一种硬轴单晶炉的晶棒防撞结构的制作方法

1.本技术涉及单晶炉技术领域，尤其是涉及一种硬轴单晶炉的晶棒防撞结构。


背景技术：

2.随着半导体行业和光伏行业的发展，对单晶硅提出了更大的市场需求，目前直拉法生长单晶硅是目前生产单晶硅最广泛的应用技术，直拉法生长单晶硅时，单晶炉为核心生产设备，单晶炉包括加热器、坩埚和提拉头，通过加热器对放在坩埚中的硅料加热至熔体，提拉头提拉头将籽晶浸入硅熔体中，在籽晶下方生长并提拉单晶棒。在一根晶棒拉晶结束之后，主炉室内的坩埚中的硅原料量不足，则需要向坩埚中添加硅原料，增加硅原料需要先拆卸下副炉室，再从主炉室的顶部投入硅料。
3.现有技术中，单晶炉内具有隔板，隔板的作用是在向坩埚加料之后封闭主炉室，等待副炉室装上之后，且副炉室内环境与主炉室内环境一致后，再打开隔板进行下一次拉晶，从而防止空气进入主炉室而氧化硅原料；但现有技术中的隔板通过上下翻转的形式连接于主炉室或副炉室上，在拉晶过程中往往会产生震动，单晶炉震动导致隔板摇晃而撞到拉晶装置或晶棒。
4.因此，现有技术的技术问题在于：隔板存在撞到拉晶装置或晶棒的可能。


技术实现要素：

5.本技术提供硬轴炉，解决了现有技术中隔板存在撞到拉晶装置或晶棒的技术问题；达到避免隔板存在撞到拉晶装置或晶棒的技术效果。
6.本技术提供的一种硬轴单晶炉的晶棒防撞结构，采用如下的技术方案：
7.一种硬轴单晶炉的晶棒防撞结构，应用于单晶炉本体内，所述单晶炉本体，所述单晶炉本体包括：主炉室，所述主炉室内具有主炉腔；副炉室，所述副炉室位于所述主炉室的正上方，所述副炉室与所述主炉室的顶部连接，所述副炉室内具有副炉腔，且所述副炉腔与所述主炉腔连通；以及机架，机架位于所述单晶炉本体的外围；所述晶棒防撞结构包括：隔板，所述隔板位于所述主炉室和所述副炉室之间，所述隔板与所述主炉室的顶部连接，所述隔板具有水平转动的自由度，使得所述隔板能够隔绝所述主炉腔和所述副炉腔；拉晶装置，所述拉晶装置包括：轴主体，所述轴主体位于所述单晶炉本体内，且滑移连接于所述机架上，所述轴主体硬性质地，且呈竖直方向布置；所述轴主体具有竖直方向移动的自由度和绕轴旋转的自由度；驱动机构，所述驱动机构连接于所述机架上，所述驱动机构连接并作用于所述轴主体，所述驱动机构用于驱动所述轴主体升降或旋转。
8.作为优选，所述主炉室与副炉室之间设置有密封的连接室，所述连接室分别与所述主炉室、副炉室连接，所述隔板是内具有连接腔，所述隔板位于所述连接腔内，所述连接腔分别与所述主炉腔、副炉腔连通；所述连接室外设置有隔板驱动组件，所述隔板驱动组件连接并作用于所述隔板，用于驱动所述隔板水平转动。
9.作为优选，所述连接室包括第一部和第二部，所述第一部位于所述主炉室的正上
方，所述第二部位于所述第一部的水平方向的一侧；所述隔板受控于所述隔板驱动组件转动形成有位于第一部内的第一工位和位于第二部内的第二工位，所述隔板位于第一工位时，所述主炉腔与所述副炉腔被所述隔板所隔绝；所述隔板位于第二工位时，所述主炉腔与所述副炉腔连通。
10.作为优选，所述隔板驱动组件包括：旋转轴，所述旋转轴呈竖直方向布置，所述旋转轴可调式的连接于所述连接室上；第一杆，所述第一杆位于所述连接腔内，所述第一杆的第一端固定连接于所述旋转轴上，所述第一杆的第二端固定连接于所述隔板上；第一驱动件，所述第一驱动件位于所述连接腔外，所述第一驱动件连接并作用于所述旋转轴，用于驱动所述旋转轴升或降；以及第二驱动件，所述第二驱动件位于所述连接腔外，所述第二驱动件连接并作用于所述旋转轴，用于驱动所述旋转轴绕轴旋转。
11.作为优选，所述第一驱动件为第一气缸，所述第二驱动件为第二气缸；所述第一气缸固定连接于所述连接室外，且所述第一气缸作用于所述旋转轴的顶部；所述第二气缸固定于连接于所述连接室外，且所述第二气缸与所述旋转轴之间连接有连接体，所述第二气缸作用于所述连接体，使得所述旋转轴被驱动旋转。
12.作为优选，所述隔板与所述主炉室之间设置有第一密封圈，所述第一密封圈连接于所述主炉室的顶部，通过所述第一驱动件使得所述第一密封圈与所述隔板相抵触；或所述隔板与所述主炉室之间设置有第一密封圈，所述第一密封圈连接于所述隔板的底面，通过所述第一驱动件使得所述第一密封圈与所述主炉室的顶部相抵触。
13.作为优选，所述隔板内设置有冷却组件，所述冷却组件包括：流道，所述流道形成于所述隔板内部，所述流道用于冷却介质流通；所述流道具有入口和出口；介质管道，所述介质管道位于所述连接腔的内部，所述介质管道具有两根，所述介质管道分别对应与所述入口和所述出口连接。
14.作为优选，所述旋转轴内设置有通道，所述通道数量与所述介质管道相同，且所述通道对应的与所述介质管道连接，通过所述通道使得所述流道与外部冷却介质连通。
15.作为优选，所述驱动机构包括提升组件，所述提升组件包括：轴体座，所述轴体座与所述轴主体连接，且所述轴体座滑移连接于所述机架上；提升件，所述提升件连接并作用于所述轴体座，通过所述提升件使得所述轴体座可在所述机架上升降。
16.作为优选，所述驱动机构还包括旋转组件，所述旋转组件包括：旋转件，所述旋转件固定连接于所述轴体座上，且作用于所述轴主体上，通过所述旋转件使得所述轴主体可旋转。
17.综上所述，本技术包括以下至少一种有益技术效果：
18.1、本技术在主炉室和副炉室至设置了隔板，在下一次拉晶之前，利用隔板将主炉腔和副炉腔隔绝，以使得主炉腔内和副炉腔内的环境相同，防止空气进入主炉腔内而氧化硅原料；进一步的，本技术中的隔板以水平旋转设置，通过水平旋转的形式使得主炉腔和副炉腔连通或隔绝，防止隔板在震动作用下与轴主体或晶棒发生碰撞。解决了现有技术中隔板存在撞到拉晶装置或晶棒的技术问题；达到避免隔板存在撞到拉晶装置或晶棒的技术效果。
19.2、本技术中在主炉室和副炉室之间连接有连接室，连接室具有容置第一工位的第一部和容置第二工位的第二部，将隔板所在区域与外部空间所隔绝，提高单晶炉本体整体
的气密效果。
