一种发光基板、显示装置及制作方法与流程

1.本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光基板、显示装置及制作方法。


背景技术：

2.mini/micro led发光基板对金属走线的电阻有较高要求，故常用铜金属作为配线材料。在发光基板的制作过程中，需要分别进行mini/micro led绑定、柔性印刷电路板或集成电路绑定。


技术实现要素：

3.本发明的实施例提供一种发光基板、显示装置及制作方法，该发光基板能够避免因绑定发光区的发光单元导致绑定区的走线发生氧化的问题，从而保证后续电路板的绑定质量，进而提高产品良率。
4.为达到目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
5.第一方面，提供了一种发光基板，包括绑定区和发光区；
6.所述绑定区包括多个第一焊盘，所述多个第一焊盘用于与电路板绑定连接；所述多个第一焊盘中的任一个包括层叠设置的第一金属子层和第一导电子层；所述第一金属子层的材料包括金属或者金属合金；所述第一导电子层具有抗氧化性、且覆盖所述第一金属子层；
7.所述发光区包括多个第二焊盘，所述多个第二焊盘用于与多个发光单元绑定连接。
8.可选的，所述发光基板还包括衬底，所述第一导电子层相对于所述第一金属子层位于远离所述衬底的一侧，所述第一导电子层的材料包括金属氧化物或者金属合金。
9.可选的，所述第一金属子层的材料包括铜，所述第一导电子层的材料包括氧化铟锌或者氧化铟锡。
10.可选的，所述多个第二焊盘中的任一个包括第二金属子层，所述第二金属子层与所述第一金属子层同层设置。
11.可选的，所述绑定区还包括第一连接部和第一平坦层，所述第一连接部相对于所述第一导电子层位于远离所述衬底的一侧，所述第一平坦层覆盖所述多个第一焊盘之间的区域；
12.所述发光区还包括第二连接部和第二平坦层，所述第二连接部相对于所述第二金属子层位于远离所述衬底的一侧，所述第二平坦层覆盖所述多个第二焊盘之间的区域；
13.其中，所述第一平坦层和所述第二平坦层同层设置。
14.可选的，所述第一金属子层的材料包括铜或含钼的合金，所述第一导电子层的材料包括含铜镍的合金。
15.可选的，所述多个第二焊盘中的任一个包括层叠设置的第二金属子层和第二导电子层，所述第二导电子层相对于所述第二金属子层位于远离所述衬底的一侧；其中，所述第
二金属子层与所述第一金属子层同层设置，所述第二导电子层与所述第一导电子层同层设置。
16.可选的，所述绑定区还包括第一连接部、以及层叠设置的第一保护层和第一平坦层，所述第一连接部位于所述第一导电子层中远离所述衬底的一侧，所述第一平坦层位于所述第一保护层中远离所述衬底的一侧、且覆盖所述多个第一焊盘之间的区域；
17.所述发光区还包括第二连接部、以及层叠设置的第二保护层和第二平坦层，所述第二连接部位于所述第二导电子层中远离所述衬底的一侧，所述第二保护层覆盖所述多个第二焊盘之间的区域，所述第二平坦层位于所述第二保护层中远离所述衬底的一侧；
18.其中，所述第一保护层和所述第二保护层同层设置，所述第一平坦层和所述第二平坦层同层设置。
19.可选的，所述发光基板还包括衬底；
20.所述多个第一焊盘面向所述衬底的表面露出以用于绑定所述电路板；所述多个第二焊盘远离所述衬底的表面露出以用于绑定所述发光单元。
21.可选的，所述多个第二焊盘分为多组第二焊盘，每组所述第二焊盘包括成对设置的阴极焊盘和阳极焊盘；
22.所述发光基板还包括衬底、第一走线、与所述多个第二焊盘同层设置的第二走线、以及第三平坦层，其中，所述第一走线相对于所述第二走线靠近所述衬底设置，所述第三平坦层相对于所述第二走线靠近所述衬底设置、且覆盖所述第一走线；
23.所述第一走线与所述多个第一焊盘中的至少一个电连接，用于传输所述电路板提供的电信号；
24.所述第二走线用于实现多组所述第二焊盘的串联连接或者并联连接，且还用于通过贯穿所述第三平坦层的过孔与所述第一走线电连接。
25.第二方面，提供了一种显示装置，包括：上述发光基板、电路板和多个发光单元；
26.所述电路板与所述发光基板的多个第一焊盘电连接，所述多个发光单元与所述发光基板的多个第二焊盘电连接。
27.第三方面，提供了一种显示装置的制作方法，包括：
28.形成上述的发光基板；
29.绑定多个发光单元和所述发光基板的多个第二焊盘；
30.绑定电路板和所述发光基板的多个第一焊盘。
31.本发明的实施例提供了一种发光基板、显示装置及制作方法，包括绑定区和发光区；所述绑定区包括多个第一焊盘，所述多个第一焊盘用于与电路板绑定连接；所述多个第一焊盘中的任一个包括层叠设置的第一金属子层和第一导电子层；所述第一金属子层的材料包括金属或者金属合金；所述第一导电子层具有抗氧化性、且覆盖所述第一金属子层；所述发光区包括多个第二焊盘，所述多个第二焊盘用于与多个发光单元绑定连接。该发光基板中，由于绑定区的第一焊盘包括第一金属子层和第一导电子层，而第一导电子层具有抗氧化性、且覆盖第一金属子层；那么，该发光基板的制作过程中，在发光区将发光单元与第二焊盘连接时，绑定区的第一导电子层不会发生氧化，从而保证后续电路板的绑定质量，进而提高产品良率。
附图说明
32.为了更清楚地说明本发明实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
33.图1为本发明实施例提供的一种发光基板的局部结构示意图；
34.图2为沿图1的aa'方向的一种截面示意图；
35.图3为在图2的基础上形成发光二极管和封装层之后的结构示意图；
36.图4-7为本发明实施例提供的另一种显示装置的制作流程结构示意图；
37.图8-9为本发明实施例提供的再一种显示装置的制作流程结构示意图；
38.图10-13为本发明实施例提供的又一种显示装置的制作流程结构示意图；
39.图14-20为本发明实施例提供的又一种显示装置的制作流程结构示意图。
具体实施方式
