发光器件及其制备方法、灯板、背光模块以及显示装置与流程

1.本技术涉及半导体技术领域，具体涉及一种发光器件及其制备方法、灯板、背光模块以及显示装置。


背景技术：

2.目前，led芯片作为显示装置的背光源应用时，常常出现led芯片正上方过亮而四周亮度较弱，进而导致led芯片出光不均匀的现象，最终使得相邻的led芯片之间光线不足而出现暗缝，影响显示装置的显示效果。


技术实现要素：

3.本技术提供一种发光器件及其制备方法、灯板、背光模块以及显示装置，旨在解决目前led芯片出光不均匀的技术问题。
4.第一方面，本技术提供一种发光器件，包括：
5.透明衬底，透明衬底具有相对的入光侧和出光侧；
6.发光组合层以及反射层，发光组合层位于透明衬底的入光侧，反射层位于透明衬底的出光侧；
7.其中，透明衬底在出光侧具有阻光面以及折射斜面，阻光面与反射层相对，且折射斜面沿远离阻光面的方向向入光侧倾斜。
8.在一些实施例中，折射斜面环形围绕阻光面设置，反射层贴合于阻光面上；
9.反射层与阻光面重合；或者
10.反射层位于阻光面中心，且反射层与阻光面的一部分重合，阻光面的另外一部分形成围绕反射层的透光区。
11.在一些实施例中，折射斜面为多个；
12.多个折射斜面沿远离阻光面的方向呈阶梯状排布；或者
13.多个折射斜面依次连接，沿远离阻光面的方向，每个折射斜面与阻光面的夹角逐渐减小。
14.在一些实施例中，反射层为多个，多个反射层均匀间隔设置于阻光面上。
15.在一些实施例中，折射斜面为粗糙面。
16.在一些实施例中，还包括透明键合层，透明键合层位于入光侧并与透明衬底贴合；
17.发光组合层位于透明键合层背离透明衬底的一侧。
18.在一些实施例中，还包括透明导电层，发光组合层包括依次叠加的p型半导体层、发光层以及n型半导体层；
19.透明导电层与p型半导体层贴合；或者
20.透明导电层与n型半导体层贴合。
21.在一些实施例中，还包括电流扩展条，电流扩展条一面与透明导电层贴合，另外一面与透明键合层贴合。
22.在一些实施例中，还包括第一电极以及第二电极；
23.电流扩展条与第一电极连接，p型半导体层和n型半导体层中未与透明导电层贴合的一者与第二电极连接。
24.第二方面，本技术提供一种发光器件制备方法，其特征在于，包括：
25.提供一原始衬底；
26.在原始衬底上形成发光组合层；
27.在发光组合层上形成透明衬底，透明衬底背离发光组合层的一侧为出光侧，相同于发光组合层的一侧为入光侧；
28.在透明衬底的出光侧形成反射层；
29.对透明衬底的出光侧表面进行处理形成折射斜面，透明衬底与反射层相对的表面为阻光面，折射斜面沿远离阻光面的方向向入光侧倾斜。
30.在一些实施例中，还包括：
31.剥离原始衬底，在发光组合层背离透明衬底的一侧形成导电结构。
32.第三方面，本技术提供一种灯板，包括：
33.电路板；
34.如第一方面所述的发光器件，发光器件设置于电路板上。
35.第四方面，本技术提供一种背光模块，包括如第三方面所述的灯板。
36.第五方面，本技术提供一种显示装置，包括如第四方向所述的背光模块。
37.本技术通过将发光组合层设置在透明衬底的入光侧，当发光组合层产生光线后，光线经透明衬底射出，由于透明衬底的出光侧具有与反射层相对的阻光面，通过阻光面射出的光线将被反射层反射，从而可以避免阻光面处集中出光的现象，而被反射层反射后的光线在发光器件内部反射多次后通过折射斜面射出，又由于折射斜面沿远离阻光面的方向向入光侧倾斜，光线经过折射斜面更易偏离阻光面，从而可以提高发光器件出光角度并保证发光器件出光的均匀。
附图说明
38.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
39.图1是本技术实施例中提供的发光器件的一种结构示意图；
40.图2是本技术实施例中提供的发光器件内部光线传播的一种示意图；
41.图3是本技术实施例中提供的反射层与透明衬底的一种结构示意图；
