新型覆盖层用化合物以及包含所述覆盖层用化合物的有机发光元件的制作方法

1.本发明涉及一种新型覆盖层用化合物以及包含所述覆盖层用化合物的有机发光元件。


背景技术：

2.在有机发光元件中作为有机物层使用的材料大体上可以根据其功能分为发光材料、空穴注入材料、空穴输送材料、电子输送材料以及电子注入材料等。
3.此外，所述发光材料可以根据发光机制分为源于电子的单重激发态的荧光材料以及源于电子的三重激发态的磷光材料，还可以根据发光颜色分为蓝色、绿色、红色发光材料。
4.一般的有机发光元件可以采用在基板上部形成阳极，并在所述阳极上部依次形成空穴输送层、发光层、电子输送层以及阴极的结构。其中，空穴输送层、发光层以及电子输送层是由有机化合物构成的有机薄膜。
5.如上所述结构的有机发光元件的驱动原理如下所述。
6.当在所述阳极以及阴极之间加载电压时，从阳极注入的空穴将经由空穴输送层移动到发光层，而从阴极注入的电子将经由电子输送层移动到发光层。所述空穴以及电子将在发光层重新结合并生成激子。
7.在所述激子从激发态转换成基态的过程中将生成光线。有机发光元件的效率通常可以分为内部发光效率以及外部发光效率。内部发光效率与在如空穴输送层、发光层以及电子输送层等介于第1电极与第2电极之间的有机层中生成激子并实现光转换的效率相关，理论上荧光的内部发光效率为25％，而磷光为100％。
8.此外，外部发光效率是指在有机层中生成的光线被提取到有机发光元件外部的效率，目前已经得知通常有内部发光效率的约20％左右可以被提取到外部。作为提升所述光提取效率的方法，为了防止照射到外部的光线因为全反射而发生损失，通常采用将折射率为1.7以上的各种有机化合物作为覆盖层使用的方式，而且为了改善有机发光元件的性能，一直以来都在致力于开发出一种具有可以提升外部发光效率的高折射率以及薄膜稳定性的有机化合物。


技术实现要素：

9.为此，本发明的目的在于提供一种可以在确保难以吸收可见光线区域的较宽的带隙以及维持高折射率的同时提升紫外线区域的吸收波长，从而实现高色纯度、高效率以及长使用寿命的有机发光元件。
10.此外，本发明的目的在于提供一种可以通过提升分子的极化率而提升分子间的薄膜排列并借此改善折射率，还可以改善对外部空气和/或水分的稳定性，而且可以通过较高的玻璃化转变温度(tg)以及分解温度(td)防止分子之间的重结晶并在元件驱动过程中产
生热量时维持薄膜的稳定状态，从而进一步提升外部量子效率以及使用寿命的有机发光元件。
11.接下来，将对如上所述的课题以及追加课题进行详细的说明。
12.作为解决如上所述的课题的手段，
13.本发明的一实施例，提供一种以下述化学式1表示的覆盖层用化合物：
14.《化学式1》
[0015][0016]
《化学式1-1》
[0017][0018]
在所述化学式1中，
[0019]
a表示化学式1-1，
[0020]
x1至x8各自独立地为c、cr或n，且其中的一个以上为n，
[0021]
ar1至ar3各自独立地为取代或未取代的c6～c50的芳基、或取代或未取代的c2～c50的杂芳基，
[0022]
r为氢、氘、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的c1～c30的烷基、取代或未取代的c2～c30的烯基、取代或未取代的c1～c30的烷氧基、取代或未取代的c1～c30的巯基、取代或未取代的c3～c30的甲硅烷基、取代或未取代的c6～c50的芳基、或取代或未取代的c2～c50的杂芳基，相邻的多个r可以通过相互结合而形成环或不形成环，
[0023]
l以及l1各自独立地为取代或未取代的c6～c50的亚芳基、或取代或未取代的c2～c50的杂亚芳基。
[0024]
此外，作为本发明的一实施例，
[0025]
提供一种含有如上所述的覆盖层用化合物的有机发光元件。
[0026]
根据本发明的覆盖层用化合物是一种作为母核包含结合有含一个以上的n的稠合双环杂芳基的2个胺基的化合物，可以通过维持难以吸收可见光线区域的较宽的带隙而实现高色纯度。
[0027]
此外，因为根据本发明的覆盖层用化合物的分子间薄膜排列优秀，因此包含所述覆盖层用化合物的层可以同时提升折射率以及紫外线区域的吸收波长。借此，在将所述覆盖层用化合物作为有机发光元件的覆盖层使用时，可以达成提升有机发光元件的外部量子效率并提升对紫外线的稳定性的效果。
[0028]
进而，因为根据本发明的覆盖层用化合物具有较高的玻璃化转变温度(tg)以及分解温度(td)，因此可以防止分子间的重结晶并在元件驱动过程中产生热量时维持薄膜的稳定状态。
[0029]
接下来，将对如上所述的效果以及追加效果进行详细的说明。
附图说明
[0030]
