技术特征：
1.一种集成芯片，包括：一电性互连结构，设置在一半导体基板上且包括嵌入于多个互连介电层的多个互连导孔及多个互连线；一热互连结构，设置在该半导体基板上，设置在该电性互连结构旁，且包括多个热导孔、多个热线及/或多个热层，其中该热互连结构嵌入于多个所述互连介电层；以及一热钝化层，设置在多个所述互连介电层的最顶层之上，其中该热互连结构具有比多个所述互连介电层更高的导热率。
技术总结
本公开实施例提出一种集成芯片。集成芯片包括基板上的电性互连结构、热互连结构及热钝化层。电性互连结构包括嵌入于多个互连介电层的多个互连导孔及多个互连线。热互连结构设置在电性互连结构旁且包括多个热导孔、多个热线及/或多个热层。此外，热互连结构嵌入于所述互连介电层。热钝化层设置在所述互连介电层的最顶层之上。热互连结构具有比所述互连介电层更高的导热率。高的导热率。高的导热率。
技术研发人员：李劭宽 蔡承孝 罗廷亚 李承晋 邓志霖 郑凯方 黄心岩 张孝慷 眭晓林
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.07.28
技术公布日：2022/3/21
再多了解一些
本文用于企业家、创业者技术爱好者查询，结果仅供参考。
