一种银纳米线透明电极及银纳米线透明电极在oled上的应用
技术领域
1.本发明涉及有机光电组件技术领域，具体为一种银纳米线透明电极及银纳米线透明电极在oled上的应用。
背景技术：
2.oled（foled）具备宽视角、高亮度等优点，同时由于foled的衬底是具有良好柔韧性的材料，因此比玻璃衬底oled显示屏更轻薄、更耐冲击，且foled的制备有望采用卷对卷方式生产，可大幅地降低制造成本。透明膜导电薄膜为oled制备中必备的组件，透明导电薄膜是一种既能导电又在可见光范围内具有高透明率的一种薄膜，主要有金属膜系、氧化物膜系、其他化合物膜系、高分子膜系、复合膜系等。
3.然而随着社会的进步，为满足社会需求，oled的导电性和柔韧性的要求也随之提高。而目前常见的透明导电膜性能已经不能满足oled对导电性和柔韧性的需求。需要进一步开发出具有更高导电性和柔韧性的透明导电薄膜。此外，现有柔性oled对水蒸气和氧气都比较敏感，而大部分柔性衬底的水、氧透过率均比较高，当水汽和氧气进入到器件内部时，会影响阳极与发光层之间的粘附性，使有机膜层内发生化学反应。这些都会导致器件的光电特性急剧衰退，造成器件的迅速老化、失效，为此我们提出一种银纳米线透明导电薄膜及银纳米线透明电极在oled上的应用以解决上述提出的问题。
技术实现要素：
4.针对现有技术的不足，本发明提供了一种银纳米线透明电极及银纳米线透明电极在oled上的应用，解决了上述背景技术中提出的问题。
5.为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种银纳米线透明电极，所述电极的层状结构依次分布为柔性基材、agnws阳极层、热压pedot：pss修饰层、空穴传输层、有机发光材料和电子传输层、lif电子注入层和阴极材料，所述电子注入层材质为lif，厚度为0.5-5nm，厚度为50-100nm，所述空穴传输层厚度为50-100nm，采用npb材质制作。
6.所述agnws阳极层厚度大于50nm。
7.所述柔性基材为pet、pen、pdms或pi其中的一种，厚度为5-300μm。
8.所述阴极材料的厚度为50-500nm，材质为al。
9.本发明另外一种目的，将银纳米线透明电极用在oled上使其柔韧性提升，所述oled的银纳米线透明电极采用pedot:pss导电聚合物对其表面进行修饰，修饰的方法包含热压，喷涂，旋涂，经过pedot:pss修饰后银纳米线oled透明电极其表面平整度和功函得到改善，利于空穴注入。
10.本发明另外一种目的，将银纳米线透明电极用于oled上适用于柔性器件。
11.本发明另外一种目的，将银纳米线透明电极用于oled上还适用于非柔性器件。
12.本发明另外一种目的，用银纳米线透明电极制作的oled可用于制备高效器件。
13.本发明提供了一种银纳米线透明电极及银纳米线透明电极在oled上的应用，具备
以下有益效果：1、该银纳米线透明电极及银纳米线透明电极在oled上的应用，通过将银纳米线透明电极用在oled上，使其柔韧性得到很好的改善，从而适用柔性和非柔性器件上。
14.2、该银纳米线透明电极及银纳米线透明电极在oled上的应用，通过采用纳米银线编织于石墨烯表面制备透明导电薄膜中的复合强化层，有助于提高薄膜的导电性与柔韧性，提高其机械性能，进一步的提高oled显示设备的寿命，另外采用pedot：pss聚合物修饰，可以降低银纳米线在聚合物薄膜衬底表面交联的粗糙度，有利于增加oled的空穴注入能力，能明显提高oled的发光效率和稳定性，有助于降低工作电压。
15.3、该银纳米线透明电极及银纳米线透明电极在oled上的应用，通过在透明导电薄膜的表层粘合疏水膜与聚合物膜构成的水氧阻隔层，降低水蒸气和氧气的渗透率，能有效提高疏水与防水性能，防止水蒸气和氧气透过该oled进入器件内部，提高使用寿命。
具体实施方式
16.下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
