显示面板及其制作方法与流程

1.本发明涉及显示领域，具体涉及一种显示面板及其制作方法。


背景技术：

2.近些年，随着显示技术的迅速发展，技术日趋成熟稳定，为追求利润最大化，显示厂家寻求成本降低方案，其中因制作显示面板过程中的光罩费用高昂，光罩数量越多，显示面板的成本越居高不下。
3.因此，亟需一种显示面板及其制作方法以解决上述技术问题。


技术实现要素：

4.本发明提供一种显示面板及其制作方法，可以缓解目前显示面板过程中的光罩数量多的技术问题。
5.本发明提供一种显示面板的制作方法，包括：
6.在衬底上形成有源层及源漏极层；
7.在所述有源层及所述源漏极层上形成钝化层；
8.利用第一光罩，在所述钝化层上形成包括多个第一开口及多个第二开口的第一光阻层，所述第一开口贯穿所述第一光阻层，使所述钝化层裸露，所述第二开口的深度小于所述第一开口的深度；
9.将裸露的所述钝化层去除，在所述钝化层上形成多个第四开口，所述第四开口使所述源漏极层裸露；
10.利用灰化工艺，将与所述第二开口对应的所述第一光阻层去除，使所述钝化层裸露；
11.在所述第一光阻层、所述钝化层及所述第四开口内形成电极材料层；
12.将所述第一光阻层及位于所述第一光阻层上的所述电极材料层剥离，以形成电极层。
13.优选的，所述第二开口与所述第一开口连通设置。
14.优选的，所述利用灰化工艺，将与所述第二开口对应的所述第一光阻层去除，使所述钝化层裸露的步骤包括：利用灰化工艺，将与所述第二开口对应的所述第一光阻层去除，以形成多个第三开口，所述第三开口使所述钝化层裸露；利用等离子干法刻蚀，将所述第三开口对应的所述钝化层形成多个第五开口，所述第五开口的深度小于所述第四开口的深度；所述在所述第一光阻层、所述钝化层及所述第四开口内形成电极材料层的步骤包括：在所述第一光阻层、所述钝化层、所述第五开口内及所述第四开口内形成电极材料层。
15.优选的，所述利用等离子干法刻蚀，将所述第三开口对应的所述钝化层形成多个第五开口，所述第五开口的深度小于所述第四开口的深度的步骤包括：利用等离子干法刻蚀，将所述第三开口对应的所述钝化层形成多个第五开口，所述第五开口的深度小于所述第四开口的深度，部分所述第一光阻层悬空于所述第五开口上；所述在所述第一光阻层、所
述钝化层及所述第四开口内形成电极材料层的步骤包括：在所述第一光阻层、所述钝化层及所述第四开口内形成电极材料层，所述电极材料层在所述第五开口周围断裂。
16.优选的，所述第五开口的深度与位于所述第五开口内的所述电极材料层的厚度相同。
17.优选的，所述第一光罩为半色调光罩，所述第一光罩包括多个第一透光区、多个第二透光区及多个第三透光区，所述第一透光区为全透光区，所述第二透光区为半透光区，所述第三透光区为非透光区，所述第一透光区与任一所述第一开口对应，所述第二透光区与任一所述第二开口对应。
18.优选的，所述在衬底上形成有源层及源漏极层的步骤包括：在所述衬底上形成包括多个第一栅极及多条栅极走线的栅极层；在所述栅极层上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成有源层、及包括多个源漏极单元和多条源漏极走线的源漏极层。
19.优选的，所述利用第一光罩，在所述钝化层上形成包括多个第一开口及多个第二开口的第一光阻层，所述第一开口贯穿所述第一光阻层，使所述钝化层裸露，所述第二开口的深度小于所述第一开口的深度的步骤包括：利用第一光罩，在所述钝化层上形成包括多个第一开口、多个第二开口、多个第六开口、多个第七开口、及多个第八开口的第一光阻层，所述第一开口贯穿所述第一光阻层，使所述钝化层裸露，所述第二开口的深度小于所述第一开口的深度，所述第六开口、及所述第七开口贯穿所述第一光阻层，使所述钝化层裸露，所述第八开口的深度小于所述第六开口的深度，所述第六开口、所述第七开口、及所述第八开口连通设置；所述将裸露的所述钝化层去除，在所述钝化层上形成多个第四开口，所述第四开口使所述源漏极层裸露的步骤包括：所述将裸露的所述钝化层去除，在所述钝化层上形成多个第四开口、多个第九开口及多个第十开口，所述第四开口使所述源漏极单元裸露，所述第九开口使所述栅极走线裸露，所述第十开口使所述源漏极走线裸露；所述利用灰化工艺，将与所述第二开口对应的所述第一光阻层去除，使所述钝化层裸露的步骤包括：利用灰化工艺，将与所述第二开口对应的所述第一光阻层去除、及将与所述第八开口对应的所述第一光阻层去除，使所述钝化层裸露；所述在所述第一光阻层、所述钝化层及所述第四开口内形成电极材料层的步骤包括：在所述第一光阻层、所述钝化层、所述第四开口、所述第九开口、及所述第十开口内形成电极材料层。
