显示装置的制作方法

1.实施例总体上涉及一种显示装置。更具体地，本发明构思的实施例涉及一种包括电力线的显示装置。


背景技术：

2.平板显示装置由于其重量轻且薄的特性而被用作代替阴极射线管显示装置的显示装置。作为这样的平板显示装置的代表性示例，存在液晶显示装置和有机发光二极管显示装置。
3.近来，已经开发了具有放大尺寸和高分辨率的显示装置。显示装置可以包括显示区域、外围区域以及第一垫区域和第二垫区域。在这种情况下，像素可以设置在显示区域中，并且可以通过像素来显示图像。另外，电连接到像素的信号线和电力线可以设置在围绕显示区域的外围区域中。此外，第一垫电极可以设置在位于外围区域的一侧上的第一垫区域中。第二垫电极可以设置在位于外围区域的相对侧上的第二垫区域中。外部装置可以产生信号、电力等，并且可以通过第一垫电极和第二垫电极以及线将信号和电力提供到像素。当以高亮度来驱动显示装置时，电流会集中在设置于外围区域中的电力线中，使得温度会升高。在这种情况下，发热现象会导致电力线的短路或位于电力线周围的绝缘层的变形。另外，随着显示区域的尺寸增加，会发生电压降现象。换言之，可能由在外围区域中发生的电力线的发热现象和在显示区域中发生的电压降现象而引起显示装置的缺陷。


技术实现要素：

4.技术问题
5.本发明的目的是提供一种包括电力线的显示装置。
6.然而，本发明构思的目的不限于此。因此，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，可以扩展本发明构思的目的。
7.技术方案
8.为了实现上述本发明的目的，根据本发明的实施例的显示装置包括基底、第一上电力线、导电构件、保护绝缘层、上连接构件和子像素结构。基底包括显示区域、围绕显示区域并包括第一外围区域和第二外围区域的外围区域、位于外围区域的一侧上的第一垫区域以及位于外围区域的相对侧上的第二垫区域。第一上电力线在基底上设置在第一垫区域中。导电构件在基底上设置在与第一垫区域相邻的第一外围区域中。保护绝缘层设置在导电构件上。平坦化层设置在保护绝缘层上。上连接构件在平坦化层上设置在第一垫区域和第一外围区域中，并且通过第一接触孔和第二接触孔将第一上电力线和导电构件电连接，第一接触孔形成在位于导电构件上的保护绝缘层和平坦化层中，第二接触孔形成在位于第一上电力线上的保护绝缘层和平坦化层中。子像素结构在保护绝缘层上设置在显示区域中。
9.在实施例中，显示装置还可以包括第一连接图案和第二连接图案。第一连接图案
可以设置在保护绝缘层与平坦化层之间以与第一接触孔叠置，并且可以覆盖导电构件的顶表面，使得导电构件不被暴露。第二连接图案可以设置在保护绝缘层与平坦化层之间以与第二接触孔叠置，并且可以覆盖第一上电力线的顶表面，使得第一上电力线不被暴露。
10.在实施例中，导电构件可以包括第一延伸部和第二延伸部。第一延伸部可以在平行于基底的顶表面的第一方向上延伸，并且可以位于第一外围区域中。第二延伸部可以在第二方向上从第一延伸部的一侧延伸，第二方向是从第一外围区域到显示区域的方向，并且第二延伸部可以位于第一外围区域的一部分和显示区域中。
11.在实施例中，第一接触孔可以定位为对应于第一延伸部，并且当在平面图中观看时可以具有条形状。
12.在实施例中，第一接触孔在第一方向上的长度可以等于第一延伸部在第一方向上的长度。
13.在实施例中，子像素结构可以包括在平坦化层上设置在显示区域中的下电极、设置在下电极上的发光层和设置在发光层上的上电极。
14.在实施例中，上电极可以通过第三接触孔电连接到第二延伸部，第三接触孔形成在位于第二延伸部上的保护绝缘层和平坦化层中，并且第二延伸部可以被定义为第一子电力线。
15.在实施例中，显示装置还可以包括第三连接图案和第一电极图案。第三连接图案可以设置在保护绝缘层与平坦化层之间以与第三接触孔叠置，并且可以覆盖第二延伸部的顶表面，使得第二延伸部不被暴露。第一电极图案可以设置在上电极与第三连接图案之间。
16.在实施例中，显示装置还可以包括在基底上设置在第二垫区域中的第一下电力线、在基底上设置在第二垫区域和与第二垫区域相邻的第二外围区域中的第二下电力线以及在第二垫区域和第二外围区域中设置在基底与第一下电力线和第二下电力线之间的扇出线。
17.在实施例中，第一电力可以被提供到第一下电力线。具有与第一电力的电压电平不同的电压电平的第二电力可以被提供到第二下电力线。数据信号可以被提供到扇出线。
18.在实施例中，显示装置还可以包括在平坦化层上设置在第二垫区域和第二外围区域中的下连接构件。下连接构件可以通过第四接触孔和第五接触孔将第一下电力线和第一子电力线电连接，第四接触孔形成在位于第一下电力线上的保护绝缘层和平坦化层中，第五接触孔形成在与第二外围区域相邻的第一子电力线上。
19.在实施例中，显示装置还可以包括第四连接图案和第五连接图案。第四连接图案可以设置在保护绝缘层与平坦化层之间以与第四接触孔叠置，并且可以覆盖第四接触孔，使得第一下电力线不被暴露。第五连接图案可以设置在保护绝缘层与平坦化层之间以与第五接触孔叠置，并且可以覆盖第五接触孔，使得第一子电力线不被暴露。
20.在实施例中，发光层可以不设置在其中形成有第三接触孔的部分中。
21.在实施例中，显示装置还可以包括与第一上电力线和导电构件位于同一层的上检查垫。上检查垫可以在第一外围区域中布置在平行于基底的顶表面的第一方向上。
22.在实施例中，显示装置还可以包括在基底上设置在第一垫区域和第一外围区域中的第二上电力线。第二上电力线可以位于比第一上电力线和导电构件的水平低的水平处。第一电力可以被提供到第一上电力线，并且具有与第一电力的电压电平不同的电压电平的
第二电力可以被提供到第二上电力线。
23.在实施例中，第二上电力线可以包括第一线延伸部、第二线延伸部和第三线延伸部。第一线延伸部可以位于第一外围区域中，并且可以在平行于基底的顶表面的第一方向上延伸。第二线延伸部可以在第三方向上从第一线延伸部的一侧延伸以位于第一垫区域中，第三方向是从第一外围区域到第一垫区域的方向。第三线延伸部可以在第二方向上从第一线延伸部的相对侧延伸以位于显示区域中，并且可以与导电构件相交，第二方向是从第一外围区域到显示区域的方向。
24.在实施例中，显示装置还可以包括设置在第一外围区域和显示区域的一部分中的第二子电力线。第二子电力线可以在第二方向上延伸，并且可以在第一外围区域中电连接到第三线延伸部。
25.在实施例中，第二子电力线可以与第一上电力线和导电构件位于同一层。
26.在实施例中，显示装置还可以包括在基底上设置在第一垫区域中的第一垫电极以及在基底上设置在第二垫区域中的第二垫电极。
27.在实施例中，显示装置还可以包括被施加第一电力的第一电力电路板、被施加具有与第一电力的电压电平不同的电压电平的第二电力的第二电力电路板以及被施加数据信号的驱动电路板。第一电力电路板和第二电力电路板可以电连接到第一垫电极，并且第一电力电路板、第二电力电路板和驱动电路板可以电连接到第二垫电极。
28.有益效果
29.由于根据本发明的示例性实施例的显示装置包括导电构件，并且形成在导电构件上的第一接触孔具有相对宽的面积，因此可以减少可能在第一外围区域中发生的发热现象。另外，由于显示装置包括第三接触孔，并且上电极在每个子像素区域中从第一子电力线接收第一电力，因此可以减少可能在显示区域中发生的电压降现象。因此，根据显示装置，可以减少可能在第一外围区域中发生的发热现象和可能在显示区域中发生的电压降现象。
30.然而，本发明的效果不限于此。因此，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以扩展本发明的效果。
附图说明
31.图1是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的平面图。
32.图2是用于描述包括在图1的显示装置中的电路板的平面图。
33.图3是用于描述电连接到图1的显示装置的外部装置的框图。
34.图4是示出设置在图1的子像素区域中的子像素的电路图。
35.图5是示出图1的区域a的局部放大平面图。
36.图6是沿着图5的线i-i'截取的剖视图。
37.图7是沿着图5的线ii-ii'截取的剖视图。
38.图8是沿着图5的线iii-iii'截取的剖视图。
39.图9是示出图1的区域b的局部放大平面图。
40.图10是沿着图9的线iv-iv'截取的剖视图。
41.图11是沿着图9的线v-v'截取的剖视图。
42.图12是沿着图9的线vi-vi'截取的剖视图。
43.图13至图26是示出根据本发明的示例性实施例的制造显示装置的方法的视图。
具体实施方式
44.在下文中，将参照附图来详细地说明根据本发明的实施例的显示装置和制造根据本发明的实施例的显示装置的方法。在附图中，相同或相似的附图标记用于相同或相似的组件。
45.图1是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的平面图，图2是用于描述包括在图1的显示装置中的电路板的平面图，并且图3是用于描述电连接到图1的显示装置的外部装置的框图。
46.参照图1、图2和图3，显示装置100可以包括第一垫电极471、第二垫电极472、第一电力电路板841、第二电力电路板941、驱动电路板900等。
47.显示装置100可以包括：显示区域10；外围区域20，基本围绕显示区域10；第一垫区域61，位于外围区域20的一侧上；以及第二垫区域62，位于外围区域20的相对侧上。在这种情况下，外围区域20可以包括第一外围区域21和第二外围区域22。例如，当在显示装置100的平面图中观看时，第一垫区域61可以位于显示区域10的上部上，并且第一外围区域21可以置于显示区域10与第一垫区域61之间。另外，第二垫区域62可以位于显示区域10的下部上，并且第二外围区域22可以置于显示区域10与第二垫区域62之间。
48.多个子像素区域30可以在第一方向d1和第二方向d2上遍及整个显示区域10布置，第一方向d1平行于显示装置100的顶表面，第二方向d2与第一方向d1正交。图4的子像素sp可以设置在子像素区域30中的每个中，并且子像素sp可以包括晶体管、有机发光二极管等。可以通过子像素sp在显示区域10中显示图像。
49.例如，子像素sp可以包括第一子像素、第二子像素和第三子像素。第一子像素可以包括用于发射红光的第一有机发光二极管，第二子像素可以包括用于发射绿光的第二有机发光二极管，并且第三子像素可以包括用于发射蓝光的第三有机发光二极管。
50.在示例性实施例中，第一有机发光二极管可以与包括在第一子像素中的晶体管叠置，第二有机发光二极管可以与包括在第二子像素中的晶体管叠置，并且第三有机发光二极管可以与包括在第三子像素中的晶体管叠置。在一些实施例中，第一有机发光二极管可以与包括在第一子像素中的晶体管的一部分和包括在不同于该第一子像素的子像素中的晶体管的一部分叠置，第二有机发光二极管可以与包括在第二子像素中的晶体管的一部分和包括在不同于该第二子像素的子像素中的晶体管的一部分叠置，并且第三有机发光二极管可以与包括在第三子像素中的晶体管的一部分和包括在不同于该第三子像素的子像素中的晶体管的一部分叠置。例如，可以通过使用其中具有相同尺寸的矩形顺序布置的rgb条纹方案、包括具有相对大面积的蓝色有机发光二极管的s条纹方案、还包括白色有机发光二极管的wrgb方案、其中rg-gb图案重复布置的pentile