17.实施例：一种银纳米线透明电极，电极的层状结构依次分布为柔性基材、agnws阳极层、热压pedot：pss修饰层、空穴传输层、有机发光材料和电子传输层、lif电子注入层和阴极材料，电子注入层材质为lif，厚度为0.5-5nm，厚度为50-100nm，空穴传输层厚度为50-100nm，采用npb材质制作。
18.agnws阳极层厚度大于50nm，利用银纳米线电极使其柔韧性得到提升。
19.柔性基材为pet、pen、pdms或pi其中的一种，厚度为5-300μm。
20.阴极材料的厚度为50-500nm，材质为al。
21.本发明另外一种目的，将银纳米线透明电极用在oled上使其柔韧性提升，oled的银纳米线透明电极采用pedot:pss导电聚合物对其表面进行修饰，修饰的方法包含热压，喷涂，旋涂，经过pedot:pss修饰后银纳米线oled透明电极其表面平整度和功函得到改善，利于空穴注入。
22.本发明另外一种目的，将银纳米线透明电极用于oled上适用于柔性器件。
23.本发明另外一种目的，将银纳米线透明电极用于oled上还适用于非柔性器件。
24.本发明另外一种目的，用银纳米线透明电极制作的oled可用于制备高效器件。
25.在本发明的描述中，需要说明的是，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性，此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
26.尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以
理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
技术特征：
1.一种银纳米线透明电极，其特征在于：所述电极的层状结构依次分布为柔性基材、agnws阳极层、热压pedot：pss修饰层、空穴传输层、有机发光材料和电子传输层、lif电子注入层和阴极材料，所述电子注入层材质为lif，厚度为0.5-5nm，厚度为50-100nm，所述空穴传输层厚度为50-100nm，采用npb材质制作。2.根据权利要求1所述的一种银纳米线透明电极，其特征在于：所述agnws阳极层厚度大于50nm。3.根据权利要求1所述的一种银纳米线透明电极，其特征在于：所述柔性基材为pet、pen、pdms或pi其中的一种，厚度为5-300μm。4.根据权利要求1所述的一种银纳米线透明电极，其特征在于：所述阴极材料的厚度为50-500nm，材质为al。5.一种银纳米线透明电极在oled上的应用，其特征在于：将银纳米线透明电极用在oled上使其柔韧性提升，所述oled的银纳米线透明电极采用pedot:pss导电聚合物对其表面进行修饰，修饰的方法包含热压，喷涂，旋涂，经过pedot:pss修饰后银纳米线oled透明电极其表面平整度和功函得到改善，利于空穴注入。6.根据权利要求5所述的一种银纳米线透明电极在oled上的应用，其特征在于：将银纳米线透明电极用于oled上适用于柔性器件。7.根据权利要求6所述的一种银纳米线透明电极在oled上的应用，其特征在于：将银纳米线透明电极用于oled上还适用于非柔性器件。8.根据权利要求7所述的一种银纳米线透明电极在oled上的应用，其特征在于：用银纳米线透明电极制作的oled可用于制备高效器件。
技术总结
本发明公开了一种银纳米线透明电极及银纳米线透明电极在OLED上的应用，涉及有机光电组件技术领域，具体为一种银纳米线透明电极，所述电极的层状结构依次分布为柔性基材、AgNWs阳极层、热压PEDOT：PSS修饰层、空穴传输层、有机发光材料和电子传输层、LiF电子注入层和阴极材料，所述电子注入层材质为LiF，厚度为0.5-5nm，厚度为50-100nm，所述空穴传输层厚度为50-100nm，采用NPB材质制作，该银纳米线透明电极及银纳米线透明电极在OLED上的应用，通过将银纳米线透明电极用在OLED上，使其柔韧性得到很好的改善，从而适用柔性和非柔性器件上。从而适用柔性和非柔性器件上。
技术研发人员：王帅 甘李 杨建文 周明
受保护的技术使用者：重庆烯宇新材料科技有限公司
技术研发日：2021.12.16
技术公布日：2022/4/12
技术领域
