显示面板以及显示面板的写入方法与流程

1.本技术涉及显示技术领域，尤其是涉及一种显示面板以及显示面板的写入方法。


背景技术：

2.一般情况下，每片玻璃因为制程不能做到完全一致，会导致产生的亮度偏差(mura)现象也不完全一致。因此，自动伽马值(auto-gamma)和demura补偿数据都是要跟随玻璃端出货，以便于面板厂商做消除亮度偏差即demura补偿，消除背光不均匀、充电不均匀等因素导致的暗团。demura补偿是对于面板机构/制程等原因所发生的亮度偏差(mura)进行补偿，使得画面变得更加均匀的方法。
3.在做demura补偿时，需要将每一片玻璃的demura补偿数据和auto-gamma数据放在要出给客户的产品上，而在做demura补偿的过程中，会出现一次demura补偿做完后，治具板上的伽马数据被改变的情况，进而影响下一次demura补偿。


技术实现要素：

4.本技术提供一种显示面板以及显示面板的写入方法，该显示面板在做消除亮度偏差时，能够解决治具板上的伽马数据变化的问题。
5.为解决上述技术问题，本技术提供的第一个技术方案为：提供一种显示面板，显示面板包括：包括电源管理电路，所述电源管理电路包括驱动电路、主控电路，所述主控电路连接所述驱动电路；所述电源管理电路还包括：控制电路；其中，所述驱动电路包括非易失性存储器以及缓存器，所述非易失性存储器存储所述显示面板的第一伽马电压值；所述控制电路与所述驱动电路连接，控制所述驱动电路处于第一状态时，将所述主控单元获取到的第二伽马电压值存储到所述缓存器中，以保护所述第一伽马电压值不被改写。
6.电源管理电路，电源管理电路包括驱动电路、主控电路以及控制电路，驱动电路包括非易失性存储器以及缓存器，主控电路连接驱动电路；非易失性存储器存储显示面板的第一伽马电压值；控制电路与驱动电路连接，控制驱动电路处于第一状态时，将主控单元获取到的第二伽马电压值存储到缓存器中，以保护第一伽马电压值不被改写。
7.其中，控制电路控制驱动电路接收到低电压信号，以使非易失性存储器为写保护状态，进而保护第一伽马电压值不被改写。
8.其中，控制电路包括：下拉电路，一端与驱动电路以及外接控制电源连接，另一端连接地电压端；第一开关电路，连接在下拉电路与地电压端之间，控制下拉电路与地电压端之间的导通与关断，且，第一开关电路闭合时，下拉电路导通，驱动电路处于第一状态。
9.其中，控制电路还包括：上拉电路，一端连接外接控制电源，另一端与驱动电路以及下拉电路的一端连接；第二开关电路，连接在上拉电路与驱动电路之间，控制上拉电路与驱动电路的导通与关断，且，第二开关电路闭合时，上拉电路导通，驱动电路处于第二状态；其中，驱动电路处于第二状态时，主控电路将第一伽马电压值写入至非易失性存储器。
10.其中，显示面板还包括：代码存储器，代码存储器包括闪存单元，闪存单元与主控
电路连接，主控电路从闪存单元中获取第二伽马电压值。
11.其中，显示面板还包括逻辑连接器；逻辑连接器与代码存储器以及电源管理电路连接。
12.为解决上述技术问题，本技术提供的第一个技术方案为：提供一种显示面板的写入方法，显示面板包括电源管理电路，电源管理电路包括驱动电路、主控电路以及控制电路，驱动电路包括非易失性存储器以及缓存器，主控电路连接驱动电路；写入方法包括：将第一伽马电压值存储到非易失性存储器中；通过控制电路控制驱动电路处于第一状态，基于第一状态将主控单元获取到的第二伽马电压值存储到缓存器中，以保护第一伽马电压值不被改写。
13.其中，通过控制电路控制驱动电路处于第一状态的步骤，包括：通过控制电路向驱动电路输入低电压信号，控制驱动电路处于第一状态，以及控制非易失性存储器为写保护状态。
14.其中，基于第一状态将主控单元获取到的第二伽马电压值存储到缓存器的步骤，包括：响应于第二伽马电压值与第一伽马电压值的差值小于预设值，将第二伽马电压值存储到缓存器中。
15.其中，将第一伽马电压值存储到非易失性存储器中的步骤，包括：通过控制电路控制驱动电路处于第二状态，基于第二状态将第一伽马电压值存储到非易失性存储器中。