tm
方案等来布置第一有机发光二极管至第三有机发光二极管。
51.另外，子像素sp可以包括至少一个驱动晶体管、至少一个开关晶体管、至少一个电容器等。在示例性实施例中，子像素sp可以包括一个驱动晶体管(例如，图4的第一晶体管tr1)、六个开关晶体管(例如，图4的第二晶体管至第七晶体管tr2、tr3、tr4、tr5、tr6和tr7)、一个存储电容器(例如，图4的存储电容器cst)等。
52.然而，尽管已经将根据本发明的显示装置100描述为当在平面图中观看时具有矩形形状，但是显示装置100的形状不限于此。例如，当在平面图中观看时，显示装置100可以具有三角形形状、菱形形状、多边形形状、圆形形状、椭圆形形状或轨道形状。
53.多条线可以设置在外围区域20中。例如，线可以包括数据信号线、栅极信号线、发射控制信号线、栅极初始化信号线、初始化电压线、第一电力线、第二电力线等。线可以从外围区域20延伸到显示区域10，以电连接到子像素sp。此外，栅极驱动器、数据驱动器等可以设置在外围区域20中。
54.在示例性实施例中，导电构件(例如，图5的导电构件360的第一延伸部)可以设置在第一外围区域21中，并且如图1中所示，形成在下面将描述的保护绝缘层和平坦化层中的第一接触孔361可以位于该导电构件上。换言之，第一接触孔361可以定位为与该导电构件对应，并且当在平面图中观看时可以具有条形状。另外，第一接触孔361在第一方向d1上的长度可以基本等于该导电构件在第一方向d1上的长度。换言之，该导电构件的顶表面的一部分可以通过第一接触孔361暴露。
55.再次参照图1至图3，第一垫电极471可以设置在第一垫区域61中，并且第二垫电极472可以设置在第二垫区域62中。仅第一电力电路板841和第二电力电路板941可以电连接到第一垫电极471，并且第一电力电路板841、第二电力电路板941和驱动电路板900可以电连接到第二垫电极472。换言之，驱动电路板900可以不设置在第一垫区域61中，并且第一垫电极471和驱动电路板900可以不彼此直接接触。例如，第一电力电路板841和第二电力电路板941可以交替地布置在第一垫区域61中，并且第二电力电路板941、第一电力电路板841和驱动电路板900可以交替地布置在第二垫区域62中。
56.外部装置101可以通过第一电力电路板841、第二电力电路板941和驱动电路板900电连接到显示装置100。例如，第一电力电路板841、第二电力电路板941和驱动电路板900中的每个的一侧可以与第一垫电极471和第二垫电极472直接接触，并且第一电力电路板841、第二电力电路板941和驱动电路板900中的每个的相对侧可以与外部装置101直接接触。
57.另外，外部装置101可以产生数据信号、栅极信号、发射控制信号、栅极初始化信号、初始化电压、第一电力、第二电力等。在示例性实施例中，从外部装置101产生的数据信号、栅极信号、发射控制信号、栅极初始化信号和初始化电压可以通过驱动电路板900提供到显示装置100。从外部装置101产生的第一电力可以通过第一电力电路板841提供到显示装置100，并且从外部装置101产生的第二电力可以通过第二电力电路板941提供到显示装置100。例如，第一电力的电压电平(例如，图4的低电力电压elvss)可以低于第二电力的电压电平(例如，图4的高电力电压elvdd)。
58.此外，驱动集成电路可以安装在第一电力电路板841、第二电力电路板941和驱动电路板900中的每个上。在其它示例性实施例中，驱动集成电路可以安装在显示装置100上同时与第一垫电极471和第二垫电极472相邻，或者第一电力电路板841、第二电力电路板941和驱动电路板900中的每个可以不包括驱动集成电路。
59.图4是示出设置在图1的子像素区域中的子像素的电路图。
60.参照图4，显示装置100可以包括对应地设置在子像素区域30中的子像素sp，并且子像素sp可以包括有机发光二极管oled(例如，图6的子像素结构200)、第一晶体管至第七晶体管tr1、tr2、tr3、tr4、tr5、tr6和tr7(例如，图6的半导体元件250)、存储电容器cst、高
电力电压(elvdd)线(例如，图5的第二上电力线740和图9的第二下电力线950)、低电力电压(elvss)线(例如，图5的第一上电力线640和图9的第一下电力线840)、初始化电压(vint)线、数据信号(data)线、栅极信号(gw)线、栅极初始化信号(gi)线、发射控制信号(em)线、二极管初始化信号(gb)线等。如上所述，第一晶体管tr1可以与驱动晶体管对应，并且第二晶体管至第七晶体管tr2、tr3、tr4、tr5、tr6和tr7可以与开关晶体管对应。第一晶体管至第七晶体管tr1、tr2、tr3、tr4、tr5、tr6和tr7中的每个可以包括第一端子、第二端子、沟道和栅极端子。在示例性实施例中，第一端子可以是源极端子，并且第二端子可以是漏极端子。在一些实施例中，第一端子可以是漏极端子，并且第二端子可以是源极端子。
61.有机发光二极管oled可以基于驱动电流id输出光。有机发光二极管oled可以包括第一端子和第二端子。在示例性实施例中，有机发光二极管oled的第二端子可以接收低电力电压elvss(例如，第一电力)，并且有机发光二极管oled的第一端子可以接收高电力电压elvdd(例如，第二电力)。例如，有机发光二极管oled的第一端子可以是阳极端子，并且有机发光二极管oled的第二端子可以是阴极端子。在一些实施例中，有机发光二极管oled的第一端子可以是阴极端子，并且有机发光二极管oled的第二端子可以是阳极端子。在示例性实施例中，有机发光二极管oled的阳极端子可以与图6的下电极290对应，并且有机发光二极管oled的阴极端子可以与图6的上电极340对应。
62.第一晶体管tr1可以产生驱动电流id。在示例性实施例中，第一晶体管tr1可以在饱和区域中操作。在这种情况下，第一晶体管tr1可以基于第一晶体管tr1的栅极端子与源极端子之间的电压差来产生驱动电流id。另外，灰度级可以基于供应到有机发光二极管oled的驱动电流id的大小来表示。在一些实施例中，第一晶体管tr1可以在线性区域中操作。在这种情况下，灰度级可以基于在一帧内驱动电流被供应到有机发光二极管oled期间的时间之和来表示。
63.第二晶体管tr2的栅极端子可以接收栅极信号gw。第二晶体管tr2的第一端子可以接收数据信号data。第二晶体管tr2的第二端子可以连接到第一晶体管tr1的第一端子。例如，可以从栅极驱动器提供栅极信号gw，并且可以通过栅极信号(gw)线将栅极信号gw施加到第二晶体管tr2的栅极端子。第二晶体管tr2可以在栅极信号gw的激活时段期间将数据信号data供应到第一晶体管tr1的第一端子。在这种情况下，第二晶体管tr2可以在线性区域中操作。
64.第三晶体管tr3的栅极端子可以接收栅极信号gw。第三晶体管tr3的第一端子可以连接到第一晶体管tr1的栅极端子。第三晶体管tr3的第二端子可以连接到第一晶体管tr1的第二端子。例如，可以从栅极驱动器提供栅极信号gw，并且可以通过栅极信号(gw)线将栅极信号gw施加到第三晶体管tr3的栅极端子。第三晶体管tr3可以在栅极信号gw的激活时段期间将第一晶体管tr1的栅极端子和第一晶体管tr1的第二端子连接。
65.初始化电压线的初始化电压vint提供到其的输入端子可以连接到第四晶体管tr4的第一端子和第七晶体管tr7的第一端子，初始化电压线的输出端子可以连接到第四晶体管tr4的第二端子和存储电容器cst的第一端子。
66.第四晶体管tr4的栅极端子可以接收栅极初始化信号gi。第四晶体管tr4的第一端子可以接收初始化电压vint。第四晶体管tr4的第二端子可以连接到第一晶体管tr1的栅极端子。第四晶体管tr4可以在栅极初始化信号gi的激活时段期间将初始化电压vint供应到
第一晶体管tr1的栅极端子。在这种情况下，第四晶体管tr4可以在线性区域中操作。换言之，第四晶体管tr4可以在栅极初始化信号gi的激活时段期间将第一晶体管tr1的栅极端子初始化为初始化电压vint。在示例性实施例中，初始化电压vint可以具有比在前一帧中由存储电容器cst维持的数据信号data的电压电平足够低的电压电平，并且初始化电压vint可以被供应到第一晶体管tr1的栅极端子。在其它示例性实施例中，初始化电压可以具有比在前一帧中由存储电容器维持的数据信号的电压电平足够高的电压电平，并且初始化电压可以被施加到第一晶体管的栅极端子。在示例性实施例中，栅极初始化信号gi可以与一个水平时间之前的栅极信号gw基本相同。
67.第五晶体管tr5的栅极端子可以接收发射控制信号em。第五晶体管tr5的第一端子可以连接到高电力电压(elvdd)线。第五晶体管tr5的第二端子可以连接到第一晶体管tr1的第一端子。例如，可以从发射控制驱动器提供发射控制信号em，并且可以通过发射控制信号(em)线将发射控制信号em施加到第五晶体管tr5的栅极端子。第五晶体管tr5可以在发射控制信号em的激活时段期间将高电力电压elvdd供应到第一晶体管tr1的第一端子。相反，第五晶体管tr5可以在发射控制信号em的停用时段期间切断高电力电压elvdd的供应。在这种情况下，第五晶体管tr5可以在线性区域中操作。由于第五晶体管tr5在发射控制信号em的激活时段期间将高电力电压elvdd供应到第一晶体管tr1的第一端子，因此第一晶体管tr1可以产生驱动电流id。另外，由于第五晶体管tr5在发射控制信号em的停用时段期间切断高电力电压elvdd的供应，因此供应到第一晶体管tr1的第一端子的数据信号data可以被供应到第一晶体管tr1的栅极端子。
68.第六晶体管tr6(例如，图6的半导体元件250)的栅极端子可以接收发射控制信号em。第六晶体管tr6的第一端子可以连接到第一晶体管tr1的第二端子。第六晶体管tr6的第二端子可以连接到有机发光二极管oled的第一端子。第六晶体管tr6可以在发射控制信号em的激活时段期间将由第一晶体管tr1产生的驱动电流id供应到有机发光二极管oled。在这种情况下，第六晶体管tr6可以在线性区域中操作。换言之，由于第六晶体管tr6在发射控制信号em的激活时段期间将由第一晶体管tr1产生的驱动电流id供应到有机发光二极管oled，因此有机发光二极管oled可以输出光。另外，由于第六晶体管tr6在发射控制信号em的停用时段期间将第一晶体管tr1和有机发光二极管oled彼此电分离，因此供应到第一晶体管tr1的第二端子的数据信号data(精确地，已经进行阈值电压补偿的数据信号)可以被供应到第一晶体管tr1的栅极端子。
