201和第二驱动晶体管302对应的栅极层与有源层poly之间的距离，均大于开关晶体管303对应的栅极层与有源层poly之间的距离，相应地，第一驱动晶体管201和第二驱动晶体管302对应的栅极层与有源层poly之间所形成的电容，小于开关晶体管303对应的栅极层与有源层poly之间所形成的电容，从而保证了显示基板的显示品质。
55.在上述示例性实施例中，所述第一驱动晶体管201对应的栅极层和相应的有源层poly之间，以及所述第二驱动晶体管302对应的栅极层和相应的有源层poly之间，沿背离所述衬底基板10的方向均依次设置有第一栅极绝缘层gi1和第二栅极绝缘层gi2，所述开关晶体管303对应的栅极层和相应的有源层poly之间仅设置有所述第一栅极绝缘层gi1。
56.仍结合图4所示，在具体实施过程中，第一驱动晶体管201对应的栅极层和相应的有源层poly之间，以及第二驱动晶体管302对应的栅极层和相应的有源层poly之间，沿背离衬底基板10的方向均依次设置有第一栅极绝缘层gi1和第二栅极绝缘层gi2，这样的话，第一栅极绝缘层gi1和第二栅极绝缘层gi2形成了第一驱动晶体管201和第二驱动晶体管302对应的栅极层和相应的有源层poly之间的电容的介质层结构。此外，开关晶体管303对应的栅极层和相应的有源层poly之间仅设置有第一栅极绝缘层gi1，该第一栅极绝缘层gi1形成了开关晶体管303对应的栅极层和相应的有源层poly之间的电容的介质层结构。如此一来，
第一驱动晶体管201对应的栅极层和相应的有源层poly之间的距离，以及第二驱动晶体管302对应的栅极层和相应的有源层poly之间的距离，必然大于开关晶体管303对应的栅极层和相应的有源层poly之间的距离，使得第一驱动晶体管201和第二驱动晶体管302对应的栅极层与有源层poly之间所形成的电容，小于开关晶体管303对应的栅极层与有源层poly之间所形成的电容，从而保证了显示基板的显示品质。
57.需要说明的是，在制作图4所示的显示基板的过程中，其对应的工艺流程图如图5所示，可以是先在衬底基板10上沉积缓冲层buffer和a-si层；然后，晶化并图形化形成各晶体管相应的有源层poly，然后覆盖第一栅极绝缘层gi1，沉积并图形化形成第一栅极层，再沉积第二栅极绝缘层gi2；然后，沉积并图形化第二栅极层，以第一栅极层和第二栅极层为掩膜进行n 掺杂工艺，形成掺杂区；然后，沉积并图形化层间绝缘层ild，再制备各晶体管的源漏电极层sd1，从而完成各个晶体管的制备；然后，覆盖第一钝化层pvx1、第一平坦层pln1、第二钝化层pvx2，并进行相应的图形化；然后，沉积另一源漏电极层sd2，形成光电二极管200的下电极，连接沉积n层结构、i层结构、p层结构和上电极，完成pin光电二极管的制备；然后，沉积保护层cover和第二平坦层pln2，并图形化，完成平坦化；然后，沉积金属层，其可以作为有机发光二极管显示模组中阳极层和pin光电二极管上电极的引线；然后，制备像素界定层pdl，进一步地实现对整个显示基板的制备，当然，还可以根据实际应用需要采用其它制作工艺来制作图4所示的显示基板，在此不做详述。
58.在其中一种示例性实施例中，如图6所示为沿着图3中mm所示方向的其中一种剖面结构示意图，其中，ls表示第一驱动晶体管201对应的栅极层和第二驱动晶体管302对应的栅极层，gate1表示开关晶体管303对应的栅极。在该示例性实施例中，所述第一驱动晶体管201对应的栅极层和所述第二驱动晶体管302对应的栅极层，均位于相应的有源层poly靠近所述衬底基板10的一侧，所述开关晶体管303对应的栅极层位于相应的有源层poly背离所述衬底基板10的一侧层。
