声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置和射频前端装置与流程

1.本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置和射频前端装置。


背景技术：

2.无线通信设备的射频(radio frequency，rf)前端芯片包括：功率放大器（power amplifier，pa）、天线开关、rf滤波器、包括双工器（duplexer）在内的多工器（multiplexer）和低噪声放大器（low noise amplifier，lna）等。其中，rf滤波器包括压电声表面波（surface acoustic wave，saw）滤波器、压电体声波（bulk acoustic wave，baw）滤波器、微机电系统（micro electro mechanical system，mems）滤波器、集成无源装置（integrated passive devices，ipd）滤波器等。
3.saw谐振器的q值较高，因此，基于saw谐振器制作的rf滤波器（即saw滤波器）插入损耗(insertion loss)低、带外抑制(out of band rejection)高，是目前手机、基站等无线通信设备使用的主流rf滤波器。其中，所述q值是谐振器的品质因数值，定义为中心频率除以谐振器3db带宽，saw滤波器的使用频率一般为0.4ghz~2.7ghz。
4.然而，现有的谐振器的q值仍然有待提升。


技术实现要素：

5.本发明解决的技术问题是提供一种声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置和射频前端装置，以减少横向声波的泄漏，提升所述声表面波谐振装置的并联q值。
6.为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供一种声表面波谐振装置，包括：压电基底，所述压电基底包括沿第一方向依次排布的第一总线区、第一间隔区、叉指重合区、第二间隔区和第二总线区；位于所述第一总线区、所述第一间隔区、所述第二间隔区和所述第二总线区内的粒子注入部；位于所述压电基底表面的电极层，所述电极层包括：位于所述第一总线区表面上的第一总线、位于所述第二总线区表面上的第二总线、与所述第一总线连接的若干第一电极条、以及与所述第二总线连接的若干第二电极条，所述第一电极条和所述第二电极条在第二方向上交替排布，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述第一电极条位于所述第一间隔区和所述叉指重合区表面上，所述第二电极条位于所述第二间隔区和所述叉指重合区表面上。
7.可选的，声波在所述叉指重合区传播的波速大于声波在所述第一总线区、所述第一间隔区、所述第二间隔区和所述第二总线区传播的波速。
8.可选的，所述压电基底还包括：在所述第一方向上，位于所述第一总线区和所述第一间隔区之间的第一假指区、以及位于所述第二总线区和所述第二间隔区之间的第二假指区；所述粒子注入部还位于所述第一假指区和所述第二假指区内；所述第一电极条还位于所述第一假指区表面，所述第二电极条还位于所述第二假指区表面，且所述电极层还包括：与所述第一总线连接的若干第三电极条、以及与所述第二总线连接的若干第四电极条，所
述第三电极条位于所述第一假指区表面，所述第三电极条与所述第一电极条在所述第二方向上交替排布，所述第四电极条位于所述第二假指区表面，所述第四电极条与所述第二电极条在所述第二方向上交替排布，并且，在所述第一方向上，所述第三电极条与所述第二电极条在所述第一间隔区的两侧相对，所述第四电极条与所述第一电极条在所述第二间隔区的两侧相对，所述第一电极条的长度、所述第二电极条的长度均大于所述第三电极条的长度，所述第一电极条的长度、所述第二电极条的长度均大于所述第四电极条的长度。
9.可选的，声波在所述第一间隔区和所述第二间隔区传播的波速大于声波在所述第一总线区和所述第二总线区传播的波速，声波在所述第一总线区和所述第二总线区传播的波速大于声波在所述第一假指区和所述第二假指区传播的波速。
