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一种真空镀膜系统及镀膜方法与流程

2022-04-30 18:22:34 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种等离子体真空镀膜系统,包括涂层机及安装在所述涂层机的阴极装置,所述涂层机提供阳极,其特征在于,所述阴极装置包括靶台、靶材、空腔辅助阳极、第一脉冲电源、直流弧电源、第二脉冲电源、双极脉冲等离子体震荡器,所述靶材设于所述靶台表面,所述靶材外侧设有通道,所述空腔辅助阳极设于所述通道中,所述第一脉冲电源的正极与所述空腔辅助阳极电连接,所述第一脉冲电源的负极与所述靶材电连接,在所述第一脉冲电源的作用下,所述空腔辅助阳极产生等离子体,所述直流弧电源的正极电连接所述阳极,所述直流弧电源的负极与所述靶材电连接,所述第二脉冲电源的正极电连接所述阳极,所述第二脉冲电源的负极与工件电连接形成阴极,所述双极脉冲等离子体震荡器位于所述靶材与所述工件之间,所述双极脉冲等离子体震荡器可横向产生振荡型等离子体。2.如权利要求1所述的等离子体真空镀膜系统,其特征在于,所述双极脉冲等离子体震荡器包括震荡器正极、震荡器负极和双极脉冲电源,所述双极脉冲电源的正极电连接所述震荡器正极,所述双极脉冲电源的负极电连接所述震荡器负极,所述双极脉冲等离子体震荡器可对所述空腔辅助阳极和所述靶材产生等离子体进行轰击。3.如权利要求2所述的等离子体真空镀膜系统,其特征在于,所述双极脉冲等离子体震荡器还包括陶瓷屏蔽环,所述陶瓷屏蔽环与所述震荡器正极、所述震荡器负极配合使用,以保护所述震荡器正极和所述震荡器负极。4.如权利要求1所述的等离子体真空镀膜系统,其特征在于,还包括限位环,所述限位环围绕所述靶材设置且与所述靶材之间设有通道。5.如权利要求1所述的等离子体真空镀膜系统,其特征在于,还包括绝缘环,所述靶材对应所述空腔辅助阳极的一侧设置所述绝缘环。6.如权利要求1所述的等离子体真空镀膜系统,其特征在于,所述空腔辅助阳极包括管道本体,所述管道本体具有空腔且呈环形结构,所述管道本体开设有贯穿部。7.如权利要求6所述的等离子体真空镀膜系统,其特征在于,所述管道本体上开设若干管孔形成所述贯穿部;或所述管道本体上开设槽孔形成所述贯穿部。8.一种等离子体真空镀膜方法,其特征在于,采用如权利要求1-7任一项所述的等离子体真空镀膜系统实现,其步骤包括:(1)将所述阴极装置安装在所述涂层机上,抽真空后往通道内送入工作气体;(2)开启所述直流弧电源,使得所述靶材表面起弧,产生第二等离子体;(3)开启所述第一脉冲电源,所述空腔辅助阳极产生第一等离子体,开启所述双极脉冲等离子体震荡器产生振荡型等离子体,在所述第二脉冲电源的作用下,高度离化的等离子体朝所述工件运动,在所述工件上沉积形成第一涂层。9.如权利要求8所述的等离子体真空镀膜方法,其特征在于,步骤(1)和步骤(2)之间还包括步骤:开启所述第一脉冲电源,在脉冲偏压的电场作用下,所述空腔辅助阳极产生第一等离子体,开启所述双极脉冲等离子体震荡器产生振荡型等离子体,开启所述第二脉冲电源,促使第一等离子体向所述工件方向运动,对所述工件进行清洗和蚀刻,完成清洗和蚀刻之后关闭所述第一脉冲电源和所述双极脉冲等离子体震荡器。10.如权利要求8所述的等离子体真空镀膜方法,其特征在于,还包括步骤(4):改变所
述工作气体的种类,在所述工件上沉积形成第二涂层。

技术总结
本发明公开一种等离子体真空镀膜系统和镀膜方法,包括涂层机及阴极装置,涂层机提供阳极,阴极装置包括靶台、靶材、空腔辅助阳极、第一脉冲电源、直流弧电源、第二脉冲电源和双极脉冲等离子体震荡器,靶材外侧设有通道,第一脉冲电源的正极与空腔辅助阳极电连接,第一脉冲电源的负极与靶材电连接,直流弧电源的正极电连接阳极,直流弧电源的负极与靶材电连接,第二脉冲电源的正极电连接阳极,第二脉冲电源的负极与工件电连接形成阴极,双极脉冲等离子体震荡器可横向产生振荡型等离子体。本发明能够实现弧光等离子体的横向和纵向的立体轰击,提高离化效率,避免产生液滴,沉积为无液滴的高硬、高致密涂层。高致密涂层。高致密涂层。


技术研发人员:曹时义 王俊锋 周敏
受保护的技术使用者:广东鼎泰高科技术股份有限公司
技术研发日:2021.12.30
技术公布日:2022/4/29
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