40.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
41.在本发明的实施例中，采用“第一”、“第二”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分，仅为了清楚描述本发明实施例的技术方案，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
42.在本发明的实施例中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
43.在本发明的实施例中，术语“上”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
44.mini-led(亚毫米发光二极管)是指尺寸在80～300um之间的发光二极管。在mini-led作为显示面板的像素点构成自发光显示器时，相比于小间距led显示器，可以实现更高的像素密度。在mini-led作为光源应用在背光模组中时，可以通过更加密集的光源排布来制作超薄的光源模组；再配合区域调光技术，使得包括mini-led背光模组的显示屏将有更好的对比度和高动态光照渲染显示效果。而尺寸小于80um的micro led微型发光二极管，可以直接作为近眼、穿戴、手持终端等显示面板的像素点。
45.本技术中所述的发光基板，可以指用作提供光源的基板，也可以指用于显示的基板，对比不做限定。
46.相关技术中，为了完成mini/micro led与发光基板的绑定，需要在发光基板上待与mini/micro led电气连接的焊盘上设置锡膏，接着将mini/micro led转移到发光基板上对应的位置，然后在230℃-260℃的温度范围内通过回流焊方式完成mini/micro led与发光基板的固定。接着，在130℃-150℃的温度范围内使用热压方式将电路板绑定在发光基板待与电路板电气连接的焊盘上。
47.发明人发现，由于绑定mini/micro led和电路板到发光基板需要使用不同的工艺条件，无法同步实现二者的绑定，因而在其中一者进行绑定时，与另外一者对应的发光基板上的焊盘处的金属极易发生氧化，进而导致后续无法保证良好的电气连接，从而降低产品良率。
48.本发明实施例提供了一种发光基板，发光基板可以被配置为用于显示或提供背光，包括绑定区和发光区。
49.参考图2和图6所示，绑定区oa包括多个第一焊盘1，多个第一焊盘用于与电路板绑定连接；多个第一焊盘中的任一个包括层叠设置的第一金属子层11和第一导电子层12；第一金属子层的材料包括金属或者金属合金；第一导电子层具有抗氧化性、且覆盖第一金属子层。
50.发光区ob包括多个第二焊盘，多个第二焊盘用于与多个发光单元绑定连接。
51.第一金属子层的材料包括金属，例如：铜、铝、钼、钛等。考虑到铜的电阻率低，导电性强，优选铜制作第一金属子层；此时，第一导电子层的材料可以是金属氧化物或者金属合金，例如金属氧化物可以是氧化铟锌(izo)或者氧化铟锡(ito)。若第一金属子层的材料包括金属合金，例如：含钼的合金；此时，第一导电子层的材料可以是金属合金，示例的，该金属合金是含铜合金，例如含铜镍的合金。第一导电子层具有抗氧化性和导电性，从而能够避免在制作发光基板的过程中出现氧化的问题。从而第一导电子层可以起到保护第一金属子层的作用，避免在制作发光基板的过程中第一金属子层发生氧化。
52.第二焊盘的具体结构不做限定，可以根据实际要求确定。
53.本公开提供的实施例中，发光基板可以为显示发光基板或可以为背光发光基板。若为显示发光基板，则发光区ob构成显示区，以实现显示画面。若为背光发光基板，则发光区ob用于提供光源。
54.这里对于发光基板包括的发光区的发光颜色不做限定；发光区可以是红色发光区、绿色发光区或者蓝色发光区中的任一种。该发光基板可以同时包括红色发光区、绿色发光区或者蓝色发光区三种发光颜色的发光区；当然，也可以仅包括一种发光颜色的发光区，例如：仅包括多个红色发光区，或者仅包括多个绿色发光区，或者仅包括多个蓝色发光区。具体可以根据实际要求确定。
55.多个发光区的控制方式不做限定，示例的，可以独立控制每个发光区，或者多个发光区被同时控制等。
56.本公开提供的实施例中，如图3和图7所示，发光基板还可以包括衬底7、以及形成在衬底7之上的多个发光单元，发光单元可以包括如图7或者图3所示的发光二极管6。其中，衬底的材料可以是刚性材料，如玻璃；还或者是柔性材料，如聚酰亚胺。
57.需要说明的是，由于发光二极管包括阳极和阴极，因此一个发光二极管需要通过两个第二焊盘完成绑定。上述多个第二焊盘可以分为多组第二焊盘，每组第二焊盘用于绑定一个发光二极管、且包括成对设置的阴极焊盘和阳极焊盘，其中与发光二极管的阴极绑定的第二焊盘称为阴极焊盘，与发光二极管的阳极绑定的第二焊盘称为阳极焊盘。本发明实施例的附图中，为了明确区分阴极焊盘和阳极焊盘，采用不同标记说明，具体的，参考图1和图2所示，阴极焊盘标记为2'，阳极焊盘标记为2，但是两者包括的膜层结构相同。
58.上述发光基板中多个第一焊盘和多个第二焊盘的分布结构和连接方式不做限定。
示例的，参考图1所示，区域oa为绑定区，区域ob为发光区，多个第二焊盘可以分为多组第二焊盘，每组第二焊盘用于绑定一个发光二极管、且包括成对设置的阴极焊盘2'和阳极焊盘2。相邻两组的第二焊盘通过走线81串联；串联的两组第二焊盘中，其中一组的阳极焊盘与一条走线82连接、并通过过孔4与阳极走线51电连接，阳极走线51通过过孔(图1未示出)与一个第一焊盘1电连接；另一组的阴极焊盘与另一条走线82连接、并通过另一过孔4与阴极走线52电连接，阴极走线52通过过孔(图1未示出)与另一第一焊盘1电连接。图1中，阴极焊盘2'、阳极焊盘2、第一焊盘1、走线81和走线82同层设置，采用相同的填充图案；阳极走线51和阴极走线52同层设置，采用相同的填充图案。
