动态随机存取存储结构及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种动态随机存取存储器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有相对的第一面和第二面，所述衬底包括相互分立的若干有源区，所述有源区在第一方向上延伸，所述有源区包括若干相互独立且沿第一方向排列的沟道区；位于每个有源区中的若干字线栅结构，每个字线栅结构与1个沟道区邻接，所述若干字线栅结构沿第二方向贯穿所述有源区，所述第二方向垂直于所述第一方向；位于第一面的第一器件层；位于所述第一器件层上的第一介电层；位于所述第一介电层内的若干应力调节结构；位于第二面的第二器件层。2.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述若干应力调节结构包括：沿所述第二方向延伸的若干第一调节结构，所述第一调节结构用于切断第一方向上的应力。3.如权利要求1或2所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述若干应力调节结构包括：沿所述第一方向延伸的若干第二调节结构，所述第二调节结构用于切断第二方向上的应力。4.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，还包括：位于所述第一器件层与第一介电层之间的第二应力调节层，所述第二应力调节层用于同时调节所述第一方向和第二方向上的应力。5.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，还包括：位于所述第一介电层和若干应力调节结构上的第二应力调节层，所述第二应力调节层用于同时调节所述第一方向和第二方向上的应力。6.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述第一器件层包括：若干电容，每个所述电容与1个所述沟道区电连接；所述第二器件层包括：若干位线，每个位线与1个有源区内的若干沟道区电连接。7.如权利要求6所述的动态随机存取存储器，其特征在于，每个所述位线在第二面具有位线投影，并且，每个所述位线投影在1个有源区的范围内。8.如权利要求6所述的动态随机存取存储器，其特征在于，还包括：位于所述若干电容与第一介电层之间的第二应力调节层，所述第二应力调节层用于同时调节所述第一方向和第二方向上的应力；位于所述若干电容与第二应力调节层之间的电容极板；位于所述电容极板与所述第二应力调节层之间的第二介电层。9.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述第一器件层包括：若干位线，每个位线与1个有源区内的若干沟道区电连接；所述第二器件层包括：若干电容，每个所述电容与1个所述沟道区电连接。10.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述应力调节结构的材料与所述第一介电层的材料不同。11.如权利要求10所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述应力调节结构的材料包括：氧化硅、氮化硅、金属或多晶硅。12.如权利要求4、5或8所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述第二应力调节层的材料包括：氧化硅、氮化硅、金属或多晶硅。
13.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述应力调节结构的高度等于所述第一介电层的厚度。14.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，还包括：位于所述第一介电层和若干应力调节结构上的键合介电层；与所述键合介电层键合的承载基底。15.一种动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有相对的第一面和第二面，所述衬底包括相互分立的若干有源区，所述有源区在第一方向上延伸，所述有源区包括若干相互独立且沿第一方向排列的沟道区；在每个有源区内形成若干字线栅结构，每个字线栅结构与1个沟道区邻接，所述若干字线栅结构沿第二方向贯穿所述有源区，所述第二方向垂直于所述第一方向；形成若干字线栅结构之后，在所述第一面形成第一器件层；在所述第一器件层上形成第一介电层；在所述第一介电层内形成若干应力调节结构；形成所述若干应力调节结构后，在所述第二面形成第二器件层。16.如权利要求15所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，在所述第一介电层内形成若干应力调节结构的方法包括：在所述第一介电层表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出部分第一介电层表面；以所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一介电层，在所述第一介电层内形成若干应力调节结构开口；在若干应力调节结构开口内形成若干应力调节结构。17.如权利要求16所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，所述应力调节结构开口的深度等于所述第一介电层的厚度。18.如权利要求15所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，在形成所述第一介电层之前，还包括：在所述第一器件层上形成第二应力调节层，所述第二应力调节层用于同时调节所述第一方向和第二方向上的应力。19.如权利要求18所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，所述第一器件层包括：若干电容，每个所述电容与1个所述沟道区电连接。20.如权利要求19所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，形成所述第二应力调节层之前，还包括：在若干电容表面形成电容极板，所述电容极板的表面高于电容表面；在所述电容极板的表面形成第二介电层。21.如权利要求15所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，所述第一器件层包括：若干电容，每个所述电容与1个所述沟道区电连接；所述第二器件层包括：若干位线，每个位线与1个有源区内的若干沟道区电连接。22.如权利要求15所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，所述第一器件层包括：若干位线，每个位线与1个有源区内的若干沟道区电连接；所述第二器件层包括：若干电容，每个所述电容与1个所述沟道区电连接。23.如权利要求15所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，在形成所述第二器件层之前，还包括：在所述第一介电层和若干应力调节结构上形成键合介电层；提供承载基底；将所述承载基底与键合介电层键合；将所述承载基底与键合介电层键合后，自所述第二面减薄所述衬底。
24.如权利要求15所述的动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，在形成所述第二器件层之前，还包括：在所述第一介电层和若干应力调节结构上形成第二应力调节层，所述第二应力调节层用于同时调节所述第一方向和第二方向上的应力。

技术总结
一种动态随机存取存储器及其形成方法，其中，方法包括：提供衬底，所述衬底具有相对的第一面和第二面，所述衬底包括相互分立的若干有源区，所述有源区在第一方向上延伸，所述有源区包括若干相互独立且沿第一方向排列的沟道区；在每个有源区内形成若干字线栅结构，每个字线栅结构与1个沟道区邻接，所述若干字线栅结构沿第二方向贯穿所述有源区，所述第二方向垂直于所述第一方向；形成若干字线栅结构之后，在所述第一面形成第一器件层；在所述第一器件层上形成第一介电层；在所述第一介电层内形成若干应力调节结构；形成所述若干应力调节结构后，在所述第二面形成第二器件层。从而，减少了动态随机存取存储器的翘曲，提高了存储器可靠性。可靠性。可靠性。


技术研发人员：华文宇 张帜
受保护的技术使用者：芯盟科技有限公司
技术研发日：2022.01.28
技术公布日：2022/5/5