20.优选的，所述源漏极层在所述有源层上的正投影位于所述有源层之内。
21.本发明还提供了一种显示面板，由如任一上述的显示面板的制作方法制作而成，所述显示面板包括：
22.有源层及源漏极层；
23.钝化层，位于所述有源层及所述源漏极层上，所述钝化层包括多个第四开口及多个第五开口；
24.位于所述钝化层上的电极层；
25.其中，所述第五开口的深度小于所述第四开口的深度，所述第四开口贯穿所述钝化层，所述第四开口与所述第五开口连通设置，所述电极层通过所述第四开口与所述源漏极层电连接，部分所述电极层位于所述第五开口内。
26.本发明有益效果：本发明通过制作电极层时，利用一道光罩对第一光阻层作不同深度的开口，在打通与源漏极层连通的开口后，利用灰化工艺将需要保留的电极层所对应
的光阻去除，再形成电极材料层，最后将需要去除的电极层及光阻剥离，以形成电极层，利用一次光罩工艺同时完成钝化层打孔及电极层的形成，减少了当前显示面板的光罩数量，简化了显示面板的制作工艺。
附图说明
27.为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
28.图1是本发明实施例提供的显示面板的制作方法的步骤流程图；
29.图2a至图2g是本发明实施例提供的显示面板的制作方法的第一种流程示意图；
30.图3a至图3c是本发明实施例提供的显示面板的制作方法的第二种流程示意图；
31.图4a至图4f是本发明实施例提供的显示面板的制作方法的第三种流程示意图；
32.图5a至图5e是本发明实施例提供的显示面板的制作方法的第四种流程示意图；
33.图6a至图6c是本发明实施例提供的显示面板的制作方法的第五种流程示意图；
34.图7a至图7c是本发明实施例提供的显示面板的制作方法的第六种流程示意图；
35.图8是本发明实施例提供的显示面板的制作方法的第七种流程示意图；
36.图9是本发明实施例提供的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
37.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。在本发明中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
38.近些年，随着显示技术的迅速发展，技术日趋成熟稳定，为追求利润最大化，显示厂家寻求成本降低方案，其中因制作显示面板过程中的光罩费用高昂，光罩数量越多，显示面板的成本越居高不下。
39.请参阅图1，本发明实施例提供一种显示面板100的制作方法，包括：
40.s100、在衬底200上形成有源层500及源漏极层600；
41.s200、在所述有源层500及所述源漏极层600上形成钝化层700；
42.s300、利用第一光罩910，在所述钝化层700上形成包括多个第一开口101及多个第二开口102的第一光阻层810，所述第一开口101贯穿所述第一光阻层810，使所述钝化层700裸露，所述第二开口102的深度小于所述第一开口101的深度；
43.s400、将裸露的所述钝化层700去除，在所述钝化层700上形成多个第四开口104，所述第四开口104使所述源漏极层600裸露；
44.s500、利用灰化工艺，将与所述第二开口102对应的所述第一光阻层810去除，使所述钝化层700裸露；
45.s600、在所述第一光阻层810、所述钝化层700及所述第四开口104内形成电极材料层1001；
46.s700、将所述第一光阻层810及位于所述第一光阻层810上的所述电极材料层1001剥离，以形成电极层1000。
