改善晶圆的关键尺寸均匀性的方法与装置与流程

技术特征：
1.一种改善晶圆的关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，包括：获取涂覆后烘干工艺中的晶圆表面的第一温度分布；根据所述第一温度分布预测曝光后烘干工艺中的第二温度分布，所述涂覆后烘干工艺中采用的烘干设备与所述曝光后烘干工艺中采用的烘干设备是采用同样的工艺制成；根据所述第二温度分布对曝光工艺中的曝光能量进行补偿，并采用补偿后的所述曝光能量对所述晶圆进行曝光，以改善所述晶圆的关键尺寸均匀性。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述曝光能量固定的情况下，构建所述关键尺寸均匀性、所述曝光后烘干工艺中的温度分布和烘干时间的之间关系式。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据所述第二温度分布对曝光工艺中的曝光能量进行补偿，包括：根据所述第二温度分布、预定烘干时间和所述关系式，确定预测的关键尺寸均匀性；根据所述预测的关键尺寸均匀性，调整所述曝光工艺中的曝光能量。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述曝光能量固定的情况下，构建所述关键尺寸均匀性、所述曝光后烘干工艺中的温度分布和烘干时间的之间关系式，包括：将所述晶圆划分为不同的区域；构建各所述区域对应的所述关键尺寸均匀性、所述曝光后烘干工艺中的温度分布和烘干时间之间的关系式。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，根据所述第二温度分布对曝光工艺中的曝光能量进行补偿，包括：根据各区域的所述第二温度分布、预定烘干时间和所述关系式，确定预测各区域的关键尺寸均匀性；根据预测的各区域的关键尺寸均匀性，调整所述曝光工艺中各区域的所述曝光能量。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在根据所述第二温度分布对曝光工艺中的曝光能量进行补偿，并采用补偿后的所述曝光能量对所述晶圆进行曝光之后，所述方法还包括：控制对曝光后的所述晶圆进行烘干。7.一种改善晶圆的关键尺寸均匀性的装置，其特征在于，包括：获取单元，用于获取涂覆后烘干工艺中的晶圆表面的第一温度分布；预测单元，用于根据所述第一温度分布预测曝光后烘干工艺中的第二温度分布；补偿单元，用于根据所述第二温度分布对曝光工艺中的曝光能量进行补偿，并采用补偿后的所述曝光能量对所述晶圆进行曝光，以改善所述晶圆的关键尺寸均匀性。8.一种晶圆，其特征在于，所述晶圆采用权利要求1至6中任一项所述的方法进行处理。9.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质包括存储的程序，其中，在所述程序运行时控制所述计算机可读存储介质所在设备执行权利要求1至6中任意一项所述的方法。10.一种光刻设备，其特征在于，包括烘干设备、一个或多个处理器，存储器以及一个或多个程序，其中，所述一个或多个程序被存储在所述存储器中，并且被配置为由所述一个或多个处理器执行，所述一个或多个程序包括用于执行权利要求1至6中任意一项所述的方法。

技术总结
本申请提供了一种改善晶圆的关键尺寸均匀性的方法与装置。该方法包括：获取涂覆后烘干工艺中的晶圆表面的第一温度分布；根据第一温度分布预测曝光后烘干工艺中的第二温度分布，涂覆后烘干工艺中采用的烘干设备与曝光后烘干工艺中采用的烘干设备是采用同样的工艺制成；根据第二温度分布对曝光工艺中的曝光能量进行补偿，并采用补偿后的曝光能量对晶圆进行曝光，以改善晶圆的关键尺寸均匀性。由于涂覆后烘干工艺中采用的烘干设备与曝光后烘干工艺中采用的烘干设备是采用同样的工艺制成，使得可以采用第一温度分布预测第二温度分布，进而根据第二温度分布对曝光工艺中的曝光能量进行补偿，使得改善了晶圆的关键尺寸均匀性。性。性。


技术研发人员：徐文超 吴振国 杨超
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2021.11.29
技术公布日：2022/3/29