59.图2为图1中沿aa'方向的一种截面示意图，图6为图1中沿aa'方向的另一种截面示意图，图3是在图2基础上形成发光二极管6和封装层9之后的结构示意图。图7是在图6基础上形成发光二极管6和封装层9之后的结构示意图。
60.可以理解的是，本技术不对发光基板的驱动方式进行限定，可以如图1所示，发光基板采用无源的方式驱动发光单元，或者，也可以通过包括薄膜晶体管的驱动电路向发光单元提供信号，或者，还可以通过微型芯片向发光单元提供信号。
61.本发明的实施例提供了一种发光基板，该发光基板中，由于绑定区的第一焊盘包括第一金属子层和第一导电子层，而第一导电子层具有抗氧化性、且覆盖第一金属子层；那么，该发光基板的制作过程中，在发光区将发光单元与第二焊盘绑定连接时，绑定区的第一导电子层不会发生氧化，从而保证后续电路板的绑定质量，进而提高产品良率。
62.可选的，参考图2和图6所示，该发光基板包括衬底7，第一导电子层12相对于第一金属子层11位于远离衬底7的一侧，第一导电子层的材料包括金属氧化物或者金属合金。
63.可选的，第一金属子层的材料包括铜，第一导电子层的材料包括氧化铟锌或者氧化铟锡。考虑到氧化铟锌具有更好的导电性和更低的电阻率，一般多采用氧化铟锌制作第一导电子层，以避免在制作发光基板的过程中采用铜制作的第一金属子层发生氧化。
64.进一步可选的，参考图6所示，多个第二焊盘中的任一个包括第二金属子层21，第二金属子层21与第一金属子层11同层设置。
65.同层设置是指采用一次构图工艺制作。一次构图工艺是指经过一次成膜和光刻工艺形成所需要的图案。一次构图工艺包括成膜、曝光、显影、刻蚀和剥离等工艺。第二金属子层与第一金属子层同层设置，从而可以降低构图工艺的次数，简化制作工艺，大幅降低生产成本。
66.需要说明的是，制作如图6所示的显示基板时，可以先制作如图4所示的显示基板。图4中，第二焊盘包括第二金属子层21和第二导电子层22，其中，第二金属子层与第一金属子层同层设置，第二导电子层与第一导电子层同层设置。本公开提供的实施例中，第一金属子层的材料包括铜，第一导电子层的材料包括氧化铟锌或者氧化铟锡。而第二金属子层与第一金属子层同层设置，第二导电子层与第一导电子层同层设置，则第二金属子层的材料包括铜，第二导电子层的材料包括氧化铟锌或者氧化铟锡。那么，后续若采用回流焊工艺完成发光单元与发光基板的绑定，则需要在发光单元和发光基板的第二焊盘之间设置锡膏。由于氧化铟锌或氧化铟锡无法与锡膏实现良好可固定的接触界面，而第二导电子层的材料包括氧化铟锌或者氧化铟锡，因此不能在第二导电子层上直接设置锡膏，而需要将第二焊盘中的第二导电子层去除，以露出第二金属子层，从而得到如图6所示的显示基板。第二金
属子层的材料包括铜，铜可以与锡膏固晶，从而通过回流焊固晶工艺将发光单元绑定至第二金属子层。而电路板一般通过热固化胶，采用热压方式与第一导电子层绑定，无需将第一导电子层中用于与电路板绑定的部分去除。
67.另外，第一金属子层和第二金属子层的材料包括铜，为了增大铜的附着力，降低制作难度，第一焊盘还可以包括第一缓冲子层，第一金属子层位于第一缓冲子层之上；第二焊盘还可以包括第二缓冲子层，第二金属子层位于第二缓冲子层之上；第一缓冲子层和第二缓冲子层同层设置，材料可以是含钼的合金，例如：钼钛镍合金。
68.该发光基板中，由于绑定区的第一焊盘包括第一金属子层和第一导电子层，而第一导电子层具有抗氧化性、且覆盖第一金属子层；那么，发光基板的制作过程中，在发光区绑定发光单元和第二金属子层时，绑定区的第一金属子层由于受到第一导电子层的保护，不会发生氧化，从而保证后续电路板的绑定质量，进而提高产品良率。
69.进一步可选的，参考图2-9所示，绑定区oa还包括第一连接部(未示出)和第一平坦层14，第一连接部相对于第一导电子层位于远离衬底的一侧，第一平坦层覆盖多个第一焊盘之间的区域，并露出第一焊盘和第二焊盘的表面。
70.发光区ob还包括第二连接部(如图7中的10)和第二平坦层24，第二连接部相对于第二金属子层位于远离衬底的一侧，第二平坦层覆盖多个第二焊盘之间的区域。
71.其中，第一平坦层和第二平坦层同层设置，可以形成一体结构。
72.第一平坦层和第二平坦层可以分别对第一走线层和第二走线层起到保护作用，同时起到平坦作用，以利于后续工艺，其材料可以是有机材料，例如：树脂(resin)。
73.第一连接部的材料可以是热固化胶，第二连接部的材料可以是锡膏、铜膏等。
74.相关技术中，如图20所示，第二树脂层105和薄铜层103之间还设置有氮氧化硅(sion)绝缘层104。但是在本发明实施例提供的发光基板中，由于第一金属子层上方设置有第二导电子层，对第二金属子层起到很好的保护作用，因此，发光基板去掉了原有制程的氮氧化硅绝缘层，从而省去了原有工艺中pecvd(plasma enhanced chemical vapor deposition，等离子体增强化学气相沉积法)工艺和氮氧化硅刻蚀工艺，简化了原有工艺流程，降低了制造成本。
75.需要说明的是，参考图7所示，发光基板还可以包括位于覆盖发光单元6的封装层9，以起到保护和封装作用，该封装层的材料可以是硅胶。
76.为了便于驱动，发光基板还可以包括位于衬底之上的第一走线、与第二焊盘同层设置的第二走线。参考图1所示，第一走线包括阳极走线51和阴极走线52，第二走线包括走线81和走线82。参考图6所示，走线82包括第三金属子层83和第三导电子层84，第三金属子层83和第二金属子层21相连，图6中用虚线分开。
77.参考图6所示，阳极走线51可以仅包括一层结构；或者，还可以包括依次层叠设置的第一钼钛镍合金子层、铜子层和第二钼钛镍合金子层。为了减少压降(irdrop)，铜子层采用厚铜(相比第一导电子层的铜厚度而言)，铜的厚度与mini-led背板的产品尺寸相关，尺寸越大，所需的铜厚度越大。可以采用溅射工艺依次制作第一钼钛镍合金子层、铜子层、第二钼钛镍合金子层，第二钼钛镍合金子层可以保护铜子层，防止铜子层表面氧化。