47.本发明通过制作电极层时，利用一道光罩对第一光阻层作不同深度的开口，在打通与源漏极层连通的开口后，利用灰化工艺将需要保留的电极层所对应的光阻去除，再形成电极材料层，最后将需要去除的电极层及光阻剥离，以形成电极层，利用一次光罩工艺同时完成钝化层打孔及电极层的形成，减少了当前显示面板的光罩数量，简化了显示面板的制作工艺。
48.现结合具体实施例对本发明的技术方案进行描述。
49.本实施例中，所述显示面板100的制作方法包括：
50.s100、在衬底200上形成有源层500及源漏极层600，请参阅图2a。
51.在一些实施例中，步骤s100包括：
52.s110、在所述衬底200上形成包括多个第一栅极310及多条栅极走线320的栅极层300，请参阅图3a。
53.在一些实施例中，步骤s110包括：
54.s111、在所述衬底200上形成栅极材料层。
55.在一些实施例中，所述栅极材料层可以为铜/钼或者钼钛合金等。
56.s112、在所述栅极材料层上形成第三光阻层。
57.s113、利用第三光罩，将所述第三光阻层形成图案化，使部分所述栅极材料层裸露。
58.s114、利用刻蚀工艺，将裸露的所述栅极材料层去除，以形成多个第一栅极310及多条栅极走线320的栅极层300。
59.s120、在所述栅极层300上形成第一绝缘层400，请参阅图3b。
60.s130、在所述第一绝缘层400上形成有源层500、及包括多个源漏极单元610和多条源漏极走线620的源漏极层600，请参阅图3c。
61.在一些实施例中，步骤s130包括：
62.s131、在所述第一绝缘层400上形成有源材料层501，请参阅图4a。
63.s132、在所述有源材料层501上形成源漏极材料层601，请参阅图4a。
64.s133、在所述源漏极材料层601上形成第二光阻层820。
65.s134、利用第二光罩920，将所述第二光阻层820形成第一图案，请参阅图4b。
66.在一些实施例中，请参阅图4b，所述第一图案包括多个第十一开口111、及多个第十二开口112，所述第十一开口111使所述源漏极材料层601裸露，所述第十二开口112的深度小于所述第十一开口111的深度。
67.s135、利用蚀刻工艺，将所述第十一开口111对应的所述源漏极材料层601及所述有源材料层501去除，请参阅图4c。
68.s136、利用灰化工艺，将所述第十二开口112内的所述第二光阻层820去除，以及将所述第十二开口112周围的所述第二光阻层820减薄，请参阅图4d。
69.在一些实施例中，请参阅图4d，步骤s136使所述第十二开口112对应的所述源漏极
材料层601裸露，所述第二光阻层820形成对应形成第十三开口113。
70.s137、利用蚀刻工艺，将裸露的所述源漏极材料层601去除，以形成包括多个源漏极单元610和多条源漏极走线620的源漏极层600及有源层500，请参阅图4e、图4f。
71.在一些实施例中，步骤s137将所述十三开口113对应的所述源漏极材料层601去除。
72.s138、将所述第二光阻层820去除，请参阅图4f。
73.在一些实施例中，请参阅图4f，所述源漏极层600在所述有源层500上的正投影位于所述有源层500之内。
74.在一些实施例中，请参阅图4f，步骤s137中，由于所述源漏极走线620形成时，还覆盖了所述有源材料层501，故在所述源漏极走线620下方还有及冗余半导体510。
75.在一些实施例中，所述有源材料层501可以为非晶硅、多晶硅、金属氧化物中任一种。
76.在一些实施例中，所述源漏极材料层601可以为铜/钼钛合金，铜/钛等，即上层为铜，下层为钼、钛或二者的合金等。
77.s200、在所述有源层500及所述源漏极层600上形成钝化层700，请参阅图2b。
78.在一些实施例中，所述钝化层700的材料可以为无机绝缘层，例如氮硅化合物或氧硅化合物或氮硅氧化合物中任一种或多种的组合。
79.s300、利用第一光罩910，在所述钝化层700上形成包括多个第一开口101及多个第二开口102的第一光阻层810，所述第一开口101贯穿所述第一光阻层810，使所述钝化层700裸露，所述第二开口102的深度小于所述第一开口101的深度，请参阅图2c。
80.在一些实施例中，请参阅图2c，图中有两个所述第二开口102，左侧所述第二开口102为所述显示面板100不同截面图上的所述第二开口102，两个所述第二开口102均与所述第一开口101连通设置。
