电路基板及制备方法及绝缘栅双极型晶体管模块与流程

技术特征：
1.一种绝缘栅双极型晶体管模块，其特征在于，包括电路基板和功率芯片，所述电路基板与所述功率芯片之间设置有焊料层，所述电路基板包括沿远离所述功率芯片的方向依次层叠设置的第一导热层、第二导热层和第三导热层，所述功率芯片通过所述焊料层与所述第一导热层连接；所述焊料层与所述第一导热层之间形成有第一热扩散角，所述第二导热层与所述第三导热层之间形成有第二热扩散角；其中，所述第一热扩散角大于所述第二热扩散角，所述第一导热层的厚度大于所述第三导热层的厚度；或所述第一热扩散角小于所述第二热扩散角，所述第一导热层的厚度小于所述第三导热层的厚度。2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管模块，其特征在于，所述第二导热层包括层叠且间隔设置的第一基板和第二基板，所述第三导热层包括层叠且间隔设置的第三基板和第四基板，所述第一基板、所述第三基板、所述第二基板及所述第四基板沿所述第一导热层背离所述功率芯片的方向依次层叠设置；所述第一基板与所述第三基板之间形成所述第二热扩散角，所述第二基板与所述第四基板之间形成所述第二热扩散角。3.根据权利要求2所述的绝缘栅双极型晶体管模块，其特征在于，所述第一基板的导热系数等于第二基板的导热系数，所述第三基板的导热系数、所述第四基板的导热系数以及所述第一导热层的导热系数相同，所述焊料层的导热系数大于或小于所述第一基板的导热系数。4.据权利要求2所述的绝缘栅双极型晶体管模块，其特征在于，所述第一热扩散角大于所述第二热扩散角，所述电路基板的厚度之和为0.8mm-1.2mm，所述第一基板和所述第二基板的厚度之和为电路基板的1/7，所述第一导热层、所述第三基板与所述第四基板的厚度之和为电路基板的6/7。5.根据权利要求2所述的绝缘栅双极型晶体管模块，其特征在于，所述第一导热层、所述第三基板和所述第四基板的材质包括铜；和/或，所述第一基板和所述第二基板的材质包括陶瓷；和/或，所述功率芯片的材质包括硅；和/或，所述焊料层的材质包括铅和锡。6.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管模块，其特征在于，还包括冷却板，所述冷却板设置于所述电路基板远离所述功率芯片的一侧。7.一种电路基板，用于与绝缘栅双极型晶体管模块的功率芯片电连接，其特征在于，所述电路基板包括沿远离所述功率芯片的方向设置的第一导热层、第二导热层和第三导热层，所述功率芯片通过焊料层与所述第一导热层连接；所述焊料层与所述第一导热层之间形成有第一热扩散角，所述第二导热层与所述第三导热层之间形成有第二热扩散角；其中，所述第一热扩散角大于所述第二热扩散角，所述第一导热层的厚度大于所述第三导热层的厚度；或所述第一热扩散角小于所述第二热扩散角，所述第一导热层的厚度小于所述第三导热层的厚度。8.根据权利要求7所述的电路基板，其特征在于，所述第二导热层包括层叠且间隔设置
的第一基板和第二基板，所述第三导热层包括层叠且间隔设置的第三基板和第四基板，所述第一基板、所述第三基板、所述第二基板及所述第四基板沿所述第一导热层背离所述功率芯片的方向依次层叠设置；所述第一基板与所述第三基板之间形成所述第二热扩散角，所述第二基板与所述第四基板形成有所述第二热扩散角。9.一种如权利要求7或8所述的电路基板的制备方法，其特征在于，包括：采用碱性溶液清洗第一导热层和第三导热层表面的油性成分，采用酸性溶液清洗所述第一导热层和第三导热层表面的氧化层；采用碱性溶液清洗第二导热层的表面；将所述第一导热层、所述第二导热层及所述第三导热层依次层叠贴合为基板组件；将所述基板组件放置于承烧板上进行烧结处理。10.根据权利要求9所述的电路基板的制备方法，其特征在于，所述第二导热层包括层叠且间隔设置的第一基板和第二基板，所述第三导热层包括层叠且间隔设置的第三基板和第四基板，所述第一基板、所述第三基板、所述第二基板及所述第四基板沿所述第一导热层背离所述功率芯片的方向依次层叠设置，将所述第一导热层、所述第一基板、所述第三基板、所述第二基板及所述第四基板依次层叠贴合为基板组件。

技术总结
本申请涉及电路基板及制备方法及绝缘栅双极型晶体管模块。其中，绝缘栅双极型晶体管模块包括电路基板和功率芯片，电路基板与功率芯片之间设置有焊料层，电路基板包括沿远离功率芯片的方向依次层叠设置的第一导热层、第二导热层和第三导热层，功率芯片通过焊料层与第一导热层连接；焊料层与第一导热层之间形成有第一热扩散角，第二导热层与第三导热层之间形成有第二热扩散角；第一热扩散角大于第二热扩散角，第一导热层的厚度大于第三导热层的厚度；或第一热扩散角小于第二热扩散角，第一导热层的厚度小于第三导热层的厚度。本申请的设置提高了绝缘栅双极型晶体管模块的散热效果，降低了各层材料发生松弛甚至裂纹的几率。降低了各层材料发生松弛甚至裂纹的几率。降低了各层材料发生松弛甚至裂纹的几率。


技术研发人员：林苡任 葛孝昊 谢梓翔 曾丹
受保护的技术使用者：珠海零边界集成电路有限公司
技术研发日：2021.12.22
技术公布日：2022/3/22