10.可选的，所述粒子注入部内掺杂氩离子、氧离子、铍离子、钛离子、硅离子、铜离子、氦离子、钆离子、氢离子、氟离子、银离子、铁离子、镍离子和氢氧离子中的至少一种。
11.本发明的技术方案还提供一种滤波装置，包括：至少一个如上任一所述的声表面波谐振装置。
12.本发明的技术方案还提供一种射频前端装置，包括：功率放大装置和至少一个如上所述的滤波装置，所述功率放大装置与所述滤波装置连接。
13.本发明的技术方案还提供一种射频前端装置，包括：低噪声放大装置和至少一个如上所述的滤波装置，所述低噪声放大装置与所述滤波装置连接。
14.本发明的技术方案还提供一种射频前端装置，包括：多工装置，所述多工装置包括至少一个如上所述的滤波装置。
15.本发明的技术方案还提供一种声表面波谐振装置的形成方法，包括：提供压电基底，所述压电基底包括沿第一方向依次排布的第一总线区、第一间隔区、叉指重合区、第二间隔区和第二总线区；对所述第一总线区、所述第一间隔区、所述第二间隔区和所述第二总线区进行粒子注入，在所述第一总线区、所述第一间隔区、所述第二间隔区和所述第二总线区内形成粒子注入部；形成所述粒子注入部后，在所述压电基底表面形成电极层，所述电极层包括：位于所述第一总线区表面上的第一总线、位于所述第二总线区表面上的第二总线、与所述第一总线连接的若干第一电极条、以及与所述第二总线连接的若干第二电极条，所述第一电极条和所述第二电极条在第二方向上交替排布，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述第一电极条位于所述第一间隔区和所述叉指重合区表面上，所述第二电极条位于所述第二间隔区和所述叉指重合区表面上。
16.可选的，声波在所述叉指重合区传播的波速大于声波在所述第一总线区、所述第一间隔区、所述第二间隔区和所述第二总线区传播的波速。
17.可选的，所述压电基底还包括：在所述第一方向上，位于所述第一总线区和所述第一间隔区之间的第一假指区、以及位于所述第二总线区和所述第二间隔区之间的第二假指区；所述声表面波谐振装置的形成方法还包括：对所述第一总线区、所述第一间隔区、所述第二间隔区和所述第二总线区进行粒子注入的过程中，还向所述第一假指区和所述第二假指区进行粒子注入，使形成的粒子注入部还位于所述第一假指区和所述第二假指区内。
18.可选的，所述第一电极条还位于所述第一假指区表面，所述第二电极条还位于所述第二假指区表面，且所述电极层还包括：与所述第一总线连接的若干第三电极条、以及与所述第二总线连接的若干第四电极条，所述第三电极条位于所述第一假指区表面，所述第
三电极条与所述第一电极条在所述第二方向上交替排布，所述第四电极条位于所述第二假指区表面，所述第四电极条与所述第二电极条在所述第二方向上交替排布，并且，在所述第一方向上，所述第三电极条与所述第二电极条在所述第一间隔区的两侧相对，所述第四电极条与所述第一电极条在所述第二间隔区的两侧相对，所述第一电极条的长度、所述第二电极条的长度均大于所述第三电极条的长度，所述第一电极条的长度、所述第二电极条的长度均大于所述第四电极条的长度。
19.可选的，所述对所述第一总线区、所述第一间隔区、所述第二间隔区、所述第二总线区、所述第一假指区和所述第二假指区进行粒子注入的方法包括：在所述压电基底表面形成掩膜层，暴露出所述第一总线区、所述第一间隔区、所述第二间隔区、所述第二总线区、所述第一假指区和所述第二假指区；以所述掩膜层为掩膜，对所述压电基底进行粒子注入工艺。
20.可选的，所述粒子注入工艺中注入的粒子包括：氩离子、氧离子、铍离子、钛离子、硅离子、铜离子、氦离子、钆离子、氢离子、氟离子、银离子、铁离子、镍离子和氢氧离子中的至少一种。
