具有直接键合界面的微电子组件的单体化的制作方法

技术特征：
1.一种微电子组件，包括：表面，其中，导电触点在所述表面处；在所述表面的周边处的沟槽；以及在所述沟槽中的毛刺。2.根据权利要求1所述的微电子组件，其中，所述沟槽延伸到所述微电子组件的金属化叠层中。3.根据权利要求1中任一项所述的微电子组件，其中，所述沟槽延伸到所述微电子组件的衬底中。4.根据权利要求3所述的微电子组件，其中，所述衬底包括半导体材料。5.根据权利要求1-4中任一项所述的微电子组件，其中，所述毛刺在所述沟槽的边缘处。6.根据权利要求1-4中任一项所述的微电子组件，其中，所述毛刺具有大于300纳米的高度。7.根据权利要求1-4中任一项所述的微电子组件，其中，所述毛刺包括所述微电子组件的衬底的材料。8.根据权利要求1-4中任一项所述的微电子组件，其中，所述微电子组件包括衬底，并且所述衬底的侧表面是凸的、凹的或成角度的。9.根据权利要求1-4中任一项所述的微电子组件，其中，所述微电子组件包括衬底，并且所述衬底的侧表面是锯齿状的。10.根据权利要求1-4中任一项所述的微电子组件，其中，所述微电子组件的拐角是圆形的。11.一种微电子组装件，包括：第一微电子组件，具有带有第一直接键合界面的面，其中，所述第一微电子组件在所述面的周边处具有沟槽；以及具有第二直接键合界面的第二微电子组件，其中，所述第一直接键合界面直接键合到所述第二直接键合界面。12.根据权利要求11所述的微电子组装件，其中，所述第一直接键合界面包括导电触点。13.根据权利要求12所述的微电子组装件，其中，所述导电触点的间距小于20微米。14.根据权利要求12所述的微电子组装件，其中，所述导电触点包括铜。15.根据权利要求12所述的微电子组装件，其中，所述第一直接键合界面包括在所述导电触点中的相邻导电触点之间的电介质材料。16.根据权利要求15所述的微电子组装件，其中，所述电介质材料包括无机电介质材料。17.根据权利要求11-16中任一项所述的微电子组装件，其中，所述面为第一面，所述沟槽为第一沟槽，所述第二直接键合界面在所述第二微电子组件的第二面处，并且所述第二微电子组件具有在所述第二面的周边处的第二沟槽。18.根据权利要求17所述的微电子组装件，其中，所述第二微电子组件包括在所述第二沟槽中的毛刺。
19.一种系统，包括：电路板；以及微电子组装件，通信地耦合到所述电路板，其中，所述微电子组装件包括直接键合到第二微电子组件的面的第一微电子组件的面，并且所述第一微电子组件的所述面包括在其边缘处的沟槽。20.根据权利要求19所述的系统，其中，所述系统还包括通信地耦合到所述电路板的显示器。

技术总结
本文公开了与具有直接键合界面的微电子组件的单体化相关的结构和技术。例如，在一些实施例中，微电子组件可以包括：表面，其中，导电触点在所述表面处；在所述表面的周边处的沟槽；以及在沟槽中的毛刺。以及在沟槽中的毛刺。以及在沟槽中的毛刺。


技术研发人员：B
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：2021.08.25
技术公布日：2022/3/29