69.第七晶体管tr7的栅极端子可以接收二极管初始化信号gb。第七晶体管tr7的第一端子可以接收初始化电压vint。第七晶体管tr7的第二端子可以连接到有机发光二极管oled的第一端子。第七晶体管tr7可以在二极管初始化信号gb的激活时段期间将初始化电压vint供应到有机发光二极管oled的第一端子。在这种情况下，第七晶体管tr7可以在线性区域中操作。换言之，第七晶体管tr7可以在二极管初始化信号gb的激活时段期间将有机发光二极管oled的第一端子初始化为初始化电压vint。在一些实施例中，栅极初始化信号gi和二极管初始化信号gb可以是基本相同的信号。
70.存储电容器cst可以包括第一端子和第二端子。存储电容器cst可以连接在高电力电压(elvdd)线与第一晶体管tr1的栅极端子之间。例如，存储电容器cst的第一端子可以连接到第一晶体管tr1的栅极端子，并且存储电容器cst的第二端子可以连接到高电力电压
(elvdd)线。存储电容器cst可以在栅极信号gw的停用时段期间维持第一晶体管tr1的栅极端子的电压电平。栅极信号gw的停用时段可以包括发射控制信号em的激活时段，并且由第一晶体管tr1产生的驱动电流id可以在发射控制信号em的激活时段期间被供应到有机发光二极管oled。因此，可以基于由存储电容器cst维持的电压电平将由第一晶体管tr1产生的驱动电流id供应到有机发光二极管oled。
71.然而，尽管已经将根据本发明的子像素sp描述为包括七个晶体管和一个存储电容器，但是本发明的构造不限于此。例如，子像素sp可以具有包括至少一个晶体管和至少一个存储电容器的构造。
72.图5是示出图1的区域a的局部放大平面图，图6是沿着图5的线i-i'截取的剖视图，图7是沿着图5的线ii-ii'截取的剖视图，并且图8是沿着图5的线iii-iii'截取的剖视图。
73.参照图5、图6、图7和图8，显示装置100还可以包括基底110、缓冲层115、半导体元件250、保护绝缘层400、第一上电力线640、第二上电力线740、上检查垫660、导电构件360、导电图案510、第一连接图案365、第二连接图案645、第三连接图案235、第四连接图案655、第一子电力线650、第二子电力线750、信号线610、子像素结构200、上连接构件295、第一电极图案305、像素限定层310、封装基底450等。在这种情况下，半导体元件250可以包括有源层130、栅极绝缘层150、栅电极170、层间绝缘层190、源电极210和漏电极230，并且子像素结构200可以包括下电极290、发光层330和上电极340。
74.可以提供包括透明或不透明材料的基底110。基底110可以包括石英基底、合成石英基底、氟化钙基底、氟掺杂的石英基底(f掺杂的石英基底)、钠钙玻璃基底、无碱玻璃基底等。在一些实施例中，基底110可以被构造为具有柔性的透明树脂基底。在示例性实施例中，基底110可以具有其中第一有机层、第一阻挡层、第二有机层和第二阻挡层顺序堆叠的构造。第一阻挡层和第二阻挡层可以包括诸如氧化硅的无机材料，并且可以阻挡水和/或湿气渗透通过第一有机层和第二有机层。此外，第一有机层和第二有机层可以包括具有柔性的有机材料，诸如聚酰亚胺类树脂。
75.由于显示装置100包括其中布置有多个子像素区域30的显示区域10、包括第一外围区域21和第二外围区域22的外围区域20、第一垫区域61和第二垫区域62，因此如图6、图7和图8中所示，基底110还可以被划分为其中布置有多个子像素区域30的显示区域10、包括第一外围区域21和第二外围区域22的外围区域20、第一垫区域61和第二垫区域62(见图1)。
76.缓冲层115可以设置在基底110上。缓冲层115可以在基底110上遍及整个显示区域10、外围区域20、第一垫区域61和第二垫区域62设置。例如，缓冲层115可以防止金属原子或杂质从基底110扩散到半导体元件250，并且可以控制用于形成有源层130的结晶工艺期间的热传递速率，以获得基本均匀的有源层130。另外，当基底110的表面不均匀时，缓冲层115可以用于改善基底110的表面的平坦度。根据基底110的类型，可以在基底110上设置至少两个缓冲层115，或者可以不设置缓冲层115。缓冲层115可以包括硅化合物、金属氧化物等。缓冲层115可以包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、碳氧化硅(sio
xcy
)、碳氮化硅(sic
x
ny)、氧化铝(alo
x
)、氮化铝(aln
x
)、氧化钽(tao
x
)、氧化铪(hfo
x
)、氧化锆(zro
x
)、氧化钛(tio
x
)等。
77.有源层130可以在缓冲层115上设置在子像素区域30中。有源层130可以包括金属氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅或多晶硅)、有机半导体等。有源层130可以包括源
区、漏区以及位于源区与漏区之间的沟道区。
78.栅极绝缘层150可以设置在有源层130上。栅极绝缘层150可以在缓冲层115上设置在显示区域10、外围区域20、第一垫区域61和第二垫区域62中。例如，栅极绝缘层150可以在缓冲层115上充分覆盖有源层130，并且可以具有基本平坦的顶表面，而不在有源层130周围产生台阶。在一些实施例中，栅极绝缘层150可以在缓冲层115上沿着有源层130的轮廓以均匀的厚度设置，以覆盖有源层130。栅极绝缘层150可以包括硅化合物、金属氧化物等。在其它示例性实施例中，栅极绝缘层150可以具有多层结构，所述多层结构具有包括相互不同的材料的多个绝缘层，并且绝缘层可以具有相互不同的厚度。
79.栅电极170可以在栅极绝缘层150上设置在子像素区域30中。栅电极170可以设置在栅极绝缘层150的其下方定位有源层130的部分上(例如，以与有源层130的沟道区叠置)。栅电极170可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。在其它示例性实施例中，栅电极170可以具有多层结构，所述多层结构包括由相互不同的材料形成的多个金属层，并且金属层可以具有相互不同的厚度。
80.第二上电力线740可以在栅极绝缘层150上设置在第一垫区域61和第一外围区域21中。在示例性实施例中，第二上电力线740可以位于比第一上电力线640和导电构件360的水平低的水平处，并且可以通过第一垫电极471电连接到设置在图2的第一垫区域61中的第二电力电路板941。另外，第二上电力线740可以包括第一线延伸部741、第二线延伸部742和第三线延伸部743。例如，第一线延伸部741可以位于第一外围区域21中，并且可以在第一方向d1上延伸。换言之，第一线延伸部741可以与第一外围区域21叠置。第二线延伸部742可以在第三方向d3上从第一线延伸部741的一侧延伸以位于第一垫区域61中，第三方向d3是从第一外围区域21到第一垫区域61的方向(例如，与第二方向d2相反的方向)。换言之，第二线延伸部742可以在第三方向d3上从第一线延伸部741的一侧突出，并且可以在第三方向d3上延伸，以通过第一垫电极471电连接到第二电力电路板941。第三线延伸部743可以在第二方向d2上从第一线延伸部741的相对侧延伸，并且可以与导电构件360相交，第二方向d2是从第一外围区域21到显示区域10的方向。换言之，第三线延伸部743可以在第二方向d2上从第一线延伸部741的相对侧突出，并且可以位于导电构件360下方。此外，第一线延伸部741、第二线延伸部742和第三线延伸部743可以彼此一体地形成。
81.第二电力(例如，图4的高电力电压elvdd)可以提供到第二上电力线740。第二电力可以通过第二上电力线740和第二子电力线750提供到下电极290。第二子电力线750可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。在一些实施例中，第二上电力线740可以具有多层结构，所述多层结构包括由相互不同的材料形成的多个金属层，并且金属层可以具有相互不同的厚度。
82.然而，尽管为了方便，已经将一个第三线延伸部743描述为在第二方向d2上从第一线延伸部741突出，但是如图5中所示，第二上电力线740可以包括一个第一线延伸部741和多个第三线延伸部743。另外，第三线延伸部743中的每个可以在第一外围区域21中电连接到第二子电力线750，并且第二子电力线750可以在第二方向d2上延伸并且可以设置在子像素区域30中。
83.导电图案510可以在栅极绝缘层150上与第三线延伸部743平行地设置在第一外围区域21中。换言之，导电图案510可以设置在导电构件360下方，并且可以与导电构件360相
交。导电图案510可以通过接触孔511和512将上检查垫660和信号线610电连接。导电图案510可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。在其它示例性实施例中，导电图案510可以具有多层结构，所述多层结构包括由相互不同的材料形成的多个金属层，并且金属层可以具有相互不同的厚度。在示例性实施例中，栅电极170、导电图案510和第二上电力线740可以位于同一层。
84.层间绝缘层190可以设置在栅电极170、导电图案510和第二上电力线740上。层间绝缘层190可以在栅极绝缘层150上设置在显示区域10、外围区域20、第一垫区域61和第二垫区域62中。在示例性实施例中，层间绝缘层190可以包括：接触孔511，使导电图案510的一侧暴露；接触孔512，使导电图案510的相对侧暴露；以及接触孔751，使第三线延伸部743的与显示区域10相邻的部分暴露。例如，层间绝缘层190可以在栅极绝缘层150上充分覆盖栅电极170、导电图案510和第二上电力线740，并且可以具有基本平坦的顶表面，而不在栅电极170和第二上电力线740周围产生台阶。在一些实施例中，层间绝缘层190可以在栅极绝缘层150上沿着栅电极170、导电图案510和第二上电力线740的轮廓以均匀的厚度设置，以覆盖栅电极170、导电图案510和第二上电力线740。层间绝缘层190可以包括硅化合物、金属氧化物等。在其它示例性实施例中，层间绝缘层190可以具有多层结构，所述多层结构具有包括相互不同的材料的多个绝缘层，并且绝缘层可以具有相互不同的厚度。
85.源电极210和漏电极230可以在层间绝缘层190上设置在子像素区域30中。源电极210可以经由通过去除栅极绝缘层150和层间绝缘层190的第一部分而形成的接触孔连接到有源层130的源区，并且漏电极230可以经由通过去除栅极绝缘层150和层间绝缘层190的第二部分而形成的接触孔连接到有源层130的漏区。源电极210和漏电极230中的每个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。在其它示例性实施例中，源电极210和漏电极230中的每个可以具有多层结构，所述多层结构包括由相互不同的材料形成的多个金属层，并且金属层可以具有相互不同的厚度。
86.因此，可以提供包括有源层130、栅极绝缘层150、栅电极170、层间绝缘层190、源电极210和漏电极230的半导体元件250。
87.然而，尽管已经将半导体元件250描述为具有顶栅结构，但是本发明的构造不限于此。例如，半导体元件250可以具有底栅结构。