59.仍结合图6所示，第一驱动晶体管201和第二驱动晶体管302均为底栅结构，相应地，第一驱动晶体管201对应的栅极层以及第二驱动晶体管302对应的栅极层均位于相应的有源层poly靠近衬底基板10的一侧；此外，开关晶体管303为顶栅结构，相应地，开关晶体管303对应的栅极层位于相应的有源层poly背离衬底基板10的一侧。若第一驱动晶体管201对应的栅极层和相应的有源层poly之间的距离为d3，则第二驱动晶体管302对应的栅极层和相应的有源层poly之间的距离为d3，开关晶体管303对应的栅极层和相应的有源层poly之间的距离为d4，二者之间的数值大小关系为d3＞d4，如此一来，第一驱动晶体管201对应的栅极层和相应的有源层poly之间的距离，以及第二驱动晶体管302对应的栅极层和相应的有源层poly之间的距离，大于开关晶体管303对应的栅极层和相应的有源层poly之间的距离，使得第一驱动晶体管201和第二驱动晶体管302对应的栅极层与有源层poly之间所形成的电容，小于开关晶体管303对应的栅极层与有源层poly之间所形成的电容，从而保证了显示基板的显示品质。
60.仍结合图6所示，所述开关晶体管303对应的有源层poly靠近所述衬底基板10的一侧还设置有遮光层ls，所述遮光层ls与所述第一驱动晶体管201相应的栅极层以及所述第二驱动晶体管302相应的栅极层位于同一膜层。
61.在具体实施过程中，开关晶体管303对应的有源层poly靠近衬底基板10的一侧还
设置有遮光层ls，该遮光层ls的材料可以是钼，该遮光层ls与第一驱动晶体管201相应的栅极层以及第二驱动晶体管302相应的栅极层位于同一膜层，相应地，可以对遮光层ls、第一驱动晶体管201相应的栅极层以及第二驱动晶体管302相应的栅极层进行同层制作，从而简化了制作工艺，降低了显示基板的制作成本。
62.仍结合图6所示，所述第一驱动晶体管201对应的栅极层与相应的有源层poly之间，所述第二驱动晶体管302对应的栅极层与相应的有源层poly之间，均设置有缓冲层buffer，所述开关晶体管303对应的栅极层和相应的有源层poly之间仅设置有第一栅极绝缘层gi1。
63.在具体实施过程中，第一驱动晶体管201对应的栅极层与相应的有源层poly之间设置有缓冲层buffer，第二驱动晶体管302对应的栅极层与相应的有源层poly之间设置有缓冲层buffer，相应地，缓冲层buffer形成了第一驱动晶体管201和第二驱动晶体管302对应的栅极层和相应的有源层poly之间的电容的介质层结构。此外，开关晶体管303对应的栅极层和相应的有源层poly之间仅设置有第一栅极绝缘层gi1，相应地，第一栅极绝缘层gi1形成了开关晶体管303对应的栅极层和相应的有源层poly之间的电容的介质层结构，沿显示器件301的发光方向，缓冲层buffer的厚度大于第一栅极绝缘层gi1的厚度，这样的话，第一驱动晶体管201和第二驱动晶体管302对应的栅极层与有源层poly之间所形成的电容，小于开关晶体管303对应的栅极层与有源层poly之间所形成的电容，从而保证了显示基板的显示品质。
64.需要说明的是，在制作图6所示的显示基板的过程中，其对应的工艺流程图如图7所示，可以是先在衬底基板10上沉积遮光层ls并图形化；然后，沉积缓冲层buffer和a-si层；然后，晶化并图形化形成各晶体管的有源层poly，然后覆盖第一栅极绝缘层gi1，沉积并图形化形成第一栅极层；然后，再沉积层间绝缘层ild，涂覆光刻胶，以光刻胶和第一栅极层为掩膜进行n 掺杂工艺，形成掺杂区，去除光刻胶；然后，沉积并图形化层间绝缘层ild，再制备各晶体管的源漏电极层sd1，从而完成各个晶体管的制备；然后，覆盖第一钝化层pvx1、第一平坦层pln1、第二钝化层pvx2，并进行相应的图形化；然后，沉积另一源漏电极层sd2，形成光电二极管200的下电极，连接沉积n层结构、i层结构、p层结构和上电极，完成pin光电二极管的制备；然后，沉积保护层cover和第二平坦层pln2，并图形化，完成平坦化；然后，沉积透明电极层ito，其可以作为液晶显示模组中电极层和pin光电二极管上电极的引线，进一步地实现对整个显示基板的制备，当然，还可以根据实际应用需要采用其它制作工艺来制作图6所示的显示基板，在此不做详述。