21.与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：本发明的技术方案提供的声表面波谐振装置的形成方法中，提供压电基底，所述压电基底包括沿第一方向依次排布的第一总线区、第一间隔区、叉指重合区、第二间隔区和第二总线区，并且，在所述压电基底表面形成电极层，所述电极层包括：位于所述第一总线区表面上的第一总线、位于所述第二总线区表面上的第二总线、与所述第一总线连接的若干第一电极条、以及与所述第二总线连接的若干第二电极条，所述第一电极条和所述第二电极条在第二方向上交替排布，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述第一电极条位于所述第一间隔区和所述叉指重合区表面上，所述第二电极条位于所述第二间隔区和所述叉指重合区表面上。所述叉指重合区表面上同时具有若干所述第一电极条和若干所述第二电极条，由此所述叉指重合区是谐振区，产生横向（所述第一方向）传播和纵向（所述第二方向）传播的剪切波。在此基础上，由于形成所述电极层之前，对所述第一总线区、所述第一间隔区、所述第二间隔区和所述第二总线区进行粒子注入，在所述第一总线区、所述第一间隔区、所述第二间隔区和所述第二总线区内形成粒子注入部，因此，能够通过注入的粒子破坏所述压电基底相应区域（即所述粒子注入部）的晶格结构，以降低声波在所述第一总线区、所述第一间隔区、所述第二间隔区和所述第二总线区传播的波速，使声波能够在所述谐振区内具有较高的波速，减少横向声波的泄漏，从而，提升所述声表面波谐振装置的并联q值。
附图说明
22.图1是一种saw谐振器的俯视结构示意图；图2是图1中沿方向a1-a2的剖面结构示意图及其对应的声速分布示意图；图3至图10是本发明一实施例的声表面波谐振装置的形成方法各步骤的结构示意图；图11是本发明一实施例的声表面波谐振装置对应的声速分布示意图；图12和图13是本发明另一实施例的声表面波谐振装置的结构示意图；图14是本发明另一实施例的声表面波谐振装置对应的声速分布示意图。
具体实施方式
23.如背景技术所述，现有的谐振器的q值仍然有待提升。以下结合附图进行详细说明。
24.图1是一种saw谐振器的俯视结构示意图，图2是图1中沿方向a1-a2的剖面结构示意图及其对应的声速分布示意图。
25.请参考图1和图2，所述saw谐振器包括：压电基底110，所述压电基底110包括沿第一方向x依次排布的总线区vi、假指区i、间隔区ii、叉指重合区iii、间隔区iv、假指区v和总线区vii；位于所述压电基底110表面的电极层，所述电极层包括：总线（busbar）121、与所述总线121连接的多个电极条122、与所述总线121连接的多个电极条123、总线（busbar）131、与所述总线131连接的多个电极条132、以及与所述总线131连接的多个电极条133。
26.其中，所述总线121位于所述总线区vi表面上，所述总线131位于所述总线区vii表面上，所述电极条122位于所述假指区i表面上，所述电极条123位于所述假指区i、所述间隔区ii和所述叉指重合区iii表面上，所述电极条132位于所述假指区v表面上，所述电极条133位于所述叉指重合区iii、所述间隔区iv和所述假指区v表面上。
27.在所述第一方向x上，多个所述电极条122、多个所述电极条123、多个所述电极条132、以及多个所述电极条133位于所述总线121和所述总线131之间，并且，所述电极条122与所述电极条133在所述间隔区ii的两侧相对，所述电极条123与所述电极条132在所述间隔区iv的两侧相对。在第二方向y上，所述电极条122和所述电极条123交替排布，所述电极条132和所述电极条133交替排布，所述电极条123和所述电极条133交替排布，所述第二方向y垂直于所述第一方向x。
28.由于所述电极条123位于所述假指区i、所述间隔区ii和所述叉指重合区iii表面上，所述电极条133位于所述叉指重合区iii、所述间隔区iv和所述假指区v表面上，且在所述第二方向y，所述电极条123和所述电极条133交替排布，因此，所述叉指重合区iii上同时具有交替排布的所述电极条123和所述电极条133，所述叉指重合区iii是谐振区，产生纵向（所述第二方向y）传播和横向（所述第一方向x）传播的剪切波。
29.请继续参考图2，声波在所述间隔区ii和所述间隔区iv传播的波速大于声波在所述总线区vi和所述总线区vii传播的波速，声波在所述总线区vi和所述总线区vii传播的波速大于在所述叉指重合区iii、所述假指区i和所述假指区v传播的波速。
30.横向传播的剪切波会向高声速区域传播，因此，横向传播的剪切波会自所述谐振区向所述总线区vi和所述总线区vii传播，导致横向声波的泄漏。