88.另外，虽然已经将显示装置100描述为包括一个半导体元件，但是本发明的构造不限于此。例如，显示装置100可以包括至少一个半导体元件和至少一个存储电容器。
89.导电构件360可以在层间绝缘层190上设置在第一外围区域21和显示区域10中。例如，导电构件360可以包括第一延伸部和第二延伸部。在这种情况下，第一延伸部可以在第一外围区域21中在第一方向d1上延伸，并且可以与第一线延伸部741平行地定位。例如，第一线延伸部741可以在第一外围区域21中靠近第一垫区域61定位，并且第一延伸部可以在第一外围区域21中靠近显示区域10定位。如上所述，第一接触孔361可以位于导电构件360的第一延伸部上，并且第一接触孔361可以定位为与第一延伸部对应。换言之，第一接触孔361可以在第一方向d1上延伸，并且可以使第一延伸部的顶表面的一部分暴露。第二延伸部可以在第二方向d2上从第一延伸部的一侧延伸，并且可以位于第一外围区域21的一部分和显示区域10中。另外，第二延伸部可以设置在子像素区域30中，并且第三接触孔651可以在
子像素区域30中位于第二延伸部上。第二延伸部可以被定义为第一子电力线650。第一延伸部和第二延伸部可以彼此一体地形成。
90.在示例性实施例中，导电构件360可以通过上连接构件295接收施加到第一上电力线640的第一电力(例如，图4的低电力电压elvss)，并且第一电力可以通过第一子电力线650提供到上电极340。导电构件360可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。例如，导电构件360可以包括金(au)、银(ag)、铝(al)、铂(pt)、镍(ni)、钛(ti)、钯(pd)、镁(mg)、钙(ca)、锂(li)、铬(cr)、钽(ta)、钨(w)、铜(cu)、钼(mo)、钪(sc)、钕(nd)、铱(ir)、含铝合金、氮化铝(aln
x
)、含银合金、氮化钨(wn
x
)、含铜合金、含钼合金、氮化钛(tin
x
)、氮化铬(crn
x
)、氮化钽(tan
x
)、氧化锶钌(srru
x
oy)、氧化锌(zno
x
)、氧化铟锡(ito)、氧化锡(sno
x
)、氧化铟(ino
x
)、氧化镓(gao
x
)、氧化铟锌(izo)等。这些可以单独使用或彼此组合使用。在一些实施例中，导电构件360可以具有多层结构，所述多层结构包括由相互不同的材料形成的多个金属层，并且金属层可以具有相互不同的厚度。
91.然而，尽管为了方便，已经将一个第二延伸部描述为在显示区域10中在第二方向d2上从第一延伸部延伸，但是如图5中所示，导电构件360可以包括一个第一延伸部和多个第二延伸部。另外，第二延伸部中的每个可以设置在子像素区域30中。
92.上检查垫660可以在层间绝缘层190上设置在第一外围区域21中，以与第二上电力线740的第一线延伸部741叠置。上检查垫660可以与第一上电力线640和导电构件360位于同一层，并且可以在第一方向d1上布置在第一外围区域21中。上检查垫660中的每个还可以包括在第二方向d2上延伸的延伸部，其中，延伸部的一侧可以连接到上检查垫660，并且延伸部的相对侧可以与导电构件360相邻。延伸部的相对侧可以通过导电图案510电连接到信号线610。例如，上检查垫660可以用作被构造为检查数据线(例如，信号线610)的断开状态和短路的os垫。在一些实施例中，为了准确检查，可以在位于每个上检查垫660下方的第二上电力线740中形成开口。上检查垫660中的每个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。在其它示例性实施例中，上检查垫660中的每个可以具有多层结构，所述多层结构包括由相互不同的材料形成的多个金属层，并且金属层可以具有相互不同的厚度。
93.第一上电力线640可以在层间绝缘层190上设置在第一垫区域61中。在示例性实施例中，第一上电力线640可以位于比第二上电力线740的水平高的水平处，并且可以电连接到设置在图2的第一垫区域61中的第一电力电路板841。换言之，第一上电力线640的一侧可以通过第一垫电极471电连接到第一电力电路板841，并且第一上电力线640的相对侧可以电连接到上连接构件295。在这种情况下，第二接触孔641可以位于第一上电力线640的相对侧上，使得第一上电力线640的相对侧可以电连接到上连接构件295，并且第二接触孔641可以使第一上电力线640的顶表面的一部分暴露。另外，第一上电力线640可以与第二线延伸部742平行地设置。
94.第一电力(例如，图4的低电力电压elvss)可以提供到第一上电力线640。第一电力可以通过第一上电力线640、上连接构件295、导电构件360和第一子电力线650提供到上电极340。第一上电力线640可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。在一些实施例中，第一上电力线640可以具有多层结构，所述多层结构包括由相互不同的材料形成的多个金属层，并且金属层可以具有相互
不同的厚度。
95.信号线610可以在层间绝缘层190上设置在第一外围区域21的一部分和显示区域10中，并且可以在第二方向d2上延伸。图5的数据信号data可以施加到信号线610，并且信号线610可以对应于图5的数据信号(data)线。换言之，信号线610可以电连接到设置在子像素区域30中的半导体元件250和另一半导体元件(例如，图4的第二晶体管tr2)，并且可以将数据信号data提供到半导体元件。信号线610可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。在其它示例性实施例中，信号线610可以具有多层结构，所述多层结构包括由相互不同的材料形成的多个金属层，并且金属层可以具有相互不同的厚度。
96.第二子电力线750可以在层间绝缘层190上与信号线610平行地设置在第一外围区域21的一部分和显示区域10中，并且可以在第二方向d2上延伸。第二子电力线750可以在第一外围区域21中通过接触孔751电连接到第二上电力线740，并且第二电力可以施加到第二子电力线750。例如，第二子电力线750可以与图4的高电力电压(elvdd)线对应。换言之，在显示装置100的另一剖视图中，第二子电力线750可以电连接到设置在子像素区域30中的下电极290，并且可以向下电极290提供第二电力(例如，图4的高电力电压elvdd)。第二子电力线750可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。在其它示例性实施例中，第二子电力线750可以具有多层结构，所述多层结构包括由相互不同的材料形成的多个金属层，并且金属层可以具有相互不同的厚度。
97.第一子电力线650可以在层间绝缘层190上与信号线610和第二子电力线750平行地设置在第一外围区域21的一部分和显示区域10中，并且可以在第二方向d2上延伸。如上所述，第一子电力线650可以在第一外围区域21中从导电构件360的第一延伸部延伸，并且第一电力可以施加到第一子电力线650。例如，第一子电力线650可以对应于图4的低电力电压(elvss)线。如图6中所示，第一子电力线650可以通过第三接触孔651电连接到上电极340，并且可以将第一电力(例如，图4的低电力电压elvss)施加到上电极340。在示例性实施例中，导电构件360、第一上电力线640、上检查垫660、信号线610、第二子电力线750和第一子电力线650可以位于同一层。
98.保护绝缘层400可以在源电极210和漏电极230、信号线610、第二子电力线750、第一子电力线650、导电构件360、上检查垫660以及第一上电力线640上设置在显示区域10、外围区域20、第一垫区域61和第二垫区域62中。在示例性实施例中，保护绝缘层400可以包括使漏电极230的顶表面的一部分暴露的接触孔、使第一子电力线650的顶表面的一部分暴露的接触孔、使导电构件360的顶表面的一部分暴露的接触孔、使第一上电力线640的顶表面的一部分暴露的接触孔等等。
99.保护绝缘层400可以在层间绝缘层190上充分覆盖源电极210和漏电极230、信号线610、第二子电力线750、第一子电力线650、导电构件360、上检查垫660以及第一上电力线640，并且可以具有基本平坦的顶表面，而不在源电极210和漏电极230、信号线610、第二子电力线750、第一子电力线650、导电构件360、上检查垫660以及第一上电力线640周围产生台阶。在一些实施例中，保护绝缘层400可以在层间绝缘层190上沿着源电极210和漏电极230、信号线610、第二子电力线750、第一子电力线650、导电构件360、上检查垫660以及第一
上电力线640的轮廓以基本均匀的厚度设置，以覆盖源电极210和漏电极230、信号线610、第二子电力线750、第一子电力线650、导电构件360、上检查垫660以及第一上电力线640。保护绝缘层400可以包括硅化合物、金属氧化物等。在其它示例性实施例中，保护绝缘层400可以具有多层结构，所述多层结构具有包括相互不同的材料的多个绝缘层，并且绝缘层可以具有相互不同的厚度。
100.第一连接图案365可以设置在使导电构件360的顶表面的部分暴露的接触孔中，第二连接图案645可以设置在使第一上电力线640的顶表面的部分暴露的接触孔中，第三连接图案235可以设置在使漏电极230的顶表面的部分暴露的接触孔中，并且第四连接图案655可以设置在使第一子电力线650的顶表面的部分暴露的接触孔中。换言之，第一连接图案至第四连接图案365、645、235和655中的每个的至少一部分可以置于保护绝缘层400与平坦化层270之间。第一连接图案365可以完全覆盖由接触孔暴露的导电构件360，第二连接图案645可以完全覆盖由接触孔暴露的第一上电力线640，第三连接图案235可以完全覆盖由接触孔暴露的漏电极230，并且第四连接图案655可以完全覆盖由接触孔暴露的第一子电力线650。例如，在制造显示装置100的方法中，导电构件360、第二连接图案645、第一上电力线640和漏电极230可以通过使用铜来形成，并且第一连接图案至第四连接图案365、645、235和655中的每个可以通过使用氧化铟锡来形成。在保护绝缘层400上形成平坦化层270之后，可以执行用于形成与形成在保护绝缘层400中的接触孔叠置的平坦化层270的接触孔的蚀刻工艺。可以提供第一连接图案至第四连接图案365、645、235和655，以在执行蚀刻工艺的同时保护导电构件360、第二连接图案645、第一上电力线640和漏电极230。在一些实施例中，第一连接图案至第四连接图案365、645、235和655中的每个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。在其它示例性实施例中，第一连接图案至第四连接图案365、645、235和655中的每个可以具有多层结构，所述多层结构包括由相互不同的材料形成的多个金属层，并且金属层可以具有相互不同的厚度。