图1是对根据本发明的一实施例的有机发光元件的构成进行图示的概要性截面图。
[0031]
图2是对根据本发明的一实施例的覆盖层用化合物11以及54与比较化合物1以及比较化合物2在340nm～460nm范围内的吸收强度进行测定的图表。
[0032]
【符号说明】
[0033]
100：基板
[0034]
200：空穴注入层
[0035]
300：空穴输送层
[0036]
400：发光层
[0037]
500：电子输送层
[0038]
600：电子注入层
[0039]
1000：第1电极(阳极)
[0040]
2000：第2电极(阴极)
[0041]
3000：覆盖层
具体实施方式
[0042]
在对本发明进行详细的说明之前需要理解的是，在本说明书中所使用的术语只是用于对特定的实施例进行记述，并不是为了对本发明的范围进行限定，本发明的范围只应通过随附的权利要求书的范围做出限定。除非另有明确的说明，否则在本说明书中所使用的所有技术术语以及科学术语的含义与具有一般知识的人员所通常理解的含义相同。
[0043]
在整个本说明书以及权利要求书中，除非另有明确的说明，否则被记载为包含(comprise、comprises、comprising)的术语只是表明包含所提及的物件、步骤或一系列物件以及步骤，并不是事先排除任意其他物件、步骤或一系列物件或一系列步骤。
[0044]
在整个本说明书以及权利要求书中，术语“芳基”可以是指如包含苯基、苄基、萘基、联苯基、三联苯基、芴基、菲基、三亚苯基、亚苯基、基、荧蒽基、苯并芴基、苯并三亚苯基、苯并基、蒽基、茋基以及芘基等芳环的c5-50的芳烃环基，而“杂芳基”是指如包含吡咯基、吡嗪基、吡啶基、吲哚基、异吲哚基、呋喃基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、噻吩基以及由吡啶环、吡嗪环、嘧啶环、哒嗪环、三嗪环、吲哚环、喹啉环、吖啶环、吡咯烷环、二烷环、哌啶环、吗啉环、哌嗪环、咔唑环、呋喃环、噻吩环、唑环、二唑环、苯并呋喃环、噻唑环、噻二唑环、苯并噻吩环、三唑环、咪唑环、苯并咪唑环、吡喃环、二苯并呋喃环等构成的杂环基的包含一个以上的杂元素的c2-50的芳族环。
[0045]
此外，化学式中的ar
x
(其中，x为整数)除非另有明确的定义，否则表示取代或取代的c6～c50的芳基、或取代或未取代的c2～c50的杂芳基，l
x
(其中，x为整数)除非另有明确的定义，否则表示直接结合、取代或未取代的c6～c50的亚芳基、或取代或未取代的c2～c50的杂亚芳基，r
x
(其中，x为整数)除非另有明确的定义，否则表示氢、氘、卤素、硝基、腈基、取
代或未取代的c1～c30的烷基、取代或未取代的c2～c30的烯基、取代或未取代的c1～c30的烷氧基、取代或未取代的c1～c30的巯基、取代或未取代的c6～c50的芳基、或取代或未取代的c2～c50的杂芳基。
[0046]
在整个本说明书以及权利要求书中，术语“取代或未取代”是指被从由氘、卤素、氨基、氰基、腈基、硝基、亚硝基、氨磺酰基、异硫氰酸酯基、硫氰酸酯基、羧基、或c1～c30的烷基、c1～c30的烷基亚磺酰基、c1～c30的烷基磺酰基、c1～c30的烷基硫烷基、c1～c12的氟烷基、c2～c30的烯基、c1～c30的烷氧基、c1～c12的n-烷基氨基、c2～c20的n,n-二烷基氨基、取代或未取代的c1～c30的巯基、c1～c6的n-烷基氨磺酰基、c2～c12的n,n-二烷基氨磺酰基、c3～c30的甲硅烷基、c3～c20的环烷基、c3～c20的杂环烷基、c6～c50的芳基以及c2～c50的杂芳基等构成的组中选择的任一个以上的基团取代或未取代，但是并不特别限定于此。此外，在本技术的整个说明书中，除非另有明确的说明，否则相同的符号具有相同的含义。
[0047]
此外，除非另有明确的相反说明，否则本发明的多个实施例可以与其他某些实施例结合。接下来，将对本发明的实施例及其效果进行说明。
[0048]
接下来，将对本发明进行详细的说明。
[0049]
根据本发明的覆盖层用化合物可以以下述化学式1表示：
[0050]
《化学式1》
[0051][0052]
《化学式1-1》
[0053][0054]
在所述化学式1中，
[0055]
a表示化学式1-1，
[0056]
x1至x8各自独立地为c、cr或n，且其中的一个以上为n，
[0057]
ar1至ar3各自独立地为取代或未取代的c6～c50的芳基、或取代或未取代的c2～c50的杂芳基，
[0058]
r为氢、氘、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的c1～c30的烷基、取代或未取代的c2～c30的烯基、取代或未取代的c1～c30的烷氧基、取代或未取代的c1～c30的巯基、取代或未取代的c3～c30的甲硅烷基、取代或未取代的c6～c50的芳基、或取代或未取代的c2～c50的杂芳基，相邻的多个r可以通过相互结合而形成环或不形成环，