81.在一些实施例中，步骤s300包括：
82.s310a、利用第一光罩910，在所述钝化层700上形成包括多个第一开口101及多个第二开口102的第一光阻层810，所述第一开口101贯穿所述第一光阻层810，使所述钝化层700裸露，所述第二开口102的深度小于所述第一开口101的深度，请参阅图2c。
83.在一些实施例中，请参阅图2c，所述第二开口102与所述第一开口101连通设置。
84.在一些实施例中，请参阅图2c，所述第一光罩910为半色调光罩，所述第一光罩910包括多个第一透光区911、多个第二透光区912及多个第三透光区913，所述第一透光区911为全透光区，所述第二透光区912为半透光区，所述第三透光区913为非透光区，所述第一透光区911与任一所述第一开口101对应，所述第二透光区912与任一所述第二开口102对应。
85.在一些实施例中，步骤s300包括：
86.s310b、利用第一光罩910，在所述钝化层700上形成包括多个第一开口101、多个第二开口102、多个第六开口106、多个第七开口107、及多个第八开口108的第一光阻层810，请参阅图5a。
87.在一些实施例中，请参阅图5a，所述第一开口101贯穿所述第一光阻层810，使所述钝化层700裸露，所述第二开口102的深度小于所述第一开口101的深度，所述第六开口106、及所述第七开口107贯穿所述第一光阻层810，使所述钝化层700裸露，所述第八开口108的
深度小于所述第六开口106的深度，所述第六开口106、所述第七开口107、及所述第八开口108连通设置。
88.在一些实施例中，步骤s310b中的所述第一光罩910，与步骤s310a的所述第一光罩910类似，也是半色调光罩，分为全透光区、半透光区和非透光区，只需要在相应位置设置不同透光区即可实现步骤s310b，易于理解，在此不再赘述。
89.s400、将裸露的所述钝化层700去除，在所述钝化层700上形成多个第四开口104，所述第四开口104使所述源漏极层600裸露，请参阅图2d。
90.在一些实施例中，步骤s400包括：
91.s410a、将裸露的所述钝化层700去除，在所述钝化层700上形成多个第四开口104，所述第四开口104使所述源漏极层600裸露，请参阅图2d。
92.在一些实施例中，请参阅图2d，所述第四开口104使所述源漏极单元610裸露。
93.在一些实施例中，步骤s400包括：
94.s410b、所述将裸露的所述钝化层700去除，在所述钝化层700上形成多个第四开口104、多个第九开口109及多个第十开口110，所述第四开口104使所述源漏极单元610裸露，所述第九开口109使所述栅极走线320裸露，所述第十开口110使所述源漏极走线620裸露，请参阅图5b。
95.在一些实施例中，请参阅图5b，所述第六开口106对应所述第九开口109，所述第七开口107对应所述第十开口110。
96.s500、利用灰化工艺，将与所述第二开口102对应的所述第一光阻层810去除，使所述钝化层700裸露，请参阅图2e。
97.在一些实施例中，步骤s500包括：
98.s510a、利用灰化工艺，将与所述第二开口102对应的所述第一光阻层810去除，使所述钝化层700裸露，请参阅图2e。
99.在一些实施例中，步骤s500包括：
100.s510b、利用灰化工艺，将与所述第二开口102对应的所述第一光阻层810去除、及将与所述第八开口108对应的所述第一光阻层810去除，使所述钝化层700裸露，请参阅图5c。
101.在一些实施例中，请参阅图5c，将与所述第二开口102对应的所述第一光阻层810去除以形成多个第三开口103，将与所述第八开口108对应的所述第一光阻层810去除以形成多个第十四开口114，所述第三开口103、所述第十四开口114使所述钝化层700裸露。
102.在一些实施例中，步骤s500包括：
103.s510c、利用灰化工艺，将与所述第二开口102对应的所述第一光阻层810去除，以形成多个第三开口103，所述第三开口103使所述钝化层700裸露，请参阅图5c。
104.s520c、利用等离子干法刻蚀，将所述第三开口103对应的所述钝化层700形成多个第五开口105，所述第五开口105的深度小于所述第四开口104的深度，请参阅图6a。