101.平坦化层270可以设置在第一连接图案至第四连接图案365、645、235和655上。平坦化层270可以在保护绝缘层400上设置在显示区域10、外围区域20、第一垫区域61和第二垫区域62中。平坦化层270可以具有与保护绝缘层400的使导电构件360的顶表面的部分暴露的接触孔叠置的接触孔，并且该接触孔可以被定义为第一接触孔361。另外，平坦化层270可以具有与保护绝缘层400的使第一上电力线640的顶表面的部分暴露的接触孔叠置的接触孔，并且该接触孔可以被定义为第二接触孔641。此外，平坦化层270可以具有与保护绝缘层400的使第一子电力线650的顶表面的部分暴露的接触孔叠置的接触孔，并且该接触孔可以被定义为第三接触孔651。另外，平坦化层270可以具有与保护绝缘层400的使漏电极230的顶表面的部分暴露的接触孔叠置的接触孔，并且下电极290可以通过该接触孔电连接到半导体元件250。
102.例如，平坦化层270可以具有相对厚的厚度。在这种情况下，平坦化层270可以具有基本平坦的顶表面。为了实现平坦化层270的这样的平坦顶表面，可以对平坦化层270另外执行平坦化工艺。在一些实施例中，平坦化层270可以在保护绝缘层400上沿着第一连接图案至第四连接图案365、645、235和655的轮廓以均匀的厚度设置。第一平坦化层270可以由有机材料或无机材料形成。在示例性实施例中，平坦化层270可以包括有机材料。例如，平坦
化层270可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酰类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂、丙烯酰类树脂、环氧类树脂等。
103.下电极290可以在平坦化层270上设置在子像素区域30中。下电极290可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。在其它示例性实施例中，下电极290可以具有多层结构，所述多层结构包括由相互不同的材料形成的多个金属层，并且金属层可以具有相互不同的厚度。
104.上连接构件295可以在平坦化层270上设置在第一外围区域21和第一垫区域61中。上连接构件295可以在第一外围区域21中在第一方向d1上延伸，并且可以与第一上电力线640的一部分和导电构件360叠置。上连接构件295可以通过第一接触孔361和第二接触孔641将导电构件360和第一上电力线640电连接。换言之，施加到第一上电力线640的第一电力可以通过上连接构件295提供到导电构件360。上连接构件295可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。在一些实施例中，上连接构件295可以具有多层结构，所述多层结构包括由相互不同的材料形成的多个金属层，并且金属层可以具有相互不同的厚度。
105.第一电极图案305可以设置在第三接触孔651中。第一电极图案305可以设置在上电极340与第四连接图案655之间，并且可以完全覆盖由第三接触孔651暴露的第四连接图案655。例如，在制造显示装置100的方法中，在形成发光层330之后，可以执行用于去除形成在第一电极图案305上以与第三接触孔651叠置的发光层330的激光钻孔工艺。可以通过激光钻孔工艺去除形成在第一电极图案305上的发光层330。在执行激光钻孔工艺的同时，第一电极图案305可以保护第四连接图案655。第一电极图案305可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。在其它示例性实施例中，第一电极图案305可以具有多层结构，所述多层结构包括由相互不同的材料形成的多个金属层，并且金属层可以具有相互不同的厚度。
106.像素限定层310可以在平坦化层270上设置在显示区域10、外围区域20、第一垫区域61和第二垫区域62中。像素限定层310可以覆盖下电极290的两侧部分，并且可以使下电极290的顶表面的一部分暴露。另外，像素限定层310可以覆盖第一电极图案305的两侧部分，并且可以使第一电极图案305的顶表面的一部分暴露。此外，像素限定层310可以覆盖第一外围区域21和第一垫区域61中的上连接构件295。像素限定层310可以由有机材料或无机材料形成。在示例性实施例中，像素限定层310可以包括有机材料。
107.发光层330可以在第一电极图案305的一部分、像素限定层310和下电极290上设置在显示区域10中。如上所述，发光层330可以通过激光钻孔工艺使第一电极图案305的顶表面的部分暴露。换言之，发光层330可以不设置在其中形成有第三接触孔651的部分中。发光层330可以具有包括有机发光层(eml)、空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、电子传输层(etl)、电子注入层(eil)等的多层结构。发光层330的有机发光层(eml)可以通过使用用于根据子像素发射不同颜色光(即，红光、绿光、蓝光等)的发光材料中的至少一种来形成。可选地，发光层330的有机发光层(eml)可以通过堆叠用于产生不同颜色的光(诸如红光、绿光和蓝光)的多种发光材料以整体发射白光来形成。在这种情况下，滤色器可以设置在发光层330上，发光层330设置在下电极290上。滤色器可以包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中的至少一种。在一些实施例中，滤色器可以包括黄色滤色器、青色滤色器和品红色滤
色器。滤色器可以包括光敏树脂或颜色光致抗蚀剂。
108.上电极340可以在基底110上设置在显示区域10中。例如，上电极340可以在显示区域10中设置在发光层330上，并且可以与由发光层330暴露的第一电极图案305直接接触。换言之，上电极340可以沿着发光层330和第一电极图案305的轮廓设置。如上所述，施加到第一上电力线640的第一电力可以通过第二连接图案645、上连接构件295、第一连接图案365、导电构件360、第一子电力线650、第四连接图案655和第一电极图案305传输到上电极340。上电极340可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。在其它示例性实施例中，上电极340可以具有多层结构，所述多层结构包括由相互不同的材料形成的多个金属层，并且金属层可以具有相互不同的厚度。
109.因此，可以提供包括下电极290、发光层330和上电极340的子像素结构200。
110.封装基底450可以在上电极340上设置在显示区域10中。封装基底450可以面对基底110，并且可以不设置在第一垫区域61和第二垫区域62中。封装基底450可以包括与基底110的材料基本相同的材料。例如，封装基底450可以包括石英基底、合成石英基底、氟化钙基底、氟掺杂的石英基底、钠钙玻璃基底、无碱玻璃基底等。在其它示例性实施例中，封装基底450可以包括透明无机材料或柔性塑料。例如，封装基底450可以包括具有柔性的透明树脂基底。在这种情况下，为了改善显示装置100的柔性，封装基底450可以具有其中至少一个无机层和至少一个有机层交替堆叠的结构。堆叠结构可以包括第一无机层、有机层和第二无机层。
111.例如，传统显示装置可以具有大尺寸和高分辨率。当以高亮度驱动显示装置时，电流会集中在设置在第一外围区域21和第一垫区域61中的第一上电力线640中，使得温度会升高(例如，发热现象)。在这种情况下，发热现象可能导致第一上电力线640的短路或位于第一上电力线640周围的绝缘层的变形。另外，随着显示区域10变宽，可能发生电压降(ir降)现象。另外，可能由在第二外围区域22中发生的第一上电力线640的发热现象和在显示区域10中发生的电压降现象引起传统显示装置的缺陷。
112.在示例性实施例中，由于显示装置100包括导电构件360，并且形成在导电构件360上的第一接触孔361具有相对宽的面积，因此上连接构件295与导电构件360之间的接触面积可以相对增加。另外，由于上电极340通过第三接触孔651电连接到第一上电力线640，因此上电极340可以接收第一电力。因此，根据显示装置100，可以减少发热现象和电压降现象两者。
113.图9是示出图1的区域b的局部放大平面图，图10是沿着图9的线iv-iv'截取的剖视图，图11是沿着图9的线v-v'截取的剖视图，并且图12是沿着图9的线vi-vi'截取的剖视图。
114.参照图9、图10、图11和图12，显示装置100还可以包括扇出线420、第一下电力线840、第二下电力线950、下检查垫760、第五连接图案385、第六连接图案845、第七连接图案665、子像素结构200、下连接构件395、第二电极图案315等。
115.尽管为了便于描述，已经假设图10的子像素结构200具有与图6的子像素结构200的附图标记相同的附图标记，但是图10的子像素结构200和图6的子像素结构200可以是相互不同的子像素结构。换言之，图10的子像素结构200可以是设置在显示区域10中的与第二外围区域22相邻的子像素结构，并且图6的子像素结构200可以是设置在显示区域10中的与第一外围区域21相邻的子像素结构。然而，图10中所示的发光层330和上电极340可以分别
与图6中所示的发光层330和上电极340相同。
116.扇出线420可以在栅极绝缘层150上设置在第二垫区域62和第二外围区域22中。在示例性实施例中，扇出线420可以位于基底110与第一下电力线840和第二下电力线940之间。扇出线420的一侧可以通过图2的第二垫电极472电连接到驱动电路板900，并且扇出线420的相对侧可以电连接到下检查垫760。图4的数据信号data可以从驱动电路板900提供到扇出线420。数据信号data可以通过下检查垫760和信号线610提供到图4的第二晶体管tr2。扇出线420可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。在一些实施例中，扇出线420可以具有多层结构，所述多层结构包括由相互不同的材料形成的多个金属层，并且金属层可以具有相互不同的厚度。在示例性实施例中，扇出线420可以与栅电极170和第二上电力线740位于同一层。
117.第一下电力线840可以在层间绝缘层190上设置在第二垫区域62中。在示例性实施例中，第一下电力线840可以位于比扇出线420的水平高的水平处，并且可以电连接到设置在图2的第二垫区域62中的第一电力电路板841。换言之，第一下电力线840的一侧可以在第二方向d2上延伸以通过第二垫电极472电连接到第一电力电路板841，并且第一下电力线840的相对侧可以电连接到下连接构件395。在这种情况下，第五接触孔842可以位于第一下电力线840的相对侧上，使得第一下电力线840的相对侧可以电连接到下连接构件395，并且第五接触孔842可以使第一下电力线840的顶表面的一部分暴露。