16.本技术的有益效果，区别于现有技术，本技术的电源管理电路包括驱动电路、主控电路以及控制电路，驱动电路包括非易失性存储器以及缓存器，主控电路连接驱动电路；非易失性存储器存储显示面板的第一伽马电压值；控制电路与驱动电路连接，控制驱动电路处于第一状态时，将主控单元获取到的第二伽马电压值存储到缓存器中，以保护第一伽马电压值不被改写。该显示面板在做消除亮度偏差时，能够解决治具板上的伽马数据变化的问题。保证每次做完消除亮度偏差，治具板上的伽马值都不变，有效的避免了产线治具难以管控的情况。
附图说明
17.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：
18.图1为本技术实施例一的显示面板的结构示意图；
19.图2为图1中控制电路的一实施例的结构示意图；
20.图3为图1中控制电路的另一实施例的结构示意图；
21.图4为本技术实施例二的显示面板的结构示意图；
22.图5为本技术第三实施例的显示面板的写入方法的流程示意图；
23.1：电源管理电路、11：驱动电路、12：控制电路、13：主控电路、21：非易失性存储器、22：缓存器、121：下拉电路、122：第一开关电路、123：上拉电路、124：第二开关电路、2：代码存储器、20：闪存单元、3：逻辑连接器。
具体实施方式
24.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
25.实施例一
26.请参见图1，为本技术实施例一的显示面板的结构示意图。本技术的显示面板包括电源管理电路1，电源管理电路1包括驱动电路11、主控电路13以及控制电路12。其中，主控电路13连接驱动电路11，控制电路12连接驱动电路11。
27.驱动电路11包括非易失性存储器21以及缓存器22。非易失性存储器21存储显示面板的第一伽马电压值。控制电路12控制驱动电路11处于第一状态时，将主控电路3获取到的第二伽马电压值存储到缓存器22中。
28.进一步的，控制电路12控制驱动电路11接收到低电平信号，以使得驱动电路11中的非易失性存储器21为写保护状态，进而保护非易失性存储器21存储的第一伽马电压值不被改写。
29.本技术中，将第一伽马电压值存储在非易失性存储器21中，将第二伽马电压值存储在缓存器22中，缓存器22具有断电后数据丢失的特征，而非易失性存储器21具有断电后不丢失的特点，且本技术设置了非易失性存储器21的写保护，在将第二伽马电压值写入缓存器22中时，开启了非易失性存储器21的写保护，避免将第二伽马电压值写入非易失性存储器21中，保证非易失性存储器21存储的第一伽马电压值不被改写。这样每次做完消除亮度偏差，都能保证治具板(也即电源管理电路)上的伽马电压一致，也即每次做完消除亮度偏差，非易失性存储器21上都存储的是治具板(也即电源管理电路)上的伽马电压，有效的避免了产线治具难以管控的情况。需要说明的是，demura补偿也即消除亮度偏差是对于面板机构/制程等原因所发生的亮度偏差(mura)进行补偿，使得画面变得更加均匀的方法。
30.请参见图2，为本技术显示面板的控制电路的一实施例的结构示意图，本实施例中，控制电路12包括：下拉电路121以及第一开关电路122。其中，下拉电路121的一端与驱动电路11以及外接控制电源vcc连接，下拉电路121的另一端连接地电压端gnd。第一开关电路122连接在下拉电路与地电压端gnd之间。第一开关电路122控制下拉电路121与地电压端gnd之间的导通与关断，在第一开关电路122闭合时，下拉电路121导通，此时驱动电路11处于第一状态。具体的，下拉电路121导通时，驱动电路11的b端口的电压被拉低，也即b端口接收到低电压信号。
31.本技术中，在下拉电路121导通时，驱动电路11的b端口接收到低电压信号，非易失性存储器21处于写保护状态，此时主控电路13将获取的第二伽马电压值写入缓存器22中，以避免非易失性存储器21中存储的第一伽马电压值被改写。这样每次做完消除亮度偏差，都能保证治具板(也即电源管理电路)上的伽马电压一致，也即每次做完消除亮度偏差，非易失性存储器21上都存储的是治具板(也即电源管理电路)上的伽马电压，有效的避免了产线治具难以管控的情况。
32.请参见图3，为本技术显示面板的控制电路的另一实施例的结构示意图，与上述图2所示的实施例相比，区别在于，本实施例中，控制电路12还包括：上拉电路123以及第二开