31.上述实施例中，声波在所述假指区i传播的波速与声波在所述间隔区ii传播的波速具有较大差异，声波在所述假指区v传播的波速与声波在所述间隔区iv传播的波速具有较大差异，以此，对自所述谐振区向所述总线区vi和所述总线区vii传播的横向声波反射，减少横向声波的泄漏。
32.然而，仍有横向声波自所述谐振区向所述总线区vi和所述总线区vii传播，导致横向声波泄漏，造成所述saw谐振器的q值降低。
33.为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供一种声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置和射频前端装置，由于提供压电基底，所述压电基底包括沿第一方向依次排布的第一总线区、第一间隔区、叉指重合区、第二间隔区和第二总线区；对所述第一总线区、所
述第一间隔区、所述第二间隔区和所述第二总线区进行粒子注入，在所述第一总线区、所述第一间隔区、所述第二间隔区和所述第二总线区内形成粒子注入部；形成所述粒子注入部后，在所述压电基底表面形成电极层，所述电极层包括：位于所述第一总线区表面上的第一总线、位于所述第二总线区表面上的第二总线、与所述第一总线连接的若干第一电极条、以及与所述第二总线连接的若干第二电极条，所述第一电极条和所述第二电极条在第二方向上交替排布，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述第一电极条位于所述第一间隔区和所述叉指重合区表面上，所述第二电极条位于所述第二间隔区和所述叉指重合区表面上。因此，可减少横向声波的泄漏，提高所述声表面波谐振装置的并联q值。
34.为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
35.图3至图10是本发明一实施例的声表面波谐振装置的形成方法各步骤的结构示意图。
36.请参考图3和图4，图3是图4中沿方向a的俯视结构示意图，图4是图3中沿方向a3-a4的剖面结构示意图，提供压电基底200。
37.所述压电基底200包括：沿第一方向x依次排布的第一总线区x1、第一间隔区x3、叉指重合区x4、第二间隔区x5和第二总线区x7。
38.在本实施例中，所述压电基底200还包括：在所述第一方向x上，位于所述第一总线区x1和所述第一间隔区x3之间的第一假指区x2、以及位于所述第二总线区x7和所述第二间隔区x5之间的第二假指区x6。
39.所述压电基底200的材料包括钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、氮化铝、铌镁酸铅—钛酸铅、氮化铝合金、氮化镓和氧化锌中的一种或多种的组合。
40.接着，对所述第一总线区x1、所述第一间隔区x3、所述第二间隔区x5和所述第二总线区x7进行粒子注入，在所述第一总线区x1、所述第一间隔区x3、所述第二间隔区x5和所述第二总线区x7内形成粒子注入部。
41.在本实施例中，对所述第一总线区x1、所述第一间隔区x3、所述第二间隔区x5和所述第二总线区x7进行粒子注入的过程中，还向所述第一假指区x2和所述第二假指区x6进行粒子注入，使形成的粒子注入部还位于所述第一假指区x2和所述第二假指区x6内。
42.形成所述粒子注入部的详细步骤请参考图5至图8。
43.请参考图5，图5与图4的视图方向一致，在所述压电基底200表面形成掩膜层210，暴露出所述第一总线区x1、所述第一间隔区x3、所述第二间隔区x5、所述第二总线区x7、所述第一假指区x2和所述第二假指区x6。
44.在本实施例中，所述掩膜层210的材料包括：光刻胶、介质层或金属层。
45.请参考图6，图6与图5的视图方向一致，以所述掩膜层210为掩膜，对所述压电基底200进行粒子注入工艺。
46.在本实施例中，所述粒子注入工艺中注入的粒子包括：氩离子、氧离子、铍离子、钛离子、硅离子、铜离子、氦离子、钆离子、氢离子、氟离子、银离子、铁离子、镍离子和氢氧离子中的至少一种。
47.通过所述注入的粒子，能够破坏所述压电基底200的相应区域（即所述粒子注入部所在区域）的晶格结构，以实现声波波速的降低。
