一种高密度扇出封装结构的制作方法

技术特征：
1.一种高密度扇出封装结构，其特征在于，包括基板、散热胶层、凸点、金属线路层、填充层、塑封层和金属薄膜，所述金属线路层连接芯片，所述填充层设置在芯片的底部且连接金属线路层，所述金属线路层底部设有若干凸点，所述凸点连接金属线路层和基板，所述塑封层包覆芯片以及填充层，所述金属薄膜设置在芯片的顶面，所述散热胶层包覆基板上方的金属薄膜且连接散热板。2.根据权利要求1所述的一种高密度扇出封装结构，其特征在于，所述金属薄膜的顶面通过溅射或者蒸镀工艺设置第一金属层，所述散热胶层包覆住第一金属层，所述第一金属层厚度为1-500μm。3.根据权利要求1所述的一种高密度扇出封装结构，其特征在于，所述凸点通过溅射、光刻、电镀工艺设置在金属线路层底部。4.根据权利要求1所述的一种高密度扇出封装结构，其特征在于，所述金属线路层通过光刻、溅射、电镀工艺形成高密度的再布线金属线路层及线路层金属焊盘。5.根据权利要求3所述的一种高密度扇出封装结构，其特征在于，所述填充层为填充胶，所述填充层流动填满芯片金属线路层之间的间隙。6.根据权利要求5所述的一种高密度扇出封装结构，其特征在于，所述金属薄膜通过溅射工艺设置在芯片顶面。7.根据权利要求6所述的一种高密度扇出封装结构，其特征在于，所述金属薄膜的材质为： ni、ag、cu、au、zn、ti、tiw、pd中的一种。8.根据权利要求2所述的一种高密度扇出封装结构，其特征在于，所述第一金属层的材质为：cu、au、ni、ag、sn、snag、pd中的一种。

技术总结
本实用新型公开了一种高密度扇出封装结构，包括：基板、散热胶层、凸点、金属线路层、填充层、塑封层和金属薄膜，金属线路层连接芯片，填充层设置在芯片的底部且连接金属线路层，金属线路层底部设有若干凸点，凸点连接金属线路层和基板，塑封层包覆芯片以及填充层，金属薄膜设置在芯片的顶面，散热胶层包覆基板上方的金属薄膜且连接散热板。本实用新型提供了结构可靠、减小封装厚度、减小芯片与基板间的热阻以提高整个芯片结构的散热能力的高密度扇出封装结构。封装结构。封装结构。


技术研发人员：周江南 郭红红
受保护的技术使用者：江苏芯德半导体科技有限公司
技术研发日：2022.02.18
技术公布日：2022/3/19