粗化式LED预注化封装基板的制作方法

粗化式led预注化封装基板
技术领域
1.本实用新型涉及半导体封装技术领域，更具体地说，涉及粗化式led预注化封装基板。


背景技术：

2.现有技术对封装基板只做一般的表面电镀处理，如镀银表面处理，镀金表面处理，镀镍钯铜合金处理等。
3.现有技术电镀处理后的表面光滑、接触面积小，与注塑的塑封材料的界面粘结效果不足以提高到上部led固晶打胶后通过塑封界面而发生渗透现象。
4.通过对现有技术处理的封装基板，存在因基板与塑封材料接触的界面粘结效果不佳而出现led/sensors光电半导体封装行业普遍存在的渗透问题而带来的半导体封装腐蚀、短路等功能性故障。


技术实现要素：

5.本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的粗化式led预注化封装基板。
6.为解决上述问题，本实用新型采用如下的技术方案。
7.粗化式led预注化封装基板，包括线路基板，所述线路基板由一个主基板和两个副基板组成，两个所述副基板分别位于主基板的左右两侧并间隔有一定距离，所述线路基板的内侧设置有粗化面，所述粗化面通过蚀刻或电镀化学粗化而成；
8.所述主基板的底部设置有asic驱动芯片，所述主基板的顶部设置有功能芯片，所述功能芯片和asic驱动芯片上均连接有两个电路连接线，所述功能芯片上的两个电路连接线分别与两个副基板连接，所述asic驱动芯片上的两个电路连接线分别与两个副基板连接，所述线路基板上设置垂直式封装结构，所述垂直式封装结构延伸至线路基板的内侧与粗化面咬合式固定连接，所述功能芯片的外侧设置有芯片封装保护层。
9.作为本实用新型进一步的方案：所述副基板的远端向下弯折形成c字形。
10.作为本实用新型进一步的方案：所述垂直式封装结构包括asic封装层和定位封装层，所述asic封装层位于由两个副基板和一个主基板围合而成的线路基板的空腔内并将asic驱动芯片塑封，所述asic封装层与粗化面咬合式固定连接，所述定位封装层位于线路基板的顶部且位于芯片封装保护层的外侧。
11.作为本实用新型进一步的方案：所述asic封装层的顶部一体成型有两个隔离凸起，两个所述隔离凸起用于将两个副基板与主基板隔开，所述隔离凸起也与粗化面咬合式固定连接。
12.作为本实用新型进一步的方案：所述asic封装层与定位封装层一体注塑成型。
13.本方案的粗化式led预注化封装基板的封装方法，包括以下步骤：
14.一、线路成型：在整块线路基板的上下两侧采用化学刻蚀的方式八电镀线路图刻
蚀出来，并在线路基板的内侧通过蚀刻或电镀化学反应进行粗化处理，形成粗化面；
15.二、asic封装：通过固晶焊线工艺将asic驱动芯片安装在主基板的下侧，并将asic驱动芯片通过电路连接线与两个副基板相连接；
16.三、塑封成型：用传递塑模的方法把封装材料注塑到线路基板的下方，形成asic封装层的封装结构且asic封装层延伸至主基板与两个副基板之间的空隙内，同时在线路基板上方注塑形成定位封装层；
17.四、冲压焊脚成型：将两个的副基板的焊脚进行冲压弯曲成型，形成能支撑封装材料的c字形弯曲结构；
18.五、芯片封装：通过固晶、焊线工艺将功能芯片安装到主基板的上侧，并将功能芯片通过电路连接线与两个副基板相连接；
19.六、芯片保护成型：在功能芯片的外部且位于定位封装层内注塑形成芯片封装保护层。
20.七、单颗成型：按照单颗封装组件的分割线切割，形成最终的单颗封装结构。
21.相比于现有技术，本实用新型的优点在于：
22.一、本方案基于蚀刻或电镀化学反应粗化增加接触界面塑封的咬合面积的原理，解决了现有技术封装因渗透问题而带来的半导体封装腐蚀、短路等功能性故障。
23.二、本方案通过蚀刻或电镀化学反应粗化出来的粗糙界面来提高结合界面的粘结力，该界面的高可靠稳定性决定了整个封装元器件的可靠稳定性，同时也大大提高了产品量产的良率。
附图说明
24.图1为本实用新型的结构示意图；
25.图2为本实用新型的封装工艺流程图；
26.图3为本实用新型的垂直式封装结构的结构示意图；
27.图4为本实用新型图1不安装asic驱动芯片的结构示意图。
28.图中标号说明：