118.第一电力(例如，图4的低电力电压elvss)可以提供到第一下电力线840。第一电力可以通过第一下电力线840、下连接构件395和第一子电力线650提供到上电极340。第一下电力线840可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。在一些实施例中，第一下电力线840可以具有多层结构，所述多层结构包括由相互不同的材料形成的多个金属层，并且金属层可以具有相互不同的厚度。
119.第二下电力线950可以在层间绝缘层190上设置在第二垫区域62中。在示例性实施例中，第二下电力线950可以位于比扇出线420的水平高的水平处，并且可以与第一下电力线840位于同一层。另外，第二下电力线950可以通过第二垫电极472电连接到设置在图2的第二垫区域62中的第二电力电路板941。此外，第二下电力线950可以包括第一线延伸部951和第二线延伸部952。例如，第一线延伸部951可以位于第二外围区域22中，并且可以在第一方向d1上延伸。换言之，第一线延伸部951可以与第二外围区域22叠置。第二线延伸部952可以在第二方向d2上从第一线延伸部951的一侧延伸，以位于第二垫区域62中。换言之，第二线延伸部952可以在第二方向d2上从第一线延伸部951的第一部分和第二部分突出，并且可以在第二方向d2上延伸，以通过第二垫电极472电连接到第二电力电路板941。
120.第二电力(例如，图4的高电力电压elvdd)可以被提供到第二下电力线950。第二电力可以通过第二下电力线950和第二子电力线750提供到下电极290。第二下电力线950可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。在一些实施例中，第二下电力线950可以具有多层结构，所述多层结构包括由相互不同的材料形成的多个金属层，并且金属层可以具有相互不同的厚度。
121.下检查垫760可以在层间绝缘层190上设置在第二外围区域22中，同时与第二下电力线950间隔开。例如，第二下电力线950可以在第二外围区域22中定位为靠近第二垫区域62，并且下检查垫760可以定位为在第二外围区域22中靠近显示区域10。下检查垫760可以
与第一下电力线840和第二下电力线950位于同一层，并且可以在第一方向d1上布置在第二外围区域22中。下检查垫760中的每个还可以包括在第三方向d3上延伸的延伸部，并且该延伸部可以对应于信号线610。在示例性实施例中，层间绝缘层190可以覆盖扇出线420，并且可以具有使扇出线420在第二外围区域22中的一部分暴露的接触孔761。下检查垫760中的每个可以通过接触孔761电连接到扇出线420。例如，下检查垫760可以用作被构造为检查数据线(例如，信号线610)的断开状态和短路的os垫。下检查垫760中的每个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。在其它示例性实施例中，每个下检查垫760可以具有多层结构，所述多层结构包括由相互不同的材料形成的多个金属层，并且金属层可以具有相互不同的厚度。
122.在示例性实施例中，保护绝缘层400可以包括使第一子电力线650的顶表面的第一部分暴露的接触孔、使第一下电力线840的顶表面的一部分暴露的接触孔、使第一子电力线650的顶表面的第二部分暴露的接触孔等等。
123.第五连接图案385可以设置在使第一子电力线650的顶表面的第一部分暴露的接触孔中，第六连接图案845可以设置在使第一下电力线840的顶表面的部分暴露的接触孔中，并且第七连接图案665可以设置在使第一子电力线650的顶表面的第二部分暴露的接触孔中。换言之，第五连接图案至第七连接图案385、845和665中的每个的至少一部分可以置于保护绝缘层400与平坦化层270之间。第五连接图案385可以完全覆盖由接触孔暴露的第一子电力线650的第一部分，第六连接图案845可以完全覆盖由接触孔暴露的第一下电力线840，并且第七连接图案665可以完全覆盖由接触孔暴露的第一子电力线650的第二部分。例如，在制造显示装置100的方法中，可以通过使用铜来形成第一子电力线650和第一下电力线840，并且可以通过使用氧化铟锡来形成第五连接图案至第七连接图案385、845和665中的每个。在保护绝缘层400上形成平坦化层270之后，可以执行用于形成与形成在保护绝缘层400中的接触孔叠置的平坦化层270的接触孔的蚀刻工艺。可以提供第五连接图案至第七连接图案385、845和665，以在执行蚀刻工艺的同时保护第一子电力线650和第一下电力线840。在一些实施例中，第五连接图案至第七连接图案385、845和665中的每个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。在其它示例性实施例中，第五连接图案至第七连接图案385、845和665中的每个可以具有多层结构，所述多层结构包括由相互不同的材料形成的多个金属层，并且金属层可以具有相互不同的厚度。
124.在示例性实施例中，平坦化层270可以具有与保护绝缘层400的使第一子电力线650的顶表面的第一部分暴露的接触孔叠置的接触孔，并且该接触孔可以被定义为第四接触孔391。另外，平坦化层270可以具有与保护绝缘层400的使第一下电力线840的顶表面的一部分暴露的接触孔叠置的接触孔，并且该接触孔可以被定义为第五接触孔842。此外，平坦化层270可以具有与保护绝缘层400的使第一子电力线650的顶表面的第二部分暴露的接触孔叠置的接触孔，并且该接触孔可以被定义为第六接触孔652。
125.下连接构件395可以在平坦化层270上设置在第二外围区域22和第二垫区域62中。下连接构件395可以在第二外围区域22中在第一方向d1上延伸，并且可以与第一下电力线840和第一子电力线650的一部分叠置。下连接构件395可以通过第四接触孔391和第五接触孔842将第一子电力线650和第一下电力线840电连接。换言之，施加到第一下电力线840的
第一电力可以通过下连接构件395提供到第一子电力线650。在一些实施例中，导电构件(诸如图5的导电构件360)可以形成在第二外围区域22中。例如，导电构件可以与下连接构件395的与第二外围区域22和显示区域10之间的边界相邻的一侧叠置，并且可以与栅电极170设置在同一层。下连接构件395可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。在一些实施例中，下连接构件395可以具有多层结构，所述多层结构包括由相互不同的材料形成的多个金属层，并且金属层可以具有相互不同的厚度。
126.第二电极图案315可以设置在第六接触孔652中。第二电极图案315可以设置在上电极340与第七连接图案665之间，并且可以完全覆盖由第六接触孔652暴露的第七连接图案665。例如，在制造显示装置100的方法中，在形成发光层330之后，可以执行用于去除形成在第二电极图案315上以与第六接触孔652叠置的发光层330的激光钻孔工艺。可以通过激光钻孔工艺去除形成在第二电极图案315上的发光层330。在执行激光钻孔工艺的同时，第二电极图案315可以保护第七连接图案665。第二电极图案315可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此组合使用。在其它示例性实施例中，第二电极图案315可以具有多层结构，所述多层结构包括由相互不同的材料形成的多个金属层，并且金属层可以具有相互不同的厚度。
127.如上所述，可以提供图1至图12中所示的显示装置100。
128.由于根据本发明的示例性实施例的显示装置100包括导电构件360，并且形成在导电构件360上的第一接触孔361具有相对宽的面积，因此可以减少可能在第一外围区域21中发生的发热现象。另外，由于显示装置100包括第三接触孔651，并且上电极340在每个子像素区域30中从第一子电力线650接收第一电力，因此可以减少可能在显示区域10中发生的电压降现象。因此，根据显示装置100，可以减少可能在第一外围区域21中发生的发热现象和可能在显示区域10中发生的电压降现象两者。
129.然而，尽管已经将根据本发明的显示装置100具体描述为有机发光二极管显示装置，但是本发明的构造不限于此。在其它示例性实施例中，显示装置100可以包括液晶显示装置(lcd)、场发射显示装置(fed)、等离子体显示装置(pdp)或电泳图像显示装置(epd)。
130.图13至图26是示出根据本发明的示例性实施例的制造显示装置的方法的视图。例如，图13、图14、图18和图19是示出制造显示装置的方法的平面图，图15至图17和图20至图26是示出制造显示装置的方法的剖视图。
131.参照图13、图14、图15、图16和图17，如图15、图16和图17中所示，可以提供包括透明或不透明材料的基底110。可以通过使用石英基底、合成石英基底、氟化钙基底、氟掺杂的石英基底、钠钙玻璃基底、无碱玻璃基底等来形成基底110。基底110可以包括其中布置有多个子像素区域30的显示区域10、包括第一外围区域21和第二外围区域22的外围区域20、第一垫区域61和第二垫区域62(见图1)。
132.如图15、图16和图17中所示，可以在基底110上形成缓冲层115。缓冲层115可以在基底110上遍及整个显示区域10、外围区域20、第一垫区域61和第二垫区域62形成。根据基底110的类型，可以在基底110上设置至少两个缓冲层115，或者可以不形成缓冲层115。可以通过使用硅化合物、金属氧化物等形成缓冲层115。缓冲层115可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等。
133.如图15中所示，可以在缓冲层115上在子像素区域30中形成有源层130。可以通过使用金属氧化物半导体、无机半导体、有机半导体等形成有源层130。有源层130可以包括源区、漏区以及位于源区与漏区之间的沟道区。
134.如图15、图16和图17中所示，可以在有源层130上形成栅极绝缘层150。可以在缓冲层115上在显示区域10、外围区域20、第一垫区域61和第二垫区域62中形成栅极绝缘层150。栅极绝缘层150可以在缓冲层115上覆盖子像素区域30中的有源层130，并且可以在从子像素区域30到外围区域20的方向上延伸。例如，栅极绝缘层150可以在缓冲层115上充分覆盖有源层130，并且可以具有基本平坦的顶表面，而不在有源层130周围产生台阶。在一些实施例中，可以在缓冲层115上沿着有源层130的轮廓以均匀的厚度形成栅极绝缘层150，以覆盖有源层130。栅极绝缘层150可以通过使用硅化合物、金属氧化物等形成。
135.如图15中所示，可以在栅极绝缘层150上在子像素区域30中形成栅电极170。可以在栅极绝缘层150的其下方定位有有源层130的部分上形成栅电极170。可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成栅电极170。这些可以单独使用或彼此组合使用。
