半导体封装装置及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体封装装置，包括：第一封装结构，所述第一封装结构包括第一导电垫；第二封装结构，所述第二封装结构包括第二导电垫；多个第一纳米线，从所述第一导电垫向所述第二导电垫方向延伸；以及导电互连体，位于所述多个第一纳米线的包覆范围内，电连接所述第一导电垫和所述第二导电垫。2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，还包括：多个第二纳米线，从所述第二导电垫向所述第一导电垫方向延伸，其中，所述导电互连体还位于所述多个第二纳米线的包覆范围内。3.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其中，所述导电互连体具有颈缩形状。4.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述第一导电垫、所述第二导电垫和所述第一纳米线的材料为第一金属，所述导电互连体的材料为熔点低于所述第一金属的第二金属。5.根据权利要求4所述的半导体封装装置，其中，所述第一金属包括铜。6.根据权利要求4所述的半导体封装装置，其中，所述第二金属包括镓或铜镓合金。7.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其中，所述多个第一纳米线和所述多个第二纳米线相互交错。8.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其中，所述多个第一纳米线与所述第二导电垫不接触。9.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其中，所述多个第二纳米线与所述第一导电垫不接触。10.一种制造半导体封装装置的方法，包括：提供第一封装结构，所述第一封装结构包括第一导电垫，从所述第一导电垫延伸出多个第一纳米线，并且提供第二封装结构，所述第二封装结构包括第二导电垫；利用所述多个第一纳米线蘸取液态导电材料；以及将所述第一封装结构键合到所述第二封装结构，使得所述液态导电材料连接所述第二导电垫。11.根据权利要求10所述的方法，其中，从所述第二导电垫延伸出多个第二纳米线；以及所述将所述第一封装结构键合到所述第二封装结构，使得所述液态导电材料连接所述第二导电垫，包括：将所述第一封装结构键合到所述第二封装结构，使得所述液态导电材料连接所述第二纳米线。12.根据权利要求10或11所述的方法，还包括：固化所述液态导电材料。13.根据权利要求10或11所述的方法，还包括：对所述第一封装结构或所述第二封装结构施加压力。14.根据权利要求10或11所述的方法，其中，所述第一导电垫、所述第二导电垫和所述第一纳米线的材料为第一金属，所述液态导电材料为熔点低于所述第一金属的第二金属。

技术总结
本公开提出了半导体封装装置及其制造方法，通过在导电垫上延伸出多个纳米线，并在纳米线间加上液态导电材料进行接合作业，形成位于纳米线包覆范围内的导电互连体，来解决纳米线结合所存在的问题。液态导电材料形成导电互连体填充纳米线间的空隙，可有效避免空洞问题；导电互连体起到电连接作用，可以避免一侧的纳米线与对侧的导电垫无法完全结合的问题；液态导电材料形成导电互连体，位于纳米线的包覆范围内，不易造成桥接现象。不易造成桥接现象。不易造成桥接现象。


技术研发人员：江照泽 方绪南
受保护的技术使用者：日月光半导体制造股份有限公司
技术研发日：2021.12.29
技术公布日：2022/4/12