功率半导体器件的制作方法

技术特征：
1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：第一导电类型衬底和位于所述衬底上方的第一导电类型漂移层，以及设置于所述漂移层上的有源区、终端区和位于所述有源区与所述终端区之间的主结区；其中，所述有源区包括多个间隔设置于所述漂移层表面内的第二导电类型第一掺杂区，以及位于漂移层上方的第一金属层和第二金属层；所述第一金属层覆盖所述第一掺杂区的部分上表面并与所述第一掺杂区形成欧姆接触；所述第二金属层覆盖所述漂移层未被所述第一掺杂区覆盖的部分上表面，并与该部分所述漂移层形成肖特基接触；所述主结区包括设置于所述漂移层表面内的第二导电类型第二掺杂区，以及覆盖所述第二掺杂区部分上表面的电阻层；所述电阻层具有正的温度系数；所述第一金属层、所述第二金属层和所述电阻层相互电连接。2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述主结区还包括：覆盖所述电阻层部分上表面并与所述电阻层形成欧姆接触的第三金属层。3.根据权利要求2所述的功率半导体器件，其特征在于，还包括：位于所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层上方的阳极金属层；其中，所述阳极金属层同时与所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层形成电连接。4.根据权利要求2所述的功率半导体器件，其特征在于，所述主结区还包括覆盖于所述电阻层上方的第一钝化层；其中，所述第一钝化层上设置有贯穿所述第一钝化层的接触孔，所述第三金属层填充于所述接触孔内，并与所述接触孔底部的所述电阻层部分形成欧姆接触。5.根据权利要求2所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第二金属层还覆盖所述电阻层未被所述第三金属层覆盖的部分上表面，并与该部分所述电阻层形成欧姆接触。6.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第二金属层还还覆盖所述第一掺杂区未被所述第一金属层覆盖的部分上表面，并与该部分所述第一掺杂区形成欧姆接触。7.根据权利要求6所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第二金属层与所述第一金属层接触。8.根据权利要求7所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第二金属层延伸至所述第一金属层上方。9.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述电阻层的材料包括多晶硅。10.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一掺杂区在所述衬底上的正投影呈条形、方形或六边形。11.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一掺杂区的宽度小于所述第二掺杂区的宽度。12.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的掺杂浓度相同。13.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一掺杂区和所述第二
掺杂区的深度相同。14.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述终端区包括设置于所述漂移层表面内的第二导电类型第三掺杂区，以及覆盖所述第三掺杂区的上表面的第二钝化层。15.根据权利要求14所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第三掺杂区的掺杂浓度小于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的掺杂浓度。16.根据权利要求14所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第三掺杂区靠近所述第二掺杂区的一侧与所述第二掺杂区接触。17.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，还包括位于所述衬底下方并与所述衬底形成电连接的阴极金属层。

技术总结
本申请提供一种功率半导体器件，该功率半导体器件包括第一导电类型碳化硅衬底和位于所述衬底上方的第一导电类型漂移层，以及设置于所述漂移层上的有源区、终端区和位于所述有源区与所述终端区之间的主结区；所述有源区包括多个间隔设置于所述漂移层表面内的第二导电类型第一掺杂区，以及位于漂移层上方的第一金属层和第二金属层；所述主结区包括设置于所述漂移层表面内的第二导电类型第二掺杂区，以及覆盖所述第二掺杂区部分上表面的电阻层；所述电阻层具有正的温度系数；所述第一金属层、所述第二金属层和所述电阻层相互电连接。通过在主结区设置具有正的温度系数的电阻层，抑制芯片主结上的浪涌电流，降低主结金属被熔化的风险。风险。风险。


技术研发人员：王亚飞 卢吴越 宋瓘 李乐乐 张文杰 王志成 刘小东 朱奇伟 李诚瞻
受保护的技术使用者：株洲中车时代半导体有限公司
技术研发日：2021.12.15
技术公布日：2022/3/21