20.3、在隔板驱动组件的驱动下，以驱动隔板在第一工位和第二工位之间移动，从而实现主炉室与副炉室之间的连通或隔绝。例如从第二工位旋转至第一工位的过程中，首先通过第二气缸驱动旋转轴转动，将隔板转动至主炉室的正上方，再通过第一气缸驱动隔板下降，直至隔板与主炉室顶部的第一密封圈相抵触，通过第一气缸和第二气缸的配合驱动，使得隔板位于主炉室的正上方之后驱动隔板下压，隔板与主炉室顶部之间的通过第一密封圈充分密封，从而提高主炉腔和副炉腔之间的隔绝效果。
21.4、在隔板上设置了冷却组件，冷却组件通过冷却介质与隔板进行热交换，实现对隔板的冷却，减小隔板由于温度过高而造成形变，防止隔板形变而减弱对主炉腔和副炉腔的隔绝效果。
22.5、在旋转轴的内部开设有通道，外部介冷却介质通过通道与介质管道连通，避免介质管道在连接室上单独开设用于与外部介质连通的孔，无需在连接室上打通孔也能够使得介质管道与外部介质源连通，以提高连接室的密封性。
附图说明
23.图1是本技术所述硬轴单晶炉的总装示意图；
24.图2是本技术所述硬轴单晶炉的副炉室示意图；
25.图3是本技术所述硬轴单晶炉的连接室示意图；
26.图4是图3中a的放大图；
27.图5是本技术所述一种硬轴单晶炉的晶棒防撞结构的隔板的第一工位示意图；
28.图6是本技术所述一种硬轴单晶炉的晶棒防撞结构的隔板的第二工位示意图；
29.图7是本技术所述一种硬轴单晶炉的晶棒防撞结构的隔板驱动组件示意图；
30.图8是本技术所述一种硬轴单晶炉的晶棒防撞结构的隔板驱动组件的结构示意图；
31.图9是本技术所述一种硬轴单晶炉的晶棒防撞结构的隔板的冷却组件示意图；
32.图10是本技术所述一种硬轴单晶炉的晶棒防撞结构的隔板中冷却组件的流道示意图；
33.图11是本技术所述硬轴单晶炉的机架示意图；
34.图12是本技术所述一种硬轴单晶炉的晶棒防撞结构的调节组件示意图；
35.图13是图12中b的放大图；
36.图14是图12的剖视图；
37.图15是图14中c的放大图；
38.图16是本技术所述硬轴单晶炉的拉晶装置示意图；
39.图17是图16的剖视图；
40.图18是本技术所述硬轴单晶炉的拉晶装置中滑移组件示意图；
41.图19是图17中d的放大图；
42.图20是图17中e的放大图；
43.图21是图17中f的放大图；
44.图22是本技术所述硬轴单晶炉的拉晶装置中第二顶块组件示意图；
45.图23是本技术所述硬轴单晶炉的拉晶装置的俯视图。
46.附图标记说明：100、单晶炉本体；101、主炉室；102、副炉室；1021、副炉腔；1022、门板；103、连接室；1031、连接腔；1032、第一部；1033、第二部；1034、上法兰；1035、下法兰；1036、锁紧螺栓；1037、锁紧块；1038、锁紧螺母；104、隔板；1041、第一工位；1042、第二工位；105、隔板驱动组件；1051、第一驱动件；1052、旋转轴；1053、第一杆；1054、第二驱动件；1055、连接体；1056、转轴；1057、把手；106、冷却组件；1061、流道；1062、介质管道；1063、通道；1064、入口；1065、出口；200、机架；201、第一机架；2011、第一基准板；2012、通槽；202、第二机架；2021、第二基准板；203、调平板；204、调平组件；2041、调节杆；2042、调节座；2043、第一调节块；2044、第二调节块；2045、调节驱动件；205、第一顶块组件；2051、第一顶块座；2052、第一顶块；206、第二顶块组件；2061、第二顶块座；2062、第二顶块；300、拉晶装置；301、轴主体；302、提升组件；3021、轴体座；3022、丝杆；3023、第三电机；303、旋转组件；3031、第一轴承座；3032、第一轴承；3033、第一电机；3034、第一同步带；3035、第一从动轮；3036、第二轴承座；3037、第二轴承；3038、第二电机；3039、第二同步带；3030、第二从动轮；304、滑移组件；3041、滑轨；3042、滑块；3051、密封套管；3052、第二密封圈。
具体实施方式
47.本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本技术所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
48.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
49.本技术实施例提供硬轴炉，解决了现有技术中隔板存在撞到拉晶装置或晶棒的技术问题；达到避免隔板存在撞到拉晶装置或晶棒的技术效果。
50.为了更好的理解上述技术方案，下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
51.单晶炉用于生产晶体从而得到较长的晶棒，一般将硅原料加热至熔融状态后，利用一用籽晶从上方缓慢吊入硅液，经过缩颈、放肩工序后进行等径生长，从而得到较长的晶棒。相关技术中，籽晶一般通过一钨合金缆绳与外部的提升设备和旋转设备连接，其中，提升设备用于驱动籽晶和晶棒上升，旋转设备用于驱动籽晶和晶棒旋转，在籽晶和晶棒旋转过程中，会连同钨合金缆绳一起旋转，由于钨合金缆绳具有一定的柔性，使得钨合金缆绳容晃动、摇摆，在晶棒生长过程中，旋转设备驱动晶棒转动，由于存在位置精度误差或机械震
动的原因，旋转中心和钨合金缆绳不重合，晶棒在旋转提升过程中，导致晶棒产生偏离旋转中心的摆动和摇晃，由于钨合金缆绳易形变，钨合金缆绳上会产生从上往下逐渐增大的晃动效果，因此钨合金缆绳晃动是传统单晶炉存在问题，因此本技术提出一种硬轴炉，利用硬性质地的轴主体301代替传统的钨合金缆绳，有效防止晶体晃动。
52.进一步的，传统单晶炉存在的问题还有：上下翻动式的隔板104，在单晶炉机械震动的环形下容易与晶体、钨合金缆绳或轴主体301发生碰撞。具体的，单晶炉一般包括位于下方的主炉室101和副炉室102，副炉室102连接于主炉室101的正上方，在经过一次拉晶之后，主炉室101内硅原料减少，需要向主炉室101中添加硅原料，需要先拆卸下副炉室102，再从主炉室101的顶部投入硅料；在下一次拉晶之前，需要利用隔板104将主炉腔和副炉腔1021隔绝，待副炉腔1021内的环境与主炉室101内的环形相同时再打开隔板104，环境是指内部的气压、氩气浓度等，防止主炉室101内和副炉室102内环境不同而影响晶棒品质。为了解决传动单晶炉中晶体晃动的问题，本技术提出一种利用硬性质地的轴主体301代替传统的钨合金缆绳的方法，轴主体301相对于钨合金缆绳而言，轴主体301的体积和直径更大，在单晶炉工作时，机械震动的作用下，上下翻动式的隔板104更容易与轴主体301发生碰撞，使得轴主体301的外壁造成损伤。