78.进一步的，为了保护和绝缘第一走线，参考图6所示，发光基板还可以包括覆盖第一走线的第三平坦层33，第一焊盘1和第二焊盘2位于第三平坦层33之上，第三平坦层的材
料可以是有机材料，例如：树脂。参考图6所示，第一金属子层11和第三金属子层83通过贯穿第三平坦层33的过孔(图6未示出)分别与阳极走线51电连接。
79.本公开提供的实施例中，第一金属子层的材料包括铜或含钼的合金，第一导电子层的材料包括含铜镍的合金。
80.若第一金属子层的材料包括铜，为了增大铜的附着力，降低制作难度，第一焊盘还可以包括第一缓冲子层，第一金属子层位于第一缓冲子层之上。此时，第一焊盘包括第一缓冲子层、第一金属子层(铜层)和第一导电子层(含铜镍的合金层)三层结构。其中，第一缓冲子层的材料可以是含钼的合金，其厚度可以是第一金属子层的厚度范围可以是第一导电子层的厚度范围可以是
81.若第一金属子层的材料包括含钼的合金，此时，参考图2所示，第一焊盘1包括第一金属子层(含钼的合金层)11和第一导电子层(含铜镍的合金层)12两层结构。其中，第一金属子层的厚度可以是第一导电子层的厚度范围可以是
82.第一焊盘具体采用两层结构还是三层结构，需要根据电阻要求确定。
83.第一导电子层的材料包括含铜镍的合金，其铜镍合金的靶材配比可以按照电阻要求和刻蚀情况进行选择。理论上，镍的含量越高，其抗氧化性越强。但是镍具有磁性，镍的含量过高，一方面会增大制作靶材的难度，另一方面，会增大后续图案化的难度，因此镍的配比不能太高。申请人经过大量研究发现，配比范围可以在cu：ni＝70：30～95：5之间选择，在配比范围内，可以确保铜镍合金表面在300℃的温度下不发生氧化。目前cu：ni＝80：20的铜镍合金可以在230
°
的环境下，耐高温半个小时不被氧化。表一为不同配比情况下电阻的差异。
84.表一
85.材料膜厚/a方块电阻(ω/
□
)cu8800.35cuni(70∶30)8005.3cuni(90∶10)38000.4cuni(95∶5)33000.38
86.可选的，参考图2所示，多个第二焊盘中的任一个包括层叠设置的第二金属子层21和第二导电子层22，第二导电子层22相对于第二金属子层21位于远离衬底7的一侧；其中，第二金属子层与第一金属子层同层设置，第二导电子层与第一导电子层同层设置。
87.同层设置是指采用一次构图工艺制作。一次构图工艺是指经过一次成膜和光刻工艺形成所需要的图案。一次构图工艺包括成膜、曝光、显影、刻蚀和剥离等工艺。第二金属子层与第一金属子层同层设置，第二导电子层与第一导电子层同层设置，从而可以降低构图工艺的次数，简化制作工艺，大幅降低生产成本。
88.第二金属子层与第一金属子层同层设置。若第一金属子层的材料包括铜，此时，第二金属子层的材料也包括铜，为了增大铜的附着力，降低制作难度，第二焊盘还可以包括第二缓冲子层，第二金属子层位于第二缓冲子层之上。第二缓冲子层与第一缓冲子层同层设置。此时，第二焊盘包括第二缓冲子层、第二金属子层(铜层)和第二导电子层(含铜镍的合金层)三层结构。若第一金属子层的材料包括含钼的合金，此时，第二金属子层的材料也包
括含钼的合金，第二焊盘包括第二金属子层(含钼的合金层)和第二导电子层(含铜镍的合金层)两层结构。各子层厚度范围可以参考前述第一焊盘包括的各子层厚度范围，这里不再赘述。
89.第二导电子层与第一导电子层同设置，若第一导电子层的材料包括含铜镍的合金，此时，第二导电子层的材料也包括含铜镍的合金，其含铜镍的合金中铜镍的配比范围可以参考前述第一导电子层的相关说明，这里不再赘述。
90.该发光基板中，由于绑定区的第一焊盘包括第一金属子层和第一导电子层，而第一导电子层具有抗氧化性、且覆盖第一金属子层；那么，发光基板的制作过程中，在发光区绑定发光单元和第二导电子层时，若第一金属子层的材料包括铜，则第一导电子层对第一金属子层起到保护作用，从而避免第一金属子层发生氧化；若第一金属子层的材料包括含钼的合金，第一导电子层的材料包括含铜镍的合金，第一导电子层具有抗氧化性，不会发生氧化。综上，两种情况均可以避免在发光区绑定发光单元和第二导电子层时，绑定区的第一走线层发生氧化；从而保证后续电路板的绑定质量，进而提高产品良率。
91.进一步可选的，参考图2所示，绑定区oa还包括第一连接部(图4未示出)、以及层叠设置的第一保护层13和第一平坦层14，第一连接部位于第一导电子层中远离衬底的一侧，第一平坦层位于第一保护层中远离衬底的一侧、且覆盖多个第一焊盘之间的区域。
92.参考图2所示，发光区ob还包括第二连接部(图3标记为10)、以及层叠设置的第二保护层23和第二平坦层24，第二连接部位于第二导电子层中远离衬底的一侧，第二保护层覆盖多个第二焊盘之间的区域，第二平坦层位于第二保护层中远离衬底的一侧。
93.其中，第一保护层和第二保护层同层设置，可以形成一体结构；第一平坦层和第二平坦层同层设置，可以形成一体结构。
94.第一保护层和第二保护层同层设置，其材料可以是氮氧化硅、氮化硅等；第一平坦层和第二平坦层同层设置，其材料可以是有机材料，例如：树脂，用于平坦化，以利于后续工艺。
95.第一连接部的材料可以是热固化胶，第二连接部的材料可以是锡膏、铜膏等。
96.发光基板还可以包括位于衬底之上的第一走线、与第二焊盘同层设置的第二走线。参考图1所示，第一走线包括阳极走线51和阴极走线52，第二走线包括走线81和走线82。参考图2所示，走线82包括第三金属子层83和第三导电子层84，第三金属子层83和第二金属子层21相连，图6中用虚线分开。
97.参考图2所示，第一走线中，阳极走线51可以仅包括一层结构；或者，还可以包括依次层叠设置的第一钼合金子层和铜子层。进一步的，为了避免铜子层发生氧化，参考图2所示，发光基板还可以包括覆盖走线51的第三保护层34，第三保护层的材料可以是氮氧化硅、氮化硅等。更进一步的，为了平坦化以利于后续工艺，参考图2所示，发光基板还可以包括位于第三保护层34之上的第三平坦层33，第一焊盘和第二焊盘位于第三平坦层33之上，第一金属子层11和第三金属子层83通过贯穿第三平坦层和第三保护层的过孔分别与阳极走线51电连接。第三平坦层的材料可以是有机材料，例如：树脂。需要说明的是，阳极走线还可以进一步分别包括位于铜子层之上的第二钼合金子层，此时，铜子层受到第二钼合金子层的保护，那么，后续无需再形成第三保护层。图2以发光基板包括第三保护层和第三平坦层为例进行绘示。另外，为了降低提高第三走线层的附着力，降低应力，发光基板还可以包括位