105.在一些实施例中，部分所述第一光阻层810悬空于所述第五开口105上，请参阅图7a。
106.在一些实施例中，请参阅图2e，步骤s500将与所述第二开口102或/和所述第八开口108对应的所述第一光阻层810去除的同时，也将所述第二开口102或/和所述第八开口
108周围的所述第一光阻层810减薄。
107.s600、在所述第一光阻层810、所述钝化层700及所述第四开口104内形成电极材料层1001，请参阅图2f。
108.在一些实施例中，步骤s600包括：
109.s610a、在所述第一光阻层810、所述钝化层700及所述第四开口104内形成电极材料层1001，请参阅图2f。
110.在一些实施例中，步骤s600包括：
111.s610b、在所述第一光阻层810、所述钝化层700、所述第四开口104、所述第九开口109、及所述第十开口110内形成电极材料层1001，请参阅图5d。
112.在一些实施例中，步骤s600包括：
113.s610c、在所述第一光阻层810、所述钝化层700、所述第五开口105内及所述第四开口104内形成电极材料层1001，请参阅图6b。
114.在一些实施例中，请参阅图7b，部分所述第一光阻层810悬空于所述第五开口105上，可以将所述电极材料层1001在所述第五开口105自然断裂，在剥离所述第一光阻层810时，减少对所述电极材料层1001的撕裂，避免损坏所述电极层1000。
115.在一些实施例中，请参阅图6b、图7b，部分所述电极材料层1001位于所述第五开口105内。
116.在一些实施例中，请参阅图6c、图7c，所述第五开口105的深度与位于所述第五开口105内的所述电极材料层1001的厚度相同。
117.在一些实施例中，请参阅图8，在远离所述第四开口104的方向上，所述第五开口105的深度逐渐增大，在形成所述电极层1000时，有利于所述电极层1000在所述第五开口105周围自然断裂，在剥离所述第一光阻层810时，减少对所述电极材料层1001的撕裂，避免损坏所述电极层1000。
118.s700、将所述第一光阻层810及位于所述第一光阻层810上的所述电极材料层1001剥离，以形成电极层1000，请参阅图2g。
119.在一些实施例中，步骤s700包括：
120.s710a、将所述第一光阻层810及位于所述第一光阻层810上的所述电极材料层1001剥离，以形成电极层1000，请参阅图2g。
121.在一些实施例中，步骤s700包括：
122.s710b、将所述第一光阻层810及位于所述第一光阻层810上的所述电极材料层1001剥离，以形成包括多个电极单元1010及多个电极走线1020的电极层1000，请参阅图5e。
123.在一些实施例中，步骤s700包括：
124.s710c、将所述第一光阻层810及位于所述第一光阻层810上的所述电极材料层1001剥离，以形成包括多个电极单元1010及多个电极走线1020的电极层1000，至少部分所述电极层1000位于所述第五开口105内，请参阅图6c、图7c。
125.在一些实施例中，所述电极层1000为像素电极层。
126.在一些实施例中，请参阅图2c至图2g，步骤s310a、s410a、s510a、s610a、s710a，这一套步骤利用一道光罩对第一光阻层810作不同深度的开口，在打通与源漏极层600连通的开口后，利用灰化工艺将需要保留的电极层1000所对应的光阻去除，再进行电极材料层
1001的形成，可以减少一道光罩，简化了显示面板100的制作工艺。
127.在一些实施例中，请参阅图5a至图5e，步骤s310b、s410b、s510b、s610b、s710b，这一套步骤在减少一道光罩的同时，将所述栅极走线320、所述源漏极走线620桥接，形成电极走线1020。所述电极走线1020通过所述第十开口110与所述源漏极走线620电连接，所述电极走线1020通过所述第九开口109与所述栅极走线320电连接。
