微盘调制器的制作方法

技术特征：
1.一种微盘调制器，其特征在于，包括：衬底层；位于所述衬底层上的平板波导层；并列设置在所述平板波导层中的耦合波导及微盘谐振结构，所述微盘谐振结构包括沿所述衬底层厚度方向依次层叠设置的第一掺杂结构和第二掺杂结构，所述第一掺杂结构与所述第二掺杂结构的掺杂类型相反，所述第二掺杂结构在预设平面的投影为圆形，所述预设平面垂直于所述衬底层厚度方向；以及与所述微盘谐振结构电连接的电极。2.根据权利要求1所述的微盘调制器，其特征在于，所述第一掺杂结构包括第一掺杂区和与所述第一掺杂区掺杂类型相同且至少部分包围所述第一掺杂区的第二掺杂区；所述第二掺杂结构包括第三掺杂区和与所述第三掺杂区掺杂类型相同且包围所述第三掺杂区的第四掺杂区；其中，所述第一掺杂结构和所述第二掺杂结构通过所述第一掺杂区与所述第四掺杂区物理连接；所述第二掺杂区与所述第三掺杂区无物理接触。3.根据权利要求1所述的微盘调制器，其特征在于，所述第一掺杂结构在预设平面的投影为扇环形。4.根据权利要求2所述的微盘调制器，其特征在于，所述第一掺杂区、第二掺杂区包括n型掺杂，所述第三掺杂区、第四掺杂区包括p型掺杂。5.根据权利要求2所述的微盘调制器，其特征在于，所述耦合波导的顶面与所述第二掺杂结构的顶面齐平；所述第一掺杂结构位于所述平板波导层中且所述第一掺杂结构的顶面与所述平板波导层的顶面齐平。6.根据权利要求2所述的微盘调制器，其特征在于，所述电极包括第一电极、第二电极；其中，所述第一电极位于所述第二掺杂区中，所述第二电极位于所述第三掺杂区中。7.根据权利要求2所述的微盘调制器，其特征在于，所述耦合波导在所述预设平面的投影为长条形；所述第一掺杂区与所述第二掺杂区在所述预设平面的投影均为扇环形，所述第三掺杂区在所述预设平面的投影为圆形，所述第四掺杂区在所述预设平面的投影为环形。8.根据权利要求7所述的微盘调制器，其特征在于，所述第一掺杂区与所述第四掺杂区物理接触处的径宽范围为：300纳米～600纳米。9.根据权利要求1所述的微盘调制器，其特征在于，所述微盘调制器还包括覆盖所述平板波导层、耦合波导及微盘谐振结构的覆盖层，所述覆盖层的折射率小于所述平板波导层的折射率。10.根据权利要求1所述的微盘调制器，其特征在于，所述衬底层的材料包括二氧化硅；所述平板波导层的材料包括单晶硅；所述第一掺杂结构的材料包括单晶硅；所述第二掺杂结构的材料包括单晶硅。

技术总结
本发明实施例提供的微盘调制器，包括：衬底层；位于所述衬底层上的平板波导层；并列设置在所述平板波导层中的耦合波导及微盘谐振结构，所述微盘谐振结构包括沿所述衬底层厚度方向依次层叠设置的第一掺杂结构和第二掺杂结构，所述第一掺杂结构与所述第二掺杂结构的掺杂类型相反，所述第二掺杂结构在预设平面的投影为圆形，所述预设平面垂直于所述衬底层厚度方向；以及与所述微盘谐振结构电连接的电极。极。极。


技术研发人员：张宇光 肖希 王磊 胡晓 陈代高
受保护的技术使用者：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
技术研发日：2021.12.16
技术公布日：2022/3/22