一种铜导体用低互扩散、抗高温氧化涂层及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种铜导体用低互扩散、抗高温氧化涂层，其特征在于：所述的铜导体用低互扩散、抗高温氧化涂层化学成分为纯铬或铬原子百分比不低于95％的铬合金，其组织结构为单一择优取向的单层或多层细晶组织。2.根据权利要求1所述铜导体用低互扩散、抗高温氧化涂层，特征在于：铬合金中能加入的增韧合金组元包括但不限于金属组元如ag、fe、ti、zr或其组合，以及非金属组元si、n、o、c或其组合，所述组元总原子百分比不超过5％。3.根据权利要求1所述铜导体用低互扩散、抗高温氧化涂层，特征在于：涂层晶粒度不大于500nm，优化的晶粒度为5～100nm。4.根据权利要求1所述铜导体用低互扩散、抗高温氧化涂层，特征在于：优化的择优取向为(200)晶面。5.根据权利要求1所述铜导体用低互扩散、抗高温氧化涂层，特征在于：铜导体用低互扩散、抗高温氧化涂层厚度为0.05～15μm，优选为0.1～10μm。6.一种如权利要求1所述的铜导体用低互扩散、抗高温氧化涂层的制备方法，其特征在于：在真空中进行，通过密度不低于4.6
×
10
20
m-2
s-1
、荷能在90～900ev范围的铬离子流轰击方法在零件表面沉积涂层。7.根据权利要求6所述铜导体用低互扩散、抗高温氧化涂层的制备方法，其特征在于：制备过程需要采用铬离子源，所述离子源符合如下要求：离子产生方法包括但不限于真空电弧蒸发源，优选为真空电弧蒸发源，弧电流为70～300a，优选为80～240a。8.根据权利要求6所述铜导体用低互扩散、抗高温氧化涂层的制备方法，其特征在于：沉积过程中需要在零件表面施加负脉冲偏压，所述脉冲符合如下要求：偏压峰值为-30～-300v，优选为-100～-250v；脉冲偏压占空比15～60％，优选为20～30％；脉冲偏压频率5～40khz，优选为20～40khz。9.根据权利要求6所述铜导体用低互扩散、抗高温氧化涂层的制备方法，其特征在于：制备过程中在ar或he或其组合气氛，通气前真空度小于0.005pa，通气后真空度0.005～2pa，优选为0.005～0.5pa。10.根据权利要求6所述铜导体用低互扩散、抗高温氧化涂层的制备方法，其特征在于：制备过程中零件温度范围为50～480℃，优选为80～380℃。

技术总结
一种铜导体用低互扩散、抗高温氧化涂层，其特征在于：所述的铜导体用低互扩散、抗高温氧化涂层化学成分为纯铬或铬原子百分比不低于95％的铬合金，其组织结构为单一择优取向的单层或多层细晶组织。铜导体用低互扩散、抗高温氧化涂层的制备方法，在真空中进行，通过密度不低于4.6


技术研发人员：沈明礼 武姣姣 朱圣龙
受保护的技术使用者：中国科学院金属研究所
技术研发日：2021.11.17
技术公布日：2022/3/25