53.因此本技术提出一种水平旋转隔板104的方式，防止在单晶炉的机械震动作用下与轴主体301发生碰撞，由于隔板104的大小应当大于或等于主炉室101和副炉室102的连接口，因此，主炉室101和副炉室102内部连通时，隔板104的位置势必向外旋转，然而，在单晶炉工作时需要保证其气密性，防止空气进入氧化硅原料，因此对单晶炉的隔板104以及隔板104周围部分的密封工作有了进一步要求。同时，传统的单晶炉的隔板104不具有冷却结构，在温度较高的单晶炉内部容易发生形变，而导致主炉室101和副炉室102隔绝效果不佳，因此，还需要在不影响单晶炉的隔板104以及隔板104周围部分的密封效果的情况下实现对隔板104的冷却，都是亟待解决的问题。
54.硬轴单晶炉，如图1所示，硬轴单晶炉利用硬性质地的轴主体301代替传统的钨合金缆绳，利用硅原料生产硅晶棒。一种硬轴单晶炉的晶棒防撞结构，应用于单晶炉本体100内，单晶炉本体100，单晶炉本体100包括：主炉室101，主炉室101内具有主炉腔；副炉室102，副炉室102位于主炉室101的正上方，副炉室102与主炉室101的顶部连接，副炉室102内具有副炉腔1021，且副炉腔1021与主炉腔连通；以及机架200，机架200位于单晶炉本体100的外围；晶棒防撞结构包括：隔板104，隔板104位于主炉室101和副炉室102之间，隔板104与主炉室101的顶部连接，隔板104具有水平转动的自由度，使得隔板104能够隔绝主炉腔和副炉腔1021；拉晶装置300，拉晶装置300包括：轴主体301，轴主体301位于单晶炉本体100内，且滑移连接于机架200上，轴主体301硬性质地，且呈竖直方向布置；轴主体301具有竖直方向移动的自由度和绕轴旋转的自由度；驱动机构，驱动机构连接于机架200上，驱动机构连接并作用于轴主体301，驱动机构用于驱动轴主体301升降或旋转。
55.机架200位于单晶炉本体100的外围，单晶炉本体100内具有熔融状态的硅原料，拉晶装置300固定于机架200上，用于对单晶炉本体100内的硅原料进行引晶和拉晶。
56.单晶炉本体100，如图1所示，单晶炉本体100用于盛放硅原料，并对硅原料加热直至熔融状态。单晶炉本体100包括主炉室101、副炉室102、连接室103、隔板104、隔板驱动组件105以及冷却组件106。主炉室101包括主炉室101本体、加热器、坩埚以及坩埚驱动组件，
主炉室101本体内具有主炉腔，坩埚位于主炉腔内部，坩埚用于盛放硅原料；在主炉室101的内壁上连接有加热器，加热器用于对坩埚进行加热，使得硅原料加热至熔融状态；坩埚驱动组件固定于主炉室101的底部且作用于坩埚，用于驱动坩埚升降。
57.副炉室102，如图1、2所示，副炉室102连接于主炉室101的正上方，用于接收并容纳完成拉晶后的晶棒。副炉室102包括副炉室102本体和门板1022，副炉室102内具有副炉腔1021，副炉腔1021与主炉腔连通，使得晶棒能够从主炉室101腔被上提至副炉腔1021内；副炉腔1021的侧壁上开设有门洞，通过门洞使得副炉腔1021可与外部空间连通；在副炉室102上转动连接有门板1022，门板1022与门洞配合，门板1022用于封闭门洞，通过门板1022使得门洞的开启或关闭；在拉晶过程中，门洞通过门板1022闭合，提高单晶炉本体100内的气密性效果；在拉晶结束之后，通过驱动门板1022旋转，使得门洞打开，利用外部夹具通将晶棒从门洞中取出。
58.连接室103，如图3所示，隔板104连接主炉室101和副炉室102之间，用于容置隔板104并隔绝外部环境。连接室103内部具有连接腔1031，连接腔1031分别与主炉腔、副炉腔1021连通；具体的，连接室103包括第一部1032和第二部1033，第一部1032容置于主炉室101和副炉室102之间，第一部1032的上下设置有开口，分别用于与副炉室102、主炉室101对接连通，第一部1032的顶部通过上法兰1034与副炉室102的底部连接，第一部1032的底部通过下法兰1035与主炉室101的顶部连接，从而使得连接腔1031分别与主炉腔、副炉腔1021连通。第二部1033连接于第一部1032的水平方向的一侧，第二部1033的内部与第一部1032的内部之间连通，共同形成连接腔1031。在一个实施例中，第一部1032和第二部1033之间可以为一体形成，以提高连接室103的密封效果。第一部1032和第二部1033均用于容置隔板104，如图3所示，第一部1032和第二部1033之间连接呈弧形过度，以满足隔板104在连接室103内部弧形转动。
59.可选的，第二部1033连接于第一部1032上的连接方式还可以是可拆卸的方式。如图3、4所示，第二部1033以可拆卸的方式连接于第一部1032上，从而方便连接室103内部隔板104的拆卸或更换。具体的，第一部1032和第二部1033之间设置有连接组件，连接组件包括铰接杆和锁紧件，第二部1033的一侧通过铰接杆铰接于第一部1032上，锁紧件设置于第一部1032和第二部1033之间，用于锁紧或打开第二部1033，锁紧件包括锁紧螺栓1036、锁紧块1037以及锁紧螺母1038，锁紧螺栓1036转动连接于第一部1032上，锁紧块1037固定于第二部1033上，锁紧螺母1038通过螺纹连接于锁紧螺母1038上，锁紧螺母1038在锁紧螺母1038上移动，锁紧螺母1038驱动锁紧块1037朝向第一部1032的方向移动，带动第二部1033向第一部1032靠近并贴合，从而实现第一部1032和第二部1033的连接，其中，在第一部1032和第二部1033之间的连接处之间设置有密封条，以提高连接室103的密封效果。