136.如图13和图16中所示，可以在栅极绝缘层150上在第一垫区域61和第一外围区域21中形成第二上电力线740。第二上电力线740可以包括第一线延伸部741、第二线延伸部742和第三线延伸部743。例如，第一线延伸部741可以位于第一外围区域21中，并且可以在第一方向d1上延伸。第二线延伸部742可以在第三方向d3上从第一线延伸部741的一侧延伸，以位于第一垫区域61中。第三线延伸部743可以在第二方向d2上从第一线延伸部741的相对侧延伸。第一线延伸部741、第二线延伸部742和第三线延伸部743可以彼此一体地形成。可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等来形成第二上电力线740。这些可以单独使用或彼此组合使用。
137.如图14和图17中所示，可以在栅极绝缘层150上在第二垫区域62和第二外围区域22中形成扇出线420。可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成扇出线420。这些可以单独使用或彼此组合使用。
138.如图13中所示，可以在栅极绝缘层150上在第一外围区域21中与第三线延伸部743平行地形成导电图案510。可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等来形成导电图案510。这些可以单独使用或彼此组合使用。
139.在示例性实施例中，可以通过使用相同的材料同时形成栅电极170、导电图案510、第二上电力线740和扇出线420。
140.如图13、图15、图16和图17中所示，可以在栅电极170、导电图案510、第二上电力线740和扇出线420上形成层间绝缘层190。可以在栅极绝缘层150上在显示区域10、外围区域20、第一垫区域61和第二垫区域62中形成层间绝缘层190。层间绝缘层190可以包括：接触孔511，使第一外围区域21中的导电图案510的一侧暴露；接触孔512，使导电图案510的相对侧暴露；以及接触孔751，使第三线延伸部743的与显示区域10相邻的一部分暴露，并且可以包括使扇出线420的在第二外围区域22中的一部分暴露的接触孔761。例如，层间绝缘层190可以在栅极绝缘层150上充分覆盖栅电极170、导电图案510、第二上电力线740和扇出线420，并且可以具有基本平坦的顶表面，而不在栅电极170、导电图案510、第二上电力线740和扇出线420周围产生台阶。在一些实施例中，可以在栅极绝缘层150上沿着栅电极170、导电图
案510、第二上电力线740和扇出线420的轮廓以均匀的厚度形成层间绝缘层190，以覆盖栅电极170、导电图案510、第二上电力线740和扇出线420。可以通过使用硅化合物、金属氧化物等形成层间绝缘层190。
141.参照图18、图19、图20、图21和图22，如图20中所示，可以在层间绝缘层190上在子像素区域30中形成源电极210和漏电极230。源电极210可以经由通过去除栅极绝缘层150和层间绝缘层190的第一部分形成的接触孔连接到有源层130的源区，并且漏电极230可以经由通过去除栅极绝缘层150和层间绝缘层190的第二部分形成的接触孔连接到有源层130的漏区。可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成源电极210和漏电极230中的每个。这些可以单独使用或彼此组合使用。
142.因此，可以形成包括有源层130、栅极绝缘层150、栅电极170、层间绝缘层190、源电极210和漏电极230的半导体元件250。
143.如图18和图21中所示，可以在层间绝缘层190上在第一外围区域21和显示区域10中形成导电构件360。例如，导电构件360可以包括第一延伸部和第二延伸部。在这种情况下，第一延伸部可以在第一外围区域21中在第一方向d1上延伸，并且可以与第一线延伸部741平行地定位。另外，第二延伸部可以形成在子像素区域30中。第二延伸部可以被定义为第一子电力线650。第一延伸部和第二延伸部可以彼此一体地形成。可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成导电构件360。例如，导电构件360可以包括金、银、铝、铂、镍、钛、钯、镁、钙、锂、铬、钽、钨、铜、钼、钪、钕、铱、含铝合金、氮化铝、含银合金、氮化钨、含铜合金、含钼合金、氮化钛、氮化铬、氮化钽、氧化锶钌、氧化锌、氧化铟锡、氧化锡、氧化铟、氧化镓、氧化铟锌等。这些可以单独使用或彼此组合使用。
144.如图18和图21中所示，可以在层间绝缘层190上在第一垫区域61中形成第一上电力线640。第一上电力线640可以与第二线延伸部742平行地形成。可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成第一上电力线640。这些可以单独使用或彼此组合使用。
145.如图18、图20和图21中所示，可以在层间绝缘层190上在第一外围区域21的一部分和显示区域10中形成信号线610，并且信号线610可以在第二方向d2上延伸。信号线610的一侧可以与层间绝缘层190的接触孔512叠置，并且可以通过接触孔512连接到导电图案510。可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成信号线610。这些可以单独使用或彼此组合使用。
146.如图18和图21中所示，可以在层间绝缘层190上在第一外围区域21的一部分和显示区域10中与信号线610和第一子电力线650平行地形成第二子电力线750，并且第二子电力线750可以在第二方向d2上延伸。第二子电力线750可以通过第一外围区域21中的接触孔751连接到第二上电力线740。可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等来形成第二子电力线750。这些可以单独使用或彼此组合使用。
147.如图18和图21中所示，可以在层间绝缘层190上在第一外围区域21中形成上检查垫660，以与第二上电力线740的第一线延伸部741叠置。上检查垫660可以在第一外围区域21中布置在第一方向d1上。上检查垫660中的每个还可以包括在第二方向d2上延伸的延伸部，其中，延伸部的一侧可以连接到上检查垫660，并且延伸部的相对侧可以与层间绝缘层190的接触孔511叠置，并且可以通过接触孔511连接到导电图案510。可以通过使用金属、合
金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成上检查垫660中的每个。这些可以单独使用或彼此组合使用。
148.如图19和图22中所示，可以在层间绝缘层190上在第二垫区域62中形成第一下电力线840。可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等来形成第一下电力线840。这些可以单独使用或彼此组合使用。
149.如图19和图22中所示，可以在层间绝缘层190上在第二垫区域62中形成第二下电力线950。第二下电力线950可以包括第一线延伸部951和第二线延伸部952。例如，第一线延伸部951可以位于第二外围区域22中，并且可以在第一方向d1上延伸。第二线延伸部952可以在第二方向d2上从第一线延伸部951的一侧延伸，以位于第二垫区域62中。可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成第二下电力线950。这些可以单独使用或彼此组合使用。
150.如图19和图22中所示，可以在层间绝缘层190上在第二外围区域22中形成下检查垫760，同时下检查垫760与第二下电力线950间隔开。例如，可以在第二外围区域22中靠近第二垫区域62形成第二下电力线950，并且可以在第二外围区域22中靠近显示区域10形成下检查垫760。下检查垫760可以在第二外围区域22中布置在第一方向d1上。下检查垫760中的每个还可以包括在第三方向d3上延伸的延伸部，并且延伸部可以对应于信号线610。下检查垫760中的每个可以通过层间绝缘层190的接触孔761连接到扇出线420。可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成下检查垫760中的每个。这些可以单独使用或彼此组合使用。
151.在示例性实施例中，可以通过使用相同的材料同时形成源电极210、漏电极230、导电构件360、第一上电力线640、信号线610、第二子电力线750、上检查垫660、第一下电力线840、第二下电力线950和下检查垫760。
152.参照图1，可以在基底110上在第一垫区域61中形成第一垫电极471，并且可以在基底110上在第二垫区域62中形成第二垫电极472。例如，第一垫电极471和第二垫电极472可以通过使用与源电极210、漏电极230、导电构件360、第一上电力线640、信号线610、第二子电力线750、上检查垫660、第一下电力线840、第二下电力线950和下检查垫760相同的材料与源电极210、漏电极230、导电构件360、第一上电力线640、信号线610、第二子电力线750、上检查垫660、第一下电力线840、第二下电力线950和下检查垫760同时形成。
153.如图18至图22中所示，可以在源电极210、漏电极230、导电构件360、第一上电力线640、信号线610、第二子电力线750、上检查垫660、第一下电力线840、第二下电力线950和下检查垫760上在显示区域10、外围区域20、第一垫区域61和第二垫区域62中形成保护绝缘层400。保护绝缘层400可以在层间绝缘层190上充分覆盖源电极210、漏电极230、导电构件360、第一上电力线640、信号线610、第二子电力线750、上检查垫660、第一下电力线840、第二下电力线950和下检查垫760，并且可以具有基本平坦的顶表面，而不在源电极210、漏电极230、导电构件360、第一上电力线640、信号线610、第二子电力线750、上检查垫660、第一下电力线840、第二下电力线950和下检查垫760周围产生台阶。在一些实施例中，可以在层间绝缘层190上沿着源电极210、漏电极230、导电构件360、第一上电力线640、信号线610、第二子电力线750、上检查垫660、第一下电力线840、第二下电力线950和下检查垫760的轮廓以基本均匀的厚度形成保护绝缘层400，以覆盖源电极210、漏电极230、导电构件360、第一
上电力线640、信号线610、第二子电力线750、上检查垫660、第一下电力线840、第二下电力线950和下检查垫760。可以通过使用硅化合物、金属氧化物等形成保护绝缘层400。
154.在形成保护绝缘层400之后，可以在保护绝缘层400中形成使漏电极230的顶表面的一部分暴露的接触孔、使第一子电力线650的顶表面的一部分暴露的接触孔、使导电构件360的顶表面的一部分暴露的接触孔、使第一上电力线640的顶表面的一部分暴露的接触孔、使第一子电力线650的顶表面的第一部分暴露的接触孔、使第一下电力线840的顶表面的一部分暴露的接触孔以及使第一子电力线650的顶表面的第二部分暴露的接触孔。