[0059]
l以及l1各自独立地为取代或未取代的c6～c50的亚芳基、或取代或未取代的c2～c50的杂亚芳基。
[0060]
具体来讲，在所述化学式1-1中，x1至x4中的任一个可以是c，在如上所述的情况下，
所述c与l1结合。
[0061]
以所述化学式1表示的覆盖层用化合物是一种作为母核结构包含结合有含一个以上的n的稠合双环杂芳基(化学式1-1)的2个胺基的化合物，可以通过维持难以吸收可见光线区域的较宽的带隙而实现高色纯度。
[0062]
此外，因为分子间薄膜排列优秀，因此可以同时提升折射率以及紫外线区域的吸收波长，借此，在将所述覆盖层用化合物作为有机发光元件的覆盖层使用时，可以达成提升有机发光元件的外部量子效率并提升对紫外线的稳定性的效果。
[0063]
进而，因为具有较高的玻璃化转变温度(tg)以及分解温度(td)，因此可以防止分子间的重结晶并在元件驱动过程中产生热量时维持薄膜的稳定状态。
[0064]
具体来讲，所述化学式1可以以下述化学式2或化学式3表示：
[0065]
《化学式2》
[0066][0067]
《化学式3》
[0068][0069]
在所述化学式2以及化学式3中，
[0070]
对a、ar1至ar3、l以及l1的定义与所述化学式1中的定义相同，
[0071]
l2为取代或未取代的c6～c41的亚芳基、或取代或未取代的c2～c41的杂亚芳基，
[0072]
其中，l2以及与l2结合的a的碳数量满足在ar1或ar2中定义的碳数量范围。
[0073]
以所述化学式2或化学式3表示的覆盖层用化合物是一种2个以上的以化学式1-1表示的a通过连接基(l1或l2)连接到2个胺基的化合物，可以通过包含2个以上的含n的稠合双环而达成提升折射率的效果。
[0074]
具体来讲，以所述化学式2表示的覆盖层用化合物是一种母核结构中所包含的2个胺基分别与a结合的化合物，可以达成在将可见光线区域的吸收最小化的同时增加紫外线区域的吸收的效果。
[0075]
此外，以所述化学式3表示的覆盖层用化合物是一种母核结构中所包含的2个胺基中的至少一个胺基与2个a同时结合的化合物，可以通过将一侧面胺基的体积特性最小化而更加有效地改善折射率。
[0076]
更具体来讲，所述化学式1可以以下述化学式4或化学式5表示：
[0077]
《化学式4》
[0078][0079]
《化学式5》
[0080][0081]
在所述化学式4以及化学式5中，
[0082]
对x1、x2、x4至x8、ar1至ar3、l以及l1的定义与所述化学式1中的定义相同(其中，与l2结合的双环稠合环的x1、x2、x4至x8的碳数量满足在ar1或ar2中定义的碳数量范围)。
[0083]
l2为取代或未取代的c6～c41的亚芳基、或取代或未取代的c2～c41的杂亚芳基。
[0084]
所述x1之间、x2之间、x4之间、x5之间、x6之间、x7之间或x8之间可以彼此相同或不同。
[0085]
以所述化学式4或化学式5表示的覆盖层用化合物，是一种2个以上的以化学式1-1表示的a通过连接基(l1或l2)连接到母核结构中所包含的2个胺基的特定位置，具体来讲是结合到化学式1-1的x3位置的化合物，借此可以在具有较高的折射率的同时显著提升紫外线区域的吸收强度。
[0086]
具体来讲，以所述化学式4表示的覆盖层用化合物是化学式1-1的x3位置结合到连接基l1以及l2的化合物，可以通过具有化学式1-1分别结合到2个胺基的结构而在将可见光线区域的不必要的吸收最小化的同时提升紫外线区域的吸收，还可以通过连接到x3位置而具有更高的折射率。
[0087]
此外，以所述化学式5表示的覆盖层用化合物是化学式1-1的x3位置结合到连接基l1以及l2的化合物，可以通过具有化学式1-1同时取代到2个胺基中的任一个胺基的结构而将一侧面胺基的体积特性最小化，还可以通过连接到x3位置而具有更高的折射率。
[0088]
此外，在所述化学式1-1中，所述x1至x8中的仅一个可以是n。具体来讲，所述化学式x1至x4中的一个可以是n，而剩余的x1至x8都可以是cr。在如上所述的情况下，因为分子内的
极化率较高，因此可以达成折射率以及紫外线吸收强度改善效果。
[0089]
作为一实例，所述化学式1-1可以包含以下述结构a-1至a-7表示的结构中的任一个，具体来讲可以是结构a-1或a-2：
[0090][0091]
在所述结构a-1至a-7中，
[0092]
对r的定义与所述化学式1中的定义相同，
[0093]
*为通过连接基l1结合到胺基的位置。
[0094]