1.本发明涉及有机光电组件技术领域，具体为一种银纳米线透明电极及银纳米线透明电极在oled上的应用。
背景技术：
2.oled（foled）具备宽视角、高亮度等优点，同时由于foled的衬底是具有良好柔韧性的材料，因此比玻璃衬底oled显示屏更轻薄、更耐冲击，且foled的制备有望采用卷对卷方式生产，可大幅地降低制造成本。透明膜导电薄膜为oled制备中必备的组件，透明导电薄膜是一种既能导电又在可见光范围内具有高透明率的一种薄膜，主要有金属膜系、氧化物膜系、其他化合物膜系、高分子膜系、复合膜系等。
3.然而随着社会的进步，为满足社会需求，oled的导电性和柔韧性的要求也随之提高。而目前常见的透明导电膜性能已经不能满足oled对导电性和柔韧性的需求。需要进一步开发出具有更高导电性和柔韧性的透明导电薄膜。此外，现有柔性oled对水蒸气和氧气都比较敏感，而大部分柔性衬底的水、氧透过率均比较高，当水汽和氧气进入到器件内部时，会影响阳极与发光层之间的粘附性，使有机膜层内发生化学反应。这些都会导致器件的光电特性急剧衰退，造成器件的迅速老化、失效，为此我们提出一种银纳米线透明导电薄膜及银纳米线透明电极在oled上的应用以解决上述提出的问题。
技术实现要素：
4.针对现有技术的不足，本发明提供了一种银纳米线透明电极及银纳米线透明电极在oled上的应用，解决了上述背景技术中提出的问题。
5.为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种银纳米线透明电极，所述电极的层状结构依次分布为柔性基材、agnws阳极层、热压pedot：pss修饰层、空穴传输层、有机发光材料和电子传输层、lif电子注入层和阴极材料，所述电子注入层材质为lif，厚度为0.5-5nm，厚度为50-100nm，所述空穴传输层厚度为50-100nm，采用npb材质制作。
6.所述agnws阳极层厚度大于50nm。
7.所述柔性基材为pet、pen、pdms或pi其中的一种，厚度为5-300μm。
8.所述阴极材料的厚度为50-500nm，材质为al。
9.本发明另外一种目的，将银纳米线透明电极用在oled上使其柔韧性提升，所述oled的银纳米线透明电极采用pedot:pss导电聚合物对其表面进行修饰，修饰的方法包含热压，喷涂，旋涂，经过pedot:pss修饰后银纳米线oled透明电极其表面平整度和功函得到改善，利于空穴注入。
10.本发明另外一种目的，将银纳米线透明电极用于oled上适用于柔性器件。
11.本发明另外一种目的，将银纳米线透明电极用于oled上还适用于非柔性器件。
12.本发明另外一种目的，用银纳米线透明电极制作的oled可用于制备高效器件。
13.本发明提供了一种银纳米线透明电极及银纳米线透明电极在oled上的应用，具备
以下有益效果：1、该银纳米线透明电极及银纳米线透明电极在oled上的应用，通过将银纳米线透明电极用在oled上，使其柔韧性得到很好的改善，从而适用柔性和非柔性器件上。
14.2、该银纳米线透明电极及银纳米线透明电极在oled上的应用，通过采用纳米银线编织于石墨烯表面制备透明导电薄膜中的复合强化层，有助于提高薄膜的导电性与柔韧性，提高其机械性能，进一步的提高oled显示设备的寿命，另外采用pedot：pss聚合物修饰，可以降低银纳米线在聚合物薄膜衬底表面交联的粗糙度，有利于增加oled的空穴注入能力，能明显提高oled的发光效率和稳定性，有助于降低工作电压。
15.3、该银纳米线透明电极及银纳米线透明电极在oled上的应用，通过在透明导电薄膜的表层粘合疏水膜与聚合物膜构成的水氧阻隔层，降低水蒸气和氧气的渗透率，能有效提高疏水与防水性能，防止水蒸气和氧气透过该oled进入器件内部，提高使用寿命。
具体实施方式
16.下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
17.实施例：一种银纳米线透明电极，电极的层状结构依次分布为柔性基材、agnws阳极层、热压pedot：pss修饰层、空穴传输层、有机发光材料和电子传输层、lif电子注入层和阴极材料，电子注入层材质为lif，厚度为0.5-5nm，厚度为50-100nm，空穴传输层厚度为50-100nm，采用npb材质制作。