60.隔板104，隔板104位于连接室103的内部，用于隔绝主炉腔和副炉腔1021。如图3所示，隔板104为一个圆形耐高温材质的圆形板体，可以采用钨合金材质，以抵抗单晶炉内的高温环境。隔板104具有一个水平方向转动的自由度，也就是说，在驱动下，隔板104能够在水平面上以弧形的轨迹实现转动。隔板104位于连接腔1031内，在驱动作用下隔板104在连接腔1031被发生转动，具体的，如图5、6所示，隔板104在受控下形成有第一工位1041和第二工位1042，第一工位1041位于第一部1032内，第一工位1041作为隔板104旋转轨迹的起点，隔板104位于第一工位1041上时，隔板104与主炉室101的顶部相配合，使得主炉室101的顶
部开口被隔板104所封闭，从而使得主炉腔和副炉腔1021之间被隔板104所隔绝；第二工位1042位于第二部1033内，第二工位1042作为隔板104旋转轨迹的中点，隔板104位于第二工位1042上时，隔板104与主炉室101的顶部脱离，使得主炉腔和副炉腔1021连通。其中，值得说明的是，第二部1033的内部空间应当足够容纳下隔板104，使得隔板104在位于第二工位1042时，隔板104与轴主体301或晶棒之间不会发生干涉而造成碰撞。
61.进一步的，为提高隔板104对主炉室101的隔绝密封效果，在隔板104与主炉室101的顶部之间设置有第一密封圈(第一密封圈未图示)，在一个实施例中，第一密封圈连接于主炉室101的顶部，且第一密封圈与主炉室101呈共轴设置，当隔板104位于第一工位1041时，隔板104与第一密封圈贴合。可选的，第一密封圈的连接位置还可以在隔板104上，具体的，第一密封圈连接于隔板104的下底面上，且第一密封圈与隔板104呈共轴设置，当隔板104位于第一工位1041时，隔板104与第一密封圈贴合。
62.隔板驱动组件105，隔板驱动组件105连接并作用于隔板104，用于驱动隔板104在连接腔1031内以弧形的轨迹转动。如图7、8所示，隔板驱动组件105连接于第二部1033上，作用于连接腔1031内部的隔板104，在隔板驱动组件105的驱动下，隔板104以弧形的轨迹从第一工位1041到达第二工位1042，或从第二工位1042达到第一工位1041，实现主炉腔与副炉腔1021之间的连通或隔绝。隔板驱动组件105包括旋转轴1052、第一杆1053、连接体1055、第一驱动件1051以及第二驱动件1054，旋转轴1052呈竖直方向布置，旋转轴1052可调式的连接于第二部1033上，旋转轴1052在驱动下能够上下升降和绕轴自转；具体的，第二部1033的上顶面和下底面上均固定连接有安装座，安装座上下贯通，旋转轴1052穿设于两个安装座内部，且旋转轴1052与每个安装座的内壁贴合，从而提高连接室103的气密性，但在驱动下旋转轴1052可发生转动和升降。
63.第一驱动件1051位于连接腔1031的外部，如图8所示，第一驱动件1051固定于第二部1033的顶面，第一驱动件1051可以采用第一气缸，在一个实施例中，第一驱动件1051为薄型气缸，薄型气缸的输出杆的方向为竖直方向，薄型气缸的输出轴与旋转轴1052的顶部通过旋转接头连接，使得旋转轴1052不会下坠，且位置保持于安装座的内部。
64.第一杆1053位于连接腔1031的内部，如图8所示，第一杆1053呈水平布置，第一杆1053的第一端固定连接于旋转轴1052上，第一杆1053的第二端固定连接于隔板104的上顶面，使得旋转轴1052在驱动下，隔板104随旋转轴1052发生转动。
65.第二驱动件1054位于连接腔1031的外部，如图8所示，第二驱动件1054固定于第二部1033的顶面上，第二驱动件1054可以采用第二气缸，在一个实施例中，第二驱动件1054为单杆双作用气缸，单杆双作用气缸呈水平布置，单杆双作用气缸的输出杆连接并作用在旋转轴1052上，使得旋转轴1052在第二驱动件1054的驱动下发生旋转，具体的，旋转轴1052上固定连接有连接体1055，连接体1055上连接有一竖直布置的转轴1056，单杆双作用气缸的输出杆通过关节轴承套设于旋转轴1052上，在单杆双作用气缸伸缩的同时，通过连接体1055的带动从而驱动旋转轴1052转动，进而带动隔板104旋转。可选的，在连接体1055上固定把手1057，可通过手动的形式驱动隔板104转动。
66.隔板驱动组件105用于驱动隔板104升降和旋转，具体的，以隔板104从第二工位1042旋转到第一工位1041为例，即隔板104从远离主炉室101顶部靠近主炉室101转动的过程；在第二驱动件1054的作用下，第二气缸回缩，旋转轴1052在连接体1055的带动下发生逆
时针旋转，隔板104通过第一杆1053与旋转轴1052连接，从而带动隔板104逆时针以圆弧形移动，即隔板104从第二工位1042旋转至第一工位1041上，在隔板104达到第一工位1041上之后，此时隔板104位于主炉室101的正上方，再通过第一驱动件1051驱动旋转轴1052下降一定高度，隔板104被带动下降，使得隔板104与第一密封圈紧密接触。相反的，隔板104工第一工位1041转动到第二工位1042时候，先通过第一气缸驱动旋转轴1052及隔板104上升，隔板104与第一密封圈(主炉室101的顶部)脱离，再通过第二气缸驱动旋转轴1052转动，从而带动隔板104顺时针旋转。
67.值得说明的是，如图8所示，由于第一气缸的输出杆与旋转轴1052之间通过旋转接头连接，因此，在第二气缸驱动旋转轴1052转动时，第一气缸不受旋转影响；而第二气缸的输出杆套设于转轴1056上，在第一气缸驱动旋转轴1052和隔板104升降时，第二气缸不受升降影响。