42.图4是本技术实施例中提供的反射层与透明衬底的另外一种结构示意图；
43.图5是本技术实施例中提供的反射层与透明衬底的另外一种结构示意图；
44.图6是本技术实施例中提供的反射层与透明衬底的另外一种结构示意图；
45.图7是本技术实施例中提供的反射层与透明衬底的另外一种结构示意图；
46.图8是本技术实施例中提供的发光器件制备过程的一种示意图。
47.其中，10透明衬底，11阻光面，12折射斜面，13透光区，14垂直出光面，15水平出光
面，16间隙区域，20发光组合层，21p型半导体层，22发光层，23n型半导体层，24透明导电层，25电流扩展条，30反射层，40透明键合层，50第一电极，60第二电极，70绝缘层，80原始衬底。
具体实施方式
48.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
49.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
50.在本技术中，“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本技术中被描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其它实施例更优选或更具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本发明，给出了以下描述。在以下描述中，为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本发明。在其它实例中，不会对公知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本发明的描述变得晦涩。因此，本发明并非旨在限于所示的实施例，而是与符合本技术所公开的原理和特征的最广范围相一致。
51.本技术实施例提供一种发光器件及其制备方法、灯板、背光模块以及显示装置，以下分别进行详细说明。
52.首先，参阅图1，图1示出了本技术实施例中发光器件的一种结构示意图，其中，发光器件包括：
53.透明衬底10，透明衬底10具有相对的入光侧和出光侧；
54.发光组合层20以及反射层30，发光组合层20位于透明衬底10的入光侧，反射层30位于透明衬底10的出光侧；
55.其中，透明衬底10在出光侧具有阻光面11以及折射斜面12，阻光面11与反射层30相对，且折射斜面12沿远离阻光面11的方向向入光侧倾斜。
56.具体的，透明衬底10具有良好的透光性，其相对的两侧分别为入光侧和出光侧，以图1为例，透明衬底10下方为入光侧，上方为出光侧，以使位于其入光侧的发光组合层20射出光线后，光线经透明衬底10的出光侧射出。示例性的，透明衬底10可以为二氧化硅、树脂等透明材料。
57.发光组合层20为多层结构，在发光组合层20通入电源后，发光组合层20可以产生光线进而实现发光。作为一示例性的，发光组合层20为包括依次叠加的p型半导体层21、发光层22以及n型半导体层23的无机发光叠层结构，当p型半导体层21连接电源的正极，而n型
半导体层23连接电源的负极时，从p型半导体层21产生向n型半导体层23移动的空穴，n型半导体层23产生向p型半导体层21移动的电子，在发光层22处带正点的空穴与带负电的电子复合从而辐射出光线，最终实现发光组合层20发光的过程。
58.可以理解的，发光组合层20还可以为其他可以发光叠层结构，例如，发光组合层20包括阳极层、空穴传输层、有机材料发光层、电子传输层以及阴极层的有机发光叠层结构；又例如，发光组合层20还可以为包括阳极层、空穴传输层、量子点层、电子传输层以及阴极层的量子点发光叠层结构。
59.反射层30用于对透明衬底10出光侧光线较为集中的区域进行光线反射，从而避免发光器件部分区域光线过于集中的现象。一般的，反射层30可以直接与透明衬底10出光侧的表面贴合，从而直接在反射层30与透明衬底10的交界面处直接对光线进行反射。