18.agnws阳极层厚度大于50nm，利用银纳米线电极使其柔韧性得到提升。
19.柔性基材为pet、pen、pdms或pi其中的一种，厚度为5-300μm。
20.阴极材料的厚度为50-500nm，材质为al。
21.本发明另外一种目的，将银纳米线透明电极用在oled上使其柔韧性提升，oled的银纳米线透明电极采用pedot:pss导电聚合物对其表面进行修饰，修饰的方法包含热压，喷涂，旋涂，经过pedot:pss修饰后银纳米线oled透明电极其表面平整度和功函得到改善，利于空穴注入。
22.本发明另外一种目的，将银纳米线透明电极用于oled上适用于柔性器件。
23.本发明另外一种目的，将银纳米线透明电极用于oled上还适用于非柔性器件。
24.本发明另外一种目的，用银纳米线透明电极制作的oled可用于制备高效器件。
25.在本发明的描述中，需要说明的是，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性，此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
26.尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以
理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
技术特征：
1.一种银纳米线透明电极，其特征在于：所述电极的层状结构依次分布为柔性基材、agnws阳极层、热压pedot：pss修饰层、空穴传输层、有机发光材料和电子传输层、lif电子注入层和阴极材料，所述电子注入层材质为lif，厚度为0.5-5nm，厚度为50-100nm，所述空穴传输层厚度为50-100nm，采用npb材质制作。2.根据权利要求1所述的一种银纳米线透明电极，其特征在于：所述agnws阳极层厚度大于50nm。3.根据权利要求1所述的一种银纳米线透明电极，其特征在于：所述柔性基材为pet、pen、pdms或pi其中的一种，厚度为5-300μm。4.根据权利要求1所述的一种银纳米线透明电极，其特征在于：所述阴极材料的厚度为50-500nm，材质为al。5.一种银纳米线透明电极在oled上的应用，其特征在于：将银纳米线透明电极用在oled上使其柔韧性提升，所述oled的银纳米线透明电极采用pedot:pss导电聚合物对其表面进行修饰，修饰的方法包含热压，喷涂，旋涂，经过pedot:pss修饰后银纳米线oled透明电极其表面平整度和功函得到改善，利于空穴注入。6.根据权利要求5所述的一种银纳米线透明电极在oled上的应用，其特征在于：将银纳米线透明电极用于oled上适用于柔性器件。7.根据权利要求6所述的一种银纳米线透明电极在oled上的应用，其特征在于：将银纳米线透明电极用于oled上还适用于非柔性器件。8.根据权利要求7所述的一种银纳米线透明电极在oled上的应用，其特征在于：用银纳米线透明电极制作的oled可用于制备高效器件。
技术总结
本发明公开了一种银纳米线透明电极及银纳米线透明电极在OLED上的应用，涉及有机光电组件技术领域，具体为一种银纳米线透明电极，所述电极的层状结构依次分布为柔性基材、AgNWs阳极层、热压PEDOT：PSS修饰层、空穴传输层、有机发光材料和电子传输层、LiF电子注入层和阴极材料，所述电子注入层材质为LiF，厚度为0.5-5nm，厚度为50-100nm，所述空穴传输层厚度为50-100nm，采用NPB材质制作，该银纳米线透明电极及银纳米线透明电极在OLED上的应用，通过将银纳米线透明电极用在OLED上，使其柔韧性得到很好的改善，从而适用柔性和非柔性器件上。从而适用柔性和非柔性器件上。
技术研发人员：王帅 甘李 杨建文 周明
受保护的技术使用者：重庆烯宇新材料科技有限公司
技术研发日：2021.12.16
技术公布日：2022/4/12
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