如上所述，包含化学式1-1的x1至x8中的仅一个为n的稠合双环的本发明的覆盖层用化合物可以显著降低拉电子功能，因此可以将可见光线区域的不必要的光吸收最小化。
[0095]
此外，在所述化学式1-1中，r可以是氢或苯基。在如上所述的情况下，可以将化学式1-1的体积特性最小化，而且即使是以较少的分子量也可以有效提升化合物的折射率，同时还可以改善沉积时的热稳定性。
[0096]
此外，在所述化学式1至化学式5中的任一个中，
[0097]
l可以包含亚苯基、亚联苯基、三联苯基、萘基、亚芴基、亚吡啶基、亚二苯呋喃基、亚二苯并噻吩基、咔唑基或它们的组合。通过使l包含如上所述的取代基，可以将连接基的π共轭最小化，因此可以在将可见光线区域的不必要的吸收最小化的同时提升折射率。
[0098]
具体来讲，在所述化学式1至化学式5的任一个中，l可以包含以下述结构b-1至b-13表示的结构中的任一个。
[0099][0100]
在所述连接基l包含所述结构b-1至b-13中的任一个的情况下，可以在将体积特性最小化的同时使得2个胺呈线性连接，从而改善紫外线吸收强度，而且因为具有较高的折射率，因此可以有效地改善元件效率以及使用寿命。具体来讲，所述连接基l可以是b-2或b-3。
[0101]
此外，所述结构b-1至b-7可以包含邻位(1,2-亚苯基)、间位(1,3-亚苯基)或对位(1,4-亚苯基)结合，具体来讲可以包含对位(1,4-亚苯基)，更具体来讲可以仅由对位(1,4-亚苯基)构成。
[0102]
此外，在所述化学式1至化学式5的任一个中，l1以及l2可以各自独立地包含亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基、亚萘基或它们的组合。借此，可以将连接基的π共轭最小化，因此可以在将可见光线区域的吸收最小化的同时提升折射率。
[0103]
具体来讲，l1以及l2可以各自独立地以表示，其中，l可以是1至3的整数，具体来讲可以是1或2。
[0104]
更具体来讲，所述l1以及l2可以各自独立地以表示。
[0105]
通过使所述l1以及l2包含一个以上的对位结合的1,4-亚苯基，不仅可以将可见光
线区域的吸收最小化，还可以同时提升折射率以及紫外线区域的吸收强度。
[0106]
此外，在所述化学式1至化学式5中的任一个中，
[0107]
ar1至ar3可以各自独立地包含苯基、联苯基、三联苯基、萘基、吡啶基或它们的组合，还可以被卤素、腈基、c1～c6的烷基、c1～c6的烷氧基、c1～c30的巯基、氰基或c6～c44的芳基取代或未取代(其中，在取代的情况下满足在ar1至ar3中定义的碳数量范围)。在如上所述的情况下，可以将化合物的体积特性最小化，从而提升分子间的薄膜排列、提升折射率并将可见光线区域的不必要的光吸收最小化。
[0108]
下述化合物是根据本发明的化合物的具体实例。下述实例只是用于对本发明进行说明的例示，本发明并不因此而受到限定：
[0109]
[0110]
[0111]
[0112]
[0113]
[0114]
[0115]
[0116]
[0117]
[0118]
[0119]
[0120]
[0121]
[0122]
[0123]
[0124]
[0125]
[0126]
[0127]
[0128]
[0129][0130]
所述本发明的化合物的一实施例可以通过胺化反应进行合成，其大致的合成反应式如下所示。
[0131][0132]
在本发明的另一实施例中，提供一种在覆盖层中包含如上所述的根据本发明的覆盖层用化合物的有机发光元件。
[0133]
接下来，将对根据本发明的有机发光元件进行更为详细的说明。
[0134]
在本发明的一实现例中，有机发光元件可以包含第1电极、第2电极以及介于第1电极与第2电极的内侧的1层以上的有机物层以及覆盖层，所述覆盖层可以被配置在所述第1电极以及第2电极中的任一个以上的电极外侧。
[0135]
具体来讲，将第1电极或第2电极的两侧面中与介于第1电极与第2电极之间的有机物层相邻的一侧称之为内侧并将没有与有机物层相邻的一侧称之为外侧。即，当覆盖层被配置在第1电极的外侧时，第1电极将介于覆盖层与有机物层之间，而当覆盖层被配置在第2电极的外侧时，第2电极将介于覆盖层与有机物层之间。
[0136]
此外，在根据本发明的一实现例中，所述有机发光元件的第1电极以及第2电极的内侧可以介有1层以上的多种有机物层，而在第1电极以及第2电极中的任一个以上的电极外侧可以形成覆盖层。即，覆盖层可以在第1电极的外侧与第2电极的外侧同时形成，也可以仅在第1电极的外侧或第2电极的外侧形成。
[0137]
此时，所述覆盖层可以包含根据本发明的覆盖层用化合物，可以单独包含根据本发明的覆盖层用化合物，或包含两种以上或同时包含公知的化合物。
