一种新型的TFT器件结构的制作方法

一种新型的tft器件结构
技术领域
1.本实用新型涉及tft器件技术领域，具体为一种新型的tft器件结构。


背景技术：

2.目前非晶态金属氧化物半导体发展迅速。其中，非晶ingazno(igzo)凭借其简单的制备工艺以及优异的光电学性能而成为tft制备的理想材料，以其制备的tft有着高迁移率、高开关比等特点，具有替代a-si的潜力。较a-si tft相比，igzo-tft的载流子迁移率可以达到10-30cm2/v
·
s，大大提高tft对像素电极的充放电效率和响应速度。更为重要的是，igzo制程和现有的a-si生产线具有很好的兼容性，较生产工艺更为复杂、设备投资更高的低温多晶硅(ltps)具有更低的投资成本。
3.现有的igzo tft器件较ltps具有更为优越的ioff，电路设计时像素tft只需单栅极即可避免器件漏电的问题。但由于igzo迁移率(10-30cm2/v
·
s)要小于ltps(60-120cm2/v
·
s)，因此，在驱动设计上，为满足实际电路驱动需求，往往igzo tft设计尺寸需大于ltps。然而现有的市场主流趋势为追求更高分辨率的显示屏设计，故原有的tft器件尺寸设计的大小较难满足现有需求，特别是在一些以窄边框为目的的gip及demux的大w/l电路设计中，并且每个tft器件w/l的设计规格均是按严格要求模拟得来的，随意的变更更多是影响器件ion和vth，进而影响面板的显示效果。
4.现阶段随着市场lcd显示屏窄边框需求趋势明显，且低成本、高分辨率igzo面板逐渐成为开发的热点，但随着分辨率的提升，source信号线数量的增多和下边框斜配线区域占用空间的增大，却进一步限制了电路设计的范围。因此，在不改变器件chanel width和length的情况下，如何缩小tft器件尺寸成为了技术关键。为此，我们推出一种新型的tft器件结构。