关电路124。其中，上拉电路123一端连接外接控制电源vcc，另一端与驱动电路11以及下拉电路121的一端连接。第二开关电路124连接在上拉电路123与驱动电路11之间，控制上拉电路123与驱动电路11的导通与关断。在第二开关电路124闭合时，上拉电路123导通，驱动电路11处于第二状态。
33.具体的，本实施例中，驱动电路11处于第二状态时，主控电路13将第一伽马电压值写入至非易失性存储器21。可以理解的，在上拉电路123导通时，驱动电路11的b端口电压被外接控制电源vcc拉高，也即此时驱动电路11的b端口接收到高电压信号，非易失性存储器21不处于写保护状态，此时将第一伽马电压值写入至非易失性存储器21。
34.可以理解的，在控制非易失性存储器21不处于写保护状态，且将第一伽马电压值写入至非易失性存储器21中后，控制非易失性存储器21处于写保护状态，以避免将第一伽马电压值改写。这样每次做完消除亮度偏差，都能保证治具板(也即电源管理电路)上的伽马电压一致，也即每次做完消除亮度偏差，非易失性存储器21上都存储的是治具板(也即电源管理电路)上的伽马电压，有效的避免了产线治具难以管控的情况。
35.实施例二：
36.请参见图4，为本技术实施例二的显示面板的结构示意图，与图1所示的实施例相比，区别在于，本实施例还包括代码存储器2以及将代码存储器与电源管理电路1连接的逻辑连接器3。
37.其中，代码存储器2包括闪存单元20，闪存单元20与主控电路13连接。具体的，闪存单元20与主控电路13通过逻辑连接器3连接。主控电路13从闪存单元20中获取第二伽马电压值，并将第二伽马电压值写入至缓存器22中。
38.逻辑连接器3与代码存储器2以及电源管理电路1连接。在一具体实施例中，代码存储器2设置有连接器m，电源管理电路1设置有连接器n，逻辑连接器3将连接器m与连接器n连接，进而将代码存储器2与电源管理电路1连接。如图4所示，闪存单元20与连接器m连接，主控电路13与连接器n连接，从而通过逻辑连接器3将闪存单元20与主控电路13连接。
39.在本技术中，在上拉电路123导通时，驱动电路11的b端口接收到高电压信号，此时非易失性存储器21不处于写保护状态，此时主控电路13将显示面板的第一伽马电压值写入至非易失性存储器21中。然后切换下拉电路121导通，在下拉电路121导通时，驱动电路11的b端口接收到低电压信号，此时非易失性存储器21处于写保护状态，主控电路13从闪存单元20中获取第二伽马电压值，将第二伽马电压值写入缓存器22中，以避免第二伽马电压值将第一伽马电压值覆盖，进而防止第一伽马电压值被改写。这样每次做完消除亮度偏差，都能保证治具板(也即电源管理电路)上的伽马电压一致，也即每次做完消除亮度偏差，非易失性存储器21上都存储的是治具板(也即电源管理电路)上的伽马电压，有效的避免了产线治具难以管控的情况。
40.在本技术的另一实施例中，电源管理电路1还包括i2c电路，主控电路13从闪存单元20中获取第二伽马电压值，利用i2c电路对第二伽马电压值进行转换，并计算出第二伽马电压值的crc值，将该crc值与非易失性存储器21中写入的第一伽马电压值对应的crc值进行比较，在第二伽马电压值的crc值与第一伽马电压值对应的crc值的差小于预设值时，将第二伽马电压值的crc值与第二伽马电压值写入至缓存器22中。
41.需要说明的是，本技术的驱动电路11采用的是将将电源芯片(power ic)、伽马芯
片(gamma ic)、电平转换芯片(level shifter ic)的功能合并的芯片，以此能够节约成本。
42.请参见图5，为本技术第三实施例的显示面板的写入方法的流程示意图，具体包括：
43.步骤s51：将第一伽马电压值存储到非易失性存储器中。
44.步骤s52：通过控制电路控制驱动电路处于第一状态，基于第一状态将主控单元获取到的第二伽马电压值存储到缓存器中，以保护第一伽马电压值不被改写。
45.本实施例的写入方法基于上述图1至图4任一实施例的显示面板进行。具体的，显示面板包括电源管理电路1，电源管理电路1包括驱动电路11、主控电路13以及控制电路12。其中，主控电路13连接驱动电路11，控制电路12连接驱动电路11。
46.驱动电路11包括非易失性存储器21以及缓存器22。非易失性存储器21存储显示面板的第一伽马电压值。控制电路12控制驱动电路11处于第一状态时，将主控电路13获取到的第二伽马电压值存储到缓存器22中。
