一种电阻式和感应式双加热的碳化硅单晶生长装置的制作方法

技术特征：
1.一种电阻式和感应式双加热的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，包括：坩埚，具有开口和空腔，所述空腔用于容纳碳化硅粉末，所述坩埚的底部设有向所述空腔凹陷的凹槽；坩埚盖，用于密封所述开口，所述坩埚盖紧贴所述开口的底面上设有籽晶；石英管，套设在所述坩埚的外侧，所述石英管内侧壁与所述坩埚的外侧壁之间具有间隙；保温层，设置在所述间隙中；感应加热线圈，环绕设置在所述石英管的外周；电阻加热部件，设置在所述凹槽内。2.根据权利要求1所述的一种电阻式和感应式双加热的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述电阻加热部件为环形石墨发热器，所述环形石墨加热器用于对所述凹槽的侧壁以及顶盖加热。3.根据权利要求1所述的一种电阻式和感应式双加热的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述坩埚的内侧壁具有环形安装部，所述坩埚盖覆盖在所述环形安装部上。4.根据权利要求3所述的一种电阻式和感应式双加热的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述环形安装部与所述坩埚盖之间设有橡胶密封圈。5.根据权利要求1所述的一种电阻式和感应式双加热的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述坩埚盖扣合在所述坩埚上，所述坩埚盖与所述坩埚的侧壁之间设有橡胶密封圈。6.根据权利要求1所述的一种电阻式和感应式双加热的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述保温层为长纤维石墨保温毡制成的坩埚保温套，所述坩埚保温套包裹在所述坩埚的外侧壁上。7.根据权利要求1所述的一种电阻式和感应式双加热的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述石英管上设有上密封法兰和下密封法兰，所述上密封法兰和下密封法兰的内部均设有冷却水管道。8.根据权利要求7所述的一种电阻式和感应式双加热的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述上密封法兰上设有连通至石英管内部的穿孔。9.根据权利要求1所述的一种电阻式和感应式双加热的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述感应线加热圈为螺旋式铜线圈，所述感应加热线圈内填充有冷却介质。10.根据权利要求1所述的一种电阻式和感应式双加热的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述坩埚盖上设有把手。

技术总结
本申请公开了一种电阻式和感应式双加热的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，包括，坩埚，具有空腔，空腔用于容纳碳化硅粉末，坩埚的底部设有向空腔凹陷的凹槽；坩埚盖，用于密封坩埚，坩埚盖上设有籽晶，碳化硅单晶凝结在籽晶上；石英管，套设在坩埚上，石英管内侧壁与坩埚的外侧壁之间具有间隙；保温层，设置在间隙中；感应加热线圈，环绕设置在石英管的外周；电阻加热部件，设置在凹槽内；通过在保温层外环绕设置感应加热线圈，实现对坩埚的侧壁加热；通过设置电阻加热部件，实现对坩埚的底部的中心加热；感应加热线圈与电阻加热部件同时工作，保障坩埚内的碳化硅粉末受热均匀。保障坩埚内的碳化硅粉末受热均匀。保障坩埚内的碳化硅粉末受热均匀。


技术研发人员：罗昊 皮孝东 杨德仁
受保护的技术使用者：浙江大学
技术研发日：2021.09.15
技术公布日：2022/3/22