[0138]
进而，所述覆盖层在450nm波长下的折射率可以是2.20以上，具体来讲可以是2.25以上，更具体来讲可以是2.30以上，而在380nm波长下的紫外线吸收强度可以是0.7以上，具体来讲可以是0.8以上或0.9以上。
[0139]
此外，作为所述有机物层，可以包含通常构成发光部的空穴输送层、发光层以及电子输送层，但是并不限定于此。
[0140]
具体来讲，根据本发明的一实现例的有机发光元件，可以在第1电极(阳极，anode)与第2电极(阴极，cathode)之间包含构成如空穴注入层(hil)、空穴输送层(htl)、发光层(eml)、电子输送层(etl)以及电子注入层(eil)等发光部的1层以上的有机物层。
[0141]
图1是对根据本发明的实施例的有机发光元件的构成进行概要性图示的截面图。根据本发明的一实现例的有机发光元件可以以如图1所示的结构进行制造。
[0142]
如图1所示，有机发光元件可以是从下到上依次层叠基板100、第1电极1000、空穴注入层200、空穴输送层300、发光层400、电子输送层500、电子注入层600、第2电极2000以及覆盖层3000的结构。
[0143]
其中，所述基板100可以使用在有机发光元件中通常使用的基板，尤其是可以使用机械强度、热稳定性、透明性、表面平滑性、处理便利性以及防水性优秀的透明玻璃基板或柔性塑料基板。
[0144]
此外，所述第1电极1000作为用于在有机发光元件中注入空穴的空穴注入电极使用。第1电极1000为了实现空穴的注入而使用功函数尽可能低的物质进行制造，可以利用如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)以及石墨烯(graphene)等透明的材质形成。
[0145]
同时，所述空穴注入层200可以通过利用如真空沉积法、旋转涂布法、铸造法、朗缪尔-布洛节塔(lb，langmuir-blodgett)法等方法在第1电极1000的上部对空穴注入层物质进行沉积的方式形成。在通过真空沉积法形成空穴注入层200时，其沉积条件将根据作为空穴注入层200的材料使用的化合物、所需要的空穴注入层200的结构以及热学特性而有所不同，通常可以在50～500℃的沉积温度、10-8
至10-3
托(torr)的真空度、0.01至的沉积速度以及至5μm的层厚范围内适当地进行选择。此外，可以根据需要在空穴注入层
200的表面追加沉积形成电荷产生层。作为电荷产生层物质，可以使用一般的物质，例如可以使用六氰基-六氮杂苯并菲(hatcn)。
[0146]
此外，所述空穴输送层300可以通过利用如真空沉积法、旋转涂布法、铸造法、朗缪尔-布洛节塔(lb)法等方法在空穴注入层200的上部对空穴输送层物质进行沉积的方式形成。在通过所述真空沉积法形成空穴输送层300时，其沉积条件将根据所使用的化合物而有所不同，但是通常是在与空穴注入层200的形成几乎相同的条件范围内选择为宜。所述空穴输送层300可以使用公知的化合物形成。如上所述的空穴输送层300可以是1层以上，而且虽然在图1中并未图示，但是还可以在空穴输送层300的上部追加形成发光辅助层。
[0147]
同时，所述发光层400可以通过利用如真空沉积法、旋转涂布法、铸造法、朗缪尔-布洛节塔(lb)法等方法在空穴输送层300或发光辅助层的上部对发光层物质进行沉积的方式形成。在通过所述真空沉积法形成发光层400时，其沉积条件将根据所使用的化合物而有所不同，但是通常是在与空穴注入层200的形成几乎相同的条件范围内选择为宜。作为所述发光层材料，可以将公知的化合物作为主剂或掺杂剂使用。
[0148]
其中，当在发光层材料中同时使用磷光掺杂剂时，为了防止三重态激子或空穴扩散到电子输送层500的现象，可以在发光层400的上部通过真空沉积法或旋转涂布法追加层叠空穴阻挡材料(hbl)。可使用的空穴阻挡材料并不受到特殊的限定，可以选择使用任意公知的材料。例如，可以使用二唑衍生物或苯三唑衍生物、邻二氮杂菲衍生物或日本特开平11-329734(a1)中记载的空穴阻挡材料等，其中最具代表性的包含balq(双(8-羟基-2-甲基喹啉)-(4-苯基苯氧基)铝)、菲咯啉(phenanthrolines)类化合物(例如：udc公司的bcp(浴铜灵))等。如上所述的本发明的发光层400，可以包含1层以上或2层以上的蓝色发光层。
[0149]
此外，所述电子输送层500形成于发光层400的上部，可以通过如真空沉积法、旋转涂布法、铸造法等方法形成。所述电子输送层500的沉积条件将根据所使用的化合物而有所不同，但是通常是在与空穴注入层200的形成几乎相同的条件范围内选择为宜。
[0150]
