半导体器件及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体器件，包括：在衬底上方的层间电介质层，所述衬底包括单元区域、第一外围区域和第二外围区域；在所述层间电介质层上方的覆盖层；电容器，所述电容器位于所述单元区域中、由所述层间电介质层覆盖；接触插塞，所述接触插塞位于所述第一外围区域中、穿透所述层间电介质层；金属互连件，所述金属互连件穿过所述覆盖层形成在所述接触插塞上方；以及穿通电极，所述穿通电极穿透所述覆盖层和所述层间电介质层并延伸至在所述第二外围区域中的所述衬底中。2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述覆盖层由氧化物形成。3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属互连件和所述穿通电极包括相同的材料。4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属互连件和所述穿通电极包括铜cu。5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属互连件的侧壁与所述覆盖层直接接触。6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述覆盖层的上表面与所述金属互连件的上表面以及所述穿通电极的上表面位于同一水平上。7.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一外围区域还包括：在所述衬底上方的低水平接触插塞；以及在所述低水平接触插塞上的低水平金属互连件，其中，所述低水平金属互连件的上表面与所述接触插塞直接接触。8.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述单元区域还包括：在所述衬底上的位线；以及储存节点接触插塞，所述储存节点接触插塞位于所述位线的两个侧壁上并且位于所述衬底与所述电容器之间。9.一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成穿透层间电介质层的接触插塞；在所述层间电介质层和所述接触插塞上方形成覆盖层；通过刻蚀所述覆盖层形成使所述接触插塞的上表面暴露的沟槽；在所述覆盖层上方形成填充所述沟槽的牺牲层；形成穿透所述层间电介质层、所述覆盖层、以及所述牺牲层并延伸至所述衬底内的穿通孔；去除所述牺牲层以使所述沟槽暴露；在所述沟槽中形成金属互连件；以及在所述穿通孔中形成穿通电极。10.如权利要求9所述的方法，其中，所述覆盖层由氧化物形成。11.如权利要求9所述的方法，其中，所述牺牲层包括选自旋涂碳soc和硬掩模碳中的一者。12.如权利要求9所述的方法，其中，所述接触插塞包括钨w。13.如权利要求9所述的方法，其中，所述金属互连件和所述穿通电极包括铜cu。
14.如权利要求9所述的方法，其中，同时形成所述金属互连件和所述穿通电极。15.如权利要求9所述的方法，还包括：在形成所述接触插塞之前，在所述衬底上方形成一个或更多个下金属互连件结构。16.如权利要求15所述的方法，其中，所述下金属互连件结构包括：在所述衬底上方的低水平接触插塞、以及在所述低水平接触插塞上方的低水平金属互连件。17.如权利要求9所述的方法，还包括：在所述衬底上方形成穿透所述层间电介质层的所述接触插塞之前，在所述衬底上方形成栅极结构。

技术总结
本公开提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：在衬底上方的层间电介质层，该衬底包括单元区域、第一外围区域和第二外围区域；在层间电介质层上方的覆盖层；电容器，该电容器由单元区域中的层间电介质层覆盖；接触插塞，该接触插塞穿透第一外围区域中的层间电介质层；金属互连件，该金属互连件穿过覆盖层形成在接触插塞上方；以及穿通电极，该穿通电极穿透覆盖层和层间电介质层并延伸至第二外围区域中的衬底中。围区域中的衬底中。围区域中的衬底中。


技术研发人员：金星寿 李芸燮
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：2021.09.13
技术公布日：2022/3/29