48.需要理解的是，注入的粒子到达所述压电基底200内越深的位置，所述粒子注入部的深度越大。
49.请参考图7和图8，图7是图8中沿方向a的俯视结构示意图，图8是图7中沿方向a3-a4的剖面结构示意图，在所述第一总线区x1、所述第一间隔区x3、所述第二间隔区x5、所述第二总线区x7、所述第一假指区x2和所述第二假指区x6内形成粒子注入部220。
50.需要说明的是，图6是进行所述粒子注入的过程中的结构示意图，图7和图8是完成所述粒子注入时的结构示意图。
51.需要理解的是，所述粒子注入部220的深度h（如图8中所示）越深，对声波波速的影响越大，即：声波波速越慢。
52.在本实施例中，所述粒子注入部220内掺杂氩离子、氧离子、铍离子、钛离子、硅离子、铜离子、氦离子、钆离子、氢离子、氟离子、银离子、铁离子、镍离子和氢氧离子中的至少一种。
53.在本实施例中，形成所述粒子注入部220之后，去除所述掩膜层210。
54.请参考图9和图10，图9是图10中沿方向a的俯视结构示意图，图10是图9中沿方向a3-a4的剖面结构示意图，形成所述粒子注入部220后，在所述压电基底200表面形成电极层230。
55.所述电极层230包括：位于所述第一总线区x1表面上的第一总线231、位于所述第二总线区x7表面上的第二总线232、与所述第一总线231连接的若干第一电极条233、以及与所述第二总线232连接的若干第二电极条234，所述第一电极条233和所述第二电极条234在第二方向y上交替排布，所述第二方向y垂直于所述第一方向x，所述第一电极条233位于所述第一间隔区x3和所述叉指重合区x4表面上，所述第二电极条234位于所述第二间隔区x5和所述叉指重合区x4表面上。
56.由于所述第一电极条233和所述第二电极条234在所述第二方向y上交替排布，并且，所述第一电极条233位于所述第一间隔区x3和所述叉指重合区x4表面，所述第二电极条234位于所述第二间隔区x5和所述叉指重合区x4表面，因此，所述叉指重合区x4表面上同时具有若干所述第一电极条233和若干所述第二电极条234，从而，所述叉指重合区x4是谐振区，产生横向（所述第一方向x）传播和纵向（所述第二方向y）传播的剪切波。由于对所述第一总线区x1、所述第一间隔区x3、所述第二间隔区x5和所述第二总线区x7进行离子注入，注入的粒子会破坏所述压电基底200的相应区域（所述粒子注入部220所在的区域）的晶格结构，以降低声波在所述第一总线区x1、所述第一间隔区x3、所述第二间隔区x5以及所述第二总线区x7传播的波速，使声波在所述谐振区内具有较高的波速，减少横向声波的泄漏，从而提升了所述声表面波谐振装置的并联q值。
57.在本实施例中，由于还向所述第一假指区x2和所述第二假指区x6进行粒子注入，使所述粒子注入部220还位于所述第一假指区x2和所述第二假指区x6内，因此，还降低了声波在所述第一假指区x2和所述第二假指区x6传播的波速，以进一步减少横向声波泄漏。
58.在本实施例中，所述第一电极条233还位于所述第一假指区x2表面，所述第二电极条234还位于所述第二假指区x6表面，以确保第一电极条233与第一总线231的连接、第二电极条234与第二总线232的连接。
59.在本实施例中，所述电极层230还包括：与所述第一总线231连接的若干第三电极
条235、以及与所述第二总线232连接的若干第四电极条236。
60.其中，在所述第一方向x上，若干所述第三电极条235和若干所述第四电极条236也位于所述第一总线231和所述第二总线232之间。
61.在本实施例中，所述第三电极条235位于所述第一假指区x2表面，所述第三电极条235与所述第一电极条233在所述第二方向y上交替排布，所述第四电极条236位于所述第二假指区x6表面，所述第四电极条236与所述第二电极条234在所述第二方向y上交替排布，并且，在所述第一方向x上，所述第三电极条235与所述第二电极条234在所述第一间隔区x3的两侧相对，所述第四电极条236与所述第一电极条233在所述第二间隔区x5的两侧相对，所述第一电极条233的长度、所述第二电极条234的长度均大于所述第三电极条235的长度，所述第一电极条233的长度、所述第二电极条234的长度均大于所述第四电极条236的长度。
