芯片封装结构、形成方法及电子设备与流程

技术特征：
1.一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构包括：半导体基底，所述半导体基底的第一表面上贴装有至少第一芯片和第二芯片；位于所述半导体基底第一表面上的保护结构，所述保护结构包括至少第一空间和第二空间，所述第一空间为第一凹槽，所述第二空间为一密闭空腔，所述第一凹槽的底部到开口的第一深度大于所述密闭空腔内底部到顶部的第二深度；所述第一芯片位于所述第一凹槽的底部，所述第二芯片位于所述密闭空腔的底部。2.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述保护结构的材料与所述半导体基底的材料相同。3.如权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，在所述第一凹槽和/或所述密闭空腔的至少部分内壁表面上形成有屏蔽层。4.如权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一芯片为光传感芯片或气体传感芯片；所述第二芯片为以下器件中的至少一种：垂直腔面发射激光器、红外激光器和气体发射器。5.如权利要求4所述的芯片封装结构，其特征在于，当所述第一芯片为所述光传感芯片时，所述第一凹槽的顶部开口上具有滤波片，且所述滤波片高于所述密闭空腔的顶部，并贴装对应的镜头。6.如权利要求5所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第二空间为第二凹槽；所述滤波片覆盖所述第二凹槽的顶部开口。7.如权利要求6所述的芯片封装结构，其特征在于，所述半导体基底的第一表面上形成有塑封层，所述塑封层至少覆盖所述保护结构的侧壁。8.如权利要求7所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片还包括至少一第三芯片，所述半导体基底上贴装有所述第三芯片，所述第三芯片塑封在所述保护结构的外部，所述塑封层还覆盖所述第三芯片。9.如权利要求8所述的芯片封装结构，其特征在于，当所述第一芯片为飞行时间传感芯片、所述第二芯片为垂直腔面发射激光器时，所述第三芯片包括驱动器和图像信号处理器。10.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述半导体基底以及所述保护结构均为晶圆级尺寸，所述芯片封装结构通过晶圆级封装技术封装形成。11.一种芯片封装结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底的第一表面上贴装有至少第一芯片和第二芯片；提供保护结构，所述保护结构内形成有至少第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽的深度大于所述第二凹槽的深度；将所述保护结构的凹槽开口所在侧固定于所述半导体基底的第一表面，使得所述第一芯片位于所述第一凹槽内，所述第二芯片位于所述第二凹槽内，对应形成两个密闭的第一空间和第二空间，所述第一空间的顶部高于所述第二空间的顶部；对所述保护结构进行整面减薄，直至至少暴露出所述第一空间内部。12.如权利要求11所述的芯片封装结构的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：继续减薄，直至暴露出所述第二空间内部。
13.如权利要求11所述的芯片封装结构的形成方法，其特征在于，所述半导体基底以及所述保护基底均为晶圆级尺寸；通过如权利要求11或12中任一项所述的芯片封装结构的形成方法形成多个晶圆级分布的芯片封装结构后，进行切割，形成多个独立的芯片封装结构。14.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1-10所述的芯片封装结构。

技术总结
一种芯片封装结构、形成方法及电子设备，封装结构包括半导体基底，所述半导体基底的第一表面上贴装有至少第一芯片和第二芯片；位于所述半导体基底第一表面上的保护结构，所述保护结构包括至少第一空间和第二空间，所述第一空间为第一凹槽，所述第二空间为一密闭空腔，所述第一凹槽的底部到开口的第一深度大于所述密闭空腔内底部到顶部的第二深度；所述第一芯片位于所述第一凹槽的底部，所述第二芯片位于所述密闭空腔的底部。通过第一深度大于第二深度的第一凹槽和密闭空腔，可以实现位于第一凹槽内的第一芯片裸露以实现透光，同时对气密性有要求的第二芯片仍然在密闭空腔内，以满足气密性要求。气密性要求。气密性要求。


技术研发人员：任玉龙 柳鹏
受保护的技术使用者：上海炬佑智能科技有限公司
技术研发日：2021.12.01
技术公布日：2022/4/8