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一种陶瓷介质填充拓扑结构的制作方法

2022-03-26 16:58:21 来源:中国专利 TAG:


1.本发明涉及滤波器技术领域,具体涉及一种陶瓷介质填充拓扑结构。


背景技术:

2.介质填充波导滤波器其电磁原理与传统金属腔波导滤波器相同,区别在于,介质填充波导滤波器一般采用功能陶瓷介质,传统金属腔波导滤波器采用空气,功能陶瓷介质与空气的介电常数不同。介质填充波导滤波器作为一种新类型波导滤波器,其关键设计技术在于拓扑结构与传输零点的实现。
3.现有陶瓷介质填充拓扑结构方案多为如图1所示的结构,图1中,1-8为谐振腔;9-18为多种不同的沟槽结构;现有陶瓷介质填充拓扑结构方案在工作时,通过沟槽结构来调整两个谐振腔之间的耦合量大小;通过调整谐振腔1-8处的孔的大小和深度来调整频率;并通过沟槽16实现谐振腔1与谐振腔4之间的耦合,通过沟槽17实现谐振腔5与谐振腔8之间的耦合,实现两个传输零点,对现有陶瓷介质填充拓扑结构进行仿真实验,仿真后得到的仿真频率响应曲线分别如图2所示,由图2可知,现有陶瓷介质填充拓扑结构实现的左右传输零点是对称的,只能适应于带外近端抑制要求较低,且带外抑制较为对称的滤波器。由于结构限制,现有方案无法实现腔1与腔3,腔2与腔4,腔5与腔7以及腔6与腔8之间的交叉耦合,导致无法实现耦合更强的传输零点。对于近端抑制较高,零点要求较多,左右传输零点不对称的滤波器性能(仿真频率响应曲线如图5和图6所示),现有结构是无法满足要求的。


技术实现要素:

4.有鉴于此,本发明的目的是提供一种易于实现交叉耦合的陶瓷介质填充拓扑结构。
5.为了达到上述目的,本发明所采用的技术方案是:一种陶瓷介质填充拓扑结构,包括陶瓷介质块和谐振腔组,陶瓷介质块上设置所述谐振腔组,所述谐振腔组包括若干分散排布的谐振腔,单个所述谐振腔两两相邻之间设置用于调节邻腔耦合量的沟槽,任意两个相邻的谐振腔之间可选择性的连接有连通沟槽,通过调节连通沟槽的深度来增强邻腔的交叉耦合量。
6.进一步的,所述的沟槽和连通沟槽均包括但不仅限于一字型沟槽和z型沟槽。
7.进一步的,所述陶瓷介质块的背面设置有输入端口和输出端口。
8.与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明通过在任意两个相邻的谐振腔之间可选择性的连接有连通沟槽,通过调节连通沟槽的深度来增强邻腔的交叉耦合量,而且,连通沟槽为灵活分布,可以实现多种腔与腔之间的耦合效果,从而实现左右传输零点不对称的滤波器。
附图说明
9.图1是现有陶瓷介质填充拓扑结构的示意图;
图2是对现有陶瓷介质填充拓扑结构进行仿真实验后,得到的左右传输零点对称的仿真频率响应曲线;图3是本发明一种陶瓷介质填充拓扑结构的正面结构示意图;图4是本发明一种陶瓷介质填充拓扑结构的背面结构示意图;图5是左右传输零点不对称且零点左高右低的仿真频率响应曲线;图6是左右传输零点不对称且零点左低右高的仿真频率响应曲线。
具体实施方式
10.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例,基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
11.本发明提供一种陶瓷介质填充拓扑结构,包括陶瓷介质块和谐振腔组,陶瓷介质块上设置所述谐振腔组,陶瓷介质块的背面设置有输入端口20和输出端口21,所述谐振腔组包括若干分散排布的谐振腔,单个所述谐振腔两两相邻之间设置用于调节邻腔耦合量的沟槽,任意两个相邻的谐振腔之间可选择性的连接有连通沟槽19,通过调节连通沟槽19的深度来增强邻腔的交叉耦合量。
12.进一步的,连通沟槽19包括但不仅限于一字型沟槽和z型沟槽。
13.以下结合附图对本发明的技术方案进行详细说明:如图3所示,本实例以8个谐振腔为例进行说明,图3中,1-8为谐振腔;9-18为不同的沟槽结构,其中9、11、13、15的沟槽结构均为可以根据需要设置的移动圆孔,12、16、17、18构成十字形沟槽,10、14的沟槽结构均为圆孔。如图4所示,陶瓷介质块的背面设置有输入端口20和输出端口21,两者均为圆柱形盲孔。
14.进一步的,谐振腔2位于谐振腔1与谐振腔3之间的左上方,谐振腔4位于谐振腔3与谐振腔5之间的中间位置,谐振腔7位于谐振腔6与谐振腔8之间的右上方,谐振腔5位于谐振腔4与谐振腔6之间的中间位置;本发明设置的谐振腔的拓扑结构,采用交叉连接的排布方式,交叉的拓扑结构使得谐振腔易于实现多个交叉耦合结构。
15.本实例中相邻腔耦合结构的关系如下:移动圆孔9调节谐振腔1与谐振腔2之间的邻腔耦合量,圆孔10调节谐振腔2与谐振腔3之间的邻腔耦合量,移动圆孔11调节谐振腔3与谐振腔4之间的邻腔耦合量,沟槽12调节谐振腔4与谐振腔5之间的邻腔耦合量,移动圆孔13调节谐振腔5与谐振腔6之间的邻腔耦合量,圆孔14调节谐振腔6与谐振腔7之间的邻腔耦合量,移动圆孔15调节谐振腔7与谐振腔8之间的邻腔耦合量,沟槽16调节谐振腔1与谐振腔4之间的邻腔之间的交叉耦合量。沟槽17调节谐振腔5与谐振腔8之间的交叉耦合量,沟槽18调节谐振腔1与谐振腔8之间的交叉耦合量,连通沟槽19调节后可增强谐振腔2与谐振腔4之间的交叉耦合量。
16.本发明中的连通沟槽可以为一字型沟槽或z型沟槽,并采用灵活分布,实现多种腔与腔之间的耦合效果,从而实现左右传输零点不对称的滤波器。
17.对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的
一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。


技术特征:
1.一种陶瓷介质填充拓扑结构,包括陶瓷介质块和谐振腔组,陶瓷介质块上设置所述谐振腔组,所述谐振腔组包括若干分散排布的谐振腔,单个所述谐振腔两两相邻之间设置用于调节邻腔耦合量的沟槽,其特征在于:任意两个相邻的谐振腔之间可选择性的连接有连通沟槽,通过调节连通沟槽的深度来增强邻腔的交叉耦合量。2.根据权利要求1所述的一种陶瓷介质填充拓扑结构,其特征在于:所述连通沟槽包括但不仅限于一字型沟槽和z型沟槽。3.根据权利要求1所述的一种陶瓷介质填充拓扑结构,其特征在于:所述陶瓷介质块的背面设置有输入端口和输出端口。

技术总结
本发明提供一种陶瓷介质填充拓扑结构,包括陶瓷介质块和谐振腔组,陶瓷介质块上设置所述谐振腔组,所述谐振腔组包括若干分散排布的谐振腔,单个所述谐振腔两两相邻之间设置用于调节邻腔耦合量的沟槽,任意两个相邻的谐振腔之间可选择性的连接有连通沟槽,通过调节连通沟槽的深度来增强邻腔的交叉耦合量,而且,连通沟槽为灵活分布,可以实现多种腔与腔之间的耦合效果,从而实现左右传输零点不对称的滤波器。器。器。


技术研发人员:李龙章 杨佳卓
受保护的技术使用者:广东通宇通讯股份有限公司
技术研发日:2021.12.14
技术公布日:2022/3/25
再多了解一些

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