一种提高miniLED键合良率的方法与流程

技术特征：
1.一种提高mini led键合良率的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：s1.在gaas衬底上依次生长n型半导体层、量子阱层、p型半导体层；s2.对s1中p型半导体层表面进行粗化处理；s3.将s2中粗化处理后的外延片清洗干净，并在外延片粗化面一侧蒸镀一层sio2；s4.在蓝宝石衬底的光滑一侧蒸镀一层sio2；s5.通过物理研磨抛光技术将s3得到的外延片和s4得到的蓝宝石衬底的sio2层抛光平整；s6.将二氧化硅溶胶旋涂在s5得到的外延片的sio2层表面；s7.将s5得到的蓝宝石衬底sio2层与s6得到的外延片sio2层对齐，并紧密接触，完成键合；s8.将s7中键合后的外延片在氨水、双氧水混合溶液中浸泡去除gaas衬底，露出外延层，检验键合良率。2.根据权利要求1所述的一种提高mini led键合良率的方法，其特征在于，所述二氧化硅溶胶的粒径为100-200nm。3.根据权利要求1或2所述的一种提高mini led键合良率的方法，其特征在于，所述二氧化硅溶胶的制备方法为：将乙醇与水按8-12:1的比例加入到烧杯内混合，然后加入氨水调节ph至9-11，在磁力搅拌下将溶液温度加热到55-65℃，然后逐滴滴加正硅酸乙酯，搅拌均匀，得到二氧化硅溶胶。4.根据权利要求3所述的一种提高mini led键合良率的方法，其特征在于，所述溶液中滴加完正硅酸乙酯后，所述正硅酸乙酯的浓度为0.1mol/l。5.根据权利要求1所述的一种提高mini led键合良率的方法，其特征在于，s2中，使用碘酸溶液浸泡2-3min进行粗化处理。6.根据权利要求1所述的一种提高mini led键合良率的方法，其特征在于，s3中，使用丙酮溶液进行清洗，超声处理15-20min。7.根据权利要求1所述的一种提高mini led键合良率的方法，其特征在于，s3、s4中，蒸镀sio2层的厚度为2-4μm。8.根据权利要求1所述的一种提高mini led键合良率的方法，其特征在于，s7中，键合条件包括：温度为400-450℃，压力为15000-16000kg。9.根据权利要求1所述的一种提高mini led键合良率的方法，其特征在于，s8中，所述氨水、双氧水混合溶液中氨水、双氧水的体积比例为1:10，浸泡时间为25-35min。

技术总结
本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种提高mini LED键合良率的方法，包括在GaAs衬底上依次生长N型半导体层、量子阱层、P型半导体层；对P型半导体层进行粗化处理，在粗化面一侧蒸镀一层SiO2；在蓝宝石衬底的光滑一侧蒸镀一层SiO2；将外延片和蓝宝石衬底的SiO2层抛光平整；将二氧化硅溶胶旋涂在外延片的SiO2层表面；将蓝宝石衬底SiO2层与外延片SiO2层对齐，完成键合后，去除GaAs衬底获得。本发明通过将小粒径二氧化硅溶胶旋涂在已抛光的外延片键合层上，可增加键合层表面的平整度，同时起到促进键合的作用，有效增强键合层之间的键合强度，提高键合良率。提高键合良率。提高键合良率。


技术研发人员：王克来 李俊承 戴文 陈宝 徐培强 熊珊 潘彬 王向武
受保护的技术使用者：南昌凯捷半导体科技有限公司
技术研发日：2022.03.17
技术公布日：2022/4/12