68.冷却组件106，如图9、10所示，冷却组件106用于与隔板104之间通过冷却介质进行热交换，从而使得隔板104冷却的效果。冷却组件106包括流道1061和介质管道1062，流道1061开设于隔板104的内部，流道1061呈s形布置，流道1061的首尾分别设置有入口1064和出口1065，入口1064和出口1065均用于连接于介质管道1062，通过介质管道1062向流道1061的入口1064中输送冷却介质，一般的，冷却介质为冷却水，冷却介质从入口1064进入流道1061，流经s形的流道1061，同时与隔板104进行热交换，并从连接于出口1065的介质通道1063排出；介质管道1062具有两根，两根介质管道1062对应与入口1064、出口1065连接。在一个实施例中，介质管道1062可以采用不锈钢软管，不锈钢软管具有良好的柔软性，在隔板104转动过程中，不锈钢软管发生形变，不会与隔板104之间相互阻碍干涉。
69.进一步的，为增加介质通道1063在连接腔1031内的稳定性，通过固定组件以固定介质通道1063。固定组件包括固定座，固定座位于连接腔1031内部，固定座固定连接于隔板104上顶面，介质通道1063穿设于固定座上，使得介质通道1063被固定块所固定。
70.位于连接腔1031内部的介质管道1062需要与外部介质源连接以实现介质的循环，因此介质管道1062势必穿过连接室103与外部介质源连通，一般的需要在连接室103上开设通孔才能使得介质管道1062经过连接室103，这样则需要在对介质管道1062与通孔之间做好密封处理，而介质管道1062为软性管，在隔板104旋转过程中，介质管道1062形变作用下容易与通孔之间发生相对位移，从而影响通孔上的密封效果。本实施例中改变了介质管道1062的设置位置以使得介质管道1062与外部冷却介质源连通。具体的，在旋转轴1052的内部开设有通道1063，外部介冷却介质通过通道1063与介质管道1062连通，避免介质管道1062在连接室103上单独开设用于与外部介质连通的孔，以提高连接室103的密封性。具体的，通道1063的开设方向与旋转轴1052的方向相同，通道1063的底端贯通于旋转轴1052的底端，通道1063的顶端并不贯穿于转轴1056的顶部，而是通过设置于旋转轴1052侧壁上的接头与介质管道1062连通，其中，通道1063和接头的数量均与介质管道1062的数量相同，如此，流道1061的入口1064通过一介质管道1062与一个通道1063使得与外部连通，流道1061的出口1065通过一介质管道1062与另一通道1063使得与外部连通。如此，采用上述技术方案，无需在连接室103上打通孔也能够使得介质管道1062与外部介质源连通，从而提高连接室103内的密封效果。
71.机架200，机架200设置于单晶炉本体100的外围，用于固定拉晶装置300。如图11所
示，机架200包括第一机架201和第二机架202，第一机架201环设于单晶炉本体100的外圈，且第一机架201呈竖直设置，在第一机架201上具有一竖直设置的固定杆和一水平的第一基准板2011，固定杆位于单晶炉本体100的左侧或右侧，固定杆的高度相应于副炉室102的高度，在固定杆上设置有晶棒抓取装置，晶棒抓取装置用于向副炉室102中抓取晶棒。第一基准板2011呈水平，设置于第一机架201的顶部，具体地说，第一基准板2011的高度高于副炉室102且位于副炉室102的正上方。第一基准板2011上开设有呈矩形的通槽2012，通过设置的通槽2012，使得第一基准板2011上方空间与第一基准板2011的下方空间连通，使得轴主体301通过通槽2012而实现升降；在第一基准板2011的下底面的通槽2012位置上与副炉室102的顶部之间设置有波纹管，通槽2012与波纹管之间连通，且通槽2012与副炉腔1021、波纹管的内腔均位于同一竖直空间上。
72.第二机架202，如图11、12所示，第二机架202用于固定拉晶装置300。第二机架202位于第一基准板2011上，具体的，第一机架201与第二机架202之间设置有调平机构，调平机构用于调节第二机架202和轴主体301位置，第二机架202和轴主体301的调节均以第一基准板2011为对照，减小第一机架201和第二机架202上的结构的累积误差，使得轴主体301保持竖直。调平机构包括调平板203和调平组件204，调平板203位于第一机架201和第二机架202之间，调平板203固定于连接于第二机架202的底部，调平组件204连接于调平板203与第一基准板2011之间，调平组件204用于调平板203调平。具体地说，第二机架202通过一调平板203连接第一机架201，调平板203呈矩形，且调平板203的位置位于通槽2012上，调平板203作为第二机架202的安装基础，第二机架202垂直于调平板203进行安装固定，调平组件204作用于调平板203上，使得第二机架202和轴主体301保持竖直状态。
73.调平组件204，调平组件204位于第一基准板2011和调平板203之间，用于调平板203调平。如图12-15所示，由于第二机架202与调平板203之间互相垂直，若对调平板203调平之后，即能保持第二机架202和轴主体301呈竖直状态。调平组件204包括若干个调平件，在一个实施例中，调平件的数量为四个，四个调平件分布于调平板203的四角，通过每个调平组件204对调平板203局部进行高度调节，即可实现对调平板203整体的水平程度调节。每个调平组件204包括调节杆2041、调节座2042、第一调节块2043、第二调节块2044以及调节驱动件2045。调节座2042通过橡胶防滑垫固定连接在第一基准板2011上，调节杆2041的顶端固定连接于调平板203的下底面，调节杆2041的底端插设于调节座2042的内部且直至插设进入第一基准板2011内，也就是说，调节杆2041在纵向上具有一定的活动范围。
74.如图12-15所示，第一调节块2043和第二调节块2044均呈楔形，在调节座2042具有调节槽，调节槽内滑移连接第二调节块2044，第二调节块2044的斜面朝向右上方，第二调节块2044在调节驱动件2045的驱动下可在调节槽内沿调节槽的方向进行滑移，调节驱动件2045是指调节螺钉，第二调节块2044的与斜面相对的一个侧面上固定调节螺钉，调节螺钉的设置方向与调节槽的长度方向相同，同时调节螺钉与调节槽的侧壁之间通过螺纹连接，在旋转调节螺钉时，第二调节块2044能够在调节槽中沿调节槽的长度方向移动。