进而，所述电子注入层600可以通过在所述电子输送层500的上部对电子注入层物质进行沉积的方式形成，可以通过如真空沉积法、旋转涂布法、铸造法等方法形成。
[0151]
同时，所述第2电极2000作为电子注入电极使用，可以在所述电子注入层600的上部通过真空沉积法或旋转涂布法等方法形成。作为所述第2电极2000的材料，可以使用多种金属。作为具体的实例，包含如铝、金、银、镁等物质，但是并不限定于此。
[0152]
本发明的有机发光元件，不仅可以使用如上所述的包含覆盖层3000、第1电极1000、空穴注入层200、空穴输送层300、发光层400、电子输送层500、电子注入层600、第2电极2000以及覆盖层3000的有机发光元件，还可以使用多种结构的有机发光元件，也可以根据需要追加包含1层或2层的中间层。
[0153]
此外，通过本发明形成的各个有机物层的厚度可以根据所需要的程度进行调节，具体来讲可以是10至1000nm，更具体来讲可以是20至150nm。
[0154]
所述覆盖层3000如图1所示，可以在所述第1电极1000的两侧面中没有形成空穴注入层200的外侧面形成。此外，还可以在所述第2电极2000的两侧面中没有形成电子注入层600的外侧面形成，但是并不限定于此。如上所述的覆盖层3000可以通过沉积工程形成，覆盖层3000的厚度可以是100至更具体来讲可以是300至通过如上所述的厚度调节方式，可以防止覆盖层3000的透过率下降的问题。
[0155]
此外，虽然在图1中并没有进行图示，但是根据本发明的一实现例，在覆盖层3000与第1电极1000之间或覆盖层3000与第2电极2000之间可以追加形成用于起到各种功能的有机物层。或者，在覆盖层3000的上部(外侧表面)也可以追加形成用于起到各种功能的有机物层，但是并不限定于此。
[0156]
接下来，将通过根据本发明的一实施例的化合物的合成例以及有机发光元件的实施例对本发明进行更为详细的说明。下述合成例以及实施例只是用于对本发明进行例示，本发明的范围并不限定于下述例示。
[0157]
《合成例1》化合物11的合成
[0158][0159]
在圆底烧瓶中注入80ml的甲苯，并在其中溶解2.0g的3-(4-溴苯基)异喹啉(3-(4-bromophenyl)isoquinoline)、2.4g的n4,n4'-二苯基-[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺(n4,n4'-diphenyl-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine)、1.0g的t-buona、0.3g的pd2(dba)3、0.3ml的(t-bu)3p之后进行了回流搅拌。利用薄层色谱法(tlc)对反应进行程度进行确认并在添加水之后结束反应。利用二氯甲烷(mc)提取出有机层并在减压过滤之后进行重结晶，从而获得3.5g的化合物11(收率为67％)。
[0160]
m/z：742.31(100.0％)、743.31(59.9％)、744.32(17.0％)、745.32(3.2％)
[0161]
《合成例2》化合物47的合成
[0162][0163]
按照与合成例1相同的方法执行，其中利用3-(4-溴苯基)喹啉(3-(4-bromophenyl)quinoline)替代3-(4-溴苯基)异喹啉(3-(4-bromophenyl)isoquinoline)合成出了化合物47(收率为64％)。
[0164]
m/z：742.31(100.0％)、743.31(59.9％)、744.32(17.0％)、745.32(3.2％)
[0165]
《合成例3》化合物54的合成
[0166]
[0167]
按照与合成例1相同的方法执行，其中利用3-(4-溴苯基)喹啉(3-(4-bromophenyl)quinoline)以及n4,n4
”‑
二苯基-[1,1':4',1
”‑
三联苯]-4,4
”‑
二胺(n4,n4
”‑
diphenyl-[1,1':4',1
”‑
terphenyl]-4,4
”‑
diamine)替代3-(4-溴苯基)异喹啉(3-(4-bromophenyl)isoquinoline)以及n4,n4'-二苯基-[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺(n4,n4'-diphenyl-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine)合成出了化合物54(收率为60％)。
[0168]
m/z：818.34(100.0％)、819.34(66.4％)、820.35(21.0％)、821.35(4.4％)