47.进一步的，控制电路12控制驱动电路11接收到低电平信号，以使得驱动电路11中的非易失性存储器21为写保护状态，进而保护非易失性存储器21存储的第一伽马电压值不被改写。
48.本技术中，将第一伽马电压值存储在非易失性存储器21中，将第二伽马电压值存储在缓存器22中，缓存器22具有断电后数据丢失的特征，而非易失性存储器21具有断电后不丢失的特点，且本技术设置了非易失性存储器21的写保护，在将第二伽马电压值写入缓存器22中时，开启了非易失性存储器21的写保护，避免将第二伽马电压值写入非易失性存储器21中，保证非易失性存储器21存储的第一伽马电压值不被改写。这样每次做完消除亮度偏差，都能保证治具板(也即电源管理电路)上的伽马电压一致，也即每次做完消除亮度偏差，非易失性存储器21上都存储的是治具板(也即电源管理电路)上的伽马电压，有效的避免了产线治具难以管控的情况。
49.在一实施例中，通过控制电路控制驱动电路处于第一状态的步骤，包括：通过控制电路向驱动电路输入低电压信号，控制驱动电路处于第一状态，以及控制非易失性存储器为写保护状态。
50.具体的，控制电路12包括：下拉电路121以及第一开关电路122。其中，下拉电路121的一端与驱动电路11以及外接控制电源vcc连接，下拉电路121的另一端连接地电压端gnd。第一开关电路122连接在下拉电路与地电压端gnd之间。第一开关电路122控制下拉电路121与地电压端gnd之间的导通与关断，在第一开关电路122闭合时，下拉电路121导通，此时驱动电路11处于第一状态。具体的，下拉电路121导通时，驱动电路11的b端口的电压被拉低，也即b端口接收到低电压信号。
51.本技术中，在下拉电路121导通时，驱动电路11的b端口接收到低电压信号，非易失性存储器21处于写保护状态，此时主控电路13将获取的第二伽马电压值写入缓存器22中，以避免非易失性存储器21中存储的第一伽马电压值被改写。
52.在一实施例中，将第一伽马电压值存储到非易失性存储器中的步骤，包括：通过控制电路控制驱动电路处于第二状态，基于第二状态将第一伽马电压值存储到非易失性存储器中。
53.具体的，控制电路12还包括：上拉电路123以及第二开关电路124。其中，上拉电路
123一端连接外接控制电源vcc，另一端与驱动电路11以及下拉电路121的一端连接。第二开关电路124连接在上拉电路123与驱动电路11之间，控制上拉电路123与驱动电路11的导通与关断。在第二开关电路124闭合时，上拉电路123导通，驱动电路11处于第二状态。
54.具体的，本实施例中，驱动电路11处于第二状态时，主控电路13将第一伽马电压值写入至非易失性存储器21。可以理解的，在上拉电路123导通时，驱动电路11的b端口电压被外接控制电源vcc拉高，也即此时驱动电路11的b端口接收到高电压信号，非易失性存储器21不处于写保护状态，此时将第一伽马电压值写入至非易失性存储器21。
55.可以理解的，在控制非易失性存储器21不处于写保护状态，且将第一伽马电压值写入至非易失性存储器21中后，控制非易失性存储器21处于写保护状态，以避免将第一伽马电压值改写。
56.在一实施例中，进一步将第二伽马电压值与第一伽马电压值进行比较，在第二伽马电压值与第一伽马电压值的差值小于预设值时，将第二伽马电压值存储到缓存器中。
57.具体的，电源管理电路1还包括i2c电路，主控电路13从闪存单元20中获取第二伽马电压值，利用i2c电路对第二伽马电压值进行转换，并计算出第二伽马电压值的crc值，将该crc值与非易失性存储器21中写入的第一伽马电压值对应的crc值进行比较，在第二伽马电压值的crc值与第一伽马电压值对应的crc值的差小于预设值时，将第二伽马电压值的crc值与第二伽马电压值写入至缓存器22中。
58.需要说明的是，本技术的驱动电路11采用的是将将电源芯片(power ic)、伽马芯片(gamma ic)、电平转换芯片(level shifter ic)的功能合并的芯片，以此能够节约成本。
59.以上仅为本技术的实施方式，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本技术的专利保护范围内。