60.可以理解的，还可以在反射层30和透明衬底10之间设置其他材料层，例如包含散射粒子的散射层，该散射层两侧分别与反射层30和透明衬底10贴合，当光线经过散射层后可以对光线进行散射，散射后的光线一部分被反射层30反射，而另外一部分光线从未被反射层30覆盖的区域射出，从而可以调节反射层30反射的光线量。
61.在本技术实施例中，透明衬底10在出光侧具有阻光面11以及折射斜面12。具体的，阻光面11可以为一个或多个，折射斜面12也可以为一个或多个。一般的，参阅图1，阻光面11与折射斜面12为平面，阻光面11与发光器件的厚度方向垂直，折射斜面12与发光器件的厚度方向呈预设夹角，该预设夹角大于0
°
且小于90
°
。可以理解的，阻光面11、折射斜面12还可以为曲面，或者曲面与平面结合的复合面。
62.同时，阻光面11与反射层30相对，且折射斜面12沿远离阻光面11的方向向入光侧倾斜。具体的，阻光面11与反射层30相对是指反射层30至少部分与阻光面11重合，从而使得反射层30可以反射阻光面11射出的光线，以降低阻光面11上方的出光强度；折射斜面12沿远离阻光面11的方向向入光侧倾斜，在该状态下，整个折射斜面12呈倾斜状布置且两端分别向透明衬底10的入光侧和出光侧延伸，其中，向出光侧延伸的一端临近阻光面11，向入光侧延伸的一端远离阻光面11，当光线经折射斜面12射出时，可以使得出射的光线更加偏离阻光面11，最终达到增大出射光线角度的目的。
63.参阅图2，图2示出了本技术实施例中发光器件光线传播的一种示意图，当发光组合层20产生的光线进入透明衬底10后，部分光线射向阻光面11，部分光线射向折射斜面12，由于阻光面11与反射层30相对，因此反射层30可以反射阻光面11对应的光线，从而可以避免阻光面11处集中出光的现象，而被反射层30反射后的光线在发光器件内部反射多次后可以通过折射斜面12射出，由于折射斜面12沿远离阻光面11的方向向入光侧倾斜，光线经过折射更易射向发光器件的侧面，从而可以提高发光器件出光角度并保证发光器件出光的均匀性。
64.为便于保证发光器件四周光线的均匀性，在本技术的一些实施例中，参阅图3，图3示出了本技术实施例中反射层30与透明衬底10的一种结构示意图，其中，折射斜面12环形围绕阻光面11设置，即阻光面11设置在中心，而折射斜面12设置在阻光面11的周围，进而反射层30可以反射发光器件中心的光线，而经折射斜面12折射的光线可以射向发光器件的四周，保证发光器件的出光均匀性。
65.可以理解的，在上述实施例中折射斜面12可以为平面或者曲面，例如当发光器件
为圆柱形时，折射斜面12为圆锥面；而当发光器件为棱柱体(例如长方体)时，折射斜面12则为包括与棱边对应的多个平面。
66.在本技术的一些实施例中，例如对于折射斜面12环形围绕阻光面11设置的实施例，反射层30的大小可以与阻光面11的大小相当，例如参阅图3，其中，反射层30贴合于阻光面11上，反射层30与阻光面11重合，进而可以使得反射层30对阻光面11的全部光线予以反射。
67.在本技术另外的一些实施例中，反射层30的覆盖面积可以小于阻光面11的面积，例如参阅图4，图4示出了本技术实施例中反射层30与透明衬底10的另外一种结构示意图，其中，反射层30位于阻光面11中心，且反射层30与阻光面11的一部分重合，阻光面11的另外一部分形成围绕反射层30的透光区13。当发光组合层20发出光线后，对于经过透明衬底10的光线，其中部分光线经反射层30反射，部分光线经围绕反射层30的透光区13射出，即可以使得透明衬底10中心处有穿过透光区13的环形光线射出，避免发光器件中心出亮度不足的现象。
68.在本技术的一些实施例中，折射斜面12还可以为多个，作为一示例性的，参阅图5，图5示出了本技术实施例中反射层30与透明衬底10的另一种结构示意图，其中，多个折射斜面12沿远离阻光面11的方向呈阶梯状排布，相邻之间的折射下面具有垂直出光面14和水平出光面15。在光线经过折射斜面12、垂直出光面14和水平出光面15时，垂直出光面14处射出的光线更加偏向发光器件的侧面，水平出光面15可以保证发光器件边缘上方的光线强度，而折射斜面12则可以进一步补充发光器件侧面、边缘上方的光线，有利于进一步提高发光器件出光均匀性。