75.如图12-15所示，调节杆2041垂直且固定连接于调平板203的底面，第一调节块2043固定于调节杆2041上或调平板203的底面上，第二调节块2044的斜面朝向左下方，且与第一调节块2043的斜面向贴合；调节螺钉在转动时，第二调节块2044在调节槽中滑移，若第二调节块2044向左移动，第一调节块2043和第二调节块2044之间相对滑动，使得第一调节
块2043下降；反之，若第二调节块2044向右移动，第一调节块2043上升；调平板203、调节杆2041以及第二调节块2044相固定，在第一调节块2043下降或上升时，调节板的一角也会下降或上升。其中，调节槽的深度应当满足能够容纳整个第一调节块2043或部分第一调节块2043，确保第一调节块2043不能从第二调节块2044上脱离。以第一基准板2011为基准，在四个调平组件204对调平板203的作用下，使得调平板203能够保持水平，从而保持第二机架202和轴主体301呈竖直状；设置了第一基准板2011为基准对调平板203进行调平，减小机构之间的累积误差，提高调平精度，减小调平板203以上的机构的倾斜程度。
76.第一顶块组件205，进一步的，如图15所示，在调平板203的侧边设置有第一顶块组件205，第一顶块组件205具有多个，第一顶块组件205分布于调平板203的相对的两个侧边，通过每个第一顶块组件205单独作用于调平板203的一侧，在相对的两个第一顶块组件205的效果下，使得调平板203的位置可调节，从而保持轴主体301位于单晶炉主体的中心位置。同时还用于对调平板203进行稳定性加固，减小调平板203的机械震动，从而减小第一机架201的震动或摇晃。在一个实施例中，第一顶块组件205的数量为八个，两个为一组均匀分布在调平板203的相对的侧边上，其中，第一顶块组件205的布置方向包括沿调平板203长度方向和沿调平板203宽度方向。每个第一顶块组件205包括第一顶块2052和第一顶块座2051，第一顶块座2051固定于第一基准板2011上，第一顶块2052可调式的连接于第一顶块座2051上，具体的，第一顶块2052可以采用螺栓，螺栓呈平行于调平板203布置，且螺栓通过螺纹连接于顶块座上，通过旋转螺栓使得螺栓与调平板203的侧边抵触或分离，在螺栓与调平板203相抵触时，能够对调平板203进行位置调节，起到对轴主体301和副炉腔1021、主炉腔进行对中调节的效果，同时提高轴主体301垂直于水平面的精度。
77.拉晶装置300，拉晶装置300固定于机架200上，拉晶装置300利用硬质的轴主体301代替现有技术中钨合金缆绳进行拉晶。如图16、17所示，拉晶装置300包括轴主体301和驱动机构，轴主体301连接于第二机架202上，轴主体301呈硬性质地，轴主体301位于单晶炉本体100的内部，且与单晶炉本体100呈共轴设置，轴主体301相对于第二机架202能够升降且能够旋转。驱动机构包括提升组件302和旋转组件303，提升组件302和旋转组件303作用于轴主体301上，提升组件302用于驱动轴主体301升降，旋转组件303用于驱动轴主体301旋转以满足晶体生长的晶转要求，在提升组件302和旋转组件303的作用下，轴主体301能够依次穿过调节板和第一基准板2011进入单晶炉本体100的副炉室102和主炉室101中，轴主体301的底部通过籽晶牵引晶棒。
78.提升组件302，提升组件302用于驱动轴主体301上升或下降。如图18-20所示，提升组件302连接于第二机架202上，提升组件302包括轴体座3021和提升件，轴主体301通过轴体座3021滑移连接于第二机架202上，轴主体301的滑移方向呈竖直方向，提升件用于驱动轴主体301上升或下降，在提升组件302的作用下，轴主体301能够经过通槽2012和副炉腔1021进入到主炉腔中，其中，轴主体301的位置应当位于主炉室101和副炉室102的中轴线上；通过提升件驱动轴体座3021升降，从而使得轴主体301随轴体座3021移动。
79.提升件包括丝杆3022和第三电机3023，如图19、20所示，丝杆3022设置调平板203的第二基准板2021之间，其中第二基准板2021位于第二机架202的顶部，第二基准板2021呈水平设置，丝杆3022呈竖直方向设置，丝杆3022的第一端连接于第二基准板2021的下底面，第二端连接于调平板203的上顶面，轴体座3021上具有连接螺母，连接螺母与轴体座3021固
定连接，连接螺母与丝杆3022之间通螺纹连接；第三电机3023固定于第二基准板2021上，第三电机3023的输出轴通过减速机与丝杆3022的顶部传动连接，在第三电机3023的驱动下，丝杆3022可绕轴转动。
80.滑移组件304，在轴体座3021与第二机架202之间设置有滑移组件304，第三电机3023驱动丝杆3022转动，使得轴体座3021可通过滑移组件304在第二机架202上发生滑移，滑移方向为丝杆3022的设置方向，即为竖直方向。如图18所示，具体的，滑移组件304包括滑轨3041和滑块3042，滑轨3041固定连接于第二机架202上，滑轨3041的方向与丝杆3022方向相同，滑块3042固定连接于轴体座3021上，滑块3042与滑轨3041滑移配合，在第三电机3023和丝杆3022的驱动下，使得轴体座3021沿丝杆3022所在方向进行上升或下降，从而带动轴主体301实现上升或下降。在一个实施例中，滑轨3041具有两个，两个滑轨3041平行的固定于第二机架202上，在每个滑轨3041的顶部和底部均固定连接有限位块，限位块用于对滑块3042进行限位，防止滑块3042从滑轨3041上脱离。轴主体301的底部通过一籽晶牵引晶棒，在需要提升晶棒的情况下，电机工作带动丝杆3022旋转，丝杆3022与连接螺母之间通过螺纹连接，晶棒被逐渐提升直至达到副炉腔1021内；若在拉晶之前，轴主体301需要下降，第三电机3023驱动丝杆3022反转，使得连接螺母能够沿丝杆3022下降，从而带动轴体座3021下降直至轴主体301进入到主炉腔内。