于衬底和第一走线之间的缓冲层，该缓冲层的材料可以是聚酰亚胺等材料。
98.本公开提供的实施例中，参考图13所示，发光基板还包括衬底7；多个第一焊盘1面向衬底7的表面露出以用于绑定电路板5；多个第二焊盘(阳极焊盘2和阴极焊盘2')远离衬底7的表面露出以用于绑定发光单元6。
99.参考图13所示，该发光基板还可以包括剥离层44，剥离层44位于衬底7和第一焊盘1之间。衬底7和剥离层44中，至少对应第一焊盘1中用于绑定电路板5的部分的区域(图12中标记50)被去除。剥离层的材料可以是可机械剥离材料。衬底的材料可以是刚性衬底，例如：玻璃；还可以是柔性衬底，例如：聚酰亚胺。
100.需要说明的是，图10-13中，仅示意性的绘示出第一焊盘和第二焊盘的结构，并未体现出第一焊盘包括的多层结构。
101.该发光基板中，第一焊盘包括第一金属子层和第一导电子层，那么，在绑定发光单元和第二金属子层时，绑定区的第一焊盘不会发生氧化，从而保证后续电路板和第一导电子层的绑定质量，进而提高产品良率。另外，该发光基板中，将电路板绑定至第一金属子层中靠近剥离层的一侧，从而减小了出光侧的非发光面积，进而可以实现更窄的边框。
102.进一步的，参考图13所示，发光基板还包括第一有机层41、以及层叠设置的保护层43和第二有机层42，其中，第一有机层41覆盖第一焊盘1，第二有机层位于保护层中远离衬底的一侧、且覆盖多个第二焊盘之间的区域。参考图13所示，该发光基板还可以包括与第二焊盘同层设置的阳极走线82，阳极走线82通过贯穿第一有机层41的过孔(图13未示出)与第一焊盘1电连接。阳极走线82与阳极焊盘2相连，图13中用虚线分开。该发光基板中，阳极焊盘2和阴极焊盘2'分别通过第二连接部10与发光二极管6的阳极和阴极电连接，电路板5通过第一连接部(图13未示出)与第一焊盘1电连接。该发光基板中，第一焊盘位于第一有机层41的下方，第二焊盘位于第一有机层41的上方。
103.第一焊盘中，第一金属子层的材料可以是铜或者含钼的合金，第一导电子层的材料可以是金属氧化物(例如：氧化铟锌、氧化铟锡)或者金属合金(例如：含铜镍的合金)。若第一金属子层的材料包括铜，此时，第一焊盘还可以包括设置在第一金属子层下方的含钼的合金子层，以利于制作第一金属子层。需要说明的是，在发光基板还包括第一有机层、保护层、第二有机层的情况下，由于电路板绑定至第一金属子层中靠近剥离层的一侧，因此，无需在第一有机层、保护层、第二有机层对应第一金属子层的区域设置过孔以露出第一焊盘；那么，在绑定发光单元和第二金属子层时，第一有机层、保护层、第二有机层可以对第一焊盘起到保护作用，防止其氧化，此时，第一焊盘可以仅包括第一金属子层(例如：铜子层等)或者第一导电子层(例如：铜镍子层等)。第一有机层的材料可以是聚酰亚胺，第二有机层的材料可以是树脂。
104.第二焊盘可以仅包括一层金属子层，该金属子层可以是铜子层或者含铜的合金子层(例如：含铜镍的合金子层)；当然也可以包括多层子层。考虑到尽可能充分利用原有工艺，降低制作成本，选择前者。
105.需要说明的是，参考图13所示，发光基板还可以包括位于覆盖发光单元的封装层9，以起到保护和封装作用，该封装层的材料可以是硅胶。
106.可选的，参考图1所示，多个第二焊盘分为多组第二焊盘，每组第二焊盘包括成对设置的阴极焊盘2'和阳极焊盘2。
107.发光基板还包括衬底、第一走线、与多个第二焊盘同层设置的第二走线、以及第三平坦层，其中，第一走线相对于第二走线靠近衬底设置，第三平坦层相对于第二走线靠近衬底设置、且覆盖第一走线。
108.第一走线与多个第一焊盘中的至少一个电连接，用于传输电路板提供的电信号。
109.第二走线用于实现多组第二焊盘的串联连接或者并联连接，且还用于通过贯穿第三平坦层的过孔与第一走线电连接。
110.上述多组第二焊盘的具体连接方式不做限定。图1中以相邻两组第二焊盘串联为例进行绘示。参考图1所示，区域oa为绑定区，区域ob为发光区，多个第二焊盘可以分为多组第二焊盘，每组第二焊盘用于绑定一个发光二极管、且包括成对设置的阴极焊盘2'和阳极焊盘2。第一走线可以包括阳极走线51和阴极走线52，第二走线包括走线81和走线82。相邻两组的第二焊盘通过走线81串联；串联的两组第二焊盘中，其中一组的阳极焊盘与一条走线82连接，走线82通过贯穿第三平坦层的过孔4与阳极走线51电连接；阳极走线51通过贯穿第三平坦层的过孔(图1未示出)与一个第一焊盘1电连接；另一组的阴极焊盘与另一条走线82连接，该走线82通过另一贯穿第三平坦层的过孔4与阴极走线52电连接，阴极走线52通过贯穿第三平坦层的过孔(图1未示出)与另一第一焊盘1电连接。图1中，阴极焊盘2'、阳极焊盘2、第一焊盘1、走线81和走线82同层设置，采用相同的填充图案；阳极走线51和阴极走线52同层设置，采用相同的填充图案。
111.当然，上述发光基板还可以包括第三保护层，第三保护层位于第三平坦层和第一走线之间、且覆盖第一走线，此时，第二走线需要通过贯穿第三平坦层和第三保护层的过孔与第一走线电连接。
112.本发明实施例还提供了一种背光模组，包括上述实施例中公开的发光基板。
113.根据相关技术可知，该背光模组还可以包括扩散片、驱动电路等结构，具体可以根据实际需要确定，这里不再赘述。
114.该背光模组可用于需要提供背光的任何显示装置或者部件中，该背光模组可以是刚性的背光模组，也可以是柔性的背光模组(即可弯曲、可折叠)；这里不做限定。