69.作为另一示例性的，参阅图6，图6示出了本技术实施例中反射层30与透明衬底10的另一种结构示意图，其中，多个折射斜面12依次连接，沿远离阻光面11的方向，每个折射斜面12与阻光面11的夹角α逐渐减小。在光线经过多个连接的折射斜面12射出后，由于临近阻光面11的折射斜面12入射光线较多，因此临近阻光面11的折射斜面12与阻光面11的夹角α较大，有利于将多余的光线折射至发光器件的侧面；而远离阻光面11的折射斜面12入射光线较少，因此远离阻光面11的折射斜面12与阻光面11的夹角α较小，有利于保证远离阻光面11的折射斜面12上方的光线强度，进而有利于提高发光器件的出光均匀性。
70.同样的，在本技术的一些实施例中，反射层30也可以设置多个，例如参阅图7，图7示出了本技术实施例中反射层30与透明衬底10的另一种结构示意图，其中，反射层30为多个，多个反射层30均匀间隔设置于阻光面11上，使得相邻反射层30之间具有间隙区域16，当光线传播至阻光面11上后，部分光线被反射层30反射，另外一部分光线经过该间隙区域16直接射出，可以保证发光器件中心上方具有适当的光线强度。
71.可以理解的，由于阻光面11中心处于的光线强度较高，因此可以将阻光面11中心处的反射层30设置密集一些，减小阻光面11中心处透射区域的大小，从而使得发光器件中心上方的光线强度适当。
72.在本技术的一些实施例中，为了进一步提高发光器件的出光均匀性，参阅图1，其中，折射斜面12为粗糙面，即折射斜面12具有凹凸结构，在该凹凸结构中，凸出部分在出光侧的截面形状可以为半圆形、方形、三角形或者梯形等，具体形状可以根据工艺条件进行设定，在此不再赘述。由于折射面为具有凹凸结构的粗糙面，在光线经过折射斜面12后，可以
进一步增强光线的散射进度，进而有利于提高发光器件的出光均匀性。
73.可以理解的，对于本技术的其他一些实施例，同样可以将平面设置为粗糙面；例如，可以将垂直出光面14和水平出光面15设置为粗糙面；又例如可以将相邻反射层30之间间隙区域16的阻光面11设置为粗糙面。
74.目前，在led发光芯片领域主要采用硅衬底、碳化硅衬底等衬底，然后在吸光衬底上制备发光组合层20，由于蓝宝石衬底存在吸光现象，因此降低了led发光芯片的出光率，而本技术采用透明衬底10，光线可以直接经过透明衬底10射出，可以避免衬底吸光的现象，进而可以提高led芯片的出光率。然而现有透明材料特性不适于直接作为衬底以在其上制备发光组合层20，为此，发明人进一步针对该种问题进行改进，请参阅下述内容。
75.继续参阅图1，发光器件还包括透明键合层40，透明键合层40位于入光侧并与透明衬底10贴合，发光组合层20位于透明键合层40背离透明衬底10的一侧，发光组合层20包括依次叠加的p型半导体层21、发光层22以及n型半导体层23。当在原始衬底80(例如蓝宝石衬底)上制备发光组合层20后，继续在发光组合层20上制备透明键合层40，然后将透明衬底10键合在透明键合层40上，最后再将原始衬底80剥离，即可在形成包含透明衬底10的发光器件。示例性的，透明键合层40可以为氧化硅层、氮化硅层或三氧化二铝层中的一种或多种组合。
76.进一步的，继续参阅图1，发光组合层20还包括透明导电层24，透明导电层24与p型半导体层21贴合，透明导电层24可以保证在对p型半导体层21通电的同时，不影响发光层22光线的传播。
77.可以理解的，上述实施例是基于光线需要经p型半导体层21后继续传播，从而将透明导电层24与p型半导体层21贴合，实际上，当光线需要经n型半导体层23后继续传播至透明衬底10时，透明导电层24实际上也可以与n型半导体层23贴合。