62.具体的，如图11所示，声波在所述叉指重合区x4传播的波速大于声波在所述第一总线区x1、所述第一间隔区x3、所述第二间隔区x5、所述第二总线区x7、所述第一假指区x2和所述第二假指区x6传播的波速。因此，声波在所述谐振区内具有较高的波速，减少了横向声波的泄漏，从而，提升了所述声表面波谐振装置的并联q值。
63.此外，由于所述电极层230还包括若干所述第三电极条235和若干所述第四电极条236，因此，可使声波在所述第一假指区x2的传播的波速与在所述第一间隔区x3的传播的波速具有较大差异，使声波在所述第二假指区x6的传播的波速与在所述第二间隔区x5的传播的波速具有较大差异，从而，对自所述谐振区向所述第一总线区x1以及向所述第二总线区x7传播的横向声波反射，以进一步降低横向声波泄漏。
64.具体的，请继续参考图11，声波在所述第一总线区x1传播的波速与声波在所述第二总线区x7传播的波速相近，声波在所述第一间隔区x3传播的波速与声波在所述第二间隔区x5传播的波速相近，声波在所述第一假指区x2传播的波速与声波在所述第二假指区x6传播的波速相近。声波在所述第一间隔区x3和所述第二间隔区x5传播的波速，远大于在所述第一假指区x2和所述第二假指区x6传播的波速。
65.在另一实施例中，压电基底300（如图12中所示）不包括第一假指区和第二假指区，并且，电极层不包括第三电极条和第四电极条。
66.在本实施例中，所述电极层230的材料包括：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍、金、钛、铜、铬、镁和钪中的一种或2种以上的合金。
67.相应的，本发明一实施例还提供一种可由上述方法形成的声表面波谐振装置，请继续参考图9和图10，包括：压电基底200，所述压电基底200包括沿第一方向x依次排布的第一总线区x1、第一间隔区x3、叉指重合区x4、第二间隔区x5和第二总线区x7；位于所述第一总线区x1、所述第一间隔区x3、所述第二间隔区x5和所述第二总线区x7内的粒子注入部220；位于所述压电基底200表面的电极层230，所述电极层230包括：位于所述第一总线区x1表面上的第一总线231、位于所述第二总线区x7表面上的第二总线232、与所述第一总线231连接的若干第一电极条233、以及与所述第二总线232连接的若干第二电极条234，所述第一电极条233和所述第二电极条234在第二方向y上交替排布，所述第二方向y垂直于所述第一方向x，所述第一电极条233位于所述第一间隔区x3和所述叉指重合区x4表面上，所述第二电极条234位于所述第二间隔区x5和所述叉指重合区x4表面上。
68.其中，在所述第一方向x上，若干所述第一电极条233和若干所述第二电极条234位
于所述第一总线231和所述第二总线232之间。由于所述第一电极条233和所述第二电极条234在所述第二方向y上交替排布，并且，所述第一电极条233位于所述第一间隔区x3和所述叉指重合区x4表面，所述第二电极条234位于所述第二间隔区x5和所述叉指重合区x4表面，因此，所述叉指重合区x4表面上同时具有若干所述第一电极条233和若干所述第二电极条234，从而，所述叉指重合区x4是谐振区，产生横向（所述第一方向x）传播和纵向（所述第二方向y）传播的剪切波。。由于所述粒子注入部220位于所述第一总线区x1、所述第一间隔区x3、所述第二间隔区x5和所述第二总线区x7内，因此，降低了声波在所述第一总线区x1、所述第一间隔区x3、所述第二间隔区x5和所述第二总线区x7传播的波速，使声波能够在所述谐振区内具有较高的波速，减少横向声波的泄漏，从而提升所述声表面波谐振装置的并联q值。在本实施例中，所述压电基底200还包括：在所述第一方向x上，位于所述第一总线区x1和所述第一间隔区x3之间的第一假指区x2、以及位于所述第二总线区x7和所述第二间隔区x5之间的第二假指区x6。
69.在本实施例中，所述粒子注入部220还位于所述第一假指区x2和所述第二假指区x6内，因此，还降低了声波在所述第一假指区x和所述第二假指区x6传播的波速，从而进一步减少横向声波泄漏。