[0169]
《合成例4》化合物56的合成
[0170][0171]
在圆底烧瓶中注入120ml的甲苯，并在其中溶解3.0g的4'-溴-n,n-二苯基-[1,1'-联苯]-4-胺(4'-bromo-n,n-diphenyl-[1,1'-biphenyl]-4-amine)、3.2g的双(4-(喹啉-3-基)苯基)胺(bis(4-(quinolin-3-yl)phenyl)amine)、1.1g的t-buona、0.3g的pd2(dba)3、0.3ml的(t-bu)3p之后进行了回流搅拌。利用薄层色谱法(tlc)对反应进行程度进行确认并在添加水之后结束反应。利用二氯甲烷(mc)提取出有机层并在减压过滤之后进行重结晶，从而获得3.4g的化合物56(收率为61％)。
[0172]
m/z：742.31(100.0％)、743.31(59.9％)、744.32(17.0％)、745.32(3.2％)
[0173]
《合成例5》化合物119的合成
[0174][0175]
按照与合成例1相同的方法执行，其中利用6-(4-溴苯基)异喹啉(6-(4-bromophenyl)isoquinoline)替代3-(4-溴苯基)异喹啉(3-(4-bromophenyl)isoquinoline)合成出了化合物119(收率为68％)。
[0176]
m/z：742.31(100.0％)、743.31(59.9％)、744.32(17.0％)、745.32(3.2％)
[0177]
《合成例6》化合物83的合成
[0178][0179]
按照与合成例1相同的方法执行，其中利用6-(4-溴苯基)喹啉(6-(4-bromophenyl)quinoline)替代3-(4-溴苯基)异喹啉(3-(4-bromophenyl)isoquinoline)合成出了化合物83(收率为65％)。
[0180]
m/z：742.3096(100.0％)、743.3130(58.4％)、744.3164(16.7％)、745.3197(3.1％)、743.3067(1.5％)
[0181]
《合成例7》化合物227的合成
[0182][0183]
按照与合成例1相同的方法执行，其中利用2-(4-溴苯基)喹啉(2-(4-bromophenyl)quinoline)替代3-(4-溴苯基)异喹啉(3-(4-bromophenyl)isoquinoline)合成出了化合物227(收率为62％)。
[0184]
m/z：742.31(100.0％)、743.31(59.9％)、744.32(17.0％)、745.32(3.2％)
[0185]
有机发光元件的制造
[0186]
图1是对一般的有机发光元件的结构进行图示的示意图，作为本发明的示例，在图1所图示的有机发光元件的结构的基础上，在空穴注入层200与空穴输送层300之间追加导入了电荷产生层(未图示)，并在电子输送层500与阴极2000之间追加导入了电子注入层(未图示)。具体来讲，所制造出的有机发光元件从下到上依次以阳极(空穴注入电极1000)/空穴注入层200/电荷产生层(未图示)/空穴输送层300/发光层400/电子输送层500/电子注入层600/阴极(电子注入电极2000)/覆盖层3000的顺序依次层叠形成。
[0187]
在制造有机发光元件时，基板10可以是透明的玻璃基板或柔性的塑料机板。
[0188]
空穴注入电极1000作为用于在有机发光元件中注入空穴的阳极使用。为了实现空穴的注入而使用功函数尽可能低的物质，可以利用如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)以及石墨烯(graphene)等透明的材质形成。
[0189]
在空穴注入层200、电荷生成层、空穴输送层300、发光层400、电子输送层500、电子注入层600中适用了如下述表1所示的物质。
[0190]
此外，在电子注入层600的上侧形成了用于注入电子的阴极2000。作为阴极，可以使用多种金属。作为具体的实例，包含如铝、金、银等物质。
[0191]
【表1】
[0192][0193]
《实施例1》
[0194]
利用蒸馏水超声波对形成有含银(ag)的反射层的氧化铟锡(ito)基板进行了洗涤。在完成蒸馏水洗涤之后，利用异丙醇、丙酮、甲醇等溶剂执行了超声波洗涤并干燥。接下来，在氧化铟锡(ito)基板上部利用热真空蒸镀机(thermal evaporator)制膜形成作为空穴注入层的的hi01、作为电荷产生层的的hatcn以及作为空穴输送层的的ht01，接下来，在主体bh01中，将掺杂剂bd01以3重量％进行掺杂而制膜形成的发光层。接下来，利用et01以及liq(1:1，wt./wt.)的混合物制膜形成的电子输送层，接下来在利用lif沉积形成厚度的电子注入层之后，利用mgag沉积形成15nm的阴极。在所述阴极上侧作为覆盖层沉积形成厚度的通过合成例1制造出的化合物。通过将所述元件在手套箱中进行封装(encapsulation)而制造出了有机发光元件。
