一种改善回刻光刻胶工艺窗口的方法与流程

技术特征：
1.一种改善回刻光刻胶工艺窗口的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，在所述衬底表面形成有源区，在所述有源区形成多个第一结构体、多个第二结构体和薄膜层，其中所述第一结构体高于所述第二结构体，所述第一结构体具有上层结构和下层结构；步骤二、在所述衬底上形成覆盖所述多个第一结构体、所述多个第二结构体和所述薄膜层的碳填充材料层；所述碳填充材料层具有第一厚度；步骤三、进行第一刻蚀去除步骤二中的所述碳填充材料层，使得所述第一结构顶端表面剩余的所述碳填充材料层厚度为第二厚度；步骤四、进行第二刻蚀使得所述上层结构被部分刻蚀，其中被部分刻蚀的所述上层结构使得所述下层结构不被刻蚀，具有所述第二厚度的所述碳填充材料层使得所述薄膜层不被刻蚀。2.根据权利要求1所述的改善回刻光刻胶工艺窗口的方法，其特征在于：步骤一中的薄膜层材料为硅化镍。3.根据权利要求1所述的改善回刻光刻胶工艺窗口的方法，其特征在于：步骤二中的所述炭填充材料层为14nm工艺中所使用的旋涂炭填充材料。4.根据权利要求1所述的改善回刻光刻胶工艺窗口的方法，其特征在于：步骤一中的下层结构为栅极。5.根据权利要求1所述的改善回刻光刻胶工艺窗口的方法，其特征在于：步骤一中的上层结构为硬质掩膜层。6.据权利要求5所述的改善回刻光刻胶工艺窗口的方法，其特征在于：所述硬质掩膜层分两层，上层为氧化物层，下层为氮化硅层。7.根据权利要求1所述的改善回刻光刻胶工艺窗口的方法，其特征在于：步骤一中的第二结构体为焊垫。8.根据权利要求1所述的改善回刻光刻胶工艺窗口的方法，其特征在于：步骤二中的所述碳填充材料层厚度为1000埃至4000埃。9.根据权利要求1所述的改善回刻光刻胶工艺窗口的方法，其特征在于：步骤三中的所述第二厚度为210埃至310埃。10.根据权利要求1所述的改善回刻光刻胶工艺窗口的方法，其特征在于：该方法用于28nm技术节点的工艺流程。

技术总结
本发明提供一种改善回刻光刻胶工艺窗口的方法，提供衬底，在衬底表面形成有源区，在有源区形成多个第一结构体、多个第二结构体和薄膜层，其中第一结构体高于第二结构体，第一结构体具有上层结构与下层结构；在衬底上形成覆盖多个第一结构体、多个第二结构体和薄膜层且具有第一厚度的碳填充材料层；进行第一刻蚀去除碳填充材料层，使得第一结构顶端表面剩余厚度为第二厚度；进行第二刻蚀使得上层结构被刻蚀，下层结构裸露，其中具有第二厚度的碳填充材料层使得薄膜层不被刻蚀，本发明能够同时实现硅化镍保护和无缺陷，形成工艺窗口。形成工艺窗口。形成工艺窗口。


技术研发人员：王强 刘哲郡 黄然 徐莹
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：2021.11.25
技术公布日：2022/3/29