用于纯化硅化合物的方法与流程

技术特征：
1.一种用于纯化流体硅化合物的方法，所述方法包括：1)将如下物质混合99.5重量％至99.75重量％的混合物，所述混合物包含i)流体硅化合物和ii)杂质，所述杂质包含金属，其中基于所述混合物的重量，所述杂质以足以提供至少500ppm的所述金属的量存在，和0.25重量％至0.5重量％的叔胺；从而形成包含i)所述流体硅化合物和iii)胺-金属络合物的产物；以及2)将如下物质混合92重量％至98重量％的在步骤1)中形成的所述产物；和2重量％至8重量％的活性炭；从而用所述活性炭吸附所述胺-金属络合物并且制备纯化的流体硅化合物。2.根据权利要求1所述的方法，其中步骤1)中的所述混合物是直接法残渣。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述直接法残渣是三氯硅烷直接法残渣。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述三氯硅烷直接法残渣包括：式h
a
sicl
(4-a)
的硅烷，其中下标a为0至4，和式的聚硅烷，其中每个r独立地选自h和cl，并且下标b为0至6，条件是每个分子有至少2个r的实例为cl。5.根据权利要求2所述的方法，其中所述直接法残渣是甲基氯硅烷直接法残渣。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述甲基氯硅烷直接法残渣包括：式(ch3)
c
sicl
(4-c)
的硅烷，其中下标c为0至4，和式的聚硅烷，其中每个r'独立地选自h、甲基和cl，并且下标d为0至6，条件是每个分子有至少2个r'的实例为cl。7.根据权利要求1所述的方法，其中i)所述流体硅化合物包括式(ch3)
c
sicl
(4-c)
的卤代硅烷单体，其中下标c是1至3。8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述杂质包括铝、钛、铝化合物、钛化合物或它们中的任何两种或更多种的组合。9.根据权利要求8所述的方法，其中步骤1)中的所述混合物含有按重量计至少700ppm的铝和按重量计至少900ppm的钛。10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中步骤1)中的所述混合物含有高达4000ppm的杂质。11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中b)所述叔胺为式nr”3
的三烷基胺，其中每个r”是独立选择的2至16个碳原子的烷基基团。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述三烷基胺是三乙胺。13.根据权利要求1至12中任一项所述的方法，其中所述活性炭是基于烟煤的。14.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述活性炭选自由能够从卡尔冈炭素公司获得的cpg-lf等级和pwa等级组成的组。15.根据前述权利要求中任一项所述的方法，所述方法进一步包括：3)在步骤2)之后分离所述活性炭和所述流体硅化合物。

技术总结
公开了一种用于从卤化硅化合物诸如氯硅烷单体和/或氯化聚硅烷中去除金属杂质的方法。该方法涉及用叔胺处理卤化硅化合物，并且随后用合适等级的活性炭处理。随后用合适等级的活性炭处理。


技术研发人员：R
受保护的技术使用者：美国陶氏有机硅公司
技术研发日：2020.08.10
技术公布日：2022/3/29