81.密封组件，在轴主体301和调平板203之间设置有密封组件，密封组件用减小热量从轴主体301和调平板203之间的间隙中上涌。如图21所示，密封组件包括密封套管3051和第二密封圈3052，密封套管3051套设于轴主体301的外部，密封套管3051的外侧壁与调平板203连接，具体地讲，密封套管3051与轴主体301呈共轴设置，且密封套管3051的内壁与轴主体301的外壁不接触，防止轴主体301的外壁被刮伤和磨损，密封套管3051的外壁通过第二轴承座3036固定连接于调平板203上；第二密封圈3052位于密封套管3051和轴主体301之间，第二密封圈3052可以采用橡胶质地，第二密封圈3052与密封套管3051共轴设置，且嵌设于密封套管3051的内壁上，第二密封圈3052的内边缘与轴主体301的外壁相抵触，从而起到对轴主体301和密封套管3051的间隙的密封效果。
82.旋转组件303，旋转组件303连接于机架200上，并且作用于轴主体301上，用于驱动轴主体301绕轴旋转，在拉晶过程中满足晶转要求，从而硅原料能够在籽晶上持续生长。如图20、21所示，旋转组件303包括旋转件，旋转件用于驱动轴主体301旋转，具体的，旋转件包括第一轴承3032驱动件和第二轴承3037驱动件，第一轴承3032驱动件作用于轴主体301，用于驱动轴主体301旋转，从而带动晶体旋转，以满足晶体生长的晶转要求；第二轴承3037驱动件作用于密封套管3051，用于驱动密封套管3051与轴主体301同步旋转，减小第二密封圈3052与轴主体301之间的相对速度差，从而减小对第二密封圈3052的磨损。
83.第一轴承3032驱动件，第一轴承3032驱动件作用于轴主体301，用于驱动轴主体301旋转，从而带动晶体旋转，以满足晶体生长的晶转要求。如图20所示，第一轴承3032驱动件包括第一轴承座3031、第一轴承3032、第一电机3033、第一同步带3034以及第一从动轮3035，第一轴承座3031的设置方向与轴主体301的方向相同，第一轴承座3031上下贯穿，且穿设于轴体座3021内，其中，第一轴承座3031与轴体座3021之间具有间隙，使得第一轴承座3031的位置可以微调，从而实现轴主体301的对中调节。轴主体301位于第一轴承座3031内，在第一轴承座3031与轴主体301之间设置有第一轴承3032，在一个实施例中，第一轴承3032
为角接触球轴承，第一轴承3032的内圈与轴主体301的外壁固定连接，第一轴承3032的外圈与第一轴承座3031的内壁固定连接。第一电机3033固定于轴体座3021的下底面，第一电机3033的输出轴与轴主体301相平行；第一从动轮3035套设于轴主体301的外部，且与轴主体301共轴设置，第一从动轮3035的内圈与轴主体301的外壁固定连接，第一同步带3034传动连接于第一电机3033的输出轴和第一从动轮3035之间，使得第一电机3033工作时通过第一从动轮3035和第一同步带3034带动轴主体301发生旋转。
84.第二顶块组件206，在第一轴承座3031的侧边设置有第二顶块组件206，第二顶块组件206用于第一轴承座3031位置的微调，从而对轴主体301进行对中调节。如图22、23所示，在第一轴承座3031的顶部具有台阶，且台阶延伸至轴体座3021的上表面，在台阶与轴体座3021的上表面之间设置有第二顶块组件206，第二顶块组件206具有多个，且均为分布于第一轴承座3031的相对的两侧上，其中，第二顶块组件206排布方向和第一顶块组件205排布方向相同，在通过第一顶块组件205调节之后，通过第二驱动在同一方向上对第一轴承座3031进行细微调节，进一步的提高轴主体301的对中效果。在一个实施例中，第二顶块组件206具有个，两个为一组均匀分布在第一轴承座3031的相对的侧面，其中，第二顶块组件206的布置方向包括沿调平板203长度方向和沿调平板203宽度方向。每个第二顶块组件206包括第二顶块2062和第二顶块座2061，顶块座固定于轴体座3021上，第二顶块2062可调式的连接于第二顶块座2061上，具体的，第二顶块2062可以采用螺栓，螺栓呈平行于轴体座3021的顶面布置，且螺栓通过螺纹连接于第二顶块座2061上，通过旋转螺栓使得螺栓与第一轴承座3031的侧边抵触或分离，在螺栓与第一轴承座3031相抵触时，能够对第一轴承座3031进行位置微调，起到对轴主体301和副炉腔1021、主炉腔进行对中调节的效果，同时提高轴主体301垂直于水平面的精度。第二顶块组件206和第一顶块组件205相配合，第一顶块组件205的排布方向与第二顶块组件206的排布方向相同，在经过第一顶块组件205对调平板203位置调节之后，从而对轴主体301进行对中调节；在同一调节方向上，修正第一顶块组件205过度调节或调节不足，通过第二顶块组件206对第一轴承座3031进行位置微调，进一步实现对轴主体301对中调节。
85.第二轴承3037驱动件，第二轴承3037驱动件作用于密封套管3051，用于驱动密封套管3051与轴主体301同步旋转，减小第二密封圈3052与轴主体301之间的相对速度差，从而减小对第二密封圈3052的磨损。如图21所示，第二轴承3037驱动件包括第二轴承座3036、第二轴承3037、第二电机3038、第二同步带3039以及第二从动轮3030，第二轴承座3036的是设置方向与轴主体301的方向相同，第二轴承座3036上下贯穿，且穿设于调平板203内。密封套管3051套设于轴主体301的外部，密封套管3051位于第二轴承座3036内，在第二轴承座3036与密封套管3051之间设置第二轴承3037，在一个实施例中，第二轴承3037为角接触球轴承，第二轴承3037的内圈与密封套管3051的外壁固定连接，第二轴承3037的外圈与第二轴承座3036的内壁固定连接。第二电机3038固定于调平板203的上表面上，第二电机3038的输出轴与轴主体301相平行；第二从动轮3030套设于轴主体301的外部，且与轴主体301共轴设置，第二从动轮3030的内圈与密封套管3051的外壁固定连接，第二同步带3039传动连接于第二电机3038的输出轴和第二从动轮3030之间，使得第二电机3038工作时通过第二从动轮3030和第二同步带3039带动密封套管3051发生旋转。在第一电机3033驱动轴主体301转动的同时，第二电机3038也进行对密封套管3051的驱动，轴主体301与密封套管3051的旋转