115.相比于传统的背光模组，在mini-led作为光源应用在背光模组中时，可以通过更加密集的光源排布来制作超薄的光源模组；再配合区域调光技术，使得包括mini-led背光模组的显示屏将有更好的对比度和高动态光照渲染显示效果。采用mini-led背光的液晶显示器，在亮度、对比度、色彩还原度和功耗方面远远优于目前的液晶显示器，甚至在对比度、功耗等方面可以与有源矩阵有机发光二极管显示屏竞争，同时还能利用现有液晶显示器产线控制生产成本。
116.本实施例中涉及的发光基板的结构，可以参考上述实施例中关于发光基板的相关说明，这里不再赘述。
117.本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例中公开的发光基板、电路板和多个发光单元；电路板与发光基板的多个第一焊盘电连接，多个发光单元与发光基板的多个第二焊盘电连接。
118.该显示装置具有对比度高、亮度好、色彩还原度高等特点。该显示装置可以是刚性的显示装置，也可以是柔性的显示装置(即可弯曲、可折叠)。该显示装置可以是电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。
119.本实施例中涉及的发光基板的结构，可以参考上述实施例中关于发光基板的相关说明，这里不再赘述。
120.本发明实施例又提供了一种显示装置的制作方法，包括：
121.s1、形成如上述实施例公开的发光基板。
122.s2、绑定多个发光单元和发光基板的多个第二焊盘。
123.具体的，若发光单元包括发光二极管，多个第二焊盘分为多组第二焊盘，每组第二焊盘包括成对设置的阴极焊盘和阳极焊盘，则将发光二极管的阳极和阴极分别与阳极焊盘和阴极焊盘对应电连接。该步骤中，可以采用回流焊工艺完成绑定。
124.s3、绑定电路板和发光基板的多个第一焊盘。
125.该步骤中，可以采用热压方式完成绑定。
126.本发明的实施例提供了一种显示装置的制作方法，通过步骤s1形成的发光基板中，绑定区的第一焊盘包括第一金属子层和第一导电子层，而第一导电子层具有抗氧化性、且覆盖第一金属子层；那么，在执行步骤s2时，绑定区的第一导电子层不会发生氧化，从而保证后续步骤s3中电路板的绑定质量，进而提高产品良率。
127.本发明实施例再提供了一种显示装置的制作方法，该显示装置包括的发光基板的结构可以参考图6或者图9所示，该方法包括：
128.s11、依次形成金属薄膜和导电薄膜并图案化，得到如图4所示的第一金属子层11、第二金属子层21、位于第一金属子层11之上的第一导电子层12和位于第二金属子层21之上的第二导电子层22。
129.这里，可以采用溅射工艺一步沉积金属子层薄膜和导电子层薄膜，并可以采用铜刻蚀液一步刻蚀进行图案化，以形成第一金属子层、第一导电子层、第二金属子层和第二导电子层。该s11中需要使用一道掩膜板(mask)以形成所需图案。
130.需要说明的是，通过s11形成的第一焊盘和第二焊盘分别包括两层结构。第一金属子层和第二金属子层的材料包括铜，为了增大铜的附着力，降低制作难度，第一焊盘还可以包括第一缓冲子层，第一金属子层位于第一缓冲子层之上；第二焊盘还可以包括第二缓冲子层，第二金属子层位于第二缓冲子层之上；第一缓冲子层和第二缓冲子层同层设置，材料可以是含钼的合金，例如：钼钛镍合金。若第一焊盘和第二焊盘还分别包括第一缓冲子层和第二缓冲子层，则可以采用溅射工艺一步沉积缓冲子层薄膜、金属子层薄膜和导电子层薄膜，并可以采用铜刻蚀液一步刻蚀进行图案化，以形成第一缓冲子层、第二缓冲子层、第一金属子层、第二金属子层、第一导电子层和第二导电子层。
131.s12、去除第二导电子层中用于与发光单元绑定的部分(即去除第二焊盘所在位置的第二导电子层)，以得到图6所示的发光基板。
132.第二导电子层的材料包括氧化铟锌或者氧化铟锡，考虑到氧化铟锌具有更好的导电性和更低的电阻率，一般多采用氧化铟锌制作。氧化铟锌可以被任何一种酸性物质刻蚀。可以参考图5所示，采用网刻工艺刻蚀掉第二导电子层中用于与发光单元绑定的部分，从而有利于后续采用锡膏通过回流焊固晶工艺将发光单元绑定至第二金属子层。图5中，采用工具40将氧化铟锌刻蚀膏30从掩膜板20上推至待刻蚀区。
133.s13、绑定发光单元和第二金属子层。
134.具体的，依次进行刷锡膏、发光二极管打件、回流焊、硅胶封装工艺等，以完成发光
单元和第二金属子层的绑定，从而形成如图7所示的发光基板。由于第一导电子层对第一金属子层起到保护作用，可以避免在s13中第一金属子层发生氧化，进而保证后续电路板的绑定质量，提高产品良率。
135.s14、绑定电路板和第一导电子层。
136.具体的，可以通过第一连接部将电路板和第一导电子层绑定在一起。
137.该发光基板的制作方法简单易实现、可操作性强。
138.可选的，在s12、去除第二导电子层中用于与发光单元绑定的部分之前、且在s11、依次形成金属薄膜和导电薄膜并图案化之后，方法还包括：
139.s15、形成有机薄膜并图案化，得到第一平坦层和如图6所示的第二平坦层24，第二平坦层在对应第二金属子层的区域设置第二过孔，以露出第二焊盘。
140.第一平坦层和第二平坦层的材料可以是有机材料，例如：树脂。该s15中，需要使用一道掩膜板以形成所需图案。
141.此时，s13、绑定发光单元和第二金属子层包括：
142.s131、在第二过孔内形成第二连接部，第二连接部与第二金属子层电连接。这里第二连接部的材料可以是锡膏、铜膏等，实际多采用锡膏。
143.s132、在第二连接部之上绑定发光单元。
144.具体的，可以采用回流焊固晶工艺绑定，其中，回流焊峰值温度在240℃左右，保持时间90s。
145.当然在s132之后，为了更好地保护发光单元，还会采用硅胶等封装材料对发光单元进行封装，形成如图7所示的封装层9。一般硅胶固化温度为150℃，保持4h。
146.可选的，在s13、绑定发光单元和第二金属子层之后，且在s14、绑定电路板和第一导电子层之前，方法还包括：
147.结合图8和图9，s16、部分刻蚀第一平坦层14中对应第一导电子层12的区域，形成第一过孔，以露出第一焊盘。需要说明的是，在进行s16之前，发光区已经完成封装。由于封装层比较厚，s16中刻蚀形成第一过孔，对发光区的影响较小，因此不需要额外使用掩膜板。
