技术特征：
1.一种探针组件，包括：
外壳，具有第一末端及与所述第一末端相对的第二末端；
第一窗口，与所述外壳的所述第一末端相邻；
第二窗口，与所述第一窗口相对，所述第二窗口与所述外壳的所述第一末端相邻；
第一激光源，与所述第一窗口对准；
第二激光源，与所述第一激光源相对且与所述第二窗口对准；
轴，安置在所述外壳中；以及
测试结构，安置在所述轴的第一末端上，所述测试结构与所述外壳的所述第一末端相邻。
2.如权利要求1所述的探针组件，所述探针组件进一步包括：
致动器，耦接至所述轴。
3.如权利要求2所述的探针组件，所述探针组件进一步包括：
控制器，耦接至所述第一激光源、所述第二激光源，及所述致动器。
4.如权利要求2所述的探针组件，其中所述致动器使所述轴沿所述外壳平移并穿过所述外壳的所述第一末端。
5.如权利要求1所述的探针组件，所述探针组件进一步包括：
冷却外套，环绕所述外壳。
6.如权利要求1所述的探针组件，其中所述第一激光源和所述第二激光源配置为测量沉积在所述测试结构上的涂层的厚度。
7.如权利要求1所述的探针组件，所述探针组件进一步包括：
显微镜物镜，定位在所述第一激光源与所述第一窗口之间；
二向色镜，安置在所述显微镜物镜与所述第一激光源之间；
拉曼光谱仪，与所述二向色镜对准；以及
控制器，连接至所述拉曼光谱仪、所述第一激光源及所述第二激光源。
8.一种工艺腔室，包括：
主体，限定在所述主体中的工艺容积；
熔池，安置在所述工艺容积中；
一或多个铸锭，安置在所述熔池中；
一或多个电子束产生器，安置在所述主体上，与所述熔池相对，所述一或多个电子束产生器中的每一个与所述一或多个铸锭中的一个对准；
保持器，安置在所述工艺容积中，在所述一或多个电子束产生器与所述熔池之间；
多个基板，安置在所述保持器上；
羽流，由所述一或多个电子束产生器使所述熔池中的所述一或多个铸锭熔化而产生，所述羽流环绕所述多个基板；
第一激光源，安置成与所述主体的第一侧相邻；
第二激光源，安置成与所述主体的与所述第一侧相对的第二侧相邻；以及
控制器，耦接至所述第一激光源及所述第二激光源。
9.如权利要求8所述的工艺腔室，所述工艺腔室进一步包括：
一或多个高温计，安置成与所述主体相邻。
10.如权利要求9所述的工艺腔室，所述工艺腔室进一步包括：
红外线成像设备，安置成与所述主体相邻且经定位以监控所述熔池中的已熔化材料的行为。
11.如权利要求10所述的工艺腔室，所述工艺腔室进一步包括：
一或多个石英晶体监控器，安置在所述工艺容积中，与所述多个基板相邻。
12.如权利要求11所述的工艺腔室，其中所述一或多个高温计、所述红外线成像设备及所述一或多个石英晶体监控器连接至所述控制器。
13.如权利要求8所述的工艺腔室，所述工艺腔室进一步包括：
探针组件，所述探针组件包括：
外壳，具有第一末端及与所述第一末端相对的第二末端；
凸缘，将所述第一末端耦接至形成在所述工艺腔室的所述主体中的开口；
第一窗口，与所述外壳的所述第一末端相邻；
第二窗口，与所述第一窗口相对，所述第二窗口与所述外壳的所述第一末端相邻；
第三激光源，与所述第一窗口对准；
第四激光源，与所述第三激光源相对且与所述第二窗口对准；
轴，安置在所述外壳中；以及
测试结构，安置在所述轴的第一末端上，所述测试结构与所述外壳的所述第一末端相邻。
14.如权利要求13所述的工艺腔室，所述探针组件进一步包括：
致动器，耦接至所述轴，以使所述测试结构延伸至所述羽流中，以及使所述测试结构缩回至所述外壳中，在所述第一窗口与所述第二窗口之间。
15.一种工艺腔室，包括：
主体，限定在其中的工艺容积；
熔池，安置在所述工艺容积中；
一或多个铸锭，安置在所述熔池中；
一或多个电子束产生器，安置在所述主体上，与所述熔池相对，所述一或多个电子束产生器中的每一个与所述一或多个铸锭中的一个对准；
保持器，安置在所述工艺容积中，在所述一或多个电子束产生器与所述熔池之间；
多个基板，安置在所述保持器上；
羽流，由所述一或多个电子束产生器使所述熔池中的所述一或多个铸锭熔化而产生，所述羽流环绕所述多个基板；以及
探针组件，所述探针组件包括：
外壳，具有第一末端及与所述第一末端相对的第二末端；
凸缘，将所述第一末端耦接至形成在所述主体中的开口；
第一窗口，与所述外壳的所述第一末端相邻；
第二窗口，与所述第一窗口相对，所述第二窗口与所述外壳的所述第一末端相邻；
第一激光源，与所述第一窗口对准；
第二激光源，与所述第一激光源相对且与所述第二窗口对准；
轴，安置在所述外壳中；以及
测试结构，安置在所述轴上，所述测试结构与所述外壳的所述第一末端相邻。
16.如权利要求15所述的工艺腔室，所述工艺腔室进一步包括：
致动器，耦接至所述轴；以及
控制器，耦接至所述致动器。
17.如权利要求15所述的工艺腔室，所述工艺腔室进一步包括：
一或多个高温计，安置成与所述主体相邻。
18.如权利要求17所述的工艺腔室，其中所述第一激光源和所述第二激光源配置为测量沉积在所述测试结构上的涂层的厚度。
19.如权利要求18所述的工艺腔室，所述工艺腔室进一步包括：
红外线成像设备，安置成与所述主体相邻且经定位以监控所述熔池中的已熔化材料的行为。
20.如权利要求19所述的工艺腔室，一或多个石英晶体监控器，安置在所述工艺容积中，与所述多个基板相邻。
技术总结
本文中所描述的实施方式提供涂布工艺(诸如，隔热涂层(TBC)在对象上的电子束物理气相沉积(EBPVD))的装置、软件应用程序及方法。对象可包括由镍及钴基超级合金制造的航天部件，例如，涡轮叶片及轮叶。本文中所描述的装置、软件应用程序及方法提供检测涂布工艺的终点，亦即，确定涂层的厚度何时满足目标值的能力以及用于闭环控制工艺参数的能力中的至少一个。
技术研发人员：戴维·马萨尤基·石川;乔纳森·弗兰克尔;约瑟夫·尤多夫斯基;大卫·亚历山大·布里兹;
受保护的技术使用者：应用材料公司;
技术研发日：2020.08.17
技术公布日：2022.04.15
本文用于企业家、创业者技术爱好者查询，结果仅供参考。