65.第二种方式
66.在第二种方式下，所述第一驱动晶体管201对应的栅极层和所述第二驱动晶体管302对应的栅极层均与所述开关晶体管303对应的栅极层位于不同膜层，且所述第一驱动晶体管201对应的栅极层、所述第二驱动晶体管302对应的栅极层以及所述开关晶体管303对应的栅极层，均位于相应的有源层poly背离所述衬底基板10的一侧。
67.在其中一种示例性实施例中，如图8所示为沿着图3中mm所示方向的其中一种剖面结构示意图，其中，gate2表示第一驱动晶体管201对应的栅极层，sd1表示第二驱动晶体管302对应的栅极层，gate1表示开关晶体管303对应的栅极层；在该示例性实施例中，第一驱动晶体管201对应的栅极层和第二驱动晶体管302对应的栅极层均与开关晶体管303对应的
栅极层位于不同膜层，在具体实施过程中，第一驱动晶体管201对应的栅极层、第二驱动晶体管302对应的栅极层以及开关晶体管303对应的栅极层，均位于相应的有源层poly背离衬底基板10的一侧，相应地，如图8所示，第一驱动晶体管201、第二驱动晶体管302和开关晶体管303可以均为顶栅结构。仍结合图8所示，第一驱动晶体管201对应的栅极层与相应的有源层poly之间的距离为d5，第二驱动晶体管302对应的栅极层与相应的有源层poly之间的距离为d6，开关晶体管303对应的栅极层与相应的有源层poly之间的距离为d7，三者之间的数值大小关系为d6＞d5＞d7，如此一来，第一驱动晶体管201和第二驱动晶体管302对应的栅极层与有源层poly之间所形成的电容，小于开关晶体管303对应的栅极层与有源层poly之间所形成的电容，从而保证了显示基板的显示品质。
68.仍结合图8所示，所述第二驱动晶体管302对应的栅极层，与所述第一驱动晶体管201的源漏电极层sd1以及所述开关晶体管303的源漏电极层sd1位于同一膜层。在具体实施过程中，第二驱动晶体管302对应的栅极层与第一驱动晶体管201的源漏电极层sd1以及开关晶体管303的源漏电极层sd1位于同一膜层，相应地，可以在制作各个源漏电极层时，同层制作第二驱动晶体管302对应的栅极层，从而简化了制作工艺，降低了显示基板的制作成本。
69.仍结合图8所示，所述第一驱动晶体管201对应的栅极层和相应的有源层poly之间，沿背离所述衬底基板10的方向依次设置有第一栅极绝缘层gi1和第二栅极绝缘层gi2，所述第二驱动晶体管302对应的栅极层和相应的有源层poly之间，沿背离所述衬底基板10的方向依次设置有所述第一栅极绝缘层gi1、所述第二栅极绝缘层gi2和层间绝缘层ild，所述开关晶体管303对应的栅极层和相应的有源层poly之间仅设置有所述第一栅极绝缘层gi1。
70.在具体实施过程中，第一驱动晶体管201对应的栅极层和相应的有源层poly之间，沿背离衬底基板10的方向依次设置有第一栅极绝缘层gi1和第二栅极绝缘层gi2，第二驱动晶体管302对应的栅极层和相应的有源层poly之间，沿背离衬底基板10的方向依次设置有第一栅极绝缘层gi1、第二栅极绝缘层gi2和层间绝缘层ild，相应地，第一栅极绝缘层gi1和第二栅极绝缘层gi2形成了第一驱动晶体管201对应的栅极层与相应的有源层poly之间的电容的介质层结构。此外，第一栅极绝缘层gi1、第二栅极绝缘层gi2和层间绝缘层ild形成了第二驱动晶体管302对应的栅极层与相应的有源层poly之间的电容的介质层结构。此外，开关晶体管303对应的栅极层和相应的有源层poly之间仅设置有第一栅极绝缘层gi1，相应地，第一栅极绝缘层gi1形成了开关晶体管303对应的栅极层与相应的有源层poly之间的电容的介质层结构。如此一来，第一驱动晶体管201对应的栅极层与相应的有源层poly之间的距离以及第二驱动晶体管302对应的栅极层与相应的有源层poly之间的距离，均大于开关晶体管303对应的栅极层与有源层poly之间的距离，使得第一驱动晶体管201和第二驱动晶体管302对应的栅极层与有源层poly之间所形成的电容，均小于开关晶体管303对应的栅极层与有源层poly之间所形成的电容，从而保证了显示基板的显示品质。需要说明的是，对于图8显示基板的制作过程可以参照图5和图7所示的方式，在此不再详述。