29.1、线路基板；11、主基板；12、副基板；13、粗化面；2、asic驱动芯片；3、功能芯片；4、电路连接线；5、垂直式封装结构；51、asic封装层；52、定位封装层；53、隔离凸起；6、芯片封装保护层。
具体实施方式
30.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述；显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
31.请参阅图1-2，粗化式led预注化封装基板，包括线路基板1，线路基板1由一个主基板11和两个副基板12组成，两个副基板12分别位于主基板11的左右两侧并间隔有一定距离，线路基板1的内侧设置有粗化面13，粗化面13通过蚀刻或电镀化学粗化而成；
32.主基板11的底部设置有asic驱动芯片2，主基板11的顶部设置有功能芯片3，功能
芯片3和asic驱动芯片2上均连接有两个电路连接线4，功能芯片3上的两个电路连接线4分别与两个副基板12连接，asic驱动芯片2上的两个电路连接线4分别与两个副基板12连接，线路基板1上设置垂直式封装结构5，垂直式封装结构5延伸至线路基板1的内侧与粗化面13咬合式固定连接，基于蚀刻或电镀化学反应粗化增加接触界面塑封的咬合面积从而提高结合界面的粘结效果，功能芯片3的外侧设置有芯片封装保护层6。
33.进一步的，副基板12的远端向下弯折形成c字形。
34.进一步的，垂直式封装结构5包括asic封装层51和定位封装层52，asic封装层51位于由两个副基板12和一个主基板11围合而成的线路基板1的空腔内并将asic驱动芯片2塑封，asic封装层51与粗化面13咬合式固定连接，定位封装层52位于线路基板1的顶部且位于芯片封装保护层6的外侧。
35.进一步的，asic封装层51的顶部一体成型有两个隔离凸起53，两个隔离凸起53用于将两个副基板12与主基板11隔开，隔离凸起53也与粗化面13咬合式固定连接。
36.进一步的，asic封装层51与定位封装层52一体注塑成型。
37.请参阅图3，上述粗化式led预注化封装基板的封装方法，包括以下步骤：
38.一、线路成型：在整块线路基板1的上下两侧采用化学刻蚀的方式八电镀线路图刻蚀出来，并在线路基板1的内侧通过蚀刻或电镀化学反应进行粗化处理，形成粗化面13；
39.二、asic封装：通过固晶焊线工艺将asic驱动芯片2安装在主基板11的下侧，并将asic驱动芯片2通过电路连接线4与两个副基板12相连接；
40.三、塑封成型：用传递塑模的方法把封装材料注塑到线路基板1的下方，形成asic封装层51的封装结构且asic封装层51延伸至主基板11与两个副基板12之间的空隙内，同时在线路基板1上方注塑形成定位封装层52；
41.四、冲压焊脚成型：将两个的副基板12的焊脚进行冲压弯曲成型，形成能支撑封装材料的c字形弯曲结构；
42.五、芯片封装：通过固晶、焊线工艺将功能芯片3安装到主基板11的上侧，并将功能芯片3通过电路连接线4与两个副基板12相连接；
43.六、芯片保护成型：在功能芯片3的外部且位于定位封装层52内注塑形成芯片封装保护层6。
44.七、单颗成型：按照单颗封装组件的分割线切割，形成最终的单颗封装结构。
45.另外，如图4所示，在一些实施方式中可以根据其需求不安装asic驱动芯片2及与其连接的电路连接线4、副基板12无需弯曲，同时封装工艺进行相应简化，不再赘述。
46.综上所述：本实用新型的粗化式led预注化封装基板是基于蚀刻或电镀化学反应粗化增加接触界面塑封的咬合面积的原理，解决了现有技术封装因渗透问题而带来的半导体封装腐蚀、短路等功能性故障；
47.通过蚀刻或电镀化学反应粗化出来的粗糙界面来提高结合界面的粘结力，该界面的高可靠稳定性决定了整个封装元器件的可靠稳定性，同时也大大提高了产品量产的良率。
48.以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式；但本实用新型的保护范围并不局限于此。任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其改进构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围内。