方向相同，且转速相同，防止第二密封圈3052与轴主体301之间产生转速差而造成第二密封圈3052磨损，从而降低第二密封圈3052的密封效果，也起到延长第二密封圈3052使用寿命的效果。
86.进一步的，第一从动轮3035与第二从动轮3030可由同一驱动源带动。在一个实施例中，第一从动轮3035通过第一同步带3034与第一电机3033传动连接，使得第一电机3033工作时，轴主体301被带动旋转；在第一电机3033的输出轴上连接转轴1056，转轴1056与第一电机3033的输出轴同向，在转轴1056上传动连接第二同步带3039，通过转轴1056和第二同步带3039带动密封套管3051旋转，即密封套管3051和轴主体301均有第一电机3033驱动，进一步满足轴主体301和密封套管3051同步旋转，减小轴主体301和密封套管3051之间的速度差，进一步防止第二密封圈3052与轴主体301之间产生转速差而造成第二密封圈3052磨损。
87.进一步的，在第二轴承3037下设置环形盖板，环形盖板用于减小单晶炉热量从第二轴承座3036和密封套管3051之间上涌。环形盖板位于密封套管3051与第二轴承座3036之间，且环形盖板的外边缘与第二轴承座3036固定连接，在密封套管3051与环形盖板之间设置环形密封件；进一步的，在第二轴承座3036与调平板203之间也设置环形密封件。
88.工作原理/步骤：
89.本技术中利用轴主体301代替钨合金缆绳进行引晶和拉晶，在拉晶过程中减小晶体产生的晃动；同时将传统的上下翻动形式的隔板104设置为水平方向转动的形式，防止在单晶炉本身的机械振动作用下造成隔板104与轴主体301或晶体发生碰撞。具体的，以隔板104从第二工位1042旋转到第一工位1041为例，即隔板104从远离主炉室101顶部靠近主炉室101转动的过程；在第二驱动件1054的作用下，第二气缸回缩，旋转轴1052在连接体1055的带动下发生逆时针旋转，隔板104通过第一杆1053与旋转轴1052连接，从而带动隔板104逆时针以圆弧形移动，即隔板104从第二工位1042旋转至第一工位1041上，在隔板104达到第一工位1041上之后，此时隔板104位于主炉室101的正上方，再通过第一驱动件1051驱动旋转轴1052下降一定高度，隔板104被带动下降，使得隔板104与第一密封圈紧密接触。相反的，隔板104工第一工位1041转动到第二工位1042时候，先通过第一气缸驱动旋转轴1052及隔板104上升，隔板104与第一密封圈(主炉室101的顶部)脱离，再通过第二气缸驱动旋转轴1052转动，从而带动隔板104顺时针旋转，使得隔板104从第一工位1041以弧形轨迹转动至第二工位1042上。通过第一气缸和第二气缸的配合，使得隔板104控制主炉腔和副炉腔1021之间连通或隔绝。
90.在本技术中还通过冷却组件106对隔板104进行冷却。在旋转轴1052的内部开设有通道1063，外部介冷却介质通过通道1063与介质管道1062连通，避免介质管道1062在连接室103上单独开设用于与外部介质连通的孔，以提高连接室103的密封性。流道1061的入口1064通过一介质管道1062与一个通道1063使得与外部连通，流道1061的出口1065通过一介质管道1062与另一通道1063使得与外部连通。如此，采用上述技术方案，无需在连接室103上打通孔也能够使得介质管道1062与外部介质源连通，从而提高连接室103内的密封效果。
91.技术效果：
92.1、本技术在主炉室101和副炉室102至设置了隔板104，在下一次拉晶之前，利用隔板104将主炉腔和副炉腔1021隔绝，以使得主炉腔内和副炉腔1021内的环境相同，防止空气
进入主炉腔内而氧化硅原料；进一步的，本技术中的隔板104以水平旋转设置，通过水平旋转的形式使得主炉腔和副炉腔1021连通或隔绝，防止隔板104在震动作用下与轴主体301或晶棒发生碰撞。解决了现有技术中隔板104存在撞到拉晶装置300或晶棒的技术问题；达到避免隔板104存在撞到拉晶装置300或晶棒的技术效果。
93.2、本技术中在主炉室101和副炉室102之间连接有连接室103，连接室103具有容置第一工位1041的第一部1032和容置第二工位1042的第二部1033，将隔板104所在区域与外部空间所隔绝，提高单晶炉本体100整体的气密效果。
94.3、在隔板驱动组件105的驱动下，以驱动隔板104在第一工位1041和第二工位1042之间移动，从而实现主炉室101与副炉室102之间的连通或隔绝。例如从第二工位1042旋转至第一工位1041的过程中，首先通过第二气缸驱动旋转轴1052转动，将隔板104转动至主炉室101的正上方，再通过第一气缸驱动隔板104下降，直至隔板104与主炉室101顶部的第一密封圈相抵触，通过第一气缸和第二气缸的配合驱动，使得隔板104位于主炉室101的正上方之后驱动隔板104下压，隔板104与主炉室101顶部之间的通过第一密封圈充分密封，从而提高主炉腔和副炉腔1021之间的隔绝效果。
95.4、在隔板104上设置了冷却组件106，冷却组件106通过冷却介质与隔板104进行热交换，实现对隔板104的冷却，减小隔板104由于温度过高而造成形变，防止隔板104形变而减弱对主炉腔和副炉腔1021的隔绝效果。
96.5、在旋转轴1052的内部开设有通道1063，外部介冷却介质通过通道1063与介质管道1062连通，避免介质管道1062在连接室103上单独开设用于与外部介质连通的孔，无需在连接室103上打通孔也能够使得介质管道1062与外部介质源连通，以提高连接室103的密封性。
97.尽管已描述了本技术的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本技术范围的所有变更和修改。
98.显然，本领域的技术人员可以对本技术进行各种改动和变型而不脱离本技术的精神和范围。这样，倘若本技术的这些修改和变型属于本技术权利要求及其等同技术的范围之内，则本技术也意图包含这些改动和变型在内。