一种功率放大器芯片和射频前端模组的制作方法

技术特征：
1.一种功率放大器芯片，其特征在于，包括放大器阵列，所述放大器阵列包括至少一个放大器单元，每一所述放大器单元包括晶体管阵列和设置在第一区域的第一通孔和第一焊盘，所述晶体管阵列设置在所述第一区域的一侧，所述第一通孔用于连接至接地端，所述晶体管阵列中的至少部分所述晶体管的集电极连接至所述第一焊盘，所述第一焊盘还用于连接至基板上的第一节点，所述第一节点为所述功率放大器芯片输出路径上的一个节点。2.根据权利要求1所述的功率放大器芯片，其特征在于，所述功率放大器芯片还包括设置在第二区域的第二焊盘，所述第二区域设置在所述第一区域的另一侧，所述第二焊盘用于连接至所述基板上的第一节点。3.根据权利要求1所述的功率放大器芯片，其特征在于，所述功率放大器芯片还包括设置在第二区域的第二焊盘，所述第二区域设置在所述第一区域的另一侧，所述第二焊盘用于连接至所述基板上的第二节点，所述第二节点也为所述功率放大器芯片输出路径上的一个节点。4.根据权利要求2所述的功率放大器芯片，其特征在于，所述第二区域上还设有第一元器件，所述第一元器件的第一端与所述第二焊盘连接，所述第一元器件的第二端连接至所述第一通孔，并通过所述第一通孔接地。5.根据权利要求1所述的功率放大器芯片，其特征在于，所述功率放大器芯片还包括设置在第二区域的第一元器件，所述第二区域设置在所述第一区域的另一侧，所述第一元器件的第一端与所述第一焊盘连接，所述第一元器件的第二端连接至所述第一通孔，并通过所述第一通孔接地。6.根据权利要求1所述的功率放大器芯片，其特征在于，所述放大器阵列中的所有所述第一通孔的中心点和所有所述第一焊盘的中心点排布在同一直线上。7.根据权利要求1所述的功率放大器芯片，其特征在于，所述放大器阵列中的所有所述第一通孔和所有所述第一焊盘呈交错排布。8.根据权利要求4所述的功率放大器芯片，其特征在于，所述放大器阵列中的所有所述第一元器件和所有所述第二焊盘呈交错排布。9.根据权利要求4所述的功率放大器芯片，其特征在于，所述第二区域中的所述第一元器件连接每一所述第一通孔的传输线长度相同。10.根据权利要求3所述的功率放大器芯片，其特征在于，所述第一通孔、所述第一焊盘、所述第一元器件和所述第二焊盘的数量相同。11.根据权利要求3所述的功率放大器芯片，其特征在于，所述第一元器件为电容。12.根据权利要求9所述的功率放大器芯片，其特征在于，所述电容包括设置在第一金属层的第一金属线，以及设置在第二金属层的第二金属线，其中，所述第一金属层和所述第二金属层相邻设置。13.根据权利要求10所述的功率放大器芯片，其特征在于，所述第二焊盘设置在所述第一金属层中，所述第二焊盘与所述第一金属线相连；所述第一通孔设置在所述第二金属层中，所述第二金属线与所述第一通孔连接。14.根据权利要求1所述的功率放大器芯片，其特征在于，所述晶体管阵列中的至少部分所述晶体管的发射极的一端连接至所述第一通孔，并通过所述第一通孔接地。15.一种功率放大器芯片，其特征在于，包括放大器阵列，所述放大器阵列包括至少一
个放大器单元，每一所述放大器单元包括晶体管阵列、间隔设置在第一区域的第一通孔和第一焊盘，以及设置在第二区域的第二焊盘；所述第一区域和所述第二区域设置在所述晶体管阵列的同一侧，所述第一区域邻近所述晶体管阵列设置；所述第一通孔用于连接至接地端，所述晶体管阵列中的至少部分所述晶体管的集电极连接至所述第一焊盘，所述第一焊盘还用于连接至基板上的第一节点；所述第二焊盘用于连接至所述基板上的第一节点，所述第一节点为所述功率放大器芯片输出路径上的一个节点。16.一种功率放大器芯片，其特征在于，包括放大器阵列，所述放大器阵列包括至少一个放大器单元，每一所述放大器单元包括晶体管阵列、间隔设置在第一区域的第一通孔和第一焊盘，以及设置在第二区域的第一元器件；所述第一区域和所述第二区域设置在所述晶体管阵列的同一侧，所述第一区域邻近所述晶体管阵列设置；所述第一通孔用于连接至接地端，所述晶体管阵列中的至少部分所述晶体管的集电极连接至所述第一焊盘，所述第一焊盘还用于连接至基板上的第一节点，所述第一节点为所述功率放大器芯片输出路径上的一个节点，所述第一元器件的第一端与所述第一焊盘连接，所述第一元器件的第二端连接至所述第一通孔，并通过所述第一通孔接地。17.一种功率放大器芯片，其特征在于，包括放大器阵列，所述放大器阵列包括至少一个放大器单元，每一所述放大器单元包括晶体管阵列、间隔设置在第一区域的第一通孔和第一焊盘，以及间隔设置在第二区域的第一元器件和第二焊盘；所述第一区域和所述第二区域设置在所述晶体管阵列的同一侧，所述第一区域邻近所述晶体管阵列设置；所述第一通孔用于连接至接地端，所述第一焊盘用于连接至所述基板上的第一节点，所述第一节点为所述功率放大器芯片输出路径上的一个节点；所述晶体管阵列中的至少部分所述晶体管的集电极连接至所述第一焊盘，所述第一焊盘还用于连接至基板上的第一节点；所述第二焊盘与所述第一元器件的第一端连接，所述第二焊盘还用于连接至所述基板上的第二节点，所述第二节点也为所述功率放大器芯片输出路径上的一个节点；所述第一元器件的第二端连接至所述第一通孔，并通过所述第一通孔接地。18.一种射频前端模组，其特征在于，包括基板，以及设置在所述基板上的如权利要求1-15任一项所述的功率放大器芯片。

技术总结
本发明的功率放大器芯片包括放大器阵列，所述放大器阵列包括至少一个放大器单元，每一所述放大器单元包括晶体管阵列和设置在第一区域的第一通孔和第一焊盘，所述晶体管阵列设置在所述第一区域的一侧，所述第一通孔用于连接至接地端，所述晶体管阵列中的至少部分所述晶体管的集电极连接至所述第一焊盘，所述第一焊盘还用于连接至基板上的第一节点，所述第一节点为所述功率放大器芯片输出路径上的一个节点，从而减小了功率放大器芯片的面积，有利于功率放大器芯片的集成化和小型化设计，且避免了因传输线过长而带来过大的损耗，进而减小了功率放大器芯片的整体损耗。了功率放大器芯片的整体损耗。了功率放大器芯片的整体损耗。


技术研发人员：曹原 雷永俭 于开耀 张滔 倪建兴
受保护的技术使用者：锐石创芯（深圳）科技股份有限公司
技术研发日：2021.12.01
技术公布日：2022/4/1