148.s14、绑定电路板和第一导电子层包括：
149.s141、在第一过孔内形成第一连接部，第一连接部与第一导电子层电连接。
150.s142、在第一连接部之上绑定电路板。
151.这里，第一连接部的材料可以是热固化胶，可以采用热压方式绑定电路板，温度一般为130℃～150℃。
152.需要说明的是，通过s15和s16分别形成第二过孔和第一过孔，这样在s13、绑定发光单元和第二金属子层时，第一焊盘上方设置有第一平坦层，第一平坦层对第一焊盘可以起到保护作用，防止其发生氧化。因此，采用该方法制作时，第一焊盘也可以仅包括第一金属子层，无需设置第一导电子层，相应地，第二焊盘也可以仅包括第二金属子层，无需设置第二导电子层。
153.另外，由于第一焊盘包括第一金属子层和第一导电子层，第一导电子层对第一金属子层起到很好的保护作用，因此s16还可以并入s15，即在s15中，同时形成第一过孔和第二过孔，以露出第一焊盘和第二焊盘，形成的发光基板结构可参考图6所示。这样在s13、绑定发光单元和第二金属子层时，即使第一焊盘露出，但是由于第一导电子层具有很好的抗
氧化性，也可以避免自身和第一金属子层发生氧化。
154.制作方法中，在s11、s15中各使用一道掩膜板。另外，若要形成如图9所示的发光基板，在s11之前，该制作方法还包括：形成第一走线，第一走线包括阳极走线51和阴极走线(图9未示出)。那么，形成图9所示的发光基板总计需要4道掩膜板(4mask)。
155.相关技术中，形成的发光基板如图20所示，一般采用4道掩膜板制作方法包括：s100、如图14所示，在玻璃衬底100上形成厚铜层101；s101、形成如图15所示的第一树脂层(resin-1)102；s102、形成如图15所示的薄铜层103；s103、形成如图16所示的氮氧化硅绝缘层104；s104、形成如图17所示的第二树脂层(resin-2)105，并如图18所示在二极管绑定区(led bonding pad)和柔性电路板绑定区(fpc bonding pad)开孔；s105、对开孔区域进行干法刻蚀，以露出薄铜层，从而形成如图19所示的mini-led发光基板。接着，进行后段工艺。后段工艺包括：依次进行刷锡膏、转移发光二极管、回流焊固晶、丝网印刷硅胶、硅胶固化。完成后的发光基板如图20所示。其中回流焊峰值温度在240℃左右，保持时间90s。硅胶固化温度150℃，保持4h。这些温度制程会导致柔性电路板绑定区的铜表面变成深红色，发生氧化，从而引起后续柔性电路板的绑定不良，降低产品良率。图20中，微发光二极管107的阳极108、阴极109分别通过锡膏110与薄铜层103电连接，该发光基板还包括硅胶封装层106。
156.与相关技术相比，本发明实施例提供的发光基板制作方法并未增加掩膜板的数量，同时能够避免在制作发光基板的过程中采用铜制作的第一金属子层发生氧化的问题，从而保证电路板的绑定质量，进而提高产品良率。另外，在本发明实施例提供的发光基板中，由于第一金属子层上方设置有第二导电子层，对第二金属子层起到很好的保护作用，因此，发光基板的制作方法中去掉了原有制程的氮氧化硅保护层的工艺，从而省去了原有工艺中pecvd(plasma enhanced chemical vapor deposition，等离子体增强化学气相沉积法)工艺和氮氧化硅刻蚀工艺，简化了原有工艺流程，降低了制造成本。
157.本发明实施例还提供了一种显示装置的制作方法，该显示装置包括的发光基板的结构可以参考图2所示，该方法包括：
158.s21、依次形成金属薄膜和导电薄膜并图案化，得到第一金属子层、第二金属子层、位于第一金属子层之上的第一导电子层和位于第二金属子层之上的第二导电子层。
159.这里，可以采用溅射工艺一步沉积金属子层薄膜和导电子层薄膜，并可以采用刻蚀液一步刻蚀进行图案化，以形成第一金属子层、第一导电子层、第二金属子层和第二导电子层。该s21中需要使用一道掩膜板以形成所需图案。
160.需要说明的是，通过s21形成的第一走线层和第二走线层分别包括两层结构。若第一金属子层和第二金属子层的材料包括铜，为了增大铜的附着力，降低制作难度，第一焊盘还可以包括第一缓冲子层，第一金属子层位于第一缓冲子层之上；第二焊盘还可以包括第二缓冲子层，第二金属子层位于第二缓冲子层之上。若第一焊盘和第二焊盘还分别包括第一缓冲子层和第二缓冲子层，则可以采用溅射工艺一步沉积缓冲子层薄膜、金属子层薄膜和导电子层薄膜，并可以采用刻蚀液一步刻蚀进行图案化，以形成第一缓冲子层、第二缓冲子层、第一金属子层、第二金属子层、第一导电子层和第二导电子层。
161.若第一金属子层和第二金属子层的材料包括含钼的合金，此时，第一焊盘包括第一金属子层(含钼的合金层)和第一导电子层(含铜镍的合金层)两层结构，第二焊盘包括第二金属子层(含钼的合金层)和第二导电子层(含铜镍的合金层)两层结构。
162.s22、绑定发光单元和第二导电子层。
163.具体的，可以依序进行刷锡膏、发光二极管打件、回流焊、硅胶封装工艺等，以完成发光单元和第二金属子层的绑定。在进行s22时，若第一金属子层的材料包括铜，则第一导电子层对第一金属子层起到保护作用，从而避免第一金属子层发生氧化；若第一金属子层的材料包括含钼的合金，第一导电子层的材料包括含铜镍的合金，第一导电子层具有抗氧化性，不会发生氧化。综上，两种情况均可以避免在发光区绑定发光单元和第二导电子层时，绑定区的第一走线层发生氧化；从而保证后续电路板的绑定质量，进而提高产品良率。
164.s23、绑定电路板和第一导电子层。
165.具体的，可以通过第一连接部将电路板和第一导电子层绑定在一起。
166.发光基板的制作方法简单易实现、可操作性强。
167.可选的，在s22、绑定发光单元和第二导电子层之前、且在s21、依次形成金属薄膜和导电薄膜并图案化之后，方法还包括：