技术实现要素：

5.本实用新型的目的在于提供一种新型的tft器件结构，以解决上述背景技术中提出的问题。
6.为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种新型的tft器件结构，包括玻璃基板、源漏极sd，所述玻璃基板上设置有缓冲层，所述缓冲层上设有凹槽，所述缓冲层上设置有非透明栅极ge层，所述非透明栅极ge层上设置有栅极绝缘层gi，所述栅极绝缘层gi上设置有有缘层se，所述源漏极sd设置于有缘层se或者栅极绝缘层gi上，所述栅极绝缘层gi上还设置有覆盖有缘层se和源漏极sd的绝缘层pv。
7.玻璃基板：tft侧的素玻璃，其上依序形成tft等有源器件；
8.缓冲层：通常选用siox，不仅可应用于平坦化玻璃表面，且在特定区域pattern出对应的凹槽形状；
9.非透明栅极ge层：metal1金属层，具有低电阻率，可选用铝/钼/钛/镍/铜/等导电性优良金属以及合金，此处以mo/al/mo为例；
10.栅极绝缘层gi：具有较大介电常数的绝缘层，此设计方案可选siox或sinx；
11.有缘层se：tft器件半导体层，如a-si、mox和ltps等，此设计方案可选igzo；
12.源漏极sd：metal2金属层，此处以mo/al/mo为例；
13.绝缘层pv：具有较大介电常数的绝缘层，此设计方案可选siox或sin。
14.与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型通过在玻璃基板上增加一层带有凹槽设计的缓冲层，在不改变器件chanel width和length的情况下，依靠凹槽的侧边所增加的长度来减小tft结构器件在panel中的占比面积，从而达到高分辨率、窄边框的显示屏设计目的。
附图说明
15.图1为本实用新型实施例1的正面结构示意图；
16.图2为本实用新型图1中a-a处侧剖结构示意图；
17.图3为本实用新型图1中b-b处侧剖结构示意图；
18.图4为本实用新型实施例2的正面结构示意图；
19.图5为本实用新型图4中c-c处侧剖结构示意图；
20.图6为本实用新型图4中d-d处侧剖结构示意图。
21.图中：1、玻璃基板；2、缓冲层；3、非透明栅极ge层；4、栅极绝缘层gi；5、有缘层se；6、源漏极sd；7、绝缘层pv。
具体实施方式
22.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
23.实施例1：请参阅图1-3，本实用新型提供一种技术方案：一种新型的tft器件结构，包括玻璃基板1、源漏极sd 6，所述玻璃基板1上设置有缓冲层2，所述缓冲层2上设有凹槽，所述缓冲层2上设置有非透明栅极ge层3，所述非透明栅极ge层3上设置有栅极绝缘层gi 4，所述栅极绝缘层gi 4上设置有有缘层se 5，所述源漏极sd 6设置于有缘层se 5上，所述栅极绝缘层gi 4上还设置有覆盖有缘层se 5和源漏极sd 6的绝缘层pv 7。
24.玻璃基板1：tft侧的素玻璃，其上依序形成tft等有源器件；
25.缓冲层2：通常选用siox，不仅可应用于平坦化玻璃表面，且在特定区域pattern出对应的凹槽形状；
26.非透明栅极ge层3：metal1金属层，具有低电阻率，可选用铝/钼/钛/镍/铜/等导电性优良金属以及合金，此处以mo/al/mo为例；
27.栅极绝缘层gi 4：具有较大介电常数的绝缘层，此设计方案可选siox或sinx；
28.有缘层se 5：tft器件半导体层，如a-si、mox和ltps等，此设计方案可选igzo；
29.源漏极sd 6：metal2金属层，此处以mo/al/mo为例；
30.绝缘层pv 7：具有较大介电常数的绝缘层，此设计方案可选siox或sinx。
31.实施例2：请参阅图4-6，本实用新型提供一种技术方案：一种新型的tft器件结构，
包括玻璃基板1、源漏极sd 6，所述玻璃基板1上设置有缓冲层2，所述缓冲层2上设有凹槽，所述缓冲层2上设置有非透明栅极ge层3，所述非透明栅极ge层3上设置有栅极绝缘层gi 4，所述栅极绝缘层gi 4上设置有有缘层se 5，所述源漏极sd 6设置于栅极绝缘层gi 4上，所述栅极绝缘层gi 4上还设置有覆盖有缘层se 5和源漏极sd 6的绝缘层pv 7。
32.玻璃基板1：tft侧的素玻璃，其上依序形成tft等有源器件；
33.缓冲层2：通常选用siox，不仅可应用于平坦化玻璃表面，且在特定区域pattern出对应的凹槽形状；
34.非透明栅极ge层3：metal1金属层，具有低电阻率，可选用铝/钼/钛/镍/铜/等导电性优良金属以及合金，此处以mo/al/mo为例；
35.栅极绝缘层gi 4：具有较大介电常数的绝缘层，此设计方案可选siox或sinx；
36.有缘层se 5：tft器件半导体层，如a-si、mox和ltps等，此设计方案可选igzo；
37.源漏极sd 6：metal2金属层，此处以mo/al/mo为例；
38.绝缘层pv 7：具有较大介电常数的绝缘层，此设计方案可选siox或sinx。实施例2与实施例1区别：
39.实施例1成膜顺序为缓冲层2
→
非透明栅极ge层3
→
栅极绝缘层gi 4
→
有缘层se 5
→
源漏极sd 6
→
绝缘层pv 7；
40.实施例2成膜顺序为缓冲层2
→
非透明栅极ge层3
→
栅极绝缘层gi 4
→
源漏极sd 6
→
有缘层se 5
→
绝缘层pv 7；
41.两个实施例均为bce结构tft，实施例2的优点是先成膜sd（即源漏极sd 6），后成膜se（即有缘层se 5），避免了chanel处igzo被sd蚀刻，影响器件稳定性。
42.本实用新型通过在玻璃基板1上增加一层带有凹槽设计的缓冲层2，在不改变器件chanel width和length的情况下，依靠凹槽的侧边的长度来减小tft结构器件在panel中的占比面积，从而达到高分辨率、窄边框的显示屏设计目的。所设计的buffer层（即缓冲层）是常规的siox膜层，目前量产产线常规的一个制程，且并未涉及器件/基板之间的转移。
43.尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。