70.具体的，如图11所示，声波在所述叉指重合区x4传播的波速大于声波在所述第一总线区x1、所述第一间隔区x3、所述第二间隔区x5、所述第二总线区x7、所述第一假指区x2和所述第二假指区x6传播的波速。因此，声波在所述谐振区内具有较高的波速，可减少横向声波的泄漏，从而，提升了所述声表面波谐振装置的并联q值。
71.在本实施例中，所述第一电极条233还位于所述第一假指区x2表面，所述第二电极条234还位于所述第二假指区x6表面，以确保第一电极条233与第一总线231的连接、第二电极条234与第二总线232的连接。
72.在本实施例中，所述电极层230还包括：与所述第一总线231连接的若干第三电极条235、以及与所述第二总线232连接的若干第四电极条236。
73.其中，在所述第一方向x上，若干所述第三电极条235和若干所述第四电极条236也位于所述第一总线231和所述第二总线232之间。
74.在本实施例中，所述第三电极条235位于所述第一假指区x2表面，所述第三电极条235与所述第一电极条233在所述第二方向y上交替排布，所述第四电极条236位于所述第二假指区x6表面，所述第四电极条236与所述第二电极条234在所述第二方向y上交替排布，并且，在所述第一方向x上，所述第三电极条235与所述第二电极条234在所述第一间隔区x3的两侧相对，所述第四电极条236与所述第一电极条233在所述第二间隔区x5的两侧相对，所述第一电极条233的长度、所述第二电极条234的长度均大于所述第三电极条235的长度，所述第一电极条233的长度、所述第二电极条234的长度均大于所述第四电极条236的长度。
75.由于所述电极层230还包括若干所述第三电极条235和若干所述第四电极条236，因此，可使声波在所述第一假指区x2传播的波速与在所述第一间隔区x3传播的波速具有较大差异，使声波在所述第二假指区x6传播的波速与在所述第二间隔区x5传播的波速具有较大差异，从而，对自所述谐振区向所述第一总线区x1以及向所述第二总线区x7传播的横向声波反射，以进一步降低横向声波泄漏。
76.具体的，所述粒子注入部220在所述压电基底200表面具有粒子注入投影，并且，所
述电极层230在所述第一总线区x1、所述第一间隔区x3、所述第二间隔区x5、所述第二总线区x7、所述第一假指区x2、所述第二假指区x6表面的投影在所述粒子注入投影范围内。
77.具体的，请继续参考图11，声波在所述第一间隔区x3传播的波速、以及声波在所述第二间隔区x5传播的波速大于声波在所述第一总线区x1传播的波速、以及声波在所述第二总线区x7传播的波速，声波在所述第一总线区x1传播的波速、以及声波在所述第二总线区x7传播的波速大于声波在所述第一假指区x2传播的波速、以及声波在所述第二假指区x6传播的波速。声波在所述第一总线区x1传播的波速与声波在所述第二总线区x7传播的波速相近，声波在所述第一间隔区x3传播的波速与声波在所述第二间隔区x5传播的波速相近，声波在所述第一假指区x2传播的波速与声波在所述第二假指区x6传播的波速相近。
78.其中，声波在所述第一假指区x2传播的波速与声波在所述第一间隔区x3传播的波速具有较大差异，声波在所述第二假指区x6传播的波速与声波在所述第二间隔区x5传播的波速具有较大差异，因此，自所述谐振区向所述第一总线区x1以及向所述第二总线区x7传播的横向声波被反射，进一步降低了横向声波泄漏。
79.在本实施例中，所述压电基底200的材料包括钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、氮化铝、铌镁酸铅—钛酸铅、氮化铝合金、氮化镓和氧化锌中的一种或多种的组合。
80.在本实施例中，所述粒子注入部220内掺杂氩离子、氧离子、铍离子、钛离子、硅离子、铜离子、氦离子、钆离子、氢离子、氟离子、银离子、铁离子、镍离子和氢氧离子中的至少一种。
81.在本实施例中，所述电极层230的材料包括：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍、金、钛、铜、铬、镁和钪中的一种或2种以上的合金。
82.图12和图13是本发明另一实施例的声表面波谐振装置的结构示意图。