168.s24、依次形成第一薄膜和第二薄膜并图案化，得到第一保护层、第二保护层、第一平坦层、第二平坦层和第二过孔，第二过孔贯穿第二保护层和第二平坦层，以露出第二焊盘。
169.第一薄膜的材料可以是氮氧化硅、氮化硅等，用于形成第一保护层和第二保护层；第二薄膜材料可以是树脂，用于形成第一平坦层和第二平坦层。该s24中，需要使用一道掩膜板以形成所需图案。
170.s22、绑定发光单元和第二导电子层包括：
171.s221、在第二过孔内形成第二连接部，第二连接部与第二导电子层电连接。这里第二连接部可以是锡膏、铜膏等，实际多采用锡膏。
172.s222、在第二连接部之上绑定发光单元。
173.具体的，可以采用回流焊固晶工艺绑定，其中，回流焊的温度为230～260℃，保持时间90s。
174.当然在s222之后，为了更好地保护发光单元，还会采用硅胶等封装材料对发光单元进行封装。一般硅胶固化温度为150℃，保持4h。
175.在s22、绑定发光单元和第二导电子层之后，且在s23、绑定电路板和第一导电子层之前，方法还包括：
176.s25、部分刻蚀第一保护层和第一平坦层中对应第一导电子层的区域，形成第一过孔，以露出第一焊盘。需要说明的是，在进行s25之前，发光区已经完成封装。由于封装层比较厚，s25中刻蚀形成第一过孔，对发光区的影响较小，因此不需要额外使用掩膜板。
177.s23、绑定电路板和第一导电子层包括：
178.s231、在第一过孔内形成第一连接部，第一连接部与第一导电子层电连接。
179.s232、在第一连接部之上绑定电路板。
180.这里，第一连接部可以是热固化胶，可以采用热压方式绑定电路板，温度一般为130℃～150℃。
181.需要说明的是，通过s24和s25分别形成第二过孔和第一过孔，这样在s22、绑定发光单元和第二金属子层时，第一焊盘上方设置有第一保护层和第一平坦层，第一保护层和第一平坦层对第一焊盘可以起到保护作用，防止其发生氧化。因此，采用该方法制作时，第
一焊盘也可以仅包括铜子层或者含铜合金子层，无需设置两层导电结构，相应地，第二焊盘也可以仅包括铜子层或者含铜合金子层。
182.另外，由于第一焊盘包括第一金属子层和第一导电子层，第一导电子层对第一金属子层起到很好的保护作用，因此s25还可以并入s24，即在s24中，同时形成第一过孔和第二过孔，以露出第一焊盘和第二焊盘。这样在s22、绑定发光单元和第二金属子层时，即使第一焊盘由于第一过孔露出一部分，但是由于第一导电子层具有很好的抗氧化性，也可以避免自身和第一金属子层发生氧化。
183.制作方法中，在s21、s24中各使用一道掩膜板。另外，若要形成如图2所示的发光基板，在s21之前，该制作方法还包括：分别形成第一走线、第三保护层34和第三平坦层33，其中，第一走线包括阳极走线51和阴极走线(图2未示出)。形成第三走线需要使用一道掩膜板，形成第三保护层33和第三平坦层34需要使用一道掩膜板。那么，形成图2所示的发光基板总计需要4道掩膜板(4mask)。
184.与相关技术相比，本发明实施例提供的发光基板制作方法并未增加掩膜板的数量，同时能够避免在制作发光基板的过程中采用铜制作的第一金属子层发生氧化的问题，从而保证电路板的绑定质量，进而提高产品良率。
185.本发明实施例又提供了一种显示装置的制作方法，该显示装置包括的发光基板的结构可以参考图13所示，该方法包括：
186.s31、在衬底上形成剥离层，剥离层位于绑定区和发光区。
187.剥离层的材料可以是可机械剥离材料。衬底的材料可以是刚性材料，例如：玻璃；或者，还可以是柔性材料，例如：聚酰亚胺(pi)。
188.s32、在剥离层之上形成第一焊盘1和第二焊盘(阴极焊盘2'和阳极焊盘2)；第一焊盘包括层叠设置的第一金属子层和第一导电子层。形成的发光基板可参考图10所示。
189.在进行绑定工艺之前，参考图11所示，在电路绑定板位置完成局部激光剥离(llo)工艺和发光基板切割，以得到单个待绑定发光基板，然后对单个待绑定发光基板进行后续绑定工艺。
190.s33、绑定发光单元和第二焊盘。
191.具体的，可以依序进行刷锡膏、发光二极管打件、回流焊、硅胶封装工艺等，以完成发光单元和第二走线层的绑定。
192.s34、至少去除衬底和剥离层中对应第一金属子层中用于绑定电路板的部分的区域(图12中标记50)，并露出部分第一金属子层。
193.具体的，可以采用局部切割，去除衬底和剥离层中对应第一金属子层中用于绑定电路板的部分的区域。
194.s35、绑定电路板和第一金属子层。
195.具体的，可以通过第一连接部将电路板和第一金属子层绑定在一起。
196.在该方法中，形成的第一焊盘包括第一金属子层和第一导电子层，那么，在绑定发光单元和第二金属子层时，绑定区的第一焊盘不会发生氧化，从而保证后续电路板和第一导电子层的绑定质量，进而提高产品良率。另外，该方法中，将电路板绑定至第一金属子层中靠近剥离层的一侧，从而减小了出光侧的非发光面积，进而可以实现更窄的边框。
197.进一步可选的，参考图13所示，发光基板还包括第一有机层41、保护层43、第二有
机层42、过孔(图13未标记)和第二连接部10，第一有机层覆盖第一焊盘。第二焊盘位于第一有机层的上方，保护层覆盖第二焊盘和第一有机层，第二有机层位于保护层的上方。过孔贯穿第二有机层和保护层，以露出第二焊盘，发光单元通过第二连接部与第二焊盘电连接。
198.那么，在剥离层之上形成第一焊盘的步骤需要一道掩膜板；另外，形成第二焊盘，形成第一有机层，形成保护层、第二有机层和过孔分别需要一道掩膜板。则形成图13所示的发光基板共计需要4道掩膜板，与相关技术相比，并未增加掩膜板的数量，同时能够避免在制作发光基板的过程中第一焊盘发生氧化的问题，从而保证电路板的绑定质量，进而提高产品良率。另外，该方法中，将电路板绑定至第一金属子层中靠近剥离层的一侧，从而减小了出光侧的非发光面积，进而可以实现更窄的边框。
199.以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。