78.进一步的，继续参阅图1，发光组合层20还包括电流扩展条25，电流扩展条25一面与透明导电层24贴合，另外一面与透明键合层40贴合，电流扩展条25可以增进电流分散的效果，保证透明导电层24电流均匀性。
79.进一步的，发光器件还包括第一电极50以及第二电极60，电流扩展条25与第一电极50连接，p型半导体层21和n型半导体层23中未与透明导电层24贴合的一者与第二电极60连接，例如参阅图1，n型半导体层23与第二电极60连接，从而可以分别通过第一电极50、第二电极60对发光器件通电进而发光。
80.可以理解的，为了避免漏电现象，发光器件还包括绝缘层70，参阅图1，该绝缘层70位于n型半导体层23的下表面，仅第二电极60连接至n型半导体层23，从而避免发光器件下部漏电断路现象。
81.值得注意的是，上述关于发光器件的内容主要是为清楚说明本技术的验证过程，本领域技术人员在本技术的指导下可以做出等同的修改设计，例如，阶梯排列的每个折射斜面12均为圆锥面；又例如，折射斜面12可以仅位于阻光面11的一侧，从而将避免发光器件单侧集中出光的现象。
82.进一步的，为了更好的实施本技术中的发光器件，在发光器件的基础上，本技术还提供一种发光器件制备方法，参阅图8，图8示出了本技术实施例中发光器件制备过程的一种示意图，其中，发光器件制备方法包括：
83.步骤s801，提供一原始衬底80；
84.其中，原始衬底80可以为蓝宝石衬底、硅衬底、碳化硅衬底等。
85.步骤s802，在原始衬底80上形成发光组合层20；
86.具体的，发光组合层20包括依次叠加的n型半导体层23、发光层22、p型半导体层21、透明导电层24以及电流扩展条25。依次叠加的发光组合层20可以通过蒸镀、电化学沉积等方式制备在原始衬底80上，具体可以根据实际情况选择对应的工艺，此处不再赘述。
87.步骤s803，在发光组合层20上形成透明衬底10，透明衬底10背离发光组合层20的一侧为出光侧，相同于发光组合层20的一侧为入光侧；
88.具体的，可以采用键合技术在发光组合层20上形成透明衬底10，例如继续在电流扩展条25上蒸镀透明键合层40，利用键合工艺将透明衬底10键合至发光组合层20上，键合工艺例如金硅共熔键合、硅/玻璃静电键合以及硅/硅直接键合等。
89.步骤s804，在透明衬底10的出光侧形成反射层30；
90.在形成透明衬底10后，即可在透明衬底10上继续形成反射层30。具体的，可以通过蒸镀工艺将反射层30蒸镀在透明衬底10出光侧的表面上，从而使得反射层30可以对出光侧的光线进行反射。
91.步骤s805，对透明衬底10的出光侧表面进行处理形成折射斜面12，透明衬底10与反射层30相对的表面为阻光面11，折射斜面12沿远离阻光面11的方向向入光侧倾斜；
92.具体的，可以通过光刻工艺、感应耦合等离子体(icp)刻蚀工艺刻蚀掉部分透明衬底10，从而在透明衬底10的出光侧表面形成折射斜面12，由于icp工艺可使表面粗化，因此还可以使折射斜面12经过处理成为粗糙面。可以理解的，使折射斜面12形成粗糙面还可以采用其他工艺，例如湿法蚀刻等。
93.步骤s806，剥离原始衬底80，在发光组合层20背离透明衬底10的一侧形成导电结构。
94.在完成发光器件透明衬底10一侧的加工后，即可剥离原始衬底80，并在发光组合层20背离透明衬底10的一侧形成导电结构。具体的，可以采用激光剥离技术剥离原始衬底80。
95.对于形成导电结构，可以先在n型半导体层23蒸镀绝缘层70，并利用光刻工艺、干法或湿法刻蚀等工艺露出部分电流扩展条25以及部分n型半导体层23，然后再在露出的电流扩展条25和n型半导体层23上蒸镀第一电极50与第二电极60，使得第一电极50与电流扩展条25电连接、第二电极60与n型半导体层23电连接，最终完成发光器件的制备过程。
