半导体结构和半导体结构的制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：字线；位于所述字线两侧的第一位线和第二位线以及第一存储结构和第二存储结构，所述第一位线和所述第二位线通过晶体管分别与所述第一存储结构和所述第二存储结构相连；所述第一位线的延伸方向与所述字线的延伸方向的夹角为锐角或钝角。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述晶体管为垂直晶体管，且所述晶体管包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的两端分别与所述第一位线和所述第一存储结构相连，所述第二晶体管的两端分别与所述第二位线和所述第二存储结构相连。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一位线和所述第二存储结构位于所述晶体管的一侧，所述第二位线和所述第一存储结构位于所述晶体管的另一侧。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，与同一所述字线连接的相邻所述晶体管分别与所述第一存储结构和所述第二存储结构连接。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，连接所述第一存储结构的所述晶体管与连接所述第二存储结构的所述晶体管交错排列。6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，连接所述第一存储结构的所述晶体管对齐排列，连接所述第二存储结构的所述晶体管对齐排列。7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第一存储节点接触和第二存储节点接触；所述第一存储结构通过所述第一存储节点接触与所述晶体管的源极或漏极连接，所述第二存储结构通过所述第二存储节点接触与所述晶体管的源极或漏极连接。8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第一存储节点接触与所述第二位线在同一层上，所述第二存储节点接触与所述第一位线在同一层上。9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第一位线节点接触和第二位线节点接触；所述第一位线通过所述第一位线节点接触与所述晶体管的源极或漏极连接，所述第二位线通过所述第二位线节点接触与所述晶体管的源极或漏极连接。10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一位线的延伸方向和所述第二位线的延伸方向相同。11.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一位线的延伸方向、所述第二位线的延伸方向和所述字线的延伸方向的夹角互为60度。12.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底上形成第一存储结构；在所述第一存储结构上形成第二位线；在所述第二位线上形成晶体管和字线，所述晶体管包括源极、漏极以及沟道区，所述晶体管的所述沟道区与所述字线相连；在所述晶体管和所述字线上形成第一位线；在所述第一位线上形成第二存储结构；其中，所述第一位线和所述第二位线通过所述晶体管分别与所述第一存储结构和所述第二存储结构相连；所述第一位线的延伸方向与所述字线的延伸方向的夹角为锐角或钝角。13.根据权利要求12所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述第一存储结
构后，还形成第一存储节点接触；以及形成所述第二存储结构前，还形成第二存储节点接触。14.根据权利要求12所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述第一位线的步骤包括：在所述晶体管和所述字线上形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层上形成第一沟槽，在所述第一沟槽中形成第一位线；形成所述第二位线的步骤包括：在所述第一存储结构上形成第二绝缘层，在所述第二绝缘层上形成第二沟槽，在所述第二沟槽中形成第二位线。15.根据权利要求12所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述字线的步骤包括：在所述晶体管一端的源极或漏极上形成半导体柱；在所述半导体柱的侧壁上形成栅介质层；在所述栅介质层外围形成所述字线，所述字线暴露所述半导体柱另一端的侧壁和顶部。16.根据权利要求15所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述晶体管另一端的所述源极或所述漏极的步骤包括：填充所述字线以及所述半导体柱间的间隙，形成隔离层，所述隔离层露出所述半导体柱的顶部；在被露出的所述半导体柱的顶部进行离子注入，形成所述晶体管另一端的所述源极或所述漏极。

技术总结
本发明实施例提供一种半导体结构及半导体结构的制作方法，包括：字线；位于字线两侧的第一位线和第二位线以及第一存储结构和第二存储结构，第一位线和第二位线通过晶体管分别与第一存储结构和第二存储结构相连，第一位线的延伸方向与字线的延伸方向的夹角为锐角或钝角。如此，字线两侧具有第一存储结构和第二存储结构，能够增大存储容量；字线的延伸方向与第一位线的延伸方向呈锐角或钝角的夹角，能够增大第一存储结构之间的间距，进而提高工艺窗口，增加产品良率。增加产品良率。增加产品良率。


技术研发人员：朱煜寒 廖楚贤 应战
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2020.09.14
技术公布日：2022/3/14