155.可以在使导电构件360的顶表面的部分暴露的接触孔中形成第一连接图案365，可以在使第一上电力线640的顶表面的部分暴露的接触孔中形成第二连接图案645，可以在使漏电极230的顶表面的部分暴露的接触孔中形成第三连接图案235，可以在使第一子电力线650的顶表面的部分暴露的接触孔中形成第四连接图案655，可以在使第一子电力线650的顶表面的第一部分暴露的接触孔中形成第五连接图案385，可以在使第一下电力线840的顶表面的部分暴露的接触孔中形成第六连接图案845，并且可以在使第一子电力线650的顶表面的第二部分暴露的接触孔中形成第七连接图案665。可以形成第一连接图案至第七连接图案365、645、235、655、385、845和665，以保护导电构件360、第二连接图案645、第一上电力线640、漏电极230、第一子电力线650和第一下电力线840。可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成第一连接图案至第七连接图案365、645、235、655、385、845和665中的每个。这些可以单独使用或彼此组合使用。
156.可以在第一连接图案至第七连接图案365、645、235、655、385、845和665上形成平坦化层270。可以在保护绝缘层400上在显示区域10、外围区域20、第一垫区域61和第二垫区域62中形成平坦化层270。例如，平坦化层270可以具有相对厚的厚度。在这种情况下，平坦化层270可以具有基本平坦的顶表面。为了实现平坦化层270的这样的平坦的顶表面，可以另外对平坦化层270执行平坦化工艺。在一些实施例中，可以在保护绝缘层400上沿着第一连接图案至第七连接图案365、645、235、655、385、845和665的轮廓以均匀的厚度形成平坦化层270。可以通过使用有机材料形成平坦化层270。例如，平坦化层270可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酰类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂、丙烯酰类树脂、环氧类树脂等。
157.在形成平坦化层270之后，可以在平坦化层270中形成与保护绝缘层400的使导电构件360的顶表面的部分暴露的接触孔叠置的接触孔，并且该接触孔可以被定义为第一接触孔361。可以在平坦化层270中形成与保护绝缘层400的使第一上电力线640的顶表面的部分暴露的接触孔叠置的接触孔，并且该接触孔可以被定义为第二接触孔641。可以在平坦化层270中形成与保护绝缘层400的使第一子电力线650的顶表面的部分暴露的接触孔叠置的接触孔，并且该接触孔可以被定义为第三接触孔651。可以在平坦化层270中形成与保护绝缘层400的使漏电极230的顶表面的部分暴露的接触孔叠置的接触孔。可以在平坦化层270中形成与保护绝缘层400的使第一子电力线650的顶表面的第一部分暴露的接触孔叠置的接触孔，并且该接触孔可以被定义为第四接触孔391。可以在平坦化层270中形成与保护绝缘层400的使第一下电力线840的顶表面的部分暴露的接触孔叠置的接触孔，并且该接触孔可以被定义为第五接触孔842。可以在平坦化层270中形成与保护绝缘层400的使第一子电力线650的顶表面的第二部分暴露的接触孔叠置的接触孔，并且该接触孔可以被定义为第
六接触孔652。
158.参照图5、图9、图23、图24和图25，如图23中所示，可以在平坦化层270上在子像素区域30中形成下电极290。可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成下电极290。这些可以单独使用或彼此组合使用。
159.如图5和图24中所示，可以在平坦化层270上在第一外围区域21和第一垫区域61中形成上连接构件295。上连接构件295可以在第一外围区域21中在第一方向d1上延伸，并且可以与第一上电力线640的一部分和导电构件360叠置。上连接构件295可以分别通过第一接触孔361和第二接触孔641连接到导电构件360和第一上电力线640。可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成上连接构件295。这些可以单独使用或彼此组合使用。
160.如图5和图23中所示，可以在第三接触孔651中形成第一电极图案305。第一电极图案305可以完全覆盖由第三接触孔651暴露的第四连接图案655。可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等来形成第一电极图案305。这些可以单独使用或彼此组合使用。
161.如图9、图23和图24中所示，可以在平坦化层270上在第二外围区域22和第二垫区域62中形成下连接构件395。下连接构件395可以在第二外围区域22中在第一方向d1上延伸，并且可以与第一下电力线840和第一子电力线650的一部分叠置。下连接构件395可以分别通过第四接触孔391和第五接触孔842连接到第一子电力线650和第一下电力线840。在一些实施例中，可以在第二外围区域22中形成导电构件(诸如图5的导电构件360)。例如，导电构件可以与下连接构件395的与第二外围区域22和显示区域10之间的边界相邻的一侧叠置，并且可以与栅电极170形成在同一层。可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成下连接构件395。这些可以单独使用或彼此组合使用。
162.如图9和图10中所示，可以在第六接触孔652中形成第二电极图案315。第二电极图案315可以完全覆盖由第六接触孔652暴露的第七连接图案665。可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等来形成第二电极图案315。这些可以单独使用或彼此组合使用。
163.在示例性实施例中，可以通过使用相同的材料同时形成下电极290、上连接构件295、第一电极图案305、下连接构件395和第二电极图案315。
164.如图23、图24和图25中所示，可以在平坦化层270上在显示区域10、外围区域20、第一垫区域61和第二垫区域62中形成像素限定层310。像素限定层310可以覆盖下电极290的两个侧部、第一电极图案305的两个侧部、第二电极图案315的两个侧部、上连接构件295和下连接构件395。可以通过使用有机材料形成像素限定层310。
165.参照图5、图9和图26，可以在像素限定层310、下电极290、第一电极图案305和第二电极图案315上在显示区域10中形成发光层330。发光层330可以具有包括有机发光层、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层等的多层结构。可以通过使用用于根据子像素发射不同颜色光(即，红光、绿光、蓝光等)的发光材料中的至少一种来形成发光层330的有机发光层。可选地，可以通过堆叠用于产生不同颜色光(诸如红光、绿光和蓝光)的多种发光材料来形成发光层330的有机发光层，以整体发射白光。
166.在形成发光层330之后，可以通过激光钻孔工艺使第一电极图案305的顶表面的一
部分和第二电极图案315的顶表面的一部分暴露。
167.可以在基底110上的显示区域10中形成上电极340。例如，可以在发光层330上在显示区域10中形成上电极340，并且上电极340可以与由发光层330暴露的第一电极图案305和第二电极图案315直接接触。换言之，可以沿着发光层330、第一电极图案305和第二电极图案315的轮廓形成上电极340。可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成上电极340。这些可以单独使用或彼此组合使用。
168.因此，可以形成包括下电极290、发光层330和上电极340的子像素结构200。
169.可以在上电极340上在显示区域10中形成封装基底450。封装基底450可以面对基底110，并且可以不形成在第一垫区域61和第二垫区域62中。封装基底450可以包括与基底110的材料基本相同的材料。例如，可以通过使用石英基底、合成石英基底、氟化钙基底、氟掺杂的石英基底、钠钙玻璃基底、无碱玻璃基底等形成封装基底450。
170.参照图2，可以在第一垫电极471上形成第一电力电路板841和第二电力电路板941，并且可以在第二垫电极472上形成第一电力电路板841、第二电力电路板941和驱动电路板900。
171.因此，可以制造图1至图12中所示的显示装置100。
172.前述内容是对实施例的说明，并且不应被解释为对其进行限制。尽管已经描述了一些实施例，但是本领域技术人员将容易理解的是，在实质上不脱离本发明构思的新颖教导和优点的情况下，在实施例中可以进行许多修改。因此，所有这样的修改意图包括在如权利要求中限定的本发明构思的范围内。因此，将理解的是，前述内容是对各种实施例的说明，并且不应被解释为限于所公开的具体实施例，并且对所公开的实施例的修改以及其它实施例意图包括在所附权利要求的范围内。
173.工业实用性
174.本发明可以应用于包括显示装置的各种电子装置。例如，本发明可以应用于许多电子装置，诸如车辆显示装置、船舶显示装置、飞机显示装置、便携式通信装置、用于显示或用于信息传输的显示装置、医疗显示装置等。
175.附图标记的描述
176.10：显示区域
177.20：外围区域
178.21：第一外围区域
179.22：第二外围区域
180.30：子像素区域
181.61：第一垫区域
182.62：第二垫区域
183.100：显示装置
184.115：缓冲层
185.101：外部装置
186.110：基底
187.130：有源层
188.150：栅极绝缘层
189.170：栅电极
190.190：层间绝缘层
191.200：子像素结构
192.210：源电极
193.230：漏电极
194.235：第三连接图案
195.250：半导体元件
196.270：平坦化层
197.290：下电极
198.295：上连接构件
199.305：第一电极图案
200.310：像素限定层
201.315：第二电极图案
202.330：发光层
203.340：上电极
204.360：导电构件
205.365：第一连接图案
206.385：第五连接图案
207.395：下连接构件
208.400：保护绝缘层
209.420：扇出线
210.450：封装基底
211.471：第一垫电极
212.472：第二垫电极
213.510：导电图案
214.610：信号线
215.640：第一上电力线
216.645：第二连接图案
217.650：第一子电力线
218.655：第四连接图案
219.660：上检查垫
220.665：第七连接图案
221.740：第二上电力线
222.750：第二子电力线
223.760：下检查垫
224.840：第一下电力线
225.841：第一电力电路板
226.845：第六连接图案
227.900：驱动电路板
228.940：第二下电力线
229.941：第二电力电路板。