半导体激光二极管的制作方法

技术特征：
1.一种半导体激光二极管(100)，具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层具有主延伸平面并且配置为，在运行中在有源区(5)中产生光(8)并且所述光经由光耦合输出面(6)放射，其中所述有源区(5)从与所述光耦合输出面(6)相对置的后侧面(7)朝向所述光耦合输出面(6)沿着纵向方向(93)在所述主延伸平面中延伸，其中所述半导体层序列(2)具有表面区域(20)，在所述表面区域上直接接触地施加有第一外壳层(4)，其中所述第一外壳层(4)具有出自与所述半导体层序列(2)不同的材料体系的透明材料，和其中所述第一外壳层(4)是结构化的并且具有第一结构，其中所述表面区域(20)具有至少一个第一表面子区域(241)和至少一个直接与其邻接的第二表面子区域(242)，并且其中所述第一外壳层(4)-在所述第一表面子区域(241)中具有第一厚度并且在所述第二表面子区域(242)中具有第二厚度，其中所述第一厚度大于所述第二厚度，和/或-在所述第一表面子区域(241)中具有第一材料并且在所述第二表面子区域(242)中具有第二材料，其中所述第一材料和第二材料彼此不同。2.根据权利要求1所述的半导体激光二极管(100)，其中在所述半导体激光二极管(100)运行中，在所述有源区(5)中产生的光(8)到达所述第一外壳层(4)中。3.根据上述权利要求中任一项所述的半导体激光二极管(100)，其中所述第一外壳层(4)具有透明导电氧化物。4.根据上述权利要求中任一项所述的半导体激光二极管(100)，其中所述第一外壳层(4)具有至少两种不同的透明导电氧化物。5.根据上一项权利要求所述的半导体激光二极管(100)，其中所述至少两种不同的透明导电氧化物以交替的层堆形式施加在所述表面区域(20)上。6.根据上述权利要求中任一项所述的半导体激光二极管(100)，其中-所述第一外壳层(4)在所述第二表面子区域(242)中具有空位，所述空位通过开口或空隙形成，-在所述空位中施加有金属材料，和-所述空位中的所述金属材料伸展至所述半导体层序列(2)的表面区域(20)，并且与所述半导体层序列(2)直接接触。7.根据上述权利要求中任一项所述的半导体激光二极管(100)，其中在所述第一外壳层(4)的至少一个区域(41，42)上施加有金属材料。8.根据权利要求6或7所述的半导体激光二极管(100)，其中所述金属材料通过金属接触层(14)和/或通过接合层(15)形成。9.根据权利要求6至8中任一项所述的半导体激光二极管(100)，
其中所述金属接触层(14)是结构化的并具有第二结构，而且所述第一和第二结构彼此不同。10.根据上述权利要求中任一项所述的半导体激光二极管(100)，其中所述半导体层序列(2)基于iii-v族化合物半导体材料。11.根据上述权利要求中任一项所述的半导体激光二极管(100)，其中所述第一外壳层(4)在所述第二表面子区域(242)中具有空位，所述空位通过开口或间隙形成。12.根据上述权利要求中任一项所述的半导体激光二极管(100)，其中所述第一外壳层(4)具有多个第一区域(41)，在所述第一区域之间存在构成为空位的第二区域(42)。13.根据上述权利要求中任一项所述的半导体激光二极管(100)，其中所述第一外壳层(4)具有多个区域(41，42)，所述区域构成为纵向伸展或横向伸展的条。14.根据上述权利要求中任一项所述的半导体激光二极管(100)，其中所述第一外壳层(4)具有多个区域(41，42)，所述区域岛状地构成。15.根据上述权利要求中任一项所述的半导体激光二极管(100)，其中所述半导体层序列(2)具有脊形波导结构(9)，所述脊形波导结构具有脊上侧(10)和与此邻接的脊侧面(11)，并且所述表面区域(20)通过所述脊上侧(10)形成。

技术总结
提出一种半导体激光二极管(100)，具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有有源层(3)，所述有源层具有主延伸平面并且配置为，在运行中在有源区(5)中产生光(8)并且经由光耦合输出面(6)将其放射，其中有源区(5)从与光耦合输出面(6)相对置的后侧面(7)朝向光耦合输出面(6)沿着纵向方向(93)在主延伸平面中延伸，其中半导体层序列(2)具有表面区域(20)，在所述表面区域上直接接触地施加有第一外壳层(4)，其中所述第一外壳层(4)具有出自与半导体层序列(2)不同的材料体系的透明材料，并且其中第一外壳层(4)是结构化的并且具有第一结构。构。构。


技术研发人员：斯文
受保护的技术使用者：欧司朗光电半导体有限公司
技术研发日：2018.06.08
技术公布日：2022/3/25