83.相应的，本发明另一实施例还提供一种可由上述方法形成的声表面波谐振装置，请参考图12和图13，图12是图13中沿方向d的俯视结构示意图，图13是图12中沿方向d1-d2的剖面结构示意图，包括：压电基底300，所述压电基底300包括沿第一方向x依次排布的第一总线区z1、第一间隔区z3、叉指重合区z4、第二间隔区z5和第二总线区z7；位于所述第一总线区z1、所述第一间隔区z3、所述第二间隔区z5和所述第二总线区z7内的粒子注入部320；位于所述压电基底300表面的电极层330，所述电极层330包括：位于所述第一总线区z1表面上的第一总线331、位于所述第二总线区z7表面上的第二总线332、与所述第一总线331连接的若干第一电极条333、以及与所述第二总线332连接的若干第二电极条334，所述第一电极条333和所述第二电极条334在第二方向y上交替排布，所述第二方向y垂直于所述第一方向x，所述第一电极条333位于所述第一间隔区z3和所述叉指重合区z4表面上，所述第二电极条334位于所述第二间隔区z5和所述叉指重合区z4表面上。
84.其中，在所述第一方向x上，若干所述第一电极条333和若干所述第二电极条334位于所述第一总线331和所述第二总线332之间。
85.所述第一电极条333和所述第二电极条334在第二方向y上交替排布，所述第二方向y垂直于所述第一方向x，所述第一电极条333位于所述第一间隔区z3和所述叉指重合区z4表面上，所述第二电极条334位于所述第二间隔区z5和所述叉指重合区z4表面上。
86.由于所述第一电极条333和所述第二电极条334在所述第二方向y上交替排布，并
且，所述第一电极条333位于所述第一间隔区z3和所述叉指重合区z4表面上，所述第二电极条334位于所述第二间隔区z5和所述叉指重合区z4表面上，因此，所述叉指重合区z4表面上同时具有若干所述第一电极条333和若干所述第二电极条334，从而，所述叉指重合区z4是谐振区，产生横向（所述第一方向x）传播和纵向（所述第二方向y）传播的剪切波。由于所述粒子注入部320位于所述第一总线区z1、所述第一间隔区z3、所述第二间隔区z5和所述第二总线区z7内，因此，降低了声波在所述第一总线区z1、所述第一间隔区z3、所述第二间隔区z5和所述第二总线区z7传播的波速，使声波能够在所述谐振区内具有较高的波速，减少横向声波的泄漏，从而提升所述声表面波谐振装置的并联q值。
87.具体的，如图14所示，声波在所述叉指重合区z4传播的波速大于声波在所述第一总线区z1、所述第二总线区z7、所述第一间隔区z3和所述第二间隔区z5传播的波速。因此，减少了泄露出所述谐振区的横向声波，从而，提升形成的所述声表面波谐振装置的并联q值。
88.在本实施例中，所述压电基底300的材料包括钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、氮化铝、铌镁酸铅—钛酸铅、氮化铝合金、氮化镓和氧化锌中的一种或多种的组合。
89.在本实施例中，所述粒子注入部320内掺杂氩离子、氧离子、铍离子、钛离子、硅离子、铜离子、氦离子、钆离子、氢离子、氟离子、银离子、铁离子、镍离子和氢氧离子中的至少一种。
90.在本实施例中，所述电极层330的材料包括：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍、金、钛、铜、铬、镁和钪中的一种或2种以上的合金。
91.相应的，本发明实施例还提供一种滤波装置，包括：至少一个上述实施例其中之一提供的声表面波谐振装置。
92.相应的，本发明实施例还提供一种射频前端装置，包括：功率放大装置和至少一个上述实施例提供的滤波装置，所述功率放大装置与所述滤波装置连接。
93.相应的，本发明实施例还提供一种射频前端装置，包括：低噪声放大装置和至少一个上述实施例提供的滤波装置，所述低噪声放大装置与所述滤波装置连接。
94.相应的，本发明实施例还提供一种射频前端装置，包括：多工装置，所述多工装置包括至少一个上述实施例提供的滤波装置。
95.虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。