一种避免单面化学镀漏液的方法及半导体器件制造方法与流程

技术特征：
1.一种避免单面化学镀漏液的方法，其特征在于，包括：将形成taiko环的晶圆装载于固定架上，令taiko环所在面粘附在固定架中部的装载膜上，装载膜外圈用刚性支撑环固定；对固定好的晶圆进行环切，去除晶圆上的taiko环，然后将环切后仍装载于固定架上的晶圆与固定架一起放入镀液中进行单面化学镀。2.根据权利要求1所述的一种避免单面化学镀漏液的方法，其特征在于：所述刚性支撑环采用金属环，金属环外部用耐腐蚀非金属材料包覆。3.根据权利要求2所述的一种避免单面化学镀漏液的方法，其特征在于：所述金属环外部用聚乙烯包覆。4.根据权利要求1所述的一种避免单面化学镀漏液的方法，其特征在于：所述刚性支撑环采用耐腐蚀非金属环。5.根据权利要求1所述的一种避免单面化学镀漏液的方法，其特征在于：所述装载膜具有粘附性且耐腐蚀。6.根据权利要求5所述的一种避免单面化学镀漏液的方法，其特征在于：所述装载膜采用uv膜。7.一种半导体器件制造方法，其特征在于：包括如权利要求1至6任一所述避免单面化学镀漏液的方法。8.根据权利要求7所述的一种半导体器件制造方法，其特征在于：完成单面化学镀后，还包括对晶圆进行划片。9.根据权利要求8所述的一种半导体器件制造方法，其特征在于：对晶圆划片时，直接利用装载晶圆的固定架作为固定载体，对未被装载膜粘附的晶圆面进行划片。10.根据权利要求7所述的一种半导体器件制造方法，其特征在于：半导体器件为igbt。

技术总结
本发明针对采用Taiko工艺减薄后的晶圆需进行单面化学镀而设计，主要目的是避免单面化学镀环节发生漏液问题，涉及避免单面化学镀漏液的方法及半导体器件制造方法，是将形成Taiko环的晶圆装载于固定架上，令Taiko环所在面粘附在固定架中部的装载膜上，装载膜外圈用刚性支撑环固定；对固定好的晶圆进行环切，去除晶圆上的Taiko环，然后将环切后仍装载于固定架上的晶圆与固定架一起放入镀液中进行单面化学镀。本发明相较于现有单面化学镀工艺方法，省去了化学镀之前贴膜及化学镀之后的揭膜工序，将原有工艺中化学镀后的环切提前到化学镀前进行，消除了Taiko环带来的漏液影响，令工艺简化，提升了产品外观及应用可靠性。提升了产品外观及应用可靠性。提升了产品外观及应用可靠性。


技术研发人员：杨凌辉 黎哲 邓方圆 吴荣成 刘晗
受保护的技术使用者：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.11.04
技术公布日：2022/3/25