128.在一些实施例中，请参阅图6a至图6c，请参阅图7a至图7c，步骤s510c、s610c，这两套步骤，可以将部分所述电极材料层1001埋入所述钝化层700中，可以减小台阶，提升膜层平坦性，在所述显示面板100为液晶显示面板100时，有利于对应配向层的涂覆，对液晶偏转有好处，改善显示效果，所述步骤s610c以将部分所述电极单元1010埋入所述钝化层700为例，所述电极单元1010及所述电极走线1020均可以埋于所述钝化层700内，请参阅图9，进一步提高膜层平坦性。
129.本发明通过制作电极层时，利用一道光罩对第一光阻层作不同深度的开口，在打通与源漏极层600连通的开口后，利用灰化工艺将需要保留的电极层所对应的光阻去除，再形成电极材料层，最后将需要去除的电极层及光阻剥离，以形成电极层，利用一次光罩工艺同时完成钝化层打孔及电极层的形成，减少了当前显示面板的光罩数量，简化了显示面板的制作工艺。
130.请参阅图9，本发明实施例还提供了一种显示面板100，所述显示面板100由任一上述的显示面板100的制作方法制作而成。
131.现结合具体实施例对本发明的技术方案进行描述。
132.本实施例中，请参阅图9，所述显示面板100包括：有源层500及源漏极层600；钝化层700，位于所述有源层500及所述源漏极层600上，所述钝化层700包括多个第四开口104及多个第五开口105；位于所述钝化层700上的电极层1000；其中，所述第五开口105的深度小于所述第四开口104的深度，所述第四开口104贯穿所述钝化层700，所述第四开口104与所述第五开口105连通设置，所述电极层1000通过所述第四开口104与所述源漏极层600电连接，部分所述电极层1000位于所述第四开口104内。
133.可以将部分所述电极层1000埋入所述钝化层700中，可以减小台阶，提升膜层平坦性，在所述显示面板100为液晶显示面板100时，所述显示面板100还包括位于电极层1000上的平坦层1100及位于所述平坦层1100上的配向层1200，有利于对应配向层1200的涂覆，对液晶偏转有好处，改善显示效果。
134.在一些实施例中，请参阅图6c、图7c，部分所述电极层1000位于所述第五开口105内。所述第五开口105的深度与位于所述第五开口105内的所述电极材料层1001的厚度相同。所述电极层1000的厚度与所述第五开口105的深度相等，可以进一步提高后续膜层的平坦性。
135.在一些实施例中，请参阅图8，在远离所述第四开口104的方向上，所述第五开口105的深度逐渐增大，在形成所述电极层1000时，有利于所述电极层1000在所述第五开口105周围自然断裂，在剥离所述第一光阻层810时，减少对所述电极材料层1001的撕裂，避免损坏所述电极层1000。
136.在一些实施例中，请参阅图9，所述电极单元1010及所述电极走线1020均埋于所述钝化层700内，进一步提高膜层平坦性。
137.本发明通过制作电极层时，利用一道光罩对第一光阻层作不同深度的开口，在打通与源漏极层连通的开口后，利用灰化工艺将需要保留的电极层所对应的光阻去除，再形成电极材料层，最后将需要去除的电极层及光阻剥离，以形成电极层，利用一次光罩工艺同时完成钝化层打孔及电极层的形成，减少了当前显示面板的光罩数量，简化了显示面板的制作工艺，部分所述电极层位于所述第五开口内。所述第五开口的深度与位于所述第五开口内的所述电极材料层的厚度相同。所述电极层的厚度与所述第五开口的深度相等，可以进一步提高后续膜层的平坦性。
138.本发明实施例公开了一种显示面板及其制作方法；显示面板的制作方法包括：形成有源层及源漏极层，形成钝化层，利用第一光罩，在钝化层上形成包括第一开口及第二开口的第一光阻层，第一开口贯穿第一光阻层，第二开口的深度小于第一开口的深度，将裸露的钝化层去除，在钝化层上形成第四开口，将与第二开口对应的第一光阻层去除，形成电极材料层，将第一光阻层及位于第一光阻层上的电极材料层剥离；本发明通过利用一道光罩对第一光阻层作不同深度的开口，在形成使源漏极层裸露的开口后，将需要保留的电极所对应的光阻去除，再形成电极材料层，最后将需要去除的电极层及光阻剥离，利用一次光罩工艺同时完成钝化层打孔及电极层的形成，减少了光罩数量。
139.以上对本发明实施例所提供的一种显示面板及其制作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。