71.在本发明实施例中，所述第一驱动晶体管201对应的有源层poly、所述第二驱动晶体管302对应的有源层poly和所述开关晶体管303对应的有源层poly的材料为多晶硅或者金属氧化物半导体材料。
72.在具体实施过程中，各晶体管对应的有源层poly的材料可以为多晶硅，比如，a-si、p-si，还可以为金属氧化物半导体材料，比如，igzo，可以根据实际应用需要来选择各晶体管对应的有源层poly的材料，在此不做限定。
73.在本发明实施例中，所述显示器件301包括有机发光二极管显示模组；或者，
74.所述显示器件301包括液晶显示模组。
75.在具体实施过程中，显示器件301包括有机发光二极管显示模组，该有机发光二极管显示模组包括阳极层and、发光功能层、阴极等相关膜层结构。显示器件301还可以是包括液晶显示模组，该液晶显示模组包括透明电极层ito和液晶层等相关膜层结构，具体可以参照相关技术中的方案来设置显示器件301的具体膜层，在此不做限定。如此一来，实现了显示基板的显示功能。
76.需要说明的是，结合图4至图8，该显示基板还设置有另一源漏电极(sd2)、第一钝化层pvx1、第一平坦层pln1、第二钝化层pvx2、第二平坦层pln2等膜层结构，光电二极管200包括依次背离衬底基板10的n层结构、i层结构和p层结构，显示基板还包括覆盖与光电二极管200的p层结构耦接的透明电极的保护层cover，提高了显示基板的使用性能。对于各膜层结构的具体设置可以参照相关技术中的实现，在此不再详述。当然，还可以根据实际应用需要来设置除上述提及的膜层结构之外的其它膜层，在此不做限定。
77.基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置解决问题的原理与前述显示面板相似，因此该显示装置的实施可以参见前述显示面板的实施，重复之处不再赘述。
78.在具体实施过程中，本发明实施例提供的显示装置可以为手机，还可以为平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此就不做赘述，也不应作为对本发明的限制。
79.本发明实施例提供了一种显示基板及显示装置，其中，该显示基板包括衬底基板10、设置在该衬底基板10上的光敏电路20以及显示电路30，其中，该光敏电路20包括光电二极管200以及与该光电二极管200耦接的第一驱动晶体管201，该显示电路30包括显示器件301以及分别与该显示器件301耦接的第二驱动晶体管302和开关晶体管303，其中，该开关晶体管303可以为一个，还可以为多个，在此不做限定，此外，第一驱动晶体管201和第二驱动晶体管302对应的栅极层与有源层poly之间的距离，均大于开关晶体管303对应的栅极层与有源层poly之间的距离，相应地，第一驱动晶体管201和第二驱动晶体管302对应的栅极层与有源层poly之间所形成的电容，小于开关晶体管303对应的栅极层与有源层poly之间所形成的电容，一方面，提高了光敏电路20的响应频率，另一方面，增大了显示电路30的亚阈值斜率，保证了灰阶展开的效果，另一方面，有利于提升电流，降低了功耗，从而提高了显示质量。
80.尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
81.显然，本领域的技术人员可以对本技术进行各种改动和变型而不脱离本技术的精神和范围。这样，倘若本技术的这些修改和变型属于本技术权利要求及其等同技术的范围
之内，则本技术也意图包含这些改动和变型在内。