[0195]
《实施例2》至《实施例7》
[0196]
按照与所述实施例1相同的方法进行制造，并分别利用通过合成例2至合成例7制造出的化合物沉积形成覆盖层而制造出了有机发光元件。
[0197]
《比较例1》以及《比较例2》
[0198]
按照与所述实施例1相同的方法执行，其中分别利用下述表2所示的比较化合物1以及比较化合物2沉积形成覆盖层而制造出了有机发光元件。
[0199]
【表2】
[0200][0201]
《试验例1》有机发光元件的性能评估
[0202]
通过向吉时利2400源测量单元(kiethley 2400 source measurement unit)加载电压而注入电子以及空穴并利用柯尼卡美能达(konica minolta)分光辐射亮度计(cs-2000)对放射出光线时的亮度进行测定，从而在大气压条件下对通过所述实施例1至实施例7以及比较例1至比较例2的有机发光元件的性能即相对于加载电压的电流密度以及亮度进行了评估，其结果如表3所示。
[0203]
【表3】
[0204] op.vma/cm2cd/aciexcieylt97实施例13.65107.650.1390.045175实施例23.65107.630.1400.044170实施例33.64107.690.1400.044172实施例43.65107.650.1390.045174实施例53.65107.590.1390.045169实施例63.66107.460.1390.047152实施例73.65107.600.1390.045169比较例13.67106.820.1300.06183比较例23.66106.690.1320.054111
[0205]
对本发明的实施例进行对照可以发现，实施例的有机发光元件可以实现较低的驱动电压，而且其发光效率以及使用寿命也得到了显著改善。
[0206]
具体来讲，根据本发明的实施例的有机发光元件在覆盖层中包含如喹啉等稠合双环杂芳基通过非直接结合的连接基结合到母核即2个胺基的结构的化学式1的化合物，从而可以提升分子的分极率，同时还可以提升折射率以及紫外线区域的吸收波长，因此可以有效地改善有机发光元件的效率以及使用寿命。
[0207]
此外，所述化学式1的化合物可以通过形成较高的玻璃化转变温度(tg)而稳定地形成薄膜，因此将其包含到覆盖层中的实施例的有机发光元件与比较例1以及比较例2的有
机发光元件相比，其色纯度较高且改善元件的效率以及使用寿命的效果更佳优秀。
[0208]
《试验例2》折射率评估
[0209]
分别利用在实施例1、实施例2以及实施例4中形成覆盖层时所使用的合成例1(化合物11)、合成例2(化合物47)以及合成例4(化合物56)和在比较例1以及比较例2中使用的比较化合物1以及比较化合物2，在硅基板上利用真空沉积装置制造出厚度为30nm的沉积膜，然后利用椭圆偏振仪装置(j.a.woollam co.inc，m-2000x)对在450nm波长下的折射率进行了测定。其结果如下述表4所示。
[0210]
【表4】
[0211]
@450nm比较化合物1比较化合物2化合物11化合物47化合物56折射率，n2.012.072.302.282.30
[0212]
如上述表4所示，可以确认根据本发明的化合物的折射率可以呈现出2.2以上、具体来讲为2.25以上、最高为2.30以上的高折射率。如上所述，因为根据本发明的化合物可以呈现出高折射率，因此在适用于覆盖层时可以实现外部量子效率以及使用寿命等得到显著提升的有机发光元件。
[0213]
《试验例3》紫外线吸收强度评估
[0214]
分别利用在实施例1以及实施例3中形成覆盖层时所使用的合成例1(化合物11)以及合成例3(化合物54)和在比较例1以及比较例2中使用的比较化合物1以及比较化合物2，在硅基板上利用真空沉积装置制造出厚度为30nm的沉积膜，然后利用椭圆偏振仪装置(j.a.woollam co.inc，m-2000x)对在340nm～460nm波长下的吸收波长进行了测定。其结果如图2所示。
[0215]
如图2所示，可以确认根据本发明的化合物在紫外线区域380nm波长基准下的吸收强度为0.8以上，具体来讲为0.9以上，与比较化合物以及比较化合物2相比其吸收强度提升了30％以上，具体来讲提升了50％以上。如上所述，根据本发明的化合物呈现出紫外线区域的吸收波长提升效果，因此在适用于覆盖层时，可以实现具有高色纯度、高效率以及长使用寿命的有机发光元件。