96.值得注意的是，上述步骤s804、s805的顺序可以互换，例如在透明衬底10形成折射斜面12后，再在余下的阻光面11上制备反射层30；作为优先的，本技术实施例步骤s805在步骤s804之后执行，在形成折射斜面12时光刻工艺、感应耦合等离子体(icp)刻蚀工艺可以同时去掉反射层30与折射斜面12对应的部分，对应的，若先执行步骤s804，再执行步骤s805，则需要在蒸镀反射层30时对折射斜面12进行保护，从而步骤s805在步骤s804之后执行可以有利于降低发光器件制备难度。
97.进一步的，为了更好实施本技术中的发光器件，在发光器件的基础上，本技术还提供一种灯板，包括电路板以及如上述任一实施例的发光器件，发光器件设置于电路板上，由于发光器件具有较大的出光角度且出光均匀的特点，可以使得灯板的整体亮度均匀，同时
较大的发光角度可减少发光器件的使用量，降低灯板制造成本。
98.进一步的，为了更好实施本技术中的灯板，在灯板的基础上，本技术还提供一种背光模块，背光模块包括上述实施例的灯板。本技术实施例中的背光模块因设置有上述实施例的灯板，从而具有上述灯板的全部有益效果，在此不再赘述。
99.进一步的，为了更好的实施例本技术中的背光模块，在背光模块的基础上，本技术还提供一种显示装置，显示装置包括上述实施例的背光模块。由于背光模块出光亮度均匀，可以避免显示装置显示影像的像素点之间的暗缝现象，进而有利于提高显示装置的画面质量。
100.在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见上文针对其他实施例的详细描述，此处不再赘述。
101.上文已对基本概念做了描述，显然，对于本领域技术人员来说，上述详细披露仅仅作为示例，而并不构成对本技术的限定。虽然此处并没有明确说明，本领域技术人员可能会对本技术进行各种修改、改进和修正。该类修改、改进和修正在本技术中被建议，所以该类修改、改进、修正仍属于本技术示范实施例的精神和范围。
102.同时，本技术使用了特定词语来描述本技术的实施例。如“一个实施例”、“一实施例”、和/或“一些实施例”意指与本技术至少一个实施例相关的某一特征、结构或特点。因此，应强调并注意的是，本说明书中在不同位置两次或多次提及的“一实施例”或“一个实施例”或“一个替代性实施例”并不一定是指同一实施例。此外，本技术的一个或多个实施例中的某些特征、结构或特点可以进行适当的组合。
103.同理，应当注意的是，为了简化本技术披露的表述，从而帮助对一个或多个发明实施例的理解，前文对本技术实施例的描述中，有时会将多种特征归并至一个实施例、附图或对其的描述中。但是，这种披露方法并不意味着本技术对象所需要的特征比权利要求中提及的特征多。实际上，实施例的特征要少于上述披露的单个实施例的全部特征。
104.一些实施例中使用了描述成分、属性数量的数字，应当理解的是，此类用于实施例描述的数字，在一些示例中使用了修饰词“大约”、“近似”或“大体上”来修饰。除非另外说明，“大约”、“近似”或“大体上”表明所述数字允许有
±
20％的变化。相应地，在一些实施例中，说明书和权利要求中使用的数值参数均为近似值，该近似值根据个别实施例所需特点可以发生改变。在一些实施例中，数值参数应考虑规定的有效数位并采用一般位数保留的方法。尽管本技术一些实施例中用于确认其范围广度的数值域和参数为近似值，在具体实施例中，此类数值的设定在可行范围内尽可能精确。
105.针对本技术引用的每个专利、专利申请、专利申请公开物和其他材料，如文章、书籍、说明书、出版物、文档等，特此将其全部内容并入本技术作为参考，但与本技术内容不一致或产生冲突的申请历史文件除外，对本技术权利要求最广范围有限制的文件(当前或之后附加于本技术中的)也除外。需要说明的是，如果本技术附属材料中的描述、定义、和/或术语的使用与本技术所述内容有不一致或冲突的地方，以本技术的描述、定义和/或术语的使用为准。
106.以上对本技术实施例所提供的一种发光器件